Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
While the concentrations and depths of the source- and drain-side offset diffusion layers 4d and 4s of a high-breakdown voltage MOS transistor are made equal to each other, the size of the source-side offset diffusion layer 4s is made larger than that of the drain-side offset diffusion layer 4d.例文帳に追加
オフセット拡散層4d、4sの濃度及び深さはソース側とドレイン側では同じであるが、そのサイズは、ソース側のオフセット拡散層4sではドレイン側のオフセット拡散層4dに比べて大きく設定される。 - 特許庁
A canister 10 has an atmospheric port 50, a breather port 52 and a purge port 54 respectively on a first diffusion chamber 38, a second diffusion chamber 40 and a third diffusion chamber 42 divided by a first partition 34 and a second partition 36.例文帳に追加
キャニスタ10においては、第1仕切り34と第2仕切り36によって区画された第1拡散室38、第2拡散室40、第3拡散室42に、それぞれ、大気ポート50、ブリーザポート52、パージポート54が設けられている。 - 特許庁
The beam M_LB' passing through the beam diffusion plate 44 is made a diffusion beam M_LB' having the radially uniform power density distribution in a beam passage 45, and a part of the diffusion beams M_LB' is incident on the beam receiving surface 26a of the beam detector 26.例文帳に追加
光拡散板44を抜けた光M_LB'は光通路45内で径方向一様なパワー密度分布を有する拡散光M_LB'となり、この拡散光M_LB'の一部が光検出器26の受光面26aに入光する。 - 特許庁
The diffusion zone 31 comprises a first diffusion zone 32 formed by using a means of the curved surface printing, or the like, and a second diffusion zone 33 formed on the outer circumferential side thereof by performing the plasma thermal spraying of a ceramic material.例文帳に追加
そして、拡散層31は、曲面印刷等の手段を用いて形成された第1拡散層32と、その外周側にセラミックス材料をプラズマ溶射することにより形成された第2拡散層33とから構成する。 - 特許庁
In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source.例文帳に追加
縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源51と、拡散源に外周部のみ接する支持基板52を重ね、拡散源に対向して配置したSi基板41へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁
The surface on the side opposite to the translucent substrate 43 of the light diffusion layer 45 is formed in an irregular shaped surface based on a part of the first translucent light diffusion material 452 and a part of the second translucent light diffusion material 452'.例文帳に追加
光拡散層45の透光性基材43の側とは反対側の面は、第1透光性光拡散材452の一部及び第2透光性光拡散材452’の一部に基づく凹凸形状面とされている。 - 特許庁
The key pad and the light diffusion elements are provided in upside and downside of the film, respectively, and thereby if light of a light source is incident upon the film, then the light of the light source is projected onto the key pad based on light diffusion caused by the light diffusion elements.例文帳に追加
キーパッドと光拡散素子とはフィルムの上と下とにそれぞれ設けられ、これにより、光源の光がフィルムに入射すると、その光源の光は、光拡散素子によって生じる光拡散によりキーパッドへ投射される。 - 特許庁
The unit lens is provided with a diffusion part 50 extended along a light-emitting side face, and a thickness t1 of the diffusion part in the vicinity 45a of the apex part of the unit lens is smaller than a thickness t2 of the diffusion part in the vicinity 45a of an end part thereof.例文帳に追加
出光側面に沿って延びる拡散部50が単位レンズに設けられ、単位レンズの頂部付近45aにおける拡散部の厚さt1は、端部付近45bにおける拡散部の厚さt2よりも厚い。 - 特許庁
Then a diffusion parameter is determined on the basis of the found texture gradient or color gradient and a diffusion processing rate is controlled by the diffusion parameter to remove the texture by diffusing pixels while storing a boundary on a rough part.例文帳に追加
そして、求めたテクスチャ勾配または色勾配に基づいて拡散パラメータを決定し、この拡散パラメータにより拡散処理率を制御して、きめの粗い部分では境界を保存したまま画素を拡散してテクスチャを除去する。 - 特許庁
An N+ buried diffusion area 3 is formed between a P- silicon substrate 1 and an N- epitaxial layer 2 and a P+ buried diffusion area 4 is formed between the N+ buried diffusion area 3 and the N- epitaxial layer 2.例文帳に追加
P−シリコン基板1とN−エピタキシャル層2との間には、N+埋め込み拡散領域3が形成され、N+埋め込み拡散領域3とN−エピタキシャル層2との間には、P+埋め込み拡散領域4が形成されている。 - 特許庁
In an LED module 2 of the LED light source device, light diffusion lenses 5 are installed on LEDs 4 mounted on a printed-circuit board 3 so as not to line up directions of the light diffusion lenses 5 by alternately changing directions of the light diffusion lenses 5.例文帳に追加
LEDモジュール2において、光拡散レンズ5の向きは交互に方向を変えて光拡散レンズ5の向きが揃わないように、プリント配線基板3に実装されたLED4に光拡散レンズ5を取り付けている。 - 特許庁
The performance of the gas diffusion electrode degraded in the electrode performance after use for electrolysis in making caustic soda is restored by cleaning the gas diffusion electrode by using water and/or an acid and removing the alkaline component occurring in the caustic soda in the gas diffusion electrode.例文帳に追加
苛性ソーダ製造用電解に使用して電極性能の低下したガス拡散電極を水及び/又は酸を使用して洗浄し、該ガス拡散電極内部の苛性ソーダに起因するアルカル分を除去して性能を回復させる。 - 特許庁
To provide a joining structure of a thermal diffusion member capable of suppressing heat stress of a joining interface, a cooling structure of a heating element, and a method for joining the thermal diffusion member, while using a thermal diffusion member made of a carbonaceous material.例文帳に追加
炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。 - 特許庁
A gas diffusion layer 42a has a larger surface area than a gas diffusion layer 42b in the electrolyte film/electrode structure 12, and a sealing member 60 is arranged in correspondence with an outer peripheral edge part 45 of the gas diffusion layer 42a.例文帳に追加
電解質膜・電極構造体12では、ガス拡散層42aがガス拡散層42bよりも大きな表面積を有しており、シール部材60が前記ガス拡散層42aの外周縁部45に対応して配置される。 - 特許庁
The backlight unit includes: a circuit board 20 having a plurality of LEDs 22 arranged in grid form; a diffusion panel 62; and the support pin 50 which is arranged between the circuit board 20 and the diffusion panel 62 and supports the diffusion panel 62.例文帳に追加
バックライトユニットは、格子状に配置された複数のLED22を有する回路基板20と、拡散パネル62と、回路基板20と拡散パネル62との間に配置され、拡散パネル62を支持する支持ピン50とを備える。 - 特許庁
After a fuel electrode side gas diffusion layer 7 in which carbon powder and PTFE powder and an oxidant electrode side gas diffusion layer 8 are mixed and applied on the surface of the carbon paper, they are calcinated, and the gas diffusion layers 7 and 8 are fixed.例文帳に追加
カーボンペーパーの面上にカーボン粉とPTFE粉末を混合して塗布した燃料極側ガス拡散層7および酸化剤極側ガス拡散層8をそれぞれ形成した後、焼成して各ガス拡散層7,8を定着する。 - 特許庁
An N^+ type diffusion layer 3 is formed by injecting N-type impurities to the surface of a silicon board 1, a P^+ type diffusion layer 4 is formed by injecting P-type impurities, and the P^+ type diffusion layer 4 is melted by irradiation with laser beams.例文帳に追加
シリコン基板1の表面にN型不純物を注入してN^+型拡散層3を形成し、P型不純物を注入してP^+型拡散層4を形成し、レーザ光を照射してP^+型拡散層4を溶融させる。 - 特許庁
The gas diffusion layer 4 is arranged between the separator 6 and a membrane electrode assembly 3, and has a partition 7 forming the gas passage inside the gas diffusion layer, and the fuel cell uses the gas diffusion layer.例文帳に追加
燃料電池におけるセパレータ6と膜電極複合体3との間に配置されるガス拡散層4であって、ガス拡散層内にガス流路を形成する隔壁7を有するガス拡散層、および、それを用いた燃料電池。 - 特許庁
The fuel cell system having an electrolyte layer (an electrolyte membrane) 11 between an oxidant gas diffusion layer and a fuel gas diffusion layer 15 is to also include a combustion catalyst 24 dispersed in the fuel gas diffusion layer 15.例文帳に追加
酸化剤ガス拡散層と燃料ガス拡散層15との間に電解質層(電解質膜)11を有する燃料電池システムにおいて、燃料ガス拡散層15に分散された燃焼触媒24を有する構成とする。 - 特許庁
To provide a gas diffusion electrode excellent in gas diffusion function which can prevent water from collecting without interrupting proton transmission channel between a catalyst layer and solid polymer electrolyte film as well as an electron transmission channel between the catalyst layer and a gas diffusion layer.例文帳に追加
触媒層と固体高分子電解質膜間のプロトン伝導経路および、触媒層とガス拡散層との間の電子伝導経路を遮断することなく水の滞留を防ぎ、ガス拡散性に優れたガス拡散電極を得る。 - 特許庁
There is provided the prediction method for a long-period diffusion state of the chemical species in the concrete based upon a short-period diffusion state, the prediction method for the diffusion state of the chemical species in the concrete including at least processes (A) and (B).例文帳に追加
コンクリート中の化学種の、短期の拡散状態に基づき、長期の拡散状態の予測方法であって、少なくとも下記(A)と(B)工程を含むコンクリート中における化学種の拡散状態の予測方法。 - 特許庁
The optical sheet has the support and the light diffusion layer on the support and the light diffusion layer is provided via the primer coating layer formed by containing the same resin as the resin included in the light diffusion layer at ≥50mass% in solid component.例文帳に追加
支持体と、該支持体上に光拡散層を有し、該光拡散層が、前記光拡散層の含む樹脂と同一の樹脂を固形分で50質量%以上含有してなる下塗り層を介して備えられた光学シートである。 - 特許庁
A diffusion pattern of switching frequency is configured by composing a main diffusion pattern specifying two frequencies f1 and f2 with respect to time and a sub diffusion pattern, in which intervals of frequencies adjacent to each other are smaller than those of main diffusion pattern, specifying three frequencies f3, f4 and f5 with respect to time.例文帳に追加
スイッチング周波数拡散パターンは、時間に対して2つの周波数f1、f2を規定したメイン拡散パターンと、互いに隣接する周波数の間隔がメイン拡散パターンより小さい、時間に対して3つの周波数f3、f4、f5を規定したサブ拡散パターンとを合成して構成されている。 - 特許庁
The fuel cell further includes an anode diffusion layer 4 laminated on an upper surface of the anode catalyst layer 2, a cathode diffusion layer 5 laminated on a lower surface of the cathode catalyst layer 3, an anode collector 6 joined to an upper surface of the anode diffusion layer 4, and a cathode collector 7 joined to a lower surface of the cathode diffusion layer 5.例文帳に追加
さらに、アノード触媒層2の上面に積層されるアノード拡散層4と、カソード触媒層3の下面に積層されるカソード拡散層5と、アノード拡散層4の上面に接合されるアノード集電体6と、カソード拡散層5の下面に接合されるカソード集電体7とを含む。 - 特許庁
To make light diffused by a diffusion plate have a gently varying diffusion pattern in a prescribed area, to generate a natural image blurring during use as a focusing plate, and to make an image light as to a diffusion plate and an optical device such as a single-lens reflex camera using the diffusion plate.例文帳に追加
拡散板あるいはこの拡散板を用いる一眼レフカメラ等の光学装置で、拡散板による拡散光が所定領域において拡散パターンがなだらかに変化するようにし、また焦点板として使用したときに自然な像ぼけを発生するようにし、且つ像が明るくなるようにする。 - 特許庁
The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode.例文帳に追加
本発明の電荷転送トランジスタは、第1の拡散領域及び第2の拡散領域と、制御信号により、前記第1の拡散領域から第2の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第1の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor apparatus comprises a first diffusion region 22 provided in the surface layer of a semiconductor substrate 10, having a first impurity and germanium, and a second diffusion region 24 provided more shallowly than the first diffusion region 22 from the surface of the first diffusion region 22, having a second impurity not contributing to conductivity.例文帳に追加
半導体基板10の表面層に設けられ、導電性に寄与する第1の不純物及びゲルマニウムを含む第1の拡散領域22と、第1の拡散領域22の表面から第1の拡散領域22より浅く設けられ、導電性に寄与しない第2の不純物を含む第2の拡散領域24とを備える。 - 特許庁
Reflected light which is not projected on a light transmission diffusion type screen 7 and obtained when a DMD element 5 is off is projected on a light transmission diffusion type screen 7' for the monitor screen and then a positive/negative reversal image of an image which should be projected on the light transmission diffusion type screen 7 is displayed on the light transmission diffusion type screen 7'.例文帳に追加
光透過拡散型スクリーン7に投影されないDMD素子5がオフの時の反射光を、モニタ画面用の光透過拡散型スクリーン7’に投影することにより、光透過拡散型スクリーン7に投影されるべき画像のポジ/ネガ反転画像が光透過拡散型スクリーン7’に表示される。 - 特許庁
The optical diffusion sheet is equipped with a transparent base material layer and an optical diffusion layer to be layered on the front side of the base material layer, and the optical diffusion layer has beads made of resin and a binder made of resin, and it has partial spherical projecting parts dispersedly on the surface of the optical diffusion layer.例文帳に追加
本発明の光拡散シートは、透明な基材層とこの基材層の表面側に積層される光拡散層とを備え、この光拡散層が樹脂製のビーズと樹脂製のバインダーとを有する光拡散シートであって、光拡散層の表面に部分球体状の凸部を散点的に有することを特徴とする。 - 特許庁
To give water-repellency to a gas diffusion layer base material by impregnating with a water-repellent material containing liquid; prevent oozing-out of the water-repellent material containing liquid from the gas diffusion layer base material caused by a guide roller when continuously manufacturing a gas diffusion layer with a roll-to-roll method; and fill up a desired water-repellent material into the gas diffusion layer base material.例文帳に追加
ガス拡散層基材に撥水材含有液を含浸して撥水性を付与し、かつロールツーロール法により連続的にガス拡散層を製造する際、ガイドローラによるガス拡散層基材からの撥水材含有液の染み出しを防止し、所望の撥水材がガス拡散層基材に充填されるようにする。 - 特許庁
An inverse diffusion timing control means 104 generates and outputs inverse diffusion timing control information 123 based on delay profile generation result information, and a data demodulation inverse diffusion means 105 inversely diffuses the base band diffusion signal and outputs SIR information 124 of the reception signal.例文帳に追加
逆拡散タイミング制御手段104は、遅延プロファイル作成結果情報に基づいて逆拡散タイミング制御情報123を作成し出力し、データ復調用逆拡散手段105にベースバンド拡散信号を逆拡散させるとともに、受信信号のSIR情報124を出力させる。 - 特許庁
A plurality of the optical sheets 3 include, for example, a reflecting sheet 8 disposed on the back side of a light guide plate 2, two diffusion sheets (a lower diffusion sheet 17 and an upper diffusion sheet 16) disposed on the surface (light emitting surface 2b) 2b side, and a prism sheet 18 disposed between these diffusion sheets 16, 17.例文帳に追加
複数の光学シート3は、例えば、導光板2の裏側に配置された反射シート8、導光板2の表面(光の出射面2b)2b側に配置された2枚の拡散シート(下拡散シート17及び上拡散シート16)、これらの拡散シート16、17の間に配置されたプリズムシート18を含む。 - 特許庁
The diffusion region 102 has: a bent part; a groove 105 formed by etching the substrate 101 along the diffusion region 102 at the outer side of the bent part of the diffusion region 102; and a buffer layer 1 (111) having a refractive index equal to or greater than that of the substrate 101 and provided at the upper part of the diffusion region 102.例文帳に追加
この拡散領域102は、曲がり部を有し、拡散領域102の曲がり部の外側に、拡散領域102に沿って基板101を掘り下げて形成した溝105と、拡散領域102の上部に設けられ、基板101の屈折率以上の屈折率を有するバッファ層1(111)と、を備えてなる。 - 特許庁
The amplifier for charge transfer devices comprises a floating diffusion section 22 for accumulating signal charges; and an amplification circuit for outputting a signal, corresponding to the change in the potential of the floating diffusion section 22, and the floating diffusion section 22 is connected to a gate 24 in one transistor which is included in the amplifying circuit via a diffusion-preventing film 34.例文帳に追加
信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部22と、フローティングディフュージョン部22の電位変化に応じた信号を出力する増幅回路と、を備え、フローティングディフュージョン部22が、増幅回路に含まれる1つのトランジスタのゲート電極24に、拡散防止膜34を介して接続されている。 - 特許庁
To enhance an extraction computation speed of a diffusion coefficient extraction which determines the diffusion coefficient related to a diffusion phenomenon in a diffusion phenomenon in which regions such as a grain boundary, an interface, a surface, and the like are spatially biased from a mean square-root displacement, by tracing atoms by use of a molecular dynamic method, and eliminate an offset of atomic vibrations.例文帳に追加
分子動力学法を用いて原子をトレースして平均二乗変位から粒界、界面、表面などの領域が空間的に偏った拡散現象に関する拡散係数を求める拡散係数抽出の抽出計算速度を向上するとともに、原子振動のオフセットを取り除くことを可能にする。 - 特許庁
Hydrogen passages 10 and air passages 11 are composed of: gas diffusion layer hydrogen passages 10a and gas diffusion layer air passages 11a formed on an anode gas diffusion layer 4 and a cathode gas diffusion layer 5 sandwiching an electrolyte membrane 2 therebetween, respectively; and separator hydrogen passages 10b and separator air passages 11b formed on an anode separator 6 and a cathode separator 7, respectively.例文帳に追加
電解質膜2を挟持するアノードガス拡散層4、カソードガス拡散層5に設けたガス拡散層水素流路10a、ガス拡散層空気流路11aと、アノードセパレータ6、カソードセパレータ7に設けたセパレータ水素流路10b、セパレータ空気流路11bと、によって、水素流路10、空気流路11を構成する。 - 特許庁
The screen 20 comprises a screen body 12 having a diffusion layer 10 and a frame 16 disposed along the perimeter of the diffusion layer 10 via a support member 14, wherein the diffusion layer 10 is attached to the frame 16 as capable of oscillating in a direction intersecting the plane of the diffusion layer 10 by the support member 14.例文帳に追加
本発明のスクリーン20は、拡散層10を有するスクリーン本体12と、拡散層10の外周に支持部材14を介して設けられた枠部16とを有し、拡散層10が支持部材14により拡散層10の面に交差する方向に振動可能に枠部16に取り付けられている。 - 特許庁
A first diffusion layer 2 and a second diffusion layer 3 are formed on the main surface of a silicon substrate 1, while first insulation films 4, 4a, second insulation films 5, 5a and third insulation films 6, 6a are formed on the main surface of the silicon substrate 1 near the first diffusion layer 2 and the second diffusion layer 3 by partially laminating them.例文帳に追加
シリコン基板1の主面に第1拡散層2および第2拡散層3が形成され、第1拡散層2あるいは第2拡散層3の近傍のシリコン基板1主面に、第1絶縁膜4,4a、第2絶縁膜5,5a、第3絶縁膜6,6aが積層し部分的に形成される。 - 特許庁
Accordingly as the diffusion filter 24 formed in such a shape as to spread over the approximately whole area of the diffusion blow-off port 13 is large in ventilation area, pressure loss due to passing of the air-conditioned air through the diffusion filter 24 can be extremely reduced, and the service life of the diffusion filter 24 can be prolonged.例文帳に追加
従って、拡散吹出口13の略全面に拡がる形状に形成された拡散用フィルタ24は通風面積が大きいものとなり、拡散用フィルタ24を空調空気が通過することによる圧力損失を極めて小さくできるとともに、拡散用フィルタ24の長寿命化をも図ることができる。 - 特許庁
A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加
エピタキシャル層7の表面から一定の深さにかけて、導電型がN型である複数の第1拡散層25、導電型がP^+型である複数の第2拡散層26、導電型がN型である第3拡散層8、および導電型がP^+型である第4拡散層11が形成されている。 - 特許庁
The maximum dimension of the overlapped section with the gate electrode 8 to a depthwise direction in the first diffusion layer region 10 and the second diffusion layer region 11 is made larger than the half of the dimension of the gate electrode, in a direction in parallel with the direction connecting the first diffusion layer region and the second diffusion layer region.例文帳に追加
第1の拡散層領域10および第2の拡散層領域11中、ゲート電極8とオーバーラップした部分の深さ方向への最大寸法は、ゲート電極の、第1の拡散層領域と第2の拡散層領域とを結ぶ方向と平行な方向の寸法の半分よりも大きい。 - 特許庁
This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.例文帳に追加
本発明の静電気保護用半導体装置は、P型不純物拡散層90およびN型不純物拡散層20を含むP型ウエル11と、P型ウエル11に形成され、P型不純物拡散層30およびN型不純物拡散層40を含むN型ウエル13とを含む。 - 特許庁
To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell.例文帳に追加
結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なn型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にn型拡散層を形成するn型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁
The light diffusion sheet includes a light diffusion layer containing a light diffusing agent in a binder, a transparent substrate and a sticking preventing layer, in this order, and the light diffusion sheet is characterized in that it has a plurality of layers having refractive indices different by 0.1 or more from one another, between the sticking preventing layer or the light diffusion layer and the substrate.例文帳に追加
バインダー中に光拡散剤を含む光拡散層と、透明な基材とスティッキング防止層とをこの順に備える光拡散シートであって、スティッキング防止層または光拡散層と基材との間に、屈折率が0.1以上異なる複数の層が配置されていることを特徴とする光拡散シート。 - 特許庁
A diffusion sheet 18 is structured of an anisotropic diffusion layer (an anisotropic diffusion sheet) with a larger light diffusion angle in a direction (an X direction) parallel to a forming direction of prism grooves 12a, 12b than in a direction (a Y direction) vertical to a forming direction of prism grooves 12a, 12b of a deflection separation element 10.例文帳に追加
本発明では、拡散シート18として、偏光分離素子10のプリズム溝12a,12bの形成方向に対して垂直な方向(Y方向)よりも、プリズム溝12a,12bの形成方向に対して平行な方向(X方向)に大きな光の拡散角を有する異方性拡散層(異方性拡散シート)で構成する。 - 特許庁
An impurity concentration of the first diffusion region 101 is higher than that of a depletion layer extended from a junction surface between the first diffusion region 101 and the semiconductor substrate 100 and formed in the main whole part of the first diffusion region 101 at the time of applying a voltage to the second diffusion region 108.例文帳に追加
第1拡散領域101の不純物濃度は、第2拡散領域108に電圧を印加した際に、第1拡散領域101と半導体基板100との接合面から拡張する空乏層が第1拡散領域101の主たる部分全般に形成される濃度より高い濃度である。 - 特許庁
In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加
たとえば、P^+ 型ソース拡散層22とNウェル領域12とが同電位になるPチャネルMOSトランジスタにおいては、Nウェル領域12の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層22と、ソース拡散層22とは異種拡散領域となるN^+ 型基板拡散層23とを形成する。 - 特許庁
The carburizing gas introduced into the carburization diffusion chamber 3 passes through the carburization diffusion chamber 3 and passes a space 32 between the furnace shell 15 and the carburization diffusion chamber from a hole 30 of a bottom furnace wall of the carburization diffusion chamber 3 and discharged from a lower gas discharge port 31 below the furnace shell 15 together with the gas other than the carburizing gas.例文帳に追加
浸炭拡散室3内に導入された浸炭ガスは、浸炭拡散室3を通り浸炭拡散室3の底部炉壁の孔30から炉殻15と浸炭拡散室との間の空間32を通り、浸炭ガス以外のガスと共に、炉殻15下方の下方ガス排出口31から排出される。 - 特許庁
The specific part includes at least one part within an anode gas diffusion base material constituting a gas diffusion layer 28, a cathode gas diffusion base material constituting a gas diffusion layer 32, separators 34 and 36, a manifold for running a fuel gas supplied to an anode 22, and a manifold for running an oxidizer gas supplied to a cathode 24.例文帳に追加
特定部位としては、ガス拡散層28を構成するアノードガス拡散基材、ガス拡散層32を構成するカソードガス拡散基材、セパレータ34、36、アノード22に供給される燃料ガスが流通するマニホールド、カソード24に供給される酸化剤ガスが流通するマニホールドのうち、少なくとも一カ所が挙げられる。 - 特許庁
Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加
コンタクト用パッド9の目ずれが原因でN−拡散層6の一部がオーバーエッチングされてPウェル1が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりN−拡散層11で覆うため、N−拡散層6とPウェル1との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁
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