「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF MATERIAL FOR GAS DIFFUSION ELECTRODE, GAS DIFFUSION ELECTRODE AND SOLID POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL例文帳に追加

ガス拡散電極用材料の製造方法、ガス拡散電極及び固体高分子電解質型燃料電池 - 特許庁

A diffusion depth of the first pocket region 9A is shallower in comparison with a diffusion depth of the second pocket region 9B.例文帳に追加

第１のポケット領域９Ａの拡散深さは、第２のポケット領域９Ｂの拡散深さに比べて浅い。 - 特許庁

The obtained mouthpiece (1) for shaping has a nickel-containing diffusion bonded region (7) on the solid phase diffusion bonded surface.例文帳に追加

得られた賦形用口金(1) は固相拡散接合面にニッケルを含む拡散接合領域(7) が介在している。 - 特許庁

A transistor includes a gate electrode 2, a gate insulating film 4, and a diffusion layer constituting the diffusion bit line 5.例文帳に追加

トランジスタは、ゲート電極２、ゲート絶縁膜４および拡散ビット線５を構成する拡散層とからなる。 - 特許庁

The organic light-emitting layer prevents diffusion of the n-type dopant.例文帳に追加

有機発光層はｎ型ドーパントの拡散を防止する。 - 特許庁

The detected region is subjected to diffusion processing (real gradation number limit processing) by dither or error diffusion.例文帳に追加

この検出領域に対して、ディザまたは誤差拡散による拡散処理（実階調数制限処理）を行う。 - 特許庁

The width of the trench 7 can be controlled more accurately by etching than the diffusion quantity of impurities by thermal diffusion.例文帳に追加

エッチングによるトレンチ７の幅の制御は、熱拡散による不純物の拡散量よりも精度良く行える。 - 特許庁

The diaphragm 10 is constituted of a boron diffusion layer, and a supersaturation region S is formed to part of the boron diffusion layer.例文帳に追加

振動板１０がボロン拡散層からなり、このボロン拡散層の一部に過飽和領域Ｓを形成した。 - 特許庁

DISPERSION LIQUID FOR GAS DIFFUSION ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ガス拡散電極用分散液及びその製造方法 - 特許庁

Metal diffusion between the hydrogen separation membrane 30 and support body 10 is suppressed by the diffusion suppressing layer 20.例文帳に追加

水素分離膜（３０）と支持体（１０）との間の金属拡散が拡散抑制層（２０）によって抑制される。 - 特許庁

POWER DISTRIBUTION METHOD OF ELECTROLYTIC TANK USING GAS DIFFUSION ELECTRODE例文帳に追加

ガス拡散電極を用いる電解槽の配電方法 - 特許庁

OUTGOING LINE DIFFUSION CODE ALLOCATING METHOD AND BASE STATION例文帳に追加

下り回線拡散符号割り当て方法及び基地局 - 特許庁

LIGHT DIFFUSION SHEET, OPTICAL DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

光拡散性シート、光学素子および画像表示装置 - 特許庁

DIFFUSER PLATE FOR HIGHER LIGHT DIFFUSION AND LUMINANCE例文帳に追加

光拡散の増加及び輝度を高める光拡散プレート - 特許庁

HEAT CONDUCTION MEMBER WITH LOW-STRESS AND DIFFUSION-BARRIER FILM例文帳に追加

低応力・拡散バリアー膜を備えた熱伝導部材 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING METAL MOLD FOR USE IN DUPLICATING LIGHT DIFFUSION SHEET, LIGHT DIFFUSION SHEET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SCREEN例文帳に追加

光拡散シート複製用金型の製造方法、光拡散シート及びその製造方法、並びにスクリーン - 特許庁

FUEL CELL AND MATERIAL FOR FUEL CELL GAS DIFFUSION LAYER例文帳に追加

燃料電池および燃料電池ガス拡散層材料 - 特許庁

The lower plate member 1 is diffusion-joined to the frame member 2, and the upper plate member 3 is diffusion-joined to the frame member 2.例文帳に追加

そして下板部材１とフレーム部材２、及び上板部材３とフレーム部材２とが拡散接合される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GAS DIFFUSION FILTER FOR PHOTOACOUSTIC GAS SENSOR例文帳に追加

光音響ガスセンサ用ガス拡散フィルタの製造方法 - 特許庁

N-type diffusion layers 36a and 36b serving as sources are provided in the P-type diffusion layers 34a and 34b respectively, and parts of P-type diffusion layer regions 34a and 34b located between the well diffusion layer 32 and the source diffusion regions 36a and 36b are made to serve as channel regions 38a and 38b.例文帳に追加

各Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ内にはそれぞれソースとなるＮ型拡散層３６ａ，３６ｂが形成され、ウエル拡散層３２とそれぞれのソース拡散層３６ａ，３６ｂの間のＰ型拡散層領域３４ａ，３４ｂがチャネル領域３８ａ，３８ｂとなっている。 - 特許庁

OPTICAL DIFFUSION FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SCREEN例文帳に追加

光拡散フィルム及びその製造方法並びにスクリーン - 特許庁

A diffusion pump uses oil to pump gas molecules. 例文帳に追加

油拡散ポンプは、ガス分子を排気するのに油を使う。 - 科学技術論文動詞集

Chart 2-60 Demonstration Tests for the Diffusion of Fuel Cells例文帳に追加

図表2-60 燃料電池の普及に向けた実証実 - 経済産業省

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

A communication device 10 applied to the communication system includes a diffusion code table management section 28 for and selecting a diffusion code table in response to a diffusion rate of a management device included in diffusion information notified from a management device 30 of a system 90, and generating a diffusion code set in response to the number of users and the user number included in the diffusion information.例文帳に追加

本通信システムに適用される通信装置10は、本システム90の管理装置30から通知された拡散情報に含まれている管理装置の拡散率に応じて拡散コードテーブルを選択し、拡散情報に含まれているユーザ数およびユーザ番号に応じて、拡散コードセットを生成する拡散コードテーブル管理部28を含む。 - 特許庁

The screen 20 comprises: a screen body 12 having a diffusion layer 10; a frame 16 disposed along the perimeter of the screen body 12, to which the diffusion layer 10 is attached as swingable via a support member 14; and a driving means 22 attached to the diffusion layer 10 and moving the diffusion layer parallel to the diffusion layer plane of the diffusion layer 10.例文帳に追加

本発明のスクリーン２０は、拡散層１０を有するスクリーン本体１２と、スクリーン本体１２の外周に沿って設けられ、拡散層１０が支持部材１４を介して揺動可能に取り付けられた枠部１６と、拡散層１０に取り付けられ、拡散層１０の拡散層面に平行に拡散層を移動させる駆動手段２２とを備える。 - 特許庁

A copper diffusion preventive film formed on a main surface of a semiconductor substrate 1S is represented by a copper diffusion preventive film DCF1a, and a copper diffusion preventive film formed on a back surface of the semiconductor substrate 1S is represented by a copper diffusion preventive film DCF1b.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの主面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ａとし、半導体基板１Ｓの裏面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂとする。 - 特許庁

The light diffusion film for a backlight device is constituted of only a single sheet of film, and has a range of degree of inflection of 4-100% in a main diffusion direction, and a diffusion degree 30° or more in the main diffusion direction of the light transmitted, measured at an incident angle 0°.例文帳に追加

フィルム１枚のみの構成で、主拡散方向の変曲度が４〜１００％であり、かつ入射角０度で測定した透過光の主拡散方向の拡散度が３０度以上であるバックライト装置用光拡散フィルム。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

Next, in a second diffusion step, the impurities are thermally diffused from the diffusion layer source 12 to inside the wafer, and a heavily-doped impurity diffusion layer 19, which increases a diffusion depth in the diametric direction of the wafer 11, is formed.例文帳に追加

次に、第２の拡散工程において、上記拡散層源１２からウェーハ内部に不純物を熱拡散させ、ウェーハ１１の上記径方向に拡散深さが増大する高濃度不純物拡散層１９を形成する。 - 特許庁

At least one of a pair of the diffusion layers includes a first diffusion layer, a second diffusion layer and the plurality of hollow fibers, and the second diffusion layer is constituted so as to be arranged between the plurality of hollow strings and the catalyst layers.例文帳に追加

一対のガス拡散層の少なくとも一方が、第１拡散層と第２拡散層と複数の中空糸とを有し、前記複数の中空糸と前記触媒層との間に前記第２拡散層が配置されるように構成する。 - 特許庁

Consequently, even when the diffusion sheet 40 expands owing to heat generated in the device, the diffusion sheet 30 can freely slide on the diffusion sheet arrangement part 30a, so the diffusion sheet 40 never flexes to accumulate force.例文帳に追加

これにより、装置内で発生した熱によって拡散シート４０が膨張した場合であっても、拡散シート４０は拡散シート配置部３０ａ上を自由に滑動することから、拡散シート４０が撓んで力を蓄積することはない。 - 特許庁

One impurity diffusion region of the first transistor constitutes a common diffusion region continuously up to one impurity diffusion region of the second transistor through the impurity diffusion region arranged to the surface layer section of a substrate.例文帳に追加

第１のトランジスタの一方の不純物拡散領域が、基板の表層部に配置された不純物拡散領域を介して第２のトランジスタの一方の不純物拡散領域まで連続して共通拡散領域を構成している。 - 特許庁

The drain region 3 is constituted of a deep low concentration diffusion region 3B, and a shallow high concentration diffusion domain 3A which is the same conductivity type as that of the low concentration diffusion region 3B and arranged in the low concentration diffusion region 3B.例文帳に追加

ドレイン領域３が、深さの深い低濃度拡散領域３Ｂと、低濃度拡散領域３Ｂと同じ導電型であって低濃度拡散領域３Ｂに設けられた浅い高濃度拡散領域３Ａとから構成される。 - 特許庁

The quaternary information is read by both reading with the diffusion region N21 as a source while the diffusion region N12 as a drain and reading with the diffusion region N21 as a drain while the diffusion region N12 as a source.例文帳に追加

したがって、拡散領域Ｎ_21をソースとし且つ拡散領域Ｎ_12をドレインとした読み出しと、拡散領域Ｎ_21をドレインとし且つ拡散領域Ｎ_12をソースとした読み出しとを行うことにより、４値化情報が読み出される。 - 特許庁

A nitrogen diffusion region 14 with nitrogen ions introduced thereinto is formed apart from the element isolation region 13 at an interval at the upper part of at least the drain diffusion layer 18 in the drain diffusion layer 18 and source diffusion layer 18.例文帳に追加

ドレイン拡散層１８及びソース拡散層１８のうちの少なくともドレイン拡散層１８の上部には、窒素イオンが導入された窒素拡散領域１４が素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.例文帳に追加

さらに、Ｐ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層１０との離間距離（第１の距離１１）をＰ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層９との離間距離（第２の距離１２）に比べて短くする。 - 特許庁

A diffusion layer is coupled to the substrate such that the convex surface of at least each one diffusion component is between the concave surface thereof and the diffusion layer and configured to further diffuse the light that propagates through at least one diffusion component.例文帳に追加

拡散層は、少なくとも１つの拡散部品の各々の凸面が凹面と拡散層との間にあるよう基板に結合され、少なくとも１つの拡散部品を通って伝播する光をさらに拡散するように構成される。 - 特許庁

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

The pn junction diode 22a for temperature detection is formed with an n-type diffusion layer 21 formed in the p-type diffusion layer 20 as a cathode region, and a P^+ diffusion layer 19b formed in the n-type diffusion layer 21 as an anode region.例文帳に追加

温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａは、Ｐ型拡散層２０内に形成されるＮ型拡散層２１をカソード領域とし、Ｎ型拡散層２１内に形成されるＰ＋拡散層１９ｂをアノード領域とする。 - 特許庁

This diffusion device of the discharged culm cutter is characterized by disposing a partial spiral plate 3 capable of being switched into the right or left diffusion direction on a diffusion shaft 2 having a diffusion spiral 1 for receiving and diffusing the chopped straws.例文帳に追加

切断された細断わらを受けて拡散する拡散螺旋１を有した拡散軸２に、左右拡散方向を切替可能の部分的な螺旋板３を設けたことを特徴とする排稈カッターの拡散装置の構成とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

This straight down back light has the diffusion plate, a reflection plate (back plate) arranged in the lower part of the diffusion plate, the lamp arranged between the diffusion plate and the reflection plate, and a supporting member arranged between the diffusion plate and the reflection plate.例文帳に追加

拡散プレートと、拡散プレートの下部に配置した反射プレート（バックプレート）と、拡散プレートと反射プレートとの間に配置したランプと、拡散プレートと反射プレートとの間に設置したサポート部材とを有するストレイトダウンバックライトである。 - 特許庁

DIFFUSION MEMBER, OPTICAL SHEET, BACK LIGHT UNIT AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

拡散部材、光学シート、バックライトユニットおよびディスプレイ装置 - 特許庁

To suppress the diffusion area of body fluid on a top sheet.例文帳に追加

トップシート上における体液の拡散面積を抑制する。 - 特許庁