「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(248ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, free Ba (source of thermoelectron radiation) is generated according to the diffusion of reductive element (for example, Zr) from the base body 1 to the electron emitting substance layer 2, and a stable cathode current is obtained.例文帳に追加

この結果、基体１から電子放射物質層２への還元性元素（例えば、Ｚｒ）の拡散に伴う遊離Ｂａ（熱電子の放射源）の生成が維持され、安定したカソード電流が得られる。 - 特許庁

The gas diffusion layer has just one peak in a log differential pore volume distribution graph measured by a mercury press-fitting method, with the peak existing within a range of a pore diameter of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁

Thereby, the enhanced diffusion of the boron can be prevented, and the occurrence of a short channel effect of a miniaturized semiconductor element can be suppressed by allowing the halo region 306 to be formed with high precision.例文帳に追加

これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a heat conduction member and a semiconductor support member which are excellent in chemical resistance, can suppress diffusion of aluminum component and have high affinity with a silicon substrate, and to provide a bonded wafer utilizing the heat conduction member.例文帳に追加

耐薬品性にすぐれ、アルミニウム成分の拡散を抑制することができ、シリコン基板との親和性が高い熱伝導部材、半導体支持部材、ならびに、それを利用した貼り合わせウェーハを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor manufacturing equipment 1 having a vertical furnace such as a vertical diffusion CVD equipment with a substrate transfer machine 2, the direction of the substrate transfer machine 2 is set to a direction where dead space is reduced for arrangement.例文帳に追加

基板移載機２を具備する縦型拡散、ＣＶＤ装置等の縦型炉を有する半導体製造装置１に於いて、基板移載機２の向きをデッドスペースが少なくなる方向に傾けて配置する。 - 特許庁

At a display part of the rear projector 1 in which a display unit (for example, a liquid crystal projector) is mounted inside a display body, a Fresnel lens 3 and a diffusion lens are arranged closely in the recessed shape.例文帳に追加

１は表示体内部に表示ユニット（例えば、液晶プロジェクター）を搭載したリアプロジェクターで、リアプロジェクター１は表示部に、フレネルレンズ３，拡散レンズ４が凹状に密着して配置している。 - 特許庁

A diffusion film, a surface anti-reflection film and a polarizer protective film are made of an uneven film obtained by stretching the film having the filler only on its surface 1.2 to 4.0 times at least in one direction.例文帳に追加

又、表面層のみにフィラーを含有したフィルムを、少なくとも一方に１．２〜４．０倍に延伸した凹凸フィルムからなる拡散フィルムや表面反射防止フィルム、偏光子保護フィルムである。 - 特許庁

To expand the dynamic range and to improve the image quality by precisely controlling the ratio of charges made to flow into the floating diffusion section to charges overflowing from a photoelectric converter.例文帳に追加

光電変換部からあふれ出る電荷のうち浮遊拡散部に流入させる割合を高精度で制御することにより、ダイナミックレンジを拡大すると共に画質を向上させることを課題とする。 - 特許庁

This organic EL display is formed by first arraying and forming the TFTs 30a and 30b provided with the source/drain diffusion layers 22a and 22b at the single crystal silicon thin films 6a and 6b on the substrate 4.例文帳に追加

この有機ＥＬディスプレイを形成するには、先ず、単結晶シリコン薄膜６ａ，６ｂにソース／ドレイン拡散層２２ａ，２２ｂを設けてなるＴＦＴ３０ａ、３０ｂを基板４上に配列形成する。 - 特許庁

The fuel additive agent 42 is positioned inside an inner chamber 40 to be constantly fluid-communicated with fuel in the filter through an opening part limited by a baffle plate 50 and/or a diffusion orifice 44.例文帳に追加

燃料添加剤（４２）は、内チャンバ（４０）内に位置し、バッフルプレート５０及び／又は拡散オリフィス（４４）によって制限された開口部を介して、フィルタ内の燃料と常に流体連通している。 - 特許庁

The anode gas passage member 30 arranged on an anode side has a multilayer structure having a first to a fourth guiding passage layers 31, 33, 35, 37 and diffusion passage layers 32 pinched between these.例文帳に追加

アノード側に配置されるアノード用ガス流路部材３０は、第１ないし第４の誘導流路層３１，３３，３５，３７と、それらに挟持される拡散流路層３２とを備える多層構造である。 - 特許庁

A plasma shield 72 which suppresses a diffusion of the plasma P to an area other than the plasma forming area is shaped in cylinder which surrounds the plasma forming area with its surface contacting the plasma P formed of an insulator.例文帳に追加

プラズマ形成領域以外の場所にプラズマＰが拡散するのを規制するプラズマシールド７２は、プラズマ形成領域を取り囲む筒状であってプラズマＰに接する表面は絶縁体である。 - 特許庁

To provide an electrode structure capable of exerting sufficient electrode performance by sufficiently securing a reaction field area, a gas diffusion path and a conduction characteristic even in a low-temperature range around 600°C.例文帳に追加

６００℃程度の低温域においても、反応場面積及びガス拡散パス、導電特性を十分に確保して十分な電極性能を発揮する電極構造体を提供すること。 - 特許庁

To enhance yield and reliability of a semiconductor device by improving embedment of Cu in a Cu interconnection without sacrifice of the diffusion prevention function of a barrier film in a Cu interconnection having a damascene structure.例文帳に追加

ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 26a has a thick part 42a and a thin part 42b through the step part 40, and the step part 40 comes in contact with fuel gas which flows through a fuel gas passage 30.例文帳に追加

ガス拡散層２６ａは、段差部４０を介して肉厚部４２ａと肉薄部４２ｂとを有するとともに、前記段差部４０は、燃料ガス流路３０を流れる燃料ガスに接触している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell capable of being manufactured at a low temperature at low cost without using a carbon base material such as carbon paper and carbon cloth.例文帳に追加

カーボンペーパーやカーボンクロス等の炭素基材を使用せず、低温での製造が可能となる製造コストの安い固体高分子型燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each of the spotted protrusions 140 penetrates a gas diffusion member 125 and a gas supplying member 126 in the battery cells and contacts with a membrane electrode assembly 124.例文帳に追加

この点在する凸状体１４０のそれぞれは、燃料電池セル１２０におけるガス拡散部材１２５とガス供給部材１２６を貫通して膜電極接合体１２４の電極に当接する。 - 特許庁

The light emitting diode 5 is covered by a translucent diffusion cover so as to diffuse the light of the light emitting diode 5 and to mix it with the light of the fluorescent lamps 3, 4.例文帳に追加

蛍光ランプ３・４・赤色発光ダイオード５を備え、前記発光ダイオード５の光を拡散して前記蛍光ランプ３・４の光と混色するように該発光ダイオード５に拡散透光性カバーを付加する。 - 特許庁

The moldings for light diffusion comprise a thermoplastic norbornene resin (a) of 100 pts.wt. and a light diffuser (b) of 0.1-100 pts.wt. which diffuser has 0.1-50 μm average particle diameter.例文帳に追加

熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ａ）１００重量部および平均粒子径が０．１〜５０μｍである光拡散剤（ｂ）０．１〜１００重量部を含有することを特徴とする、光拡散用成形品。 - 特許庁

Consequently, industrial utilization of economically profitable reduction-diffusion process can be realized, and also an environmental resistance of the permanent magnet obtained by using Sm-Fe-N-based alloy powder can be improved.例文帳に追加

その結果、経済的に有利な還元拡散法の工業的利用を可能にするばかりか、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系合金粉末を用いた永久磁石の耐環境性を高める事が出来る。 - 特許庁

When the direction of the arrow d1 is set up to be one (angle 0°) of arrangement directions of respective light diffusion lenses 5, the direction of the arrow d2 is a direction inclined at an angle 45° against the direction of the arrow d1.例文帳に追加

矢印ｄ１の方向を各光拡散レンズ５の配列方向の一方（角度０度）とした場合に、矢印ｄ２の方向は矢印ｄ１の方向に対して角度４５度傾いた方向である。 - 特許庁

This multi-probe having a plurality of projections (probes) formed by crystal growth on a diffusion layer of a semiconductor substrate 1 as a base, is constituted by arranging the probes 2 of various heights.例文帳に追加

半導体基板１の拡散層を下地として結晶成長させた突起（プローブ）を複数有するマルチプローブであって、異なる高さを有するプローブ２が配列されて形成されることを特徴とする。 - 特許庁

Even when metal fatigue or the like is generated in the metal film wiring 7 due to deflection deformation of the diaphragm part 4, a signal from the piezo-resistance element 5 can be transmitted thought the diffusion layer wiring 8.例文帳に追加

これにより、ダイヤフラム部４の撓み変形に伴って金属膜配線７に金属疲労等が生じても、拡散層配線８を通じてピエゾ抵抗素子５からの信号を伝達することができる。 - 特許庁

Each of transmitters T_1-T_n multiplies a data signal by an n-bit diffusion code and transmits n pieces of obtained multiplication results, through respective bus lines, to the other electronic circuit.例文帳に追加

送信器Ｔ_１〜Ｔ_ｎは、データ信号にｎビットの拡散符号をそれぞれ乗算し、これによって得られるｎ個の乗算結果をそれぞれ対応するバスラインを通じて他の電子回路に送信する。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

To provide a carbon form which has a homogeneous cell structure and has characteristics such as good heat resistance, heat conductivity, chemical stability, electric conductivity, strength and gas diffusion and a graphite foam manufactured from the carbon foam.例文帳に追加

均一なセル構造を有し、耐熱性、熱伝導性、化学安定性、電気伝導性、強度、ガス拡散性などの特性を有する炭素フォーム、および該炭素フォームから得られる黒鉛フォームを提供する。 - 特許庁

To carry out dot data generation of planes corresponding to a plurality times of scannings and ink colors by error diffusion process for each plane without causing the problem of grains, in an ink-jet recording apparatus.例文帳に追加

インクジェット記録装置における、複数回の走査およびインク色に応じたプレーンのドットデータ生成をプレーンごとの誤差拡散処理によって行う場合に、グレインの問題を生じること無く行う。 - 特許庁

To provide a backlight unit structured so that color characteristics of the hue and tone of light reflected from each portion forming a reflecting surface of light from a luminescent lamp becomes uniform on the light emitting surface of a diffusion plate.例文帳に追加

蛍光ランプからの反射面を形成する各部からの反射光の、色相や色調の色特性が拡散板の発光面で一様になるようにしたバックライトユニットを提供すること。 - 特許庁

The light diffusion layer 29 is provided at the area in the outside of light path of the incident light which is substantially parallel to the light axis L to spread the incident light input diagonally to the light axis L of a micro-lens 33.例文帳に追加

光拡散層２９は、光軸Ｌに対してほぼ平行な入射光の光路外に設けられており、マイクロレンズ３３の光軸Ｌに対して斜めに入射された光を拡散させる。 - 特許庁

The method can make side edges more distinctive and smoother with newly distributed side edge picture elements by utilizing the principle of the error diffusion method from a difference in gray level distribution in videos.例文帳に追加

その方法は映像中の灰階分布の差異により、誤差拡散法の原理を利用して辺縁画素の新たな分配を行うことで、辺縁をより明晰且つ平滑となすことを特徴とする。 - 特許庁

The other conductive type diffusion region is formed at a depth and a concentration aligned with those of the body, on the wall of the trench 3, and both areas are fully depleted under reverse-direction blocking.例文帳に追加

トレンチ３の壁に、もう一方の導電型の拡散領域が、ボディの深さおよび濃度に整合した深さおよび濃度で形成され、逆方向ブロッキング下で両方の領域が完全に空乏化する。 - 特許庁

A gate electrode 14, a source-drain region 13, and a N-type diffusion region 15 are formed on the surface of the region 12, and the capacitive element is formed with a gate oxide 16 as a dielectric.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域１２の表面にゲート電極１４、ソース・ドレイン領域１３、Ｎ型の拡散領域１５を形成し、ゲート酸化膜１６を誘電体として容量素子を形成する。 - 特許庁

In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.例文帳に追加

素子分離領域の端部において、シリコン層４の上面内には、ＳＴＩ１０の一部上面内に埋め込まれる格好で、ｐ^+型の不純物拡散領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁

Boron and phosphorus are injected into the drain diffusion region 20a of a PMOS transistor 20 with pouring rates of 3×1015/cm2 and 3×1014 to 1.5×1015/cm2 respectively.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ２０のドレイン拡散領域２０ａには、ホウ素が３×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で、及びリンが３×１０^14〜１．５×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で注入されている。 - 特許庁

A diffusion sheet 28 and prism sheets 29a, 29b are sequentially laminated on a light guide plate 24 housed in a frame 23, and a shading sheet 30 is adhered to the frame 23 over the prism sheet 29b.例文帳に追加

フレーム２３内に納めた導光板２４の上に拡散シート２８及びプリズムシート２９ａ、２９ｂを順次重ね、プリズムシート２９ｂの上からフレーム２３に遮光シート３０を接着する。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate capable of constituting a direct backlight device which has high brightness and is excellent in brightness uniformity without largely changing the constitution when being used for the direct backlight device.例文帳に追加

直下型バックライト装置に用いた際に、その構成を大きく変化させることなく、高輝度で、かつ輝度均斉度に優れた直下型バックライト装置とすることができる光拡散板を提供すること。 - 特許庁

To provide a tubular SiC-compact with high impact resistance and corrosion resistance, suitable for, for instance, a liner tube and a process tube of a diffusion furnace, and to provide an inexpensive manufacturing method with high productivity.例文帳に追加

耐熱衝撃性、耐蝕性が高く、例えば拡散炉のライナーチューブやプロセスチューブなどとして好適な管状ＳｉＣ成形体、および高い生産性で低コストのその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the operation steps of (a) scouring, (b) bleaching, (c) washing with water, (d) dewatering, (e) grinding, (f) slurry diffusion, (g) plastic slurry formation, (h) paper plastic formation, and (i) demolding.例文帳に追加

ａ．精錬、ｂ．漂白、ｃ．水洗、ｄ．脱水、ｅ．粉砕、ｆ．スラリー拡散、ｇ．可塑スラリー形成、ｈ．紙プラスチック成形、ｉ．型外しの作業プロセスにより、非紙パルプ植物繊維の紙プラスチック成形製品を得る。 - 特許庁

A lens for preventing optical diffusion is equipped either at the rear of a LD (laser diode) 41 arranged at a first transmission device 42 or at the front of a PD (photo diode) 43 arranged at a second transmission device 44, or at both the rear and front.例文帳に追加

第１の通信デバイス４２に設けたＬＤ４１の後、第２の通信デバイス４４に設けたＰＤ４３の前のどちらか、あるいは両方には光拡散防止用のレンズを備えている。 - 特許庁

The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.例文帳に追加

ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁

Furthermore, a hot zone is formed by the radiation of the light from the lighting fixture unit 20A, and a diffusion region is formed by the radiation of the light from the lighting fixture units 20B, 20C, and 20D.例文帳に追加

そして、灯具ユニット２０Ａからの光照射によりホットゾーンを形成するとともに、灯具ユニット２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄからの光照射により拡散領域を形成するようにする。 - 特許庁

The end portion of the turnup of the fuel diffusion plate 60 gets into contact with a screw at the reverse side of the air guide 16 and engages with the screw thread, and therefore rotation or falling-off of a screw 50 can be prevented.例文帳に追加

またエアーガイド１６の裏面側において、燃料拡散板６０の折り返し部６５の端部がネジと接触し、ネジ山と係合するので、ネジ５０の回転や抜け落ちが防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device and a method of manufacturing the same whereby the diffusion openings of a plurality of light- emitting parts are reduced in area and the plurality of light-emitting parts are formed with a high density.例文帳に追加

複数の発光部の拡散開口部の面積を小さく、かつ、複数の発光部を高密度に形成することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In order to diffuse an error generated by conversion of the number of tones to unconverted pixels which are pixels before the number of tones is converted, an error amount is calculated using an error diffusion matrix, etc.例文帳に追加

この階調数の変換によって生じた誤差を、階調数が変換される前の画素である未変換画素に拡散させるために、誤差拡散マトリクスなどを用いて誤差量を算出する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system which can operate at high efficiency for a long period of time through prevention of diffusion of impurity ion into an electrolyte film.例文帳に追加

金属配管やガス、金属製セパレータ板から、金属イオンをはじめとする不純物イオンが高分子電解質膜に拡散し、膜のイオン交換サイトにトラップされ、電解質膜自身のイオン伝導性が低下する。 - 特許庁