Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
To constitute a light-emitting diode in a structure with the electrodes not being peeled off a transparent conductive film which is used as a current diffusion film at manufacturing of the diode.例文帳に追加
電流分散膜として透明導電膜を用いた発光ダイオードを製造する際に、透明導電膜からの電極剥がれを起こさない構造とする。 - 特許庁
A total diffuse reflection luminance calculation step performs processing for calculating total diffuse reflection luminance showing diffusion reflection luminance of colors and density for each pixel of a photographed image.例文帳に追加
全拡散反射輝度計算ステップは、撮影された画像の画素ごとのカラー及び濃淡の拡散反射輝度を示す全拡散反射輝度を計算する処理をする。 - 特許庁
Once the temperature reaches the equilibrium temperature, further heating is carried out, the temperature is raised to the temperature needed for the high-rate diffusion, and the transmission band is inspected.例文帳に追加
一度平衡温度が達成されると更なる加熱が行われ、温度は高レートの拡散を生み出すために必要な温度まで上げられ、伝送帯域が検査される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with a heterostructure magnetic shield having high magnetic shield effect, while preventing diffusion of the material of the magnetic material film during manufacturing processes.例文帳に追加
製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止しながら、高い磁気シールド効果を有するヘテロ構造磁気シールドを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a one-pack aqueous adhesive composition that is excellent in workability, adhesive properties and water resistance and is suppressed in diffusion of ammonia, acetic acid and 13 VOC substances.例文帳に追加
作業性、接着性および耐水性に優れ、アンモニア、酢酸およびVOC13物質の放散が抑制された1液型水系接着剤組成物の提供。 - 特許庁
To practically, simply and accurately control a diffusion combustion rate at a low load and a premixed combustion rate at a medium/high load respectively according to the quality of fuel.例文帳に追加
実用的かつ簡便で精度良く、燃料の質に応じて低負荷時における拡散燃焼割合、中・高負荷時における予混合燃焼割合をそれぞれ制御する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode.例文帳に追加
一態様に係る半導体装置は、第1導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第1半導体拡散層、及びアノード電極を有する。 - 特許庁
A drain electrode 51 is formed on the surface of the n^--type diffusion area 44D with a distance from the side walls 43 of the gate electrodes 42 by the width of a silicide block area 52.例文帳に追加
n^−型拡散領域44Dの表面に、ゲート電極42のサイドウォール43からシリサイドブロック領域52分だけ離間してドレイン電極51を形成した。 - 特許庁
On a side of a trench 5a dug from a surface of an epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 6 made of polysilicon with N-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加
エピタキシャル層4の表面から掘り下がったトレンチ5aの側面には、N型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層6が被着されている。 - 特許庁
To provide a power semiconductor device where depth of impurity diffusion in an anode electrode region can be made shallow so as to reduce recovery loss.例文帳に追加
リカバリー損失の低減を図るべく、アノード電極領域の不純物拡散深さを浅くすることができる電力用半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The wavelength converting sheet 1, in which a wavelength converting material for converting the ultraviolet ray into the visible light is carried on a base material 11 having translucency, has a light-diffusion property.例文帳に追加
波長変換シート1は、紫外光を可視光に変換する波長変換材料が光透過性を有する基材11に担持されており、光拡散性を有している。 - 特許庁
Further, the fatigue strength can be further improved by combining incorporating the melting point lowering substance with nitrogen diffusion hardening and/or aging treatment subsequent to sintering.例文帳に追加
更に、当該疲労強度は、融点低下物質の組込みを、窒素拡散硬化及び/又は時効処理と、焼結に続いて組み合わせることによって更に向上しうる。 - 特許庁
Since the adhesion layer contains a crystal phase, smearing of the spacer and electron emission source due to diffusion of a glass constituent element is suppressed, and high quality image can be obtained.例文帳に追加
接着層に結晶相が含まれることで、ガラス構成元素の拡散によるスペーサや電子放出源の汚染を抑え、高品質の画像を得ることができる。 - 特許庁
A nitride layer comprising a diffusion layer and a compound layer having Vickers hardness (Hv) of 900 or more is formed on surfaces of an inner ring 1 and an outer ring 2 made of iron-steel material.例文帳に追加
鉄鋼材料からなる内輪1および外輪2の表面に、拡散層とビッカース硬さ(Hv)900以上の化合物層とからなる窒化層を形成する。 - 特許庁
Since the effective gradation is a gradation equivalent to brightness measured on the panel, luminance linearity can be improved if error diffusion is performed using the effective gradation.例文帳に追加
実効階調は、パネル上で測定した明るさに相当する階調であるので、実効階調を用いて誤差拡散を行うと、輝度リニアリティを改善することができる。 - 特許庁
The light emitted by the light emitting diodes 10 is diffused by a diffusion plate 11 and radiated from transmission windows 9 to shine the parts near the horizon of the inside wall surface of a dome.例文帳に追加
発光ダイオード10が射出する光は拡散板11により拡散され透過窓9より放射され、ドーム内壁面の地平線付近を照らし出す。 - 特許庁
If this apparatus is used, since the processing gas can be supplied uniformly within the gaseous diffusion plate, substrate processing, such as membranous deposition and membranous etching can be performed uniformly.例文帳に追加
この装置を用いれば、処理ガスをガス拡散プレート内で均一に供給できるので、膜の堆積や膜のエッチングなどの基板処理を均一に行うことができる。 - 特許庁
GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR SOLID POLYMER FUEL CELL, MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SOLID POLYMER FUEL CELL, AND THE SOLID POLYMER FUEL CELL例文帳に追加
固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極、固体高分子型燃料電池用膜−電極接合体とその製造方法、および固体高分子型燃料電池 - 特許庁
In the mist apparatus, the nozzles are arranged in the vertical direction, and the nozzles arranged above have diffusion angles smaller than that of the nozzles arranged below.例文帳に追加
また、前記のミスト装置において、ノズルが垂直方向に配列され、上方に配置したノズルが、下方に配置したノズルよりも拡散角度の狭いミスト装置である。 - 特許庁
Consequently the voltage of the vertical signal line in a situation that signals accumulated in the photo diode are transferred to the floating diffusion can be used as a comparison voltage for each row of pixels.例文帳に追加
フォトダイオードに蓄積した信号がフローティングディフュージョンに転送された状態での垂直信号線の電圧を各列ごとの比較電圧として用いることができる。 - 特許庁
Further, the width of a superimposed diffusion layer 1121 for the source and drain region 112 is made larger than a distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109.例文帳に追加
また、ソース、ドレイン領域112の積み上げ拡散層1121の幅がゲート電極103と素子分離領域109との間の距離よりも大きくなるようにしている。 - 特許庁
To provide a preprocessing method for selectively forming a diffusion layer on the surface of a substrate while preventing a smear or a spread on a pattern after application using an inkjet system.例文帳に追加
インクジェット方式を用いて、塗布後のパターンが滲む又は広がることなく基板の表面に選択的に拡散層を形成するための前処理方法を提供すること。 - 特許庁
Moreover, in the case of S poisoning release time (S17) of the NOx trap catalyst or regeneration time (S18) of DPF, an exhaust air air-fuel ratio is made rich in diffusion combustion (S19).例文帳に追加
また、NOxトラップ触媒のS被毒解除時期(S17)、又はDPFの再生時期(S18)の場合は、拡散燃焼で排気空燃比をリッチにする(S19)。 - 特許庁
A word line is connected to the gate electrode of the cell Tr of the corresponding cell, and a bit line is connected to the 1st impurity diffusion area of the corresponding cell Tr.例文帳に追加
ワードラインが、対応するセルのセルTrのゲート電極に接続され、ビットラインが、対応するセルTrの第1の不純物拡散領域に接続される。 - 特許庁
The gas diffusion layer substrate after allowing the cerium-containing oxide to be contacted with the water-repellent layer paste coating surface is heated to dissolve and remove the surfactant contained in the water-repellent layer paste.例文帳に追加
撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有物が接触されたガス拡散層基材を加熱して、撥水層ペーストに含まれる界面活性剤を分解除去する。 - 特許庁
Thereby, not only contamination of the objective lens 87 by the gas can be prevented but diffusion of the gas inside the casing with rotation of the recording drum 1 can be prevented.例文帳に追加
これにより、対物レンズ87のガスによる汚染が防止できるだけでなく、ガスが記録ドラム1の回転に伴って筐体内部に拡散することを防止できる。 - 特許庁
The film of AlTiN is formed on the base layer 3 by the sputtering method utilizing a mixed gas formed by adding N2 gas to Ar gas to form a heat diffusion layer 4.例文帳に追加
ArガスにN_2 ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法により、下地層3上にAlTiNを成膜することによって熱拡散層4を形成する。 - 特許庁
To effectively provide an electrode diffusion without eroding a bottom electrode layer on a base material by Sn, even if reflow process is carried out.例文帳に追加
リフロー処理を行っても基材上の下地電極層がSnによって侵食されることもなく電極喰われを効果的に防止することのできるようにする。 - 特許庁
A resist is applied on a silicon substrate 10, ions are implanted into a source region 18 and a drain region 22, and a gate region 20 is formed by diffusion of ions through thermal treatment.例文帳に追加
シリコン基板10上にレジストを塗布してソース領域18、ドレイン領域22にイオン注入し熱処理によりイオン拡散してゲート領域20を形成する。 - 特許庁
To provide a Zener diode and a method for manufacturing the same capable of increasing the yield and minimizing the production cost by not using a diffusion mask and minimizing the number of processes.例文帳に追加
拡散マスクを使用せず、工程数を最小限に低減することにより歩留りを高め、製造コストを最小化するツェナーダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A field effect transistor is provided with a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加
半導体基板1上にゲート絶縁膜2と、ゲート電極3と、一対のソース/ドレイン拡散領域13a,13bとを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁
When the piezoelectric layer 3 is annealed, the composition is corrected and the optimum composition is obtained by diffusing diffusion elements in the first piezoelectric layer 3A.例文帳に追加
この圧電層3に対してアニール処理を施すと、第1の圧電層3Aにおいては拡散元素が拡散することによって、組成が修正されて最適組成となる。 - 特許庁
An insulating diffusion prevention film 5 is arranged between polysilicon wiring 12 formed on a substrate 1 and silicide wiring 13 arranged opposite to the polysilicon wiring 12.例文帳に追加
基板1上に形成されたポリシリコン配線12と、ポリシリコン配線12に対向して配置されたシリサイド配線13と間に、絶縁性の拡散防止膜5を配置する。 - 特許庁
To always stably and highly accurately detect toner density even in the case that the diffusion reflectance of an image carrier surface is low in the toner density detecting means of a color image forming device.例文帳に追加
カラー画像形成装置のトナー濃度検出手段において、像担持体地肌の拡散反射率が低い場合でもトナー濃度を常に安定して精度良く検出する。 - 特許庁
To provide a coating liquid for boron diffusion for diffusing boron in higher concentration to a large size wafer larger than 4 inches without fluctuation of resistance value of a semiconductor device.例文帳に追加
4インチ以上の大型ウェーハに半導体デバイスの抵抗値のばらつきなく、高濃度にホウ素を拡散させることができるホウ素拡散用塗布液を提供する。 - 特許庁
Respective gas diffusion layers 8 and 9 have intermediate layers 12 and 15 overlapped on the catalyst layers 6 and 7, and outside layers 13 and 16 overlapped on the outside of the intermediate layers 12 and 15.例文帳に追加
各ガス拡散層8,9は、触媒層6,7に重ねられた中間層12,15と、中間層12,15の外側に重ねられた外部層13,16とを有している。 - 特許庁
The second interlayer insulating film remaining in the second hole is selectively removed and the first diffusion prevention film positioned below the second hole is selectively removed.例文帳に追加
第2のホール内に残存する第2の層間絶縁膜を選択的に除去し、第2のホールの下方に位置する第1の拡散防止膜を選択的に除去する。 - 特許庁
To manufacture caustic soda at an appropriate electrolysis temperature controlled by cooling an electrolytic cell with a gas diffusion cathode placed therein which tends to overheat electrolytic cell components.例文帳に追加
電解槽構成部材が過熱状態になり易いガス拡散陰極装着電解槽を冷却して適正な電解温度で苛性ソーダ等の製造を行う。 - 特許庁
Gate electrodes 5A-5F have the same shapes and projections of the electrodes 5A-5F are extended to substrate contacting diffusion regions beyond an element separating region.例文帳に追加
ゲート電極5A〜5Fを同一形状であり、ゲート電極5A〜5Fの突き出し部は、素子分離領域を越えて基板コンタクト用の拡散領域上まで延びている。 - 特許庁
The first conductive layer 21 contains metal particles 22A and a metal deactivator for suppressing diffusion of a metal and metal ions contained in the first conductive layer 21.例文帳に追加
第1導電層21は、金属粒子22Aと、第1導電層21に含まれる金属および金属イオンの拡散を抑制する金属不活性剤とを含む。 - 特許庁
In a CH1 side photothyristor and a CH2 side photothyristor, a shot key barrier diode 44 is formed between a p-gate diffusion region 33 and an n-type silicon substrate 31.例文帳に追加
CH1側のフォトサイリスタとCH2側のフォトサイリスタとにおいて、Pゲート拡散領域33とN型シリコン基板31との間にショットキーバリアダイオード44を形成している。 - 特許庁
CATALYST LAYER FOR FUEL CELL, GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR FUEL CELL, MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY FOR FUEL CELL, FUEL CELL, AND CATALYST LAYER FOR FUEL CELL WITH FILM BASE MATERIAL例文帳に追加
燃料電池用触媒層、燃料電池用ガス拡散電極、燃料電池用膜・電極接合体、及び燃料電池、並びにフィルム基材付き燃料電池用触媒層 - 特許庁
A membrane-electrode assembly 110 is provided with the cathode-side catalyst layer 114c and the cathode-side gas diffusion layer 116c on one face of an electrolyte membrane 112 as a cathode.例文帳に追加
膜電極接合110は、カソードとして、電解質膜112の一方の面に、カソード側触媒層114cと、カソード側ガス拡散層116cとを備える。 - 特許庁
Besides, since a dielectric film 22 is passivated by nitrogen materials before forming an upper electrode 21, the mutual diffusion of the electrode and the dielectric is prevented.例文帳に追加
また誘電体膜22は、上部電極21が形成される前に窒素材料でパッシベートされることにより、電極と誘電体との相互拡散が防止される。 - 特許庁
This parting agent for heat treatment is interposed and coated in the case of executing the heat treatment for, e.g. brazing, diffusion bonding, sintering, to pure titanium, titanium alloy and other active metals.例文帳に追加
この熱処理用の離型剤は、チタン,チタン合金,その他の活性金属を、例えばろう付け,拡散接合,焼結等の熱処理する際に、介装,塗布される。 - 特許庁
Ions are implanted with conductor layer patterns 114b as a mask to form an embedded type impurity diffusion layer 120 near the surface of the semiconductor substrate between the patterns 114b.例文帳に追加
導電層パターン114bをマスクとしてイオン打ち込みを行い、これらの間の半導体基板の表面近傍に埋め込み型不純物拡散領域120を形成する。 - 特許庁
The diffusion prevention layer is formed between the p-type semiconductor substrate and the mesa structure part and between the p-type semiconductor substrate and the semi-insulating semiconductor embedded layer.例文帳に追加
拡散防止層は、p型半導体基板とメサ構造部の間、及び、p型半導体基板と半絶縁性半導体埋込層との間に設けられている。 - 特許庁
In the annealing process, only the silicon atoms in the vicinity of the surface of a silicon substrate 12 are selectively excited by the RLSA plasma, and the depth-direction impurity diffusion is suppressed.例文帳に追加
アニール工程では、RLSAプラズマにより、シリコン基板12表面近傍のシリコン原子のみが選択的に励起され、深さ方向への不純物拡散は抑制される。 - 特許庁
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