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「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(221ページ目) - Weblio英語例文検索
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Diffusionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 18238



例文

Then the diffusion depth of the base area 35 can be controlled independently of the thickness of the silicon layer 33, so the ON resistance is reducible and the controllability of the threshold voltage is improved.例文帳に追加

そして、シリコン層33の厚さとは独立にベース領域35の拡散深さを制御できるため、オン抵抗を低くでき、また、閾値電圧の制御性も向上できる。 - 特許庁

In the case of considerable difference in diffusion coefficient of reflected wave, the fishing line is judged to have a critical flaw, a warning sound is sent out from a speaker and an LED lamp is lighted.例文帳に追加

反射波の拡散率が大幅に異なる場合は、釣り糸に致命的な傷があると判断し、スピーカーから警告音を発すると共に、LEDランプを点灯させる。 - 特許庁

To provide a coating composition used in screen printing or the like which provides a light diffusion graduation treatment on one surface of a light guide plate, and to provide a light guide plate printed therewith.例文帳に追加

導光板の片面に光拡散グラデーション処理を施すスクリーン印刷等に用いる塗料組成物、及びそれを印刷した導光板を提供すること。 - 特許庁

An incident signal light getting incident from a luminescent element via an optical fiber 1A is transmitted through a transmitted light diffusion part 2 to be diffused, and made incident on an optical waveguide 3.例文帳に追加

発光素子から光ファイバ1Aを介して入射された信号光は、透過光拡散部2を透過して拡散され、光導波路3内に入射される。 - 特許庁

例文

We will first introduce the results of analysis done by the US Department of Commerce (2002) on the industrial level regarding the relationship between progress in the diffusion of IT and the increase in labor productivity in the US.例文帳に追加

まず、米国の場合について、IT化の進展と労働生産性の上昇との関係を、産業レベルで分析した米国商務省(2002)の分析結果を紹介する。 - 経済産業省


例文

In order to promote the diffusion of fuel cell vehicles and hydrogen stations, demonstration tests have been conducted in which a fuel cell vehicle ran on public roads so that its performance could be evaluated and problems could be identified.例文帳に追加

燃料電池自動車、水素ステーションの普及に向けて、燃料電池自動車を公道で走らせ、実用化に向けた性能評価、課題抽出を実施。 - 経済産業省

The signal charge storage part 7 having the stray diffusion area 22, which is formed on the surface of the substrate, by detaching it from the charge supply part 5 by a prescribed distance, is disposed.例文帳に追加

上記基板表面に上記電荷供給部5から所定距離だけ離間して形成された浮遊拡散領域22を有する信号電荷蓄積部7を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stabilizing an electrical resistance between a capacitor and dopant diffusion region of a transistor low and decreasing the number of processes.例文帳に追加

キャパシタとトランジスタの不純物拡散領域との間の電気抵抗を低く安定化し得て、工程数を削減し得る半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The flat surface fluorescent lamp comprises: an electric discharge container 1 to which a discharge medium that at least includes mercury inside is enclosed and having a plurality of discharge cells 1c that form a plurality of positive columns; and mercury diffusion control means for allowing diffusion or control of mercury relative to the adjacent discharge cells 1c.例文帳に追加

本発明の平面型蛍光ランプは、内部に少なくとも水銀を含む放電媒体が封入されるとともに、複数の陽光柱を形成する複数の放電セル1cを有する放電容器1と、放電容器1の雰囲気温度により、隣接する放電セル1cへの水銀拡散または抑制を可能にする水銀拡散制御手段とを具備する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device whose pattern layout is optimized so that the yield of flattening by CMP is not influenced owing to increase of the integration degree of the semiconductor device having a well contact diffusion layer and a sub-contact diffusion layer disposed between both P- and N-channel transistor arrays arranged facing each other.例文帳に追加

Pchトランジスタ列とNchトランジスタ列とが向かい合って配置された半導体集積回路において、両トランジスタ列間にウェルコン拡散層及びサブコン拡散層が配置された装置の集積度を高めても、CMPによる平坦化を行う際に歩留まりに悪影響のないパターンにレイアウトを最適化した半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

A DAB encoder 20 takes the data of TII, FIG, and MSC as DAB data from the reproduced data of the data recorder 14 and subjects the FIG data sequentially to energy diffusion and convolutional coding to form FIC and subjects the MSC data to the energy diffusion, the convolutional coding, a time interleave, a multiplex and a frequency interleave to form a MSC.例文帳に追加

DABエンコーダ20は、データレコーダ14の再生データから、DABのデータとしてのTII、FIG、及びMSCデータを抽出し、FIGは、エネルギ拡散及び畳み込み符号化を順次行って、FICを形成し、MSCデータは、エネルギー拡散、畳み込み符号化、タイムインターリーブ、マルチプレックス、及び周波数インターリーブを行って、MSCを形成する。 - 特許庁

A first semiconductor element having a junction electrode connected to a first node of a bidirectional switch circuit is mounted on a first metal base plate serving as a thermal diffusion plate; and similarly, a second semiconductor element having a junction electrode connected to a second node of the bidirectional switch circuit is mounted on a second metal base plate serving as a thermal diffusion plate.例文帳に追加

熱拡散板となる第1金属ベース板に、双方向スイッチ回路の第1節点と接続される接合電極を有する第1半導体素子を載置するとともに、同じく熱拡散板となる第2金属ベース板に、前記双方向スイッチ回路の第2節点と接続される接合電極を有する第2半導体素子を載置する。 - 特許庁

The sheet member 44 has a hydrogen supply port 44i, and the hydrogen supply port 44i is formed so that resistance for making flow fluid from the anode side diffusion layer 43a to the anode side metallic porous body 45a is higher than resistance for making flow hydrogen from the anode side metallic porous body 45a to the anode side diffusion layer 43a.例文帳に追加

シート部材44は、水素供給口44iを備えており、水素供給口44iは、アノード側金属多孔体45aからアノード側拡散層43aに水素が流れるときの抵抗よりも、アノード側拡散層43aからアノード側金属多孔体45aに流体が流れるときの抵抗の方が大きくなるように形成されている。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of semiconductor device with the conductor layer formed by laminating silicon and cobalt silicide comprises a process for forming and laminating a diffusion suppressing film consisting of silicon into which nitrogen is mixed, a process for forming and laminating the diffusion suppressing film and a cobalt film, and a process for forming the cobalt silicide by reacting silicon and cobalt.例文帳に追加

また、シリコンとコバルトシリサイドとを積層した導体層を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコンに窒素が混入した拡散抑制膜を積層形成する工程と、前記拡散抑制膜にコバルトの膜を積層形成する工程と、前記シリコンとコバルトとを反応させてコバルトシリサイドを形成する工程とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加

この半導体装置20は、NMOSトランジスタ31を含む内部回路1と、p型ウェル拡散領域11と、そのp型ウェル拡散領域11内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のn型領域12aおよび12bとを有する保護素子41を含む静電気保護回路2とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置10は、半導体基板1上に形成された不純物拡散層2と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜3と、層間絶縁膜3を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層2との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

The fluororesin-contained porous material formed by having the gas diffusion material deposited on the surface of a conductive base material by electrophoresis after processing dispersion liquid of the gas diffusion electrode material having a fluororesin corpuscle as the main component by dialysis or ultrafilteration is used as the raw material for a gas feeding layer and/or a reaction layer.例文帳に追加

フッ素樹脂微粒子を主体とするガス拡散電極材料の分散液を、透析又は限外濾過により処理した後、電気泳動によって、前記ガス拡散電極材料を導電性基材の表面に析出させて形成したフッ素樹脂含有多孔質体を、電極のガス供給層又は/及び反応層の素材とする。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor device having a metallic wiring covered by a low-permittivity film without the low-permittivity film and a metal-diffusion-preventing film exfoliated by improving an adhesion at the interface between the metal-diffusion-preventing film for preventing the diffucion from the metal wiring and the low-permittivity film.例文帳に追加

低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate having satisfactory printing performance as the printing plate and using a silver complex salt diffusion transfer process in which the optical reflection density of a silver printing area deposited on a physical developing nucleus layer lowers and discrimination between a printing area and non-printing area is easy in a planographic printing plate material applying a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版材料に於て、平版印刷版としての十分な印刷性能を有し、物理現像核層上に析出した銀画線部の光学反射濃度が低下し、画線部と非画線部の識別が容易な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

Since the electron injecting material constituting this diffusion layer 70 diffuses to the positive electrode 20 side in the organic layers 30-60 with the passage of light-emitting time, the concentration gradient of the electron injecting material in the organic layers becomes small, and thereby, diffusion of the electron injecting material of the electron injection layer 80 to the positive electrode 20 side can be greatly suppressed.例文帳に追加

この拡散層70を構成する電子注入性材料が、発光時間とともに有機層30〜60内を陽極20側へ拡散するため、該有機層内における電子注入材料の濃度勾配が小さくなり、電子注入層80の電子注入性材料の陽極20側への拡散を大幅に抑制することができる。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を備える半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線上に上記銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成し、さらに当該キャップ膜の表面をシリサイド化することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a light emitting element having such a structure as a light emitting part is covered with a reflective metal layer pasted to an element substrate through other bonding metal layer in which diffusion of components from the bonding metal layer to the reflective metal layer can be prevented effectively and lowering of reflectivity due to diffusion is retarded.例文帳に追加

発光層部を反射金属層で覆い、さらに、その反射金属層を、別の結合用金属層を介して素子基板と貼り合せた構造を有する発光素子において、結合用金属層から反射金属層への成分拡散を効果的に防止でき、ひいては、該拡散による反射率低下などの不良を生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an oxygen reducing gas diffusion cathodes capable of being used under a severe operation condition through a long period in a sodium chloride electrolysis in which the electrode performance is apt to degraded because a catalyst particle supported by a base material of a gas diffusion cathode is dipped in an elecrtrolyte and a sodium chloride electrolytic method using the oxygen reducing cathode.例文帳に追加

ガス拡散陰極の基材に担持された触媒粒子が電解液に浸漬されることにより電極性能が劣化しがちな食塩電解において、過酷な操業条件のもとでも長期間使用することができる酸素還元ガス拡散陰極、及び酸素還元ガス拡散陰極を用いた食塩電解方法の提供。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly 1 is composed by laminating an anode electrode catalyst layer 12 on one face side of a proton conduction membrane 11 and a cathode electrode catalyst layer 13 on the other face side respectively and by laminating an anode gas diffusion layer 14 on the anode electrode catalyst layer 12 and a cathode gas diffusion layer 15 on the cathode electrode catalyst layer 13 respectively.例文帳に追加

プロトン伝導膜11の一面側にアノード電極触媒層12が、他面側にカソード電極触媒層13がそれぞれ積層され、さらにアノード電極触媒層12にアノードガス拡散層14が、カソード電極触媒層13にカソードガス拡散層15がそれぞれ積層されて、膜電極構造体1が構成されている。 - 特許庁

The capacitor comprises a diffusion stop film 20 that is formed on a substrate 10 and is comprised of the elements of ternary system including ruthenium (Ru), titanium (Ti), and oxygen (O), a lower electrode 30 formed on the diffusion stop film, a dielectric 40 formed on the lower electrode, and an upper electrode 50 formed on the dielectric 40.例文帳に追加

キャパシタは、基板10上に形成されたルテニウム(Ru)、チタニウム(Ti)及び酸素(0)の三元系元素から構成された拡散防止膜20と、前記拡散防止膜上に形成された下部電極30、前記下部電極上に形成された誘電体40及び前記誘電体上に形成された上部電極50とから構成される。 - 特許庁

The combustion control system for the compression ignition internal combustion engine capable of switching between the diffusion combustion operation mode and the premixed combustion operation mode causes the internal combustion engine to perform diffusion combustion operation if the temperature of an exhaust emission control device is lower than an activation determination temperature when the operating state of the internal combustion engine belongs to a premixed combustion operation region.例文帳に追加

本発明は、拡散燃焼運転モードと予混合燃焼運転モードを切換可能な圧縮着火式内燃機関の燃焼制御システムにおいて、内燃機関の運転状態が予混合燃焼運転領域に属する時に、排気浄化装置の温度が活性判定温度より低ければ、内燃機関を拡散燃焼運転させるようにした。 - 特許庁

A CoxSiy (x≥y) intermediate reaction layer is formed on a diffusion layer 6 and a gate silicon film 4 in self-aligning way, by intermittently depositing first and second Co films 7a and 7b while the silicon substrate 1 of a MOS transistor 10, in which the diffusion layer 6 constituting a source-drain region and the gate silicon film 6 constituting a gate electrode are formed is heated.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域である拡散層6及びゲート電極であるゲートシリコン膜4が形成されたMOSトランジスタ10のシリコン基板1を加熱しながら第1Co膜7a及び第2Co膜7bを間欠的に堆積して、拡散層6及びゲートシリコン膜4上にCo_xSi_y(x≧y)の中間反応層を自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a cold/cool/warm heat diffusion preventive bellows-shaped tunnel type blower, preventing diffusion of cold/cool/warm heat air of an inside heating/cooling instrument by easily changing a supply air direction according to an expanding/contracting and bending installation angle of a bellows-shaped folding tunnel having a large bore, and improving heat efficiency of a large capacity.例文帳に追加

大口径の蛇腹状折り畳みトンネルの伸縮、及び曲折の設置角度によって、送風方向の変更が容易に出来ることによって、室内冷暖房器具の冷、涼、暖、熱の送風の拡散を防止し、大容量の熱効率化を図ることを課題とした冷涼暖熱拡散防止蛇腹状トンネル式送風器具を提供する。 - 特許庁

A gathering chamber 4 allowing the raw liquid to flow out from the entire end surface on the downstream side of the liquid treatment bed to reach the outlet 5 is disposed between the liquid treatment bed and the outlet 5 in addition to the diffusion chamber 3 to transmit the raw liquid reaching the gathering chamber from the diffusion chamber over the whole of the liquid treatment bed in an almost equally distributed state.例文帳に追加

また、前記拡散室3を設けるほか、液体処理層と出口5の間に液体処理層の下流側の端面の全面から流出して出口に到達させる集合室4を設けて、拡散室から集合室に至る原液体が液体処理層の全体に渡ってほぼ均等な分布をもって透過するようにした。 - 特許庁

In a rainwater storage device A where a water storage tank 40, at least its bottom face is a concrete floor 32, is buried under the ground and a structure, filling members 20 are filled in the water storage tank 40, is provided, a concave groove 33 is formed in the concrete floor 32 and diffusion pipes 1 having a lot of diffusion holes 2 in the concave groove 33 is disposed.例文帳に追加

少なくとも底面がコンクリート床32とされた貯水槽40が地中に埋設されており、貯水槽40内に充填部材20が充填されている構造を備えた雨水貯留装置Aにおいて、コンクリート床32には凹溝33を形成し、該凹溝33内に多数の散気孔2を有する散気管1を配設する。 - 特許庁

The pattern defect detection device includes a light source 11 for generating and emitting light, a scan mirror 14 for scanning a substrate 20 with the light emitted by the light source 11, a fluorescent light image detection unit 17 for detecting the image of fluorescent light emitted by the substrate 20, and a diffusion light image detection unit 19 for detecting the image of diffusion light diffused by the substrate 20.例文帳に追加

光を生成して出射する光源11と、光源11から出射される光を基板20にスキャンするスキャンミラー14と、基板20で蛍光された蛍光イメージを検出する蛍光イメージ検出部17と、基板20で散乱された散乱光イメージを検出する散乱光イメージ検出部19と、を含むものである。 - 特許庁

The semiconductor element of the present invention includes a semiconductor substrate 1; an interlayer insulating film 2 and 3 in which a damascine pattern is formed on the semiconductor substrate 1; a diffusion prevention film 4 which is formed in the damascene pattern and is made of CoFeB which is a ternary system material; a seed film 5 which is formed on the diffusion prevention; and copper wiring 7 which is filled on the seed film.例文帳に追加

本発明は、半導体基板1;前記半導体基板1上にダマシンパターンが形成された層間絶縁膜2、3;前記ダマシンパターン内に形成され、三元系物質であるCoFeBからなる拡散防止膜4;前記拡散防止膜上に形成されるシード膜5;及び、前記シード膜上に充填される銅配線7を含む。 - 特許庁

The sheet consists of a sheet-shaped indicator holder 12 containing an indicator to indicate specified conditions of the skin, a diffusion prevention film 14 which is attached to one side of the indicator holder 12 and permeable to steam, and an adhesive layer 16 formed at a part of a side of the diffusion prevention film 14, which is the other side of the one where the indicator holder 12 is attached.例文帳に追加

所定の皮膚状態を表示する指示薬が含まれているシート状の指示薬保持体12と、指示薬保持体12の片面に取り付けられ水蒸気透過性を有する拡散防止膜14と、拡散防止膜14の指示薬保持体12とは反対側の面の一部に形成された粘着剤層16から成る。 - 特許庁

To provide a method of forming wirings of a semiconductor element which enables prevention of contamination by the aging of wiring materials resulting from ordinary high temperature surface reaction and thermal diffusion by reducing or substantially eliminating chemical reaction with the circumferential atmosphere and/or movement by thermal diffusion of atoms of wiring materials after formation of electronic circuit wirings.例文帳に追加

電気回路配線形成後の配線材料構成原子の周囲雰囲気との化学反応、及び又は、熱拡散による移動を低減又は、事実上阻止し、通常の高温表面反応や熱拡散に起因する配線材料の経時的な劣化を防止することを可能とする半導体素子の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子24は、半導体基板1に形成されたP型ウェル21と、半導体基板1におけるP型ウェル21の上に形成されたN型拡散層8と、半導体基板1上におけるN型拡散層8の上側に形成されたN型の第2のポリシリコン膜9と、第2のポリシリコン膜9の上に形成されたニッケルシリサイド12とを含む。 - 特許庁

Damages, generated by contact with the warpage preventing pin 5, can be prevented completely by setting the haze value of the diffusion plate 3 to be 80 to 99% and arithmetic average roughness of at least the surface of the diffusion plate 3 facing a linear light source 2 side to be 10 to 150 μm.例文帳に追加

即ち、拡散板3のヘイズが80%以上、且つ99%以下であり、且つ少なくとも線状光源2側に面する該拡散板3表面の算術平均粗さを10μm以上、且つ150μm以下に設定することで、課題となっているたわみ防止ピン5との接触による傷を完全に防ぐことが出来ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a washer nozzle for solving such problems of conventional washer nozzles that when a guide plate to suppress diffusion of a cleaning liquid in the vertical direction is disposed at an injection port, the length of the guide plate in the injection direction can not be changed as desired in response to a vertical diffusion angle of the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明は、ウォッシャーノズルに関し、従来のウォッシャーノズルにおいて、噴射口に洗浄液が上下方向に拡散するのを抑制するガイド板を設けた場合に、そのガイド板の噴射方向の長さを洗浄液の上下方向の拡散角度に応じて自在に可変できなかったことが課題であって、それを本発明により解決することである。 - 特許庁

By providing the scatter preventing film 41 containing the diffusion material on the cover 4, scattering of fragments of the cover 4 can be prevented when the lighting system 100 is given a shock due to falling or the like by any possibility, and also, glare can be reduced since the light from the LEDs 1, 1, ... is diffused by the diffusion material in the shatterproof film 41.例文帳に追加

拡散材を有する飛散防止膜41をカバー4に設けることにより、照明装置100が万が一落下等による衝撃を受けた場合に、カバー4の破片が飛散することを防止することができると共に、LED1,1…からの光が飛散防止膜41内の拡散材により拡散されるからグレアを低減することができる。 - 特許庁

Error diffusion based on multiplication coefficients having the same arrangement is performed for each of left-eye and right-eye images of the same frame, a dither pattern corresponding to the frame is selected from plural dither patterns having mutually different distributions of additional coefficients, and additional coefficients are given to image data of each image subjected to error diffusion based on the selected dither pattern.例文帳に追加

同一フレームの前記左目用及び右目用の各画像に対して同一の配列の乗算係数に基づく誤差拡散を行い、付加係数の分布が互いに異なる複数のディザパターンから前記フレームに応じたディザパターンを選択し、選択したディザパターンに基づいて、誤差拡散が施された前記各画像の画素データに付加係数を付与する。 - 特許庁

Object light is diffused by an optical recording section 54 constituted by integrally laminating, in a curved state, a lenticular lens 60 as a diffusion lens for imparting a diffusion angle of a prescribed direction to a holographic stereogram and a prism plate 61 formed by paralleling a plurality of prisms capable of diffusing incident light only in the specific direction.例文帳に追加

ホログラフィックステレオグラムに所定方向の拡散角を持たせるための拡散レンズとしてのレンティキュラーレンズ60と、入射光を特定方向にのみ拡散することが可能なプリズムを複数個並列して構成されたプリズム板61とを湾曲させた状態で一体に貼り合わせて構成された光学記録部54によって、物体光を拡散させる。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for an electronic device that can improve crystallinity of a group III nitride semiconductor grown above an aluminum diffusion region by providing the aluminum diffusion region in a predetermined region of a silicon substrate and setting surface roughness within a proper range and a method of manufacturing the same, and an epitaxial substrate for a group III nitride electronic device.例文帳に追加

シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

The preamble generator includes: a pseudo noise-code generator to generate the pseudo noise code; a line coder to perform line coding to the pseudo noise code inputted from the pseudo noise-code generator; and a diffusion coder to perform diffusion coding to the line-coded pseudo noise-code inputted from the line-coder.例文帳に追加

プリアンブル生成装置は、擬似雑音コードを生成する擬似雑音コード生成部と、前記擬似雑音コード生成部から入力された前記擬似雑音コードに対するラインコーディングを行うラインコーダと、前記ラインコーダから入力されたラインコーディングされた擬似雑音コードに対する拡散コーディングを行う拡散コーダと、を含んで構成される。 - 特許庁

A gas passage having a separated structure in which a gas supply passage with the downstream end closed and a gas exhaust passage with the upstream end closed are alternately arranged in the vertical direction to interpose the closed part between them is formed along the surface of the gas diffusion layer on the side coming in contact with the gas diffusion layer.例文帳に追加

少なくとも一方のガス流路形成部には、ガス拡散層に接する側に、ガス拡散層の面に沿って、その下流端が閉塞されたガス供給用流路およびその上流端が閉塞されたガス排出用流路が閉塞部を挟んで鉛直方向に交互に配列された分離構造のガス流路が形成されている。 - 特許庁

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオードは、組成式(Al_XGa_1−X)As(0≦X≦1)からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、電流拡散層8に接合された機能性基板3と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The control system (500) controls fuel passing and flowing in each of the intake manifolds so that the combustors associated with the first intake manifold (220) maintain at least one of diffusion flame and pilot premixed partial diffusion flame and that the combustors associated with the second fuel manifold (222) maintains premixed flame during a first mode of the operation.例文帳に追加

本制御システムは、第1の燃料マニホルド(220)に関連する燃焼器が拡散火炎及びパイロット予混合部分拡散火炎の少なくとも1つで維持され、第2の燃料マニホルド(222)に関連する燃焼器が運転の第1のモードの間に予混合火炎で維持されるように燃料マニホルドの各々を通って流れる燃料を制御するよう構成される。 - 特許庁

The instrument is provided with a front eye lens 1 for forming a prescribed power to be applied to the model eye, a diffusion plane 2 located at an image point position relative to the prescribed power in the relationship with the front eye lens 1 for diffusing and reflecting incident light and an aberration adding member 3 for applying a prescribed aberration between the front eye lens 1 and the diffusion plane 2.例文帳に追加

模型眼に与えられるべき所定のパワーを形成する前眼部レンズ1と、前眼部レンズ1との関係で該所定のパワーに対する像点位置に配置され、入射光を拡散及び反射する拡散面2と、前眼部レンズ1と拡散面2との間に所定の収差をあたえる収差付加部材3とを備える。 - 特許庁

The louver layer has the first louver layer formed by arranging a light transmission band and a shielding band alternately for preventing the diffusion of light entering from the surface illuminations; and the second louver layer arranged in an orthogonal state with respect to the first louver layer formed by arranging a light transmission band and a shielding band alternately for preventing the diffusion of light entering from the surface illumination.例文帳に追加

ルーバー層は、光透過帯と遮光帯が交互に配置されて面照明から入射する光の拡散を防止する第1ルーバー層と、該第1ルーバー層と直交する状態で配置され光透過帯と遮光帯が交互に配置されて面照明から入射する光の拡散を防止する第2ルーバー層とを備える。 - 特許庁

A light diffusion part 40 for diffusely reflecting a light or a light diffusion part with a white color is arranged in an invalid region on the solar cell element 11.例文帳に追加

受光面側の透光性シート状部材12と、裏面側のシート状部材13との間に、板状太陽電池素子11を挟み、内部の隙間に封止樹脂14を充てんした構造であって、太陽電池素子11上の無効領域に、光を乱反射する光拡散部40または白色を有する光拡散部を、配置したことを特徴とする - 特許庁

例文

An area of a penetration guidance part 25 is disposed with a cover layer 51, thereby gas positioned outside the sensor element 10 can arrive into the sensor element 10 only through a prescribed diffusion distance, and the diffusion distance extends partially parallel to the outside 24 of a solid electrolyte layer 21.例文帳に追加

貫通案内部(25)の領域に、カバー層(51)が配置されており、これにより、センサエレメント(10)の外部に位置するガスが、センサエレメント(10)の内部へ、所定の拡散距離を介してのみ到達することができるようになっており、該拡散距離が、前記固体電解質層(21)の外側(24)に対して部分的に平行に延びているようにした。 - 特許庁




  
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