「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING ACID DIFFUSION例文帳に追加

酸拡散を利用する半導体素子の製造方法 - 特許庁

The gas diffusion layer has a water retention layer between a gas diffusion substrate and a water repellent layer in the gas diffusion layer having the gas diffusion substrate and the water repellent layer.例文帳に追加

本発明は、ガス拡散基材と撥水層とを有するガス拡散層において、前記ガス拡散基材と前記撥水層との間に保水層を有することを特徴とするガス拡散層により上記課題を解決する。 - 特許庁

PRODUCTION OF GAS DIFFUSION ELECTRODE BY SELF- ORGANIZATION例文帳に追加

自己組織化によるガス拡散電極の製造方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING GAS DIFFUSION ELECTRODE SHEET例文帳に追加

ガス拡散電極シートの製造方法とその装置 - 特許庁

COATING LIQUID FOR FORMING SILICA COAT FOR PREVENTING ALKALI DIFFUSION例文帳に追加

アルカリ拡散防止用シリカ被膜形成用塗布液 - 特許庁

TURBIDITY DIFFUSION PREVENTION METHOD IN PORTS AND HARBORS CONSTRUCTION, ETC.例文帳に追加

港湾工事等における濁り拡散防止方法 - 特許庁

SPECTRUM DIFFUSION TELEPHONE SET HAVING ACCELERATION- TYPE CODE ACQUISITION例文帳に追加

加速式コ—ド取得を有するスペクトル拡散電話器 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

The Ni film 66 prevents diffusion of the solder 14.例文帳に追加

このＮｉ膜６６は、半田１４の拡散を防ぐ。 - 特許庁

The device is provided with a diffusion limitation part opening along the jet direction of the diffusion flow and to the exterior, and the diffusion in the vertical direction of the jet flow is limited and rectified by the diffusion limitation part.例文帳に追加

拡散流の噴射方向に沿いかつ外部に開口する拡散制限部が設けられており、噴射される拡散流は、拡散制限部によって上下方向の拡散が制限されて整流される。 - 特許庁

VERTICAL DIFFUSION/CVD EQUIPMENT AND WAFER TRANSFER METHOD例文帳に追加

縦型拡散／ＣＶＤ装置及びウェーハ移載方法 - 特許庁

LIGHT DIFFUSION LAYER, LIGHT DIFFUSING SHEET AND OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

光拡散層、光拡散性シート及び光学素子 - 特許庁

Even when a mold of the same cavity shape is used, the mode of light diffusion is changed easily only by changing the light diffusion pattern provided on the light diffusion sheet 10.例文帳に追加

同じキャビティ形状の金型を使用しても、光拡散シート１０に設けられる光拡散パターンを変更するだけで、光拡散の態様を容易に変更できる。 - 特許庁

Then, an n-type collector diffusion layer 14 connected to an input/output line 21 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加

次に、Ｐ型拡散層１１と接しているＮ型拡散層のうち、入出力ライン２１と接続されているＮ型コレクタ拡散層１４を抽出する。 - 特許庁

A plurality of correlation values are generated by a back diffusion part 201 by executing back diffusion to the received signal by using a plurality of diffusion codes respectively in a demodulating part 103.例文帳に追加

復調部１０３において、逆拡散部２０１は、複数の拡散符号の各々を用いて受信信号を逆拡散して複数の相関値を生成する。 - 特許庁

To provide an internal diffusion and reflection type color filter with high quality and an internal diffusion and reflection type color liquid crystal display device provided with the internal diffusion and reflection type color filter.例文帳に追加

高品質な内面拡散反射型カラーフィルタおよびこの内面拡散反射型カラーフィルタを備えた内面拡散反射型カラー液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

An outer base diffusion layer 6 which is superposed with an outer circumference of the intrinsic base diffusion layer 7, encloses the intrinsic base diffusion layer 7, and reaches the isolation insulation film 3 is formed.例文帳に追加

この真性ベース拡散層７の外周と重畳してこの真性ベース拡散層７を取囲み、分離絶縁膜３に達する外部ベース拡散層６を形成する。 - 特許庁

The lighting device comprises a light source 1, a first light diffusion body 2 covering the light source 1, and a second light diffusion body 3 covering the first light diffusion body 2.例文帳に追加

本発明に係る照明装置は、光源１と、光源１を覆う第１光拡散体２と、第１光拡散体２を覆う第２光拡散体３とから成る。 - 特許庁

An anode electrode 18 comes into contact with the p-type diffusion layer 14, and a cathode electrode 19 comes into contact at the same time with the p-type diffusion layer 15 and the n+-type diffusion layer 16.例文帳に追加

アノード電極１８はｐ型拡散層１４にコンタクトし、カソード電極１９はｐ型拡散層１５とｎ^+型拡散層１６に同時にコンタクトする。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 12 is formed on the surface of an N-type silicon substrate 11, and an N-type diffusion layer 14 is formed inside the N-type diffusion layer 12.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板１１の表面領域にＰ型拡散層１２が形成され、このＰ型拡散層１２内に、Ｎ型拡散層１４が形成される。 - 特許庁

The gas diffusion mechanism 16 has: a gas diffusion hole 14 formed so as to pierce a cap 13; and the internal space 15 communicating with the gas diffusion hole 14.例文帳に追加

ガス拡散機構１６は、キャップ１３に貫通するように形成された気体拡散孔１４と、この気体拡散孔１４と連通する内部空間１５とを有する。 - 特許庁

Further, a diffusion wafer group which has more preferable resistivity and thickness of the non-diffusion layer can be provided by combining diffusion wafers obtained from different ingots.例文帳に追加

また、異なるインゴットから得られる拡散ウェーハを組合せて、より好ましい抵抗率及び非拡散層の厚みを備える拡散ウェーハ群を提供することができる。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace and a method of a diffusion wafer using the same which uniformly forms a diffusion layer in a plane and in a batch on the wafer surface.例文帳に追加

ウェーハ表面に拡散層を面内、及びバッチ内で均一に形成することができる横型拡散炉及びこれを用いた拡散ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a diffusion plate 20 has at least a microstructure 28 constituted by repeated undulation to permit the diffusion and the incidence of incident light beams to the diffusion plate.例文帳に追加

拡散板20の表面に少なくとも重複した高低起伏の微細構造28を具えることで該拡散板への入射光線を拡散と入射に用いる。 - 特許庁

The metal layer MT11 and the function element region FE2 are electrically connected through the diffusion region An11, the diffusion region An21, and the diffusion region CR21.例文帳に追加

金属層ＭＴ１１および機能素子領域ＦＥ２は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ２１、および拡散領域ＣＲ２１通して電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a light diffusion aromatic polycarbonate resin giving high light diffusion properties and impact resistance required to a light diffusion molded product.例文帳に追加

光拡散性成形品に求められる高い拡散度と耐衝撃性を付与することが可能な光拡散性芳香族ポリカーボネート樹脂及びそれを用いた成形品を提供する。 - 特許庁

A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.例文帳に追加

第二ガス拡散層１０と第一ガス拡散層２２との界面には、第二ガス拡散層１０の端面からＬの距離に渡って、第二シール層１３が延在する。 - 特許庁

Consequently, a membrane electrode assembly 20 and a fuel diffusion layer 5, an air diffusion layer 6, the fuel diffusion layer 5, and collectors 7, 8 are adhered to each other well and fixed.例文帳に追加

これにより、膜電極接合体２０と燃料拡散層５、空気拡散層６、燃料拡散層５、集電体７，８が互いに良好に密着して固定される。 - 特許庁

This technology facilitates the diffusion of impurities into diamond 106, and enables to make up diffusion areas of many kinds of diffusion areas of impurities on the same surface.例文帳に追加

この技術により、ダイヤモンド１０６への不純物の拡散が容易に行われ、且つ同一表面上に多種類の不純物拡散領域を形成することが可能となる。 - 特許庁

(1) At least two kinds of diffusion agent having different boron nitride concentration are used as the diffusion agent, and the selected area is coated with the diffusion agent having a higher boron nitride concentration.例文帳に追加

（１）前記拡散剤として、窒化ホウ素の濃度が異なる少なくとも二種の拡散剤を用い、窒化ホウ素の濃度の高い前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。 - 特許庁

Among them, the vertical diffusion sheet 12 comprises a substrate 12a and a vertical diffusion lens part 12b which is disposed on one side surface of the substrate 12a and has a vertical diffusion function.例文帳に追加

このうち垂直拡散シート１２は、基板１２ａと、基板１２ａの一方の面に設けられ、垂直拡散機能を有する垂直拡散レンズ部１２ｂとを有している。 - 特許庁

Between a source diffusion layer 8 and a drain diffusion layer 9 of a semiconductor substrate 1, a memory transistor and a select transistor are formed side by side via an intermediate diffusion layer 10.例文帳に追加

半導体基板１のソース拡散層８とドレイン拡散層９との間に中間拡散層１０を介してメモりトランジスタとセレクトトランジスタとを並べて形成する。 - 特許庁

Therefore, the sufficient range of the P-type diffusion condition can be obtained freely in the P^+-type embedded diffusion layer formed on the N^+-type embedded diffusion layer 11.例文帳に追加

したがって、Ｎ^＋型埋め込み拡散層１１上に形成するＰ^＋型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在となる。 - 特許庁

A fourth source-drain diffusion layer 22B is electrically connected to a second diffusion layer 27 and has the same potential as that of the second well 52 and that of the second diffusion layer 27.例文帳に追加

第４のソース・ドレイン拡散層２２Ｂは、第２の拡散層２７と電気的に接続され且つ第２のウェル５２及び第２の拡散層２７と同電位である。 - 特許庁

To provide an air diffusion method capable of sufficiently preventing the clogging of air diffusion holes when an air diffuser is used or stopped over a long period of time, and an air diffusion system.例文帳に追加

散気装置を長期間使用又は停止する際に、散気孔の目詰まりを十分に防止することが可能な散気方法及び散気システムを提供すること。 - 特許庁

On a GaAs substrate 3, an n+ type diffusion region 4 and a p+ type diffusion region 5 joined inside the n+ type diffusion region 4 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３上には、ｎ＋型拡散領域４と、該ｎ＋型拡散領域４内に接合するようにｐ＋型拡散領域５とが形成されている。 - 特許庁

An n-type low concentration diffusion layer 9 is formed in facing to the p-type low concentration diffusion layer 7 and the p-type high concentration diffusion layer 8 through the n-type epitaxial layer 5.例文帳に追加

ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。 - 特許庁

The depth of the common base diffusion layer 16 is formed deeper than the depth of the outer base diffusion layer 6 and not exceeding the depth of the intrinsic base diffusion layer 7.例文帳に追加

この共通ベース拡散層１６，１７の深さは、外部ベース拡散層６の深さより深く、かつ真性ベース拡散層７の深さを超えない深さに形成する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus capable of efficiently executing parallel error diffusion processing by suppressing the generation of defect in executing the parallel error diffusion processing using a plurality of error diffusion processing units.例文帳に追加

複数の誤差拡散処理ユニットを用いて並列誤差拡散処理を行う際に、ディフェクトの発生を抑制し、効率よく並列誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

A common base diffusion layer 16 which is superposed with the intrinsic base diffusion layer 7 and superposed with at least an inner circumferential part of the outer base diffusion layer 6 is further formed.例文帳に追加

さらに、真性ベース拡散層７と重畳し、かつ外部ベース拡散層６の少なくとも内周部分と重畳する共通ベース拡散層１６，１７を形成する。 - 特許庁

An anode region 20 of a diode 1 includes a high-concentration anode diffusion region 20a, an intermediate-concentration anode diffusion region 20b and a low-concentration anode diffusion region 20c.例文帳に追加

ダイオード１のアノード領域２０は、高濃度アノード拡散領域２０ａと中濃度アノード拡散領域２０ｂと低濃度アノード拡散領域２０ｃを有している。 - 特許庁

A light diffusion layer 3a of the light diffusion sheet 1 having the light diffusion layer 3a and a base material layer 2 is formed by dispersing wax 6 into a binder 5.例文帳に追加

光拡散層３ａと基材層２とを備える光拡散シート１であって、この光拡散層３ａがバインダー５中にワックス６が分散したものである。 - 特許庁

HIGH STRENGTH LIQUID PHASE DIFFUSION WELDED JOINT HAVING EXCELLENT TOUGHNESS IN WELD ZONE, AND HIGH STRENGTH STEEL MATERIAL FOR LIQUID PHASE DIFFUSION WELDING AND LIQUID PHASE DIFFUSION WELDING METHOD THEREFOR例文帳に追加

溶接部の靭性に優れた高強度液相拡散接合継手および液相拡散接合用高強度鋼材並びにその液相拡散接合方法 - 特許庁

The maximum diffusion coefficient direction maximizes the oxygen diffusion coefficient in both directions of the gas diffusion layer, and is almost identical to the direction of gas flow in the layer.例文帳に追加

ガス拡散層の面方向における酸素拡散係数が最大となる最大拡散係数方向が、当該層を流れるガス流の方向とほぼ一致している。 - 特許庁

The gas diffusion member can be used as a porous material passage layer or a gas diffusion layer disposed between a flat panel separator and the gas diffusion layer.例文帳に追加

燃料電池において、上記ガス拡散部材は、フラットセパレータとガス拡散層との間に配置される多孔体流路層またはガス拡散層として用いることができる。 - 特許庁