「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the floating diffusion region 14 is connected with a source follower circuit 6.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域１４は、ソースホロア回路６と接続される。 - 特許庁

To provide a hinge for a clean room, which prevents the diffusion of fine dust, and which surely prevents the diffusion of the dust to the outside.例文帳に追加

微細なダストの拡散を生じないようにしたクリーンルーム用丁番において、ダストが外部に確実に飛散しないようにしたクリーンルーム用丁番を提供する。 - 特許庁

To prevent mutual diffusion of an adhesion layer and a surface layer at high temperature.例文帳に追加

高温における密着層と表面層との相互拡散を防止する。 - 特許庁

A diffusion and reflection part 123 is made in a plane shape and diffuses and reflects light.例文帳に追加

拡散反射部１２３は、平面状であり、光を拡散反射する。 - 特許庁

Aluminum coating is applied to the projecting and recessing surface to provide a reflection layer 8 for diffusion.例文帳に追加

この凹凸面にＡｌを塗膜し、散乱用の反射層８にする。 - 特許庁

To prevent image flow of the silver slat in the DTR (silver complex diffusion transfer reversal) process in an aluminum lithographic printing material of an inner diffusion transfer method and to improve the image reproducibility of the printing plate.例文帳に追加

内部拡散転写方式のアルミニウム平版印刷材料でＤＴＲ銀の像流れを防止し、印刷版の画像再現性を向上する - 特許庁

The thermal diffusion equation solution part 35 calculates the temperature distribution of the wafer by calculating transitional thermal diffusion of the wafer surface in a lamp heating step based on the model.例文帳に追加

熱拡散方程式解法部３５は、モデルに基づき、ランプ加熱工程でのウエハ表面の過渡熱拡散を計算しウエハの温度分布を算出する。 - 特許庁

SENSE AMPLIFIER DEVICE COMPRISING MOLTEN DIFFUSION REGION AND DISTRIBUTED DRIVER SYSTEM例文帳に追加

溶融された拡散領域と分散されたドライバ系を有するセンスアンプ装置 - 特許庁

A plurality of error diffusion matrices having different diffusion ranges are stored, and errors are diffused by using a matrix selected according to a gradation value of image data.例文帳に追加

拡散範囲の異なる複数の誤差拡散マトリックスを記憶しておき、画像データの階調値に応じて、選択したマトリックスを用いて誤差を拡散する。 - 特許庁

Silicide films 14b, 14c and 14d for a low resistance layer of the outer base layer are formed on the surface of the p^+ diffusion layer 10a and the n^+ diffusion layer 10b.例文帳に追加

このｐ＋拡散層１０ａおよびｎ＋拡散層１０ｂの表面には外部ベース層の低抵抗層用のシリサイド膜１４ｂ，ｃ，ｄが形成される。 - 特許庁

Even in a reflected beam measurement system, a beam diffusion plate 35 performs the similar effect to the beam diffusion plate 44 with respect to the reflected laser beam R_LB from a work W.例文帳に追加

反射光計測系においても、ワークＷからの反射光Ｒ_LBに対して光拡散板３５が光拡散板４４と同様の作用を奏する。 - 特許庁

A second source-drain diffusion layer 21B is electrically connected to a third source-drain diffusion layer 22A, and has the same potential as that of the first well 51.例文帳に追加

第２のソース・ドレイン拡散層２１Ｂは、第３のソース・ドレイン拡散層２２Ａと電気的に接続され且つ第１のウェル５１と同電位である。 - 特許庁

(3) Verification of progress in the diffusion of IT and productivity increase on the corporate level例文帳に追加

（3）企業レベルでのIT化の進展と生産性の上昇に関する検証 - 経済産業省

A common diffusion layer 22b of the transistor 4 and the transistor 8 and a diffusion layer 22f of the transistor 6 which diffusion layers constitute a part of a storage node are connected by using a T-shaped trench wiring 28 buried in an interlayer insulating film.例文帳に追加

記憶ノードの部分を構成する、トランジスタ４およびトランジスタ８に共通の拡散層２２ｂと、トランジスタ６の拡散層２２ｆとを層間絶縁膜に埋め込まれたＴ字形状の溝配線２８を用いて接続する。 - 特許庁

The reflecting film includes light-diffusion particles for reflecting the fluorescent light and a binder material for binding the light-diffusion particles; and a depletion part which is not filled with the binder material, is formed at the periphery of the light-diffusion particles.例文帳に追加

反射膜は、蛍光を反射させる光散乱性粒子及びこの光散乱性粒子間を結合するバインダ材を含有し、光散乱性粒子の周辺部にバインダ材が充填されていない空乏部を形成する。 - 特許庁

A first conductivity diffusion region 14 constituting the well contact is formed within the same active region as the diffusion regions 8, 10 and 12, and separated from the second conductivity diffusion region 12 by a separation gate 13.例文帳に追加

ウェルコンタクトを構成する第１導電型の拡散領域１４は、拡散領域８、１０、１２と同一活性領域内に形成され、且つ、第２導電型の拡散領域１２に対して、分離ゲート１３により分離されている。 - 特許庁

A p^+-type impurity diffusion region 12, an n^+-type impurity diffusion region 14 and a p^+-type impurity diffusion region 16 connected to the source electrode V_dd are shared in field PMOS1 and field PMOS2.例文帳に追加

このソース電極Ｖ_ｄｄに接続されたＰ^＋型不純物拡散領域１２、Ｎ^＋型不純物拡散領域１４およびＰ^＋型不純物拡散領域１６が、フィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２とで共用されている。 - 特許庁

To provide water repellency reinforced carbon black realizing a gas diffusion electrode with a long service life having long term stability more excellent than that of the conventional one, to provide a method for reinforcing the water repellency of a gas diffusion electrode using it and to provide a gas diffusion electrode.例文帳に追加

従来以上に長期安定性に優れた長寿命のガス拡散電極を実現する撥水性強化カーボンブラックと、それを使用したガス拡散電極の撥水性強化法及びガス拡散電極を提供する。 - 特許庁

The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.例文帳に追加

Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に隣接するＮ型真性ベース拡散領域２２の濃度を、Ｌ−ＰＮＰバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域１６Ｂに隣接するベース埋め込み層３Ｂの濃度より高くする。 - 特許庁

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer capable of forming the p-type diffusion layer while suppressing occurrence of warpage of a silicon substrate, and to provide a method of producing a p-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板の反りの発生を抑制しながら、ｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In manufacturing the piezoelectric actuator, the anti-diffusion layer is formed on an upper face of a diaphragm by an AD method (S102), the anti-diffusion layer is heated at 750°C for 30 minutes (S103), and a residual stress of the anti-diffusion layer is relieved.例文帳に追加

圧電アクチュエータを製造するには、振動板の上面にＡＤ法により拡散防止層を形成し（Ｓ１０２）、拡散防止層を７５０℃で３０分間加熱して（Ｓ１０３）拡散防止層の残留応力を緩和させる。 - 特許庁

On the surface of the silicon substrate 11 except for a portion where the gate electrode 16 is formed, a shallow low-concentration diffusion layer 17 and a two-step layer composed of a shallow high-concentration diffusion layer 19 and a deep high-concentration diffusion layer 22 are formed.例文帳に追加

一方、ゲート電極１６の形成位置を除く、シリコン基板１１の表面部には、浅い低濃度拡散層１７、および、二段構造の浅い高濃度拡散層１９と深い高濃度拡散層２２とが形成されている。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet which has high dispersiveness of a light diffusing agent and can have its surface unevenness height easily controlled, a back light unit which uses the light diffusion sheet, and a manufacturing method for the light diffusion sheet.例文帳に追加

光拡散剤の分散性が高く、表面の凹凸高さの制御が容易かつ確実な光拡散シート、この光拡散シートを用いたバックライトユニット、及び、この光拡散シートの製造方法の提供を目的とするものである。 - 特許庁

The low-density N-type diffusion region 108, low-density and high-density N-type diffusion regions 109 and 106, and high-density N-type diffusion region 104 form parasitic bipolar transistors 203 and 204.例文帳に追加

前記ゲートＧの近傍には、前記低濃度Ｎ型拡散領域１０８と、前記低濃度及び高濃度Ｎ型拡散領域１０９、１０６と、高濃度Ｎ型拡散領域１０４とにより寄生バイポーラトランジスタ２０３、２０４が形成される。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having P type conductivity, a second diffusion layer 9 having N^+ type conductivity, and a third diffusion layer 10 having N^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＰ型である第１拡散層８、導電型がＮ^＋型である第２拡散層９、および導電型がＮ^＋型である第３拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

Diffusion modulators 13 diffuse the pilot symbols of modulated data symbols in the code channels from the modulators 12 according to diffusion codes SC-XxLC-Y and diffuse information symbols thereof every sub-code channel according to diffusion codes (SC-PxLC-Y, (P: 1-N)).例文帳に追加

各変調器１２からの各コードチャネルの変調データシンボルは、拡散変調器１３において、パイロットシンボルについては 拡散符号により拡散され、情報シンボルについては各サブコードチャネル毎に拡散符号 により拡散される。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

Subsequently, an insulation film 9 is formed on the second diffusion layer 3 and the third diffusion layer 4, and word lines 10 are arranged on the insulation film 9 formed on the diffusion layer and connected with the gate electrode 8.例文帳に追加

そして、第１拡散層２、第２拡散層３、第３拡散層４上に拡散層上絶縁膜９が形成され、拡散層上絶縁膜９上にワード線１０が配設され、ワード線１０は上記ゲート電極８に接続される。 - 特許庁

This semiconductor device has: a first-conductivity-type well 10; a plurality of first diffusion layers 200 formed in the well 10; a plurality of second diffusion layers 300 formed in the well 10; and a diffusion resistance layer 400 formed in the well 10.例文帳に追加

第１導電型のウェル１０、ウェル１０に形成された複数の第１の拡散層２００、ウェル１０に形成された複数の第２の拡散層３００、及びウェル１０に形成された拡散抵抗層４００を有する。 - 特許庁

Autocorrelation function of fluorescence fluctuations generated from the sample is calculated for various beam diameters of incident laser light, that is, various radii of laser irradiated areas (diffusion lengths), and based on it, a diffusion coefficient for each diffusion length is determined.例文帳に追加

種々の入射レーザ光のビーム径、すなわち種々のレーザ照射領域半径（拡散距離）において、試料から発生される蛍光揺らぎの自己相関関数を演算し、それから各拡散距離における拡散係数を求める。 - 特許庁

A superlattice layer (a first region) 21 is disposed at the lowermost portion of a buffer layer 20, and a diffusion preventing lower layer 22, a diffusion preventing layer (a second region) 23, and a diffusion preventing upper layer 24 are sequentially formed on the superlattice layer 21.例文帳に追加

このバッファ層２０における最下部には超格子層（第１の領域）２１が配され、その上には拡散防止下部層２２、拡散防止層（第２の領域）２３、拡散防止上部層２４が順次形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diffusion film, having superior light beam transmittance and light diffusion by possessing inherent superior heat resistance and mechanical strength of a two-axis extension film, and to provide the light diffusion film obtained therefrom.例文帳に追加

二軸延伸フィルム本来の優れた耐熱性と機械的強度を有し、かつ優れた光線透過率と光拡散性を有する光拡散性フィルムの製造方法及びそれから得られた光拡散性フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion agent composition excellent in coating film formation properties and discharge stability and capable of being applied suitably for a spray coating method, a method of forming an impurity diffusion layer using the diffusion agent composition, and a solar battery.例文帳に追加

優れた塗膜形成性および吐出安定性を有し、スプレー塗布法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a light-diffusion pressure-sensitive adhesive solution capable of forming a light-diffusion pressure-sensitive adhesive layer which has excellent light-diffusion and light-transmittance and the turbidity of which is easily adjusted.例文帳に追加

本発明は、優れた光拡散性及び光透過率を有する光拡散粘着層を形成することができ、この光拡散粘着層の濁度を容易に調整することができる光拡散粘着剤溶液を提供する。 - 特許庁

The first high-concentration diffusion layer 109 is separated from the gate electrode 106 in the planar view, and the first low concentration diffusion layer 103 is formed closer to the gate electrode than the first high-concentration diffusion layer 109 in the planar view.例文帳に追加

第１高濃度拡散層１０９は、平面視でゲート電極１０６から離間しており、第１低濃度拡散層１０３は、平面視において第１高濃度拡散層１０９よりもゲート電極の近くまで形成されている。 - 特許庁

To provide an optical film which can maintain display quality and hardly generate wet-out or cut-off without generation of interference fringes by means of sufficient diffusion effect and without requiring man-hours or costs of processing a diffusion sheet or diffusion mat.例文帳に追加

十分な拡散効果により干渉縞の発生がなく、ウエットアウトやカットオフが生じにくく、また拡散シートや拡散マット処理等の工数やコストを必要とせずに表示品位を保つことのできる光学フィルムを提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 32 for fuel cell includes a gas diffusion substrate 34 in which conductive fibers are collected and a conductive water repellent layer 33 which is formed on the gas diffusion substrate 34 and contains porous conductive particles.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層３２は、導電性繊維を集合してなるガス拡散基材３４と、前記ガス拡散基材３４上に設けられ、多孔質導電性粒子を含有する導電性撥水層３３と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor device has impurity diffusion regions formed on a substrate 11, the impurity diffusion mask 12 which is provided with cutouts and formed on the substrate 11, and electrodes formed on the impurity diffusion regions.例文帳に追加

基板１１に形成された複数の不純物拡散領域と、前記基板１１上に形成され、部分的に欠けた形状を有する不純物拡散用マスク１２と、前記不純物拡散領域上に形成された電極とを有する。 - 特許庁

The complexes are adapted to undergo exothermic chemical adsorption on a fully passivated diffusion barrier layer and on a metal layer deposited on the diffusion barrier layer and to undergo exothermic reduction on the diffusion barrier layer and the metal layer.例文帳に追加

該錯体は、十分にパッシベーションされた拡散バリア層及び該拡散バリア層に被着された金属層へ発熱的に化学吸着し、且つ該拡散バリア層及び該金属層上で発熱性の還元を受けるのに適合している。 - 特許庁

To provide an image display using an electron emitting element in which diffusion of particulates of a wiring metal occurring when a particulate diffusion membrane is arranged on wiring can be prevented and a deterioration of image characteristics due to the diffusion can be prevented.例文帳に追加

電子放出素子を用いてなる画像表示装置において、配線上に微粒子分散膜を配置した場合に生じる配線金属の微粒子への拡散を防止し、該拡散に起因する画像特性の低下を防止する。 - 特許庁

The matched filters 111 to 113 have filter coefficients set based upon a diffusion code and respectively different sampling frequencies, and collate a diffusion code included in a reception signal with diffusion codes of the filter coefficients to output correlation values.例文帳に追加

整合フィルタ１１１〜１１３は、拡散コードとそれぞれに異なるサンプリング周波数とでフィルタ係数が設定されており、受信信号に含まれる拡散コードとフィルタ係数の拡散コードとの相関を取り、相関値を出力する。 - 特許庁

A diffusion pattern causing reversal of brightness and darkness and a diffusion pattern which does not cause reversal of brightness and darkness are formed alternately along the longitudinal direction of a lamp on the lower face of a diffusion plate that is located at the upper part of a plurality of lamps in the backlight assembly.例文帳に追加

バックライトアセンブリにおいて、複数のランプの上部に位置する拡散板の下部面には、明暗反転が生じる拡散パターンと、明暗反転が生じない拡散パターンとがランプの長手方向に沿って交互に形成される。 - 特許庁

The diffusion plate 43 comprises a diffusion plate body 43a, a hard coat layer 43b formed on one principal surface of the diffusion plate body 43a, and an antireflective layer 43c formed on the hard coat layer 43b.例文帳に追加

拡散板４３は、拡散板本体４３ａと、拡散板本体４３ａの一方の主面上に形成されたハードコート層４３ｂと、このハードコート層４３ｂ上に形成された反射防止層４３ｃとから構成されている。 - 特許庁

A floating diffusion layer between the transfer gate and the reset gate, a light receiving element at a side of the transfer gate away from and opposite to the floating diffusion layer, and a source/drain region at a side of the reset gate away from and opposite to the floating diffusion layer, are formed.例文帳に追加

トランスファーゲート及びリセットゲートの間の浮遊拡散層、浮遊拡散層に対向したトランスファーゲートの一側の受光素子、及び浮遊拡散層に対向したリセットゲートの一側のソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁