Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加
このため、電荷の転送部分となるn^-型の拡散層15aからなるV−CCD15の単位セル10あたりの表面積は小さく、フォトダイオード21の単位セル10あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁
An organic film that does not include oxygen is used for an interlayer insulating film 11 as a diffusion barrier, and a Cu wiring 12 is surrounded directly by this interlayer insulating film 11, and a barrier metal is not used at least on the side wall of the Cu wiring 12.例文帳に追加
酸素を有しない有機膜を、拡散バリアとして層間絶縁膜11に用い、この層間絶縁膜11でCu配線12を直接囲む構造とし、バリア金属は少なくともCu配線12の側壁に用いない構造とする。 - 特許庁
A conductive layer equipped with a silicide layer 103 is formed on a diffusion layer 105 in a region sandwiched in between element isolation oxide films 104 on a silicon substrate 101, and a polysilicon film 106 is formed on all the surfaces of the element isolation oxide films 104 and the silicide layer 103 (c).例文帳に追加
シリコン基板101上の素子分離酸化膜104に挟まれた領域内に、拡散層105上にシリサイド層103を有する導電性層を形成し、その上全面にポリシリコン膜106を形成する(c)。 - 特許庁
To suppress an off-current in a cell transistor even if the transistor has a designed size that allows a significant short channel effect to occur, and to suppress a leak current from a joint on the capacitor side diffusion layer of the cell transistor.例文帳に追加
短チャネル効果が顕著に現れるような設計寸法であったとしてもセルトランジスタのオフ電流を抑制することができ、さらにセルトランジスタのキャパシタ側拡散層の接合部におけるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁
To provide a device for crystallization, which realizes sufficient crystal growth from a crystal nucleus to produce a crystallized semiconductor with a large particle diameter, while suppressing the influence of thermal diffusion or the release of latent heat, in the final stage of the crystal growth.例文帳に追加
結晶成長の最終段階における熱拡散や潜熱放出の影響を抑えて、結晶核からの十分な結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体を生成することのできる結晶化装置。 - 特許庁
To provide an insulating thin film excellent in insulation property, a glass article excellent in insulating property as well as excellent in the performance of preventing diffusion of metal ions, and a glass article excellent in the insulation property as well as excellent in transmitting property for electric waves.例文帳に追加
絶縁性に優れた絶縁性薄膜、並びに絶縁性に優れると共に金属イオン拡散防止性能に優れたガラス物品、及び絶縁性に優れると共に電波透過性に優れたガラス物品を提供する。 - 特許庁
To provide an optical diffusion plate for vertical back light made of a polycarbonate resin for a surface light emitting large-sized liquid crystal display device which warps less, and has superior surface light emitting properties, small luminance inhomogeneity on a light emission surface, and a superior color tone.例文帳に追加
反りが少なく、優れた面発光性を有し発光面の輝度ムラが少なく色調の優れた面発光性大型液晶表示装置用ポリカーボネート樹脂製直下型バックライト用光拡散板を提供する。 - 特許庁
In the fuel cell, since a diffusion layer is equipped with an easily elastic site in which elastic deformation is easier than in other site in a corresponding site of a flow passage wall of a separator, the dimensional change in the laminating direction of the cell can be absorbed.例文帳に追加
燃料電池において、拡散層が、セパレータの流路壁の対応部位に他の部位よりも弾性変形が容易な易弾性部位を備えることにより、セルの積層方向の寸法変化を吸収することができる。 - 特許庁
In this method for measuring the concentration of the specific component in the blood specimen containing a blood corpuscle, the concentration of the specific component is operated in consideration of the diffusion speed of the specific component diffused to the outside of the blood corpuscle from the inside thereof.例文帳に追加
血球を含む血液試料中の特定成分の濃度を測定する方法において、上記特定成分が血球内から血球外に拡散する拡散速度を考慮して、上記特定成分の濃度を演算する。 - 特許庁
An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加
N+拡散層8が、GND配線3と基板バイアスVDD2配線5の配線方向が交差する部分の近傍におけるPウェル4内に配され、GND配線3とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁
Further, variable capacity is provided with a conductor 12 connecting the well region 3 positioned below the insulating film 4 and exposed from a cut-out 11, and a region below the diffusion layer 6.例文帳に追加
さらに、当該切り欠かれた部分11から露出している、絶縁膜4の下方に位置するウエル領域3と、拡散層6の下方の領域とを接続する導電体12を、本発明に係る可変容量はさらに備えている。 - 特許庁
Based on the configuration, nearly the same picture quality as the case where processing is made both horizontally and vertically can be achieved with a small-scale circuit by reducing processing in a vertical direction in LPF processing and error diffusion processing.例文帳に追加
この構成によると、LPF処理と誤差拡散処理において垂直方向への処理を削減することで、水平・垂直両方向の処理を行った場合とほぼ同等の画質を、より小規模な回路にて実現できる。 - 特許庁
High-temperature surface layer water of a reservoir is pumped up by a storage pump 1, an acid is added in an adequate amount to the pumped water to adjust the pH to 4-6, and the obtained acidic water is returned to the surface layer of the reservoir to make the pH of the surface layer water neutral or weak acidic in the process of mixing diffusion.例文帳に追加
酸を添加するには、表層のpHをpH計6 で測定し、pH調節計2 の信号によりポンプあるいはバルブよりなる酸調整装置3 を制御し、酸を混合槽4 へ供給して水と混合する。 - 特許庁
Since the Al-Cu alloy is used for the wiring 18, even if it is used in a high-temperature condition, the highly reliable wiring 18 capable of preventing failure due to diffusion of the wiring material in the interlayer insulating film 12 can be formed.例文帳に追加
配線18にAl−Cu合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜12中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線18を形成することができる。 - 特許庁
The lead-out electrode 3, which is formed in a self-aligned manner for forming a P+-type diffusion layer and composed of P+-type polycrystalline silicon, is laid out so that the lengths of the electrode 3 from the four sides of the opening 4 of the electrode 3 become equal to each other.例文帳に追加
P^+型拡散層を形成するためのP^+型多結晶シリコンからなる引き出し電極3の長さを、セルフアラインで形成した引き出し電極3の開口部4の四辺から等しくなるようにレイアウトする。 - 特許庁
In a process (b), after forming a TiSi film 5 on the surfaces of the diffusion layer 3 and the gate electrode 4, an oxide film 6 is formed over the whole of the surfaces of the TiSi film 5 and the insulation film 2 to expose to the external the surface of the gate electrode 4 by polishing the oxide film 6.例文帳に追加
工程(b)で、拡散層3及びゲート電極4の表面にTiSi膜を形成し、該表面全体に酸化膜6を形成し、酸化膜6を研磨してゲート電極4の表面を露出させる。 - 特許庁
To increase light emitting amount of LEDs and a diffusion area to enhance illumination effect without extending LEDs when a movable board unit having LEDs mounted thereon are set onto the back side of a decoration board so as to freely appear and disappear.例文帳に追加
化粧板の背面側にLEDを搭載した可動盤面部品を出没自在に配置した場合に、LEDを増設することなく、LEDからの発光光量、拡散範囲を増強して電飾効果を高める。 - 特許庁
An expensive electric ultrasonic wave oscillator, a catalyst compression diffusion chilling unit and the like are not needed, and the treatment tank 5, the underwater treatment pump 13 and, in the case of the treatment in the air, a fan, moreover, the liquefied gas pipe unit and the oxygen-free gas 3 are only needed.例文帳に追加
高価な、電気超音波発振装置や触媒圧縮放散チ−リングユニット等は不要で、処理槽5と、水中処理はポンプ13、気中処理はファン、後は液化ガス配管ユニットと、無酸素ガス3だけが必要となる。 - 特許庁
To provide a portable chemical diffusion device which improves workability for attaching a strap and is further reduced in size to improve portability, when an air-passing opening is enlarged to obtain a high capacity.例文帳に追加
携帯型の薬剤拡散装置において、空気の通る開口部を大きくして高い能力が得られるようにする場合に、ストラップの取り付け作業性を良好にするとともに、更なるコンパクト化を図って携帯性を良好にする。 - 特許庁
To provide a light diffusing device capable of moving a light diffusing material in the surface direction of a screen while saving energy required for moving the light diffusing material and suppressing diffusion unevenness of the light diffusing material on the entire screen.例文帳に追加
光散乱材の移動に必要なエネルギを抑え、スクリーン全体での光散乱材の分布むらの発生を抑えつつ、光拡散材をスクリーンの面方向に運動させることができる光拡散装置の提供を目的とする。 - 特許庁
The plurality of optical elements 41 extending in a first direction are formed to be arrayed along a second direction perpendicular to the first direction on at least one of the first and second surfaces 40a, 40b of the light diffusion plate 40.例文帳に追加
光拡散板40では、第1及び第2の面40a,40bの少なくとも一方に、第1の方向に延びている光学要素41が第1の方向に直交する第2の方向に並べて複数形成されている。 - 特許庁
To provide a light emitting device in which an enclosure covering a semiconductor light-emitting element has fire-retardancy complying with a UL standard and diffusion light is emitted from the enclosure, and a lighting fixture equipped with this light-emitting device.例文帳に追加
半導体発光素子を覆う包囲体がUL規格に適合する難燃性を有するとともに、当該包囲体から拡散光が出射される発光装置およびこの発光装置を具備する照明器具を提供する。 - 特許庁
An imaging device comprises: a photodiode (PD) receiving light, generating electric charges according to the received light, and storing the charges; a floating diffusion (FD) storing electric charges; and an electric charge holding section (MEM) disposed between the PD and the FD.例文帳に追加
撮像装置は、光入力を受け該光入力に応じた電荷を発生して蓄積するフォトダイオード(PD)と、電荷を蓄積するフローティングディフージョン(FD)と、PDとFDとの間に配置された電荷保持部(MEM)とを備えている。 - 特許庁
Further included is performing calculation processes to alter time and a density based on a decreasing characteristic of the diffusion material (S15-4), and to obtain a total density distribution of a whole space from the allotted calculation of density according to occurrence time (S15-5).例文帳に追加
さらに、拡散物質の減少特性に基づき時間と濃度を変化させる計算処理を行い(S15−4)、発生時刻別の濃度に分配計算した全体の総濃度分布の計算処理を行う(S15−5)。 - 特許庁
To provide a habitable room structure giving consideration to a sound, which can effectively improve a frequency balance of an acoustic absorption coefficient in the state of arranging a sound absorption and diffusion body in such a manner as to prevent the narrowing of an indoor space of a habitable room section.例文帳に追加
居室部の室内空間が狭くならないように吸音拡散体を配置した状態で、吸音率の周波数バランスを効果的に向上させることができる音響を考慮した居室構造を提供する。 - 特許庁
To convert a charged particle beam into a soft X-ray in a wavelength range of 0.6-6 nm including a "water window" domain with high efficiency, and to suppress a damage to a sample by suppressing low a diffusion range in the sample of the charged particle beam.例文帳に追加
荷電粒子線を高い効率で「水の窓」領域を含む0.6〜6nmの波長領域の軟X線に変換すること及び荷電粒子線の試料内での拡散範囲を狭く抑えて試料へのダメージを抑制すること。 - 特許庁
This guides a wave in the color conversion member, and light emitted from the end surface and having many fluorescent component is mixed with excitation light directly entering from the light-emitting element in the light diffusion member to increase the excitation light component.例文帳に追加
これにより、色変換部材内部を導波し、端面から出射される蛍光成分の多い光は、光拡散部材において、発光素子から直接入射する励起光と混合され、励起光成分を増加する。 - 特許庁
The second-conductivity diffusion layer 3 contains an impurity with second conductivity which is opposite to the first conductivity, and at least a part thereof is formed near a main surface of the silicon substrate 2 which is the light receiving surface.例文帳に追加
第2導電型拡散層3は、第1導電型とは反対の導電型である第2導電型の不純物を含み、受光面側であるシリコン基板2の主表面近傍に少なくとも一部が形成されている。 - 特許庁
The air blowing from an air supply pipe 22 into the gas chamber 30 is hit against the diffusion member 40 and diffused in the ship lateral direction Y and blows into water through air outlets 34a formed in the bottom surface 34 of the gas chamber 30.例文帳に追加
空気供給管22から気体室30内に吹き出した空気は、拡散材40に当たって船幅方向Yに拡散したのち、気体室30の底面34に形成された空気吹き出し孔34aから水中に吹き出す。 - 特許庁
According to the configuration, since the first diffusion-preventing film 16 is provided between the interdigital electrode 18 and the first insulating film 12, the interdigital electrode 18 is restrained from diffusing into the first insulating film 12.例文帳に追加
本構成によれば、第1拡散防止膜16が櫛型電極18と第1絶縁膜12との間に設けられているため、櫛型電極18が第1絶縁膜12中に拡散することを抑制することができる。 - 特許庁
As a result, the soot 23 generated in the flying pan 22 when cooking is effectively guided to the air flow around the range hood 20, and diffusion of the soot to a front (user) side of the body 1 and to a right and a left sides with a view from the front side can be restricted.例文帳に追加
その結果、調理時にフライパン22で発生した油煙23を、レンジフード20周りの気流に効果的に誘導し、本体1の前(使用者)側および前から見て左右側に拡散するのを抑制することができる。 - 特許庁
To prevent a read image from being deteriorated owing to a lens characteristic by forming a printed pattern so as to negate the characteristic of a lens used in at least a reduction optical reading system on a diffusion plate arranged in front of a plurality of light emitting elements.例文帳に追加
複数の発光素子の前方に配置される拡散板に、少なくとも縮小光学読取系に用いられるレンズの特性を打ち消すように印刷パターンを形成することで、レンズ特性による読取画像の劣化を防止する。 - 特許庁
Light emitted from the light projection unit 14 and reflected by the surface of an object to be detected passes through the diffusion sheet 15a, thereby being diffused in various directions, and part of the light passes through the light receiving lens 15 and is converged on the photodetector 16.例文帳に追加
投光部14から照射され検出対象物の表面で反射した光は、拡散シート15aを通過して様々な方向に拡散し、その一部の光が受光レンズ15を通って受光素子16に集光する。 - 特許庁
In the channel area between the impurity diffusion layers 20 and 21, charge densities of an area 51 which can be controlled by the selection gate 18 and an area 52 which can be controlled by the memory gate 17 are different from each other.例文帳に追加
不純物拡散層20,21の間に位置するチャネル領域のうち、選択ゲート18により制御され得る領域51とメモリゲート17により制御され得る領域52とにおける不純物の電荷密度が異なる。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device capable of achieving a decrease in number of saturation electrons of a light receiving element and prevention against color mixing due to spreading of an element isolation diffusion layer of a surface layer of a semiconductor substrate even when micromanufactured to a smaller size.例文帳に追加
微細化が進んだ場合においても半導体基板の表層における素子分離拡散層の拡がりに起因した受光素子の飽和電子数の低減および混色が防止可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁
To provide an underwater aerator in which an air diffusing device is jointly provided so as to increase a dissolved oxygen content in water, and which can extend the diffusion range of bubbles, and can adjust sizes of bubbles variably.例文帳に追加
水中エアレータに散気装置を併設し、水中での溶存酸素量を増大させることができるようにするものであり、気泡の拡散範囲を広げることができ、気泡の大きさを可変的に調節できるエアレータを提供する。 - 特許庁
In the p-type base layer 4, a shallow diffusion-formed n-type source layer 10 is provided to prevent the thyristor from latching up, and the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10 are simultaneously contacted to form a cathode electrode 11.例文帳に追加
p型ベース層4には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたn型ソース層10が設けられ、カソード電極11はp型ドレイン層9とn型ソース層10に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁
The backlight unit emits light from a light source which is made into a surface light source through diffusion parts 410, 420, through a reflecting type polarization separation element 540 containing a metal grid arranged in wire-grid shape.例文帳に追加
バックライトユニットは,拡散部410,420を経て面光源化された光源からの光を,ワイヤーグリッド状に配列された金属格子を含む反射型偏光分離素子540を介して出射させることを特徴としている。 - 特許庁
The p-side electrodes of this nitride semiconductor element are composed of a p-side bonding pad electrode which is formed separately from a transparent electrode and a p-side diffusion electrode which is extended from the bonding pad electrode to cover at least the outer periphery of the transparent electrode.例文帳に追加
p側電極は、透明電極とp側ボンディングパッド電極とが離れて形成され、さらにp側拡散電極をp側ボンディングパッド電極から延伸して透明電極の少なくとも外周を覆って形成する。 - 特許庁
Adhesiveness and planarity are improved by permitting a gate electrode or a gate wiring of a thin film transistor to have a four-layer structure by successively stacking a base adhesive layer, a catalyst layer, a wiring metal layer, and a wiring metal diffusion suppressing layer.例文帳に追加
薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して4層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。 - 特許庁
After the temperature of the semiconductor wafer reaches approximately 1,200°C, the wafer is fixed at the stopped position, and oxidation or diffusion process is carried out, while stopping feeding of nitrogen gas and instead, feeding oxygen gas (O2) to the semiconductor wafer.例文帳に追加
そして、半導体ウエハの温度が約1200゜Cに達した後は、停止位置に固定した状態で、窒素ガスの供給を停止し、代わりに酸素ガス(O2)を半導体ウエハに供給しながら、酸化または拡散処理を行う。 - 特許庁
To provide a mobile communication system, a base station, and a transmission timing control method that can prevent a demodulation error of a radio signal at a mobile station if the same radio parameter such as diffusion code is used at peripheral base stations.例文帳に追加
拡散コードなどの無線パラメータが周辺基地局間において重複する場合でも、移動機における無線信号の復調誤りを防止できる移動通信システム、基地局及び送信タイミング制御方法を提供する。 - 特許庁
And by subjecting the laminate to an ion implantation a plurality of times with a varied ion energy, the N+ type drain lead-out diffusion layer 106A can be formed to contain a high concentration of impurities in a wide range in a depthwise direction and thus to have a low resistance.例文帳に追加
そして、N+ドレイン引き出し拡散層106Aは、イオンエネルギを変えて複数回イオン注入を行うことで、深さ方向の広い範囲で高濃度の不純物を含むように形成され、低抵抗値となっている。 - 特許庁
The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35.例文帳に追加
シリコン窒化膜41は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、N+ポリNMOS27のホットキャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体35の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。 - 特許庁
Moreover, an n-type floating diffusion 33, n-type drain region 34, and an n-type source region 35 of the gate electrode 32 are also formed in the side of the first surface more than the photodiode 21 with the overlapping plane kept therewith.例文帳に追加
さらに、フォトダイオード21と平面的に重なりをもって、フォトダイオード21よりも第1面側に、n型のフローティングディフュージョン33と、ゲート電極32のn型のドレイン領域34およびn型のソース領域35が形成されている。 - 特許庁
To provide a powder coating apparatus enhanced in safety by suppressing the diffusion of a harmful gas generated or powder coating when powder coating is applied to a work such as an armature of a motor, small in size and excellent in maintenance.例文帳に追加
モータの電機子などのワークに対して、粉体塗装をする際に発生する有害ガスや粉体塗料の拡散を抑えることで、安全性を高めると共に、小型でメンテナンス性に優れた粉体塗装装置を提供することである。 - 特許庁
Furthermore, the guard method includes steps for removing any part of the guard band that violates design rules, removing convex corners of the guard band, and adding dummy diffusion patterns into the remaining space of the chip outside the guard band.例文帳に追加
当該方法はさらに、設計ルールに反する保護バンドの如何なる部分も除去することと、保護バンドの凸角部を除去することと、保護バンドの外側のチップの残りの空間にダミー拡散パターンを付与することとを含む。 - 特許庁
A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加
n型InP基板1上に、n型InPバッファ層2、アンドープGaInAs光吸収層3、アンドープInP拡散バッファ層4、およびp型InP窓層5からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for manufacturing optical thin film capable of suppressing the formation of a diffusion layer that brings about the degradation of reflectance, and reducing light absorption when forming an optical thin film according to an ion beam sputtering method.例文帳に追加
イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a wet etching process which improves the anisotropic diffusion speed of an etchant existing on the surfaces of metallic electrodes in order to narrow the pitch of the terminals of the wet etching process and to manufacture lead frames of higher fineness and shadow masks of super-high fineness.例文帳に追加
ウエットエッチング法の端子ピッチの狭ピッチ化、微細化のリードフレームや、超高精細シヤドウマスク製造するため、金属極表面に存在するエッチング液の異方性拡散スピードの向上するエッチング方法を提供する。 - 特許庁
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