Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
Each of the plurality of pixels has a transmission region T of performing a transmission mode display by using light from the illumination element 10 and a reflection region R of performing a reflection mode display by using light from the observer side, and the liquid crystal display panel 20 has a first light diffusion layer 31 and a second light diffusion layer 32 which are disposed on the observer side than a liquid crystal layer 23.例文帳に追加
複数の画素のそれぞれは、照明素子10からの光を用いて透過モードの表示を行う透過領域Tと、観察者側からの光を用いて反射モードの表示を行う反射領域Rとを有し、液晶表示パネル20は、液晶層23よりも観察者側に設けられた第1の光拡散層31および第2の光拡散層32を有する。 - 特許庁
The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板11に形成された半導体領域12と、半導体領域12を他の領域から分離する素子分離領域13と、半導体領域12の上部に形成され、半導体領域12との界面においてPN接合を形成する拡散層14と、拡散層14の上部に形成されたシリサイド層15とを備えている。 - 特許庁
The first MIS transistor Trl includes: a first pocket region 9A of a second conductivity type formed below a first extension region 8A of a first conductivity type in a first active region 1a; and a first diffusion suppression region 7A containing a diffusion suppression impurity and formed below the first pocket region 9A in the first active region 1a.例文帳に追加
第1のMISトランジスタTrlは、第1の活性領域1aにおける第1導電型の第1のエクステンション領域8Aの下に形成された第2導電型の第1のポケット領域9Aと、第1の活性領域1aにおける第1のポケット領域9Aの下に形成された拡散抑制不純物を含む第1の拡散抑制領域7Aとを備えている。 - 特許庁
The aging device includes a semiconductor substrate 11, first and second diffusion layers 11A, 11B formed in a first element region AA1, a floating gate 14 formed on a channel region between the first and second diffusion layers 11A, 11B, and control gate electrodes 16 formed to be arranged at intervals of a constant spacing horizontally relative to the floating gate 14.例文帳に追加
本発明の例に係わるエージングデバイスは、半導体基板11と、第1素子領域AA1内に形成される第1及び第2拡散層11A,11Bと、第1及び第2拡散層11A,11B間のチャネル領域上に形成されるフローティングゲート14と、フローティングゲート14に対して横方向に一定間隔をおいて並んで形成されるコントロールゲート電極16とを備える。 - 特許庁
In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加
相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるp型不純物拡散領域5aと、電源供給線14と電気的に接続されているn型不純物拡散領域3とを、n型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線40により接続する。 - 特許庁
Object light is diffused into a recording medium 10 for holograms by an optical recording part 54 constituted by integrally laminating, in a curved state, a lenticular lens 60 as a diffusion lens for imparting a diffusion angle of a prescribed direction to a holographic stereogram and a prism plate 61 formed by paralleling a plurality of prisms capable of diffusing incident light only in the specific direction.例文帳に追加
ホログラフィックステレオグラムに所定方向の拡散角を持たせるための拡散レンズとしてのレンティキュラーレンズ60と、入射光を特定方向にのみ拡散することが可能なプリズムを複数個並列して構成されたプリズム板61とを湾曲させた状態で一体に貼り合わせて構成された光学記録部54によって、ホログラム用記録媒体10に対して、物体光を拡散させる。 - 特許庁
The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加
NMOSトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、P型シリコン層20中にソース/ドレインとして形成された第1及び第2N型拡散層21,22と、第1及び第2N型拡散層21,22に挟まれたチャネル領域CNL上に絶縁膜30を介して形成されたゲート電極50と、その絶縁膜30中に形成された電荷蓄積層40とを備える。 - 特許庁
The gas diffusion layer and the electrode layer on one surface side are arranged on the surface of the electrolyte membrane so that the whole peripheral edge of the gas diffusion layer falls in the range of the peripheral edge of the electrolyte membrane, and a surface region of the electrolyte membrane is left between the peripheral edge of the electrode layer and the peripheral edge of the electrolyte membrane over the overall peripheral edge of the electrode layer.例文帳に追加
片面側のガス拡散層および電極層は、ガス拡散層の外周縁全体が電解質膜の外周縁の範囲内に収まると共に電極層の外周縁全周に亘って電極層の外周縁と電解質膜の外周縁との間に電解質膜の表面領域が残るように電解質膜の表面上に配置されている。 - 特許庁
The optical member has a transparent substrate with a barrier layer, a low refractive index layer, and a light diffusion layer in this order, and the light diffusion layer has light scattering particles dispersed in a matrix material containing at least a binder resin, and the thickness of the low refractive index layer is 1.2 μm or more, and the optical member is used for the organic electroluminescent display device.例文帳に追加
本発明の光学部材は、バリア層付き透明基板と、低屈折率層と、光拡散層と、をこの順で有し、前記光拡散層は、バインダー樹脂を少なくとも含むマトリックス材中に、光散乱粒子が分散されてなり、前記低屈折率層の厚みが1.2μm以上であり、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられることを特徴とする。 - 特許庁
The photoelectric converter includes: a photo diode 5 as a photoelectric conversion part having a photoelectric conversion region and an n-type layer 3 functioning as a charge storage region wherein charges generated in the photoelectric conversion region are stored; and a transfer transistor which is disposed between the photo diode 5 and a floating diffusion region 6 and transfers signal charges stored in the n-type layer 3 to the floating diffusion region 6.例文帳に追加
光電変換領域と、前記光電変換領域で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能するn型層3と、を有する光電変換部としてのフォトダイオード5と、フォトダイオード5と浮遊拡散領域6との間に配置され、n型層3に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域6に転送する転送トランジスタと、を備える。 - 特許庁
The X-ray detected by the method described above is discharged mostly from the region within the diffusion range of the incident electron in the observation sample support member, and if the diffusion range of the incident electron is controlled to about a few nm, the resolution of the scanning X-ray microscope can be not more than 10 nm which has been considered to be the theoretical limit by the conventional method.例文帳に追加
上述の手法で検知されるX線は、概ね、観察試料支持部材内での入射電子の拡散範囲内の領域から放出されることとなり、当該入射電子の拡散範囲を数nm程度に制御すれば、得られる走査型X線顕微鏡像の分解能は、従来の手法の理論的限界とされていた10nm以下とすることが可能となる。 - 特許庁
Thus, for example, the face mode is carried out in the case of performing a local air conditioning operation, the diffusion face mode is carried out in the case of performing a rapid air conditioning operation, and the diffusion mode is carried out in the case of performing a gentle air conditioning operation, so that the blow mode matching with the request of the occupant may be provided.例文帳に追加
これにより、フェイスモード、拡散モード、及び拡散フェイスモードのいずれかを選択することが可能となるので、例えば局所的な冷房運転を行う場合にはフェイスモードを実行し、急速冷房運転を行う場合には拡散フェイスモードを実行し、穏やかな冷房運転を行う場合には拡散モードを実行すれば、乗員の要望にあった送風モードを提供することができる。 - 特許庁
Firstly, the surface of a structure 1 consisting of iridium or an iridium based alloy is provided with an intermediate diffusion layer 2 consisting of a ternary alloy of platinum, rhodium and iridium, strengthening the joinability of a surface layer 3 consisting of platinum or a platinum alloy, and further attaining its chemical and physical stability in a high temperature region, and the surface of the intermediate diffusion layer 2 is coated with the above surface layer 3.例文帳に追加
第1に、イリジウム又はイリジウム基合金からなる構造体1の表面に、表面層3の接合性を強化すると共に高温域での化学的、物理的な安定性を図る白金、ロジウムとイリジウムとの三元系合金からなる中間拡散層2を設け、この中間拡散層2の表面を白金又は白金合金からなる前記表面層3にて被覆する。 - 特許庁
A charge accumulation layer 20 for capacity coupling to the active region is formed on the active region through a first gate insulating film 18, a control gate 24 for capacity coupling to the charge accumulation layer 20 is formed on the charge accumulation layer 20 through a second gate insulating film 22, and a source diffusion layer 8 is formed on the opposite side of the drain diffusion layer to the control gate 24.例文帳に追加
活性領域上には第1のゲート絶縁膜18を介して活性領域に容量結合する電荷蓄積層20が形成され、電荷蓄積層20上には第2のゲート絶縁膜22を介して電荷蓄積層20に容量結合する制御ゲート24が形成され、制御ゲート24に対してドレイン拡散層の反対側にはソース拡散層8が形成される。 - 特許庁
On the side of a gas feeding layer 4 in a gas diffusion electrode 2, projecting faces in which silver materials 8 are present in a metallic sheet 6 with many rugged grooves are abutted, the silver material parts present at the projecting faces in the metallic sheet 6 with grooves and the gas diffusion electrode are joined by hot pressing, and the recessed groove parts in the metallic sheet are formed into gas passages.例文帳に追加
ガス拡散電極のガス供給層側に多数の凹凸状溝付き金属板の銀材が存在する凸面を当接させ、ホットプレスにより前記溝付き金属板の凸面に存在する銀材部分と前記ガス拡散電極を接合し、前記金属板の凹溝部をガス通路として構成したことを特徴とするガス室一体型ガス拡散電極。 - 特許庁
A pixel region includes N pieces of pixels each including a photo-diode, a first transfer transistor, a charge storage part and a second transfer transistor; N/2 pieces of floating diffusion parts each shared by neighboring two pixels; N/4 or less pieces of amplification transistors shared by at least two floating diffusion parts neighboring on one line; and N/4 or less pieces of reset transistors.例文帳に追加
画素領域は、フォトダイオードと第1の転送トランジスタと電荷蓄積部と第2の転送トランジスタとをそれぞれ有するN個の画素と、隣合う2つの画素で共有されるN/2個のフローティングディフュージョン部と、1列に隣合う少なくとも2つのフローティングディフュージョン部で共有されるN/4個以下の増幅トランジスタ及びN/4個以下のリセットトランジスタとを含む。 - 特許庁
This diffusion backing is a hydrophobic fibrous carbon gas diffusion backing (GDB) containing a porous conductive sheet material processed by a partial fluorinated polymer selected from an acrylic polymer, a mathacrylic polymer, an urethane polymer and a composite of those polymers, this method is a method for manufacturing the GDB, this MEA contains the GDB, this method for manufacturing MEAs is a method for manufacturing the MEAs and this fuel battery contains the MEAs.例文帳に追加
アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ウレタンポリマー及びそれらの混合物よりなる群から選ばれる部分フッ素化ポリマーで処理された多孔性電導性シート材料を含んでなる疎水性繊維状炭素ガス拡散支持体(GDB)、その形成方法、それを含んでなる膜電極組立体、膜電導性組立体の製造方法、それを含んでなる燃料電池。 - 特許庁
For an epitaxial wafer in which boron concentration in an epitaxial layer is ≤1/100 of boron concentration in a wafer substrate, a minority carrier diffusion length measuring method for forming an oxide film of 10-100nm thickness on the surface of the epitaxial layer of 1-20μm thickness and then measuring the diffusion length of minority carriers by using a surface light voltage method is used.例文帳に追加
エピタキシャル層中のホウ素濃度が、ウエハ基板中のホウ素濃度の1/100以下であるエピタキシャルウエハにおいて、厚さが1〜20μmである前記エピタキシャル層表面に、厚さ10〜100nmの酸化膜を形成した後、表面光電圧法を用いて、少数キャリア拡散長を測定することを特徴とするエピタキシャルウエハの少数キャリア拡散長の測定方法を用いる。 - 特許庁
In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加
1つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第1のゲート誘電体が形成されており、該第1のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第1のゲート誘電体より厚い厚さを有する第2のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁
To provide a gas diffusion layer for a fuel cell arranged between a catalyst layer and a separator of the fuel cell, capable of suppressing deformation due to unevenness or the like of a separator surface even in a state where large pressure is applied in the thickness direction of the gas diffusion layer, and of surely executing gas supply to the catalyst layer and drainage of produced water from the catalyst layer.例文帳に追加
燃料電池の触媒層とセパレータとの間に配置される燃料電池用ガス拡散層であって、ガス拡散層の厚さ方向に大きな圧力が加わった状態においても、セパレータ表面の凹凸などによる変形を抑制でき、触媒層へのガス供給および触媒層からの生成水排出をより確実に行える燃料電池用ガス拡散層を提供する。 - 特許庁
The white organic electroluminescent element is formed by laminating a transparent substrate 2 having a light diffusion part 8 formed by light diffusion treatment on one surface and a transparent conductive film on the other surface, a hole transport layer 4; the organic luminous layer 1 of blue emission and yellow emission; an electron transport layer 5, a metallic layer 6; and a conductive metal electrode 7.例文帳に追加
一方の表面が光拡散処理された光拡散部8として形成され、他方の表面に透明導電膜3が形成された透明基板2と、ホール輸送層4と、青色発光及び黄色発光の有機発光層1と、電子輸送層5と、金属層6と、導電性金属電極7とを積層して白色有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。 - 特許庁
A semiconductor device includes a plurality of source diffusion layers 110 and a plurality of drain diffusion layers 111 (Fins) in the shape of rectangular parallelepiped which are formed on a substrate 100 consisting of silicon and arranged in parallel with a space therebetween, and a gate electrode 106 formed on the plurality of Fins while intersecting each Fin with a gate insulating film 105 therebetween.例文帳に追加
半導体装置は、シリコンからなる基板100の上に形成され、それぞれ互いに間隔をおき且つ並列に配置された直方体状の複数のソース拡散層110及び複数のドレイン拡散層111(Fin部)と、複数のFin部の上に、各Fin部と交差すると共にそれぞれゲート絶縁膜105を介在させて形成されたゲート電極106とを有している。 - 特許庁
Of the electroluminescent element comprising a luminous layer, a pair of electrodes composed of a reflective electrode and a transparent electrode pinching the luminous layer, and a light diffusion layer fitted on the way before light emitted from the luminous layer is irradiated toward an observer through the transparent electrode, the total light transmittance of the light diffusion layer is to be 55% or more and 85% or less.例文帳に追加
発光層、当該発光層を挟持する反射性電極および透明電極とからなる一対の電極、並びに発光層からの発光光が透明電極を介して観測者側に出射されるまでの間に設けられた光拡散層からなるエレクトロルミネッセンス素子において、光拡散層の全光線透過率が55%以上85%以下であること。 - 特許庁
The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、p型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁
The impurity diffusion method comprises an oxidation step of forming an oxide film on a surface of a semiconductor of a substrate; a diffusion step of setting a gas partial pressure of a compound gas containing an impurity element to 0.1 torr to 800 torr, setting a temperature of the substrate to 750°C to 950°C, and diffusing the impurity element to the semiconductor through the oxide film.例文帳に追加
基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を0.1トール以上800トール以下とし、前記基板の温度を750℃以上950℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁
This microlens sheet is constituted of a microlens array part 102 where a layer obtained by arraying a microlens formed into an optically concave or convex and rotation symmetry shape is arrayed, and a sheet layer where a diffusion sheet layer 105 is formed on the side of a light-emitting surface or the inside of the microlens array part 102 is filled with a diffusion agent, and the microlens is made into a rhomboidal shape.例文帳に追加
光学的に凹又は凸の回転対称な形状をしたマイクロレンズを配列した層を形成したマイクロレンズアレイ部102と、出射面側に拡散シート層105又は前記マイクロレンズアレイ部102の内部に拡散剤が入ったシート層とから構成されているマイクロレンズシートにおいて、前記マイクロレンズの形状をひし形にして配列するものである。 - 特許庁
The optical cross connecting system comprises an address detector inputting (n) pieces of wavelength components of optical wavelength multiplexing as input lights, an optical diffusion unit, and a condenser unit for outputting (m) pieces of wavelength components perpendicularly crossed with the optical diffusion unit, by controlling switching of a space lattice matrix of an optical shutter by obtaining information from the detector and connection information.例文帳に追加
光波長多重のn個の波長成分を入力光とするアドレス検出部および光拡散部を設け、アドレス検出部と接続情報から情報を得て光シャッタの空間格子マトリックスの開閉を制御し、そして光拡散部に直交するm個の波長成分を出力する集光部を構成することによって上記課題を克服している。 - 特許庁
In an impurity concentration profile 10 in a silicon substrate after high concentration ions are injected, a region whose impurity concentration is higher than the specified value 12 is a passive region 14 where silicon crystals are made amorphous and are not diffused, and a region whose impurity concentration is lower than the specified value 12 is a crystal region or a diffusion region 16 where diffusion is occurred.例文帳に追加
高濃度イオン注入後のシリコン基板中の不純物濃度プロファイル10において、指定濃度12よりも高い不純物濃度からなる領域では、シリコン結晶がアモルファス化された拡散の行われない不動領域14とし、指定濃度12よりも低い濃度からなる領域が結晶領域として拡散の行われる拡散領域16とする。 - 特許庁
An anode side electrode 28 and a cathode side electrode 30 composing the structure 12 is provided with gas diffusion layers 32a, 32b, of which, the diffusion layer 32a is composed of a foam made from metallic material such as stainless steel, and supporting parts 36a-36d made of resin for supporting a load acting in a layer direction are installed by impregnation in the foam.例文帳に追加
電解質膜・電極構造体12を構成するアノード側電極28およびカソード側電極30は、ガス拡散層32a、32bを設けるとともに、ガス拡散層32aは、ステンレス等の金属材料製の発泡体で形成されており、この発泡体内には、積層方向に作用する荷重を支持するための樹脂製支持部36a〜36dが含浸により組み込まれている。 - 特許庁
In the fuel cell which uses a high polymer molecule film for an electrolyte and is equipped with an electrode having a catalyst layer on both sides of the above electrolyte and with a gas diffusion layer at the external surface of the catalyst layer, the electrode for fuel cells and the fuel cell using it, use a water repellent material which is not made fibrous to the above gas diffusion layer at least for one of the electrodes.例文帳に追加
電解質に高分子膜を用い、前記電解質の両面に触媒層とその触媒層の外面にガスス拡散層を有する電極を備えた燃料電池において、少なくとも一方の電極において前記ガス拡散層に繊維化しない撥水材を用いることを特徴とする燃料電池用電極およびそれを用いた燃料電池。 - 特許庁
To provide a gas diffusion electrode joint and a PEFC allowing the use of a perfluorosulfonic ionomer having high proton conductivity and superior performance in a gas diffusion electrode joint producing method for a polymer fuel cell, and the uniform formation of a thin polymer electrolytic membrane on a catalyst layer, having lower internal resistance, low-humidification or non-humidification operating adaptability and high output.例文帳に追加
高分子型燃料電池のガス拡散電極接合体の製造方法において、プロトン伝導度の高い性能の優れたパーフロオロスルホン酸イオノマーを使用でき、かつ膜厚の薄い高分子電解質膜を触媒層上に均一に形成でき、内部抵抗の低い、低加湿または無加湿作動に適した、高出力のガス拡散電極接合体、およびPEFCを提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a gas diffusion layer and a method for manufacturing a gas diffusion electrode for a polymer electrolyte fuel cell for manufacturing the polymer electrolyte fuel cell having high performance without obstructing supply of fuel and an oxidant to a catalyst layer and exhaust of excess moisture by preventing penetration of a microporous layer and the catalyst layer into a conductive porous substrate.例文帳に追加
マイクロポーラスレイヤー及び触媒層の導電性多孔質基材中への染み込みを防止することで、触媒層への燃料及び酸化剤の供給、過剰な水分の排出等を阻害することなく、高性能な固体高分子形燃料電池を製造できる固体高分子形燃料電池用ガス拡散層及びガス拡散電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
An apparatus has an MgO source-stocker 1, piping 2 with one end connected to stocker 1, which supplies the MgO source by gravity, a casing 3 which discharges the supplied MgO source by a rotating body 4 located therein from a hole of a predetermined width formed at its bottom, and a scraper 7 on which diffusion-inhibiting plates 6 inhibiting the diffusion of the MgO source are formed at both ends.例文帳に追加
MgOソースストッカー1と、ストッカー1に一端を結合しMgOソースを自重により供給する配管2と、供給されたMgOソースを内部に配置した回転体4により下端部に形成した所定幅の穴部から排出するケーシング3と、MgOソースの拡散を抑制する拡散抑制板6を両端に形成したスクレッパー7とを有する。 - 特許庁
When a reaction product with Ni is formed on the impurity diffusion layer or polycrystalline Si formed on Si substrate, a reaction region is specified in consideration of the diffusion coefficient of Ni inside Si during reaction.例文帳に追加
STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The separator 21 comprises a gas inlet side passage 27 communicating with a gas inlet port 25 and a gas exhaust side passage 31 communicating with a gas exhaust port 29 between respective ribs 21a, 21b, contacting the gas diffusion layer 23, and the gas inlet side passage 27 and the gas exhaust side passage 31 are separated on the gas diffusion layer 23 and do not communicate with each other.例文帳に追加
セパレータ21は、ガス拡散層23に接触するリブ21a,21b相互間に、ガス導入口25に連通するガス導入側流路27および、ガス導出口29に連通するガス導出側流路31を備え、ガス導入側流路27とガス導出側流路31とが、ガス拡散層23上で分離されて互いに連通しない構造となっている。 - 特許庁
The amount of the saturated electric charges Qs is increased by changing the power supply voltage AVD of a pixel 20 by ΔV to the positive side for a read period of the signal electric charges by a read transistor 22 so as to make the voltage between a photodiode 21 and the floating diffusion region FD larger than the voltage between the photodiode 21 and the floating diffusion region FD in a reset state.例文帳に追加
読み出しトランジスタ22による信号電荷の読み出し期間で画素20の電源電圧AVDをΔVだけプラス側に変動させ、フォトダイオード21と浮遊拡散領域FDとの間の電位差(ポテンシャル)を、リセット状態でのフォトダイオード21と浮遊拡散領域FDとの間の電位差よりも大きくすることによって飽和電荷量Qsを上げる。 - 特許庁
To ensure uniform luminance even when thickness of a liquid crystal display 1 is reduced in the liquid crystal display 1 in which white light of a fluorescent tube 2 being a linear light source, repeats a plurality of times of diffusion and reflection between a reflection sheet 5 and a diffusion plate 11, and subsequently is made incident on a liquid crystal panel 3 being a display screen, as backlight light.例文帳に追加
線状光源である蛍光管2の白色光が、反射シート5と拡散板11との間で複数回の拡散と反射を繰り返した後、表示画面である液晶パネル3に、バックライトとして入射される液晶表示装置1において、液晶表示装置1を薄型化しても、輝度均一性を確保することができるようにすることを目的とする。 - 特許庁
The Ag paste for liquid phase diffusion bonding, which is used when performing liquid phase diffusion bonding of the metal members made from aluminum or aluminum alloy, includes a metal powder component containing Ag and Cu, a resin, and a solvent, and a mass ratio Cu/Ag of Ag and Cu in the metal powder component is set up within a range of 1/9≤Cu/Ag≤4/6.例文帳に追加
アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材を液相拡散接合する際に使用される液相拡散接合用Agペーストであって、AgおよびCuを含む金属粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含み、前記金属粉末成分におけるAgおよびCuの質量比Cu/Agが、1/9≦Cu/Ag≦4/6の範囲内に設定されていることを特徴とする。 - 特許庁
Further, since the porous films are made directly on the distribution board by a film-forming method, film thickness of the diffusion electrode layer can be freely controlled, fuel battery cells can be made thin, and therefore, a whole device can be made compact.例文帳に追加
また、成膜法により多孔質膜を直接配流板上に形成するため拡散電極層の膜厚を自在に制御でき、燃料電池セルを薄肉化でき、装置全体を小型化できる。 - 特許庁
A low-melt-point metal layer 18 is formed on the upper surface of the low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 and the end face protective film 16 for joining to a support substrate 19 via the low-melt-point metal layer 18.例文帳に追加
次に、低融点金属拡散防止層14と端面保護膜16の上面に低融点金属層18を形成し、低融点金属層18を介して支持基板19と接合する。 - 特許庁
A heavily doped diffusion layer 23 forming a movable plate 10 has a part where the distribution in the depth direction becomes uneven or discontinuous at least partially in the plane of a silicon substrate 20.例文帳に追加
可動板10を形成する高濃度不純物拡散層23は深さ方向分布がシリコン基板20面内において少なくとも一部で不均一又は不連続となる部分を形成した。 - 特許庁
In the information recording medium where predetermined information is recorded by modulating a pit position in a reading direction, all or a part of the predetermined information is recorded randomly by a spectrum diffusion system.例文帳に追加
ピットの位置を読み取り方向に変調して所定の情報を記録した情報記録媒体であって、所定の情報の全部または一部がスペクトラム拡散方式によりランダム化されて記録されている。 - 特許庁
Consequently the using efficiency of the frequency can be improved, and since communication between the base station BS1-1 and the base station BS2-1 is not generated, radio channel assignment like autonomous diffusion can be performed.例文帳に追加
これにより周波数の使用効率を向上することができ、また基地局BS1−1と基地局BS2−1でのやり取りが発生しないことより自律分散的な無線チャネル割り当てができる。 - 特許庁
Since the n type impurity layer obstructs the advance of diffusion of the channel layer, the depth of the channel layer can be controlled correctly by forming the n type impurity layer in the position where the desired depth of the channel layer is obtained.例文帳に追加
n型不純物層は、チャネル層の拡散の進行を阻むため、所望のチャネル層深さが得られる位置にn型不純物層を形成することによりチャネル層深さを正確に制御できる。 - 特許庁
To manufacture a liquid crystal display device having a quick operating speed and a superior display performance by enhancing mobility of a low temperature polysilicon TFT and further contriving to lower diffusion layer resistance in a source and drain part.例文帳に追加
低温ポリシリコンTFTの移動度を向上させ、しかもソースドレイン部の拡散層抵抗の低抵抗化を図り、動作スピードの早い表示能性の優れた液晶表示装置を作製可能にする。 - 特許庁
Each divided reflecting surface 13 is set so as to be formed into a reflecting surface having a focus distance and a reflection width determined by the tube diameter of the tubular light source 11 and a set diffusion angle in a luminous intensity distribution.例文帳に追加
各分割反射面13は管状光源11の管径及び設定された配光拡散角度によって決定される焦点距離及び反射幅を有した反射面となるように設定する。 - 特許庁
To provide a product of which the spreading property to an objective is improved, and by which a powder aerosol content can be efficiently and comfortably used by suppressing the diffusion of the powder aerosol content at the time of a jetting, and surely applying the content to a narrow range.例文帳に追加
粉末エアゾール用押釦に於いて、粉末エアゾール内容物の噴射時の拡散を抑制して、狭い範囲への確実な塗布を可能とする事により、目的物への展着性を向上する。 - 特許庁
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