「FIELD-EFFECT TRANSISTOR」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

For a capacitor microphone, an opening 23i is formed so as to be seen clearly in an area facing a conductive pattern 23a and the peripheral area so that an intermediate layer 23f does not overlap with the conductive pattern 23a provided with the input terminal G of a field effect transistor in the thickness direction of a circuit board.例文帳に追加

コンデンサマイクロホンは中間層２３ｆが、回路基板の厚み方向において電界効果トランジスタの入力端子Ｇを有する導電パターン２３ａと重ならないように、導電パターン２３ａと相対する領域及びその周辺領域に孔２３ｉが透設されている。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are both formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4, are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

In the field effect transistor 100, by such a setting, a high breakdown voltage-quality effected based on a favorably suppressed leakage-current value and a high electric conductivity effected based on a favorably suppressed sheet resistance (on resistance) are consistent with each other reasonably in an unconventional extremely good even balance.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００では、この様な設定により、良好に抑制されたリーク電流値に基づく高い耐圧性と、良好に抑制されたシート抵抗（ｏｎ抵抗）に基づく高い電気伝導性とが、従来にない非常に良い兼ね合いで合理的に両立されている。 - 特許庁

The field effect transistor 1 is obtained by forming a source region 104 and a drain region 105 on a silicon substrate 101, and laminating in order an insulating film 102a, a PCMO film 102b, and a gate electrode 103 on a region put between the source region 104 and the drain region 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１上にソース領域１０４とドレイン領域１０５を形成すると共にソース領域１０４とドレイン領域１０５とに挟まれた領域上に順次、絶縁膜１０２ａ、ＰＣＭＯ膜１０２ｂ、ゲート電極１０３を積層して、電界効果トランジスタ１とする。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor which is not easily affected by deep impurity levels or the like by forming a hetero-junction FET structure using a two-dimensional electron gas, and preventing an oxygen from being mixed for forming an impurity levels while using a semiconductor having a large Schottky barrier.例文帳に追加

２次元電子ガスを用いるヘテロ接合ＦＥＴ構造とし、ショットキ障壁の大きい半導体を用いながら、不純物準位を作る酸素の混入を防止し、深い不純物準位などの影響を受けにくいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily and reliably manufacturing a fin-type field-effect transistor without constriction at the base end of a fin using the SOI wafer while including a step for eliminating damage caused by plasma etching by the wet-etching of a sacrificial oxide film.例文帳に追加

ＳＯＩウエハを用いて、プラズマエッチングにより生じたダメージを犠牲酸化膜のウエットエッチングにより除去する工程を含むものでありながら、フィンの基端部分にくびれのないフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

To set a plurality of threshold voltages without depending upon a gate insulating film, a channel or the like in a semiconductor device utilizing a metal insulating-film semiconductor field-effect transistor using a metallic semiconductor compound containing a metal and silicon and/or germanium as essential components as a gate electrode.例文帳に追加

金属とシリコンおよび／またはゲルマニウムを必須として含む金属半導体化合物をゲート電極とする金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、ゲート絶縁膜やチャネル等によらずに複数の閾値電圧を設定する。 - 特許庁

This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１と、不純物層１２０と、アンドープＧａＡｓバッファ層２と、アンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３と、アンドープＧａＡｓバッファ層４と、ｎ型ＧａＡｓチャネル層５と、ゲート電極１５と、ソース電極１９と、ドレイン電極１８とを備えている。 - 特許庁

The MIS field effect transistor is characteristically provided with a silicon substrate 101, the gate insulating film 103 consisting of metallic oxide containing fluorine at least in a portion of it formed on the substrate 101, and a gate electrode 104 formed on the film 103.例文帳に追加

シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に形成された少なくとも一部にフッ素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜１０３と、ゲート絶縁膜１０３上に形成されたゲート電極１０４とを具備することを特徴とするＭＩＳ型電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering.例文帳に追加

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面近傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不純物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

In a step-up DC/DC converter, a bootstrap circuit generates a boot voltage increased by on-threshold voltage between an application terminal for an input voltage VCC and an application terminal for a boot voltage BOOT, using not a diode but a P channel type field effect transistor 105.例文帳に追加

昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、ブートストラップ回路は、入力電圧ＶＣＣの印加端とブート電圧ＢＯＯＴの印加端との間に、ダイオードではなく、Ｐチャネル型電界効果トランジスタ１０５を用いてオンスレッショルド電圧分だけ高めたブート電圧を生成する。 - 特許庁

To manufacture a transistor having a desired high field-effect mobility by forming an oxide semiconductor layer having improved characteristics as well as enabling an increase in size of the substrate and also to put a large display device, a high-performance semiconductor device, or the like into practical use.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁

This semiconductor device 1 is composed of a field effect transistor provided with the gate electrode 15 through the gate insulated film 14 on a semiconductor substrate 11, and at least the side of the insulated film 14 of the gate electrode 15 is composed of the film containing hafnium and silicon.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムとシリコンとを含む膜からなるものである。 - 特許庁

A second insulating film 8, having a high dielectric constant and obtained by containing deuterium in a thin film containing hafnium such as HfSiON or HfAlO_x at a ratio larger than the ratio of deuterium existing in nature to hydrogen, is used as the gate insulating film of the field effect transistor.例文帳に追加

ＨｆＳｉＯＮまたはＨｆＡｌＯ_ｘなどのハフニウムを含む薄膜に対して、自然界に存在する重水素と水素との比率よりも大きな比率で重水素を含有させた高誘電率の第２絶縁膜８を電界効果トランジスタのゲート絶縁膜として使用する。 - 特許庁

The ASK modulation circuit 3 interrupts the carrier waves of the microwave band inputted from the outside by turning a field effect transistor 61 ON and OFF by the voltage of the output signals from the driving circuit 2, performs ASK modulation (binary ASK) and outputs desired ASK modulated waves.例文帳に追加

ＡＳＫ変調回路３は、駆動回路２からの出力信号の電圧により電界効果トランジスタ６１をオンオフさせることにより外部から入力するマイクロ波帯の搬送波を断続させてＡＳＫ変調（２値ＡＳＫ）し、所望のＡＳＫ変調波を出力する。 - 特許庁

In a field-effect transistor, a source electrode and/or a drain electrode is formed by a polymer composite having a conjugated polymer and a carbon nanotube, and a semiconductor layer is formed by a polymer composite including a carbon nanotube of 0.01 to 3% by weight in a conjugated polymer.例文帳に追加

ソース電極および／またはドレイン電極が共役系重合体とカーボンナノチューブを有する重合体コンポジットで形成されており、共役系重合体中にカーボンナノチューブを０．０１〜３重量％含む重合体コンポジットで半導体層が形成されている電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor thin film having excellent carrier transportation characteristics and a field effect transistor having excellent high frequency operation characteristics by enhancing the planarity of an InAlAs buffer layer formed on a GaAs substrate while utilizing the characteristics of InGaAs having high electron mobility.例文帳に追加

高い電子移動度を有するＩｎＧａＡｓの特質を活かしつつ、ＧａＡｓ基板上に形成されるＩｎＡｌＡｓバッファ層の表面の平坦度を高めて、キャリア輸送特性にすぐれた化合物半導体薄膜及び高周波動作特性にすぐれた電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To provide a field effect transistor of industrially practical specific top gate structure that has practical printability and, in addition, excellent semiconductor characteristics such as carrier mobility, hysteresis and threshold stability by using a specific organic heterocyclic compound as a semiconductor material.例文帳に追加

半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor material capable of forming a thin film having a high carrier mobility by a simple process without requiring special orientation techniques, and to provide a field-effect transistor which can be produced easily using the organic semiconductor material and has a high carrier mobility.例文帳に追加

特殊な配向技術を必要とせず、簡単な方法でキャリア移動度が高い薄膜を得ることができる有機半導体材料を提供することであり、該有機半導体材料を用いて製造容易かつキャリア移動度の高い電界効果トランジスタを提供することにある。 - 特許庁

The field-effect transistor formed on a substrate 1 has a first compound semiconductor layer which has a source region 4, a drain region 5 and a fin-form region 6 formed between the source and drain regions, and a gate electrode 7 so formed on the surface of the fin-form region 6 as to override this fin-form region 6.例文帳に追加

基板１上に形成され、ソース領域４、ドレイン領域５およびこれらの間に形成されるフィン状領域６を有する第１の化合物半導体層と、フィン状領域６の表面に、このフィン状領域６をまたぐように形成されたゲート電極７を備える。 - 特許庁

In an element substrate 10 of the reflective liquid crystal device 100, first contact holes 41a and 41b comprising a lower layer side light reflecting film and connecting a data line 5a and a relay electrode 5b and a field effect transistor 30 are formed at positions to overlap with an upper layer side light reflecting film 7a.例文帳に追加

反射型液晶装置１００の素子基板１０では、下層側光反射性膜からなるデータ線５ａおよび中継電極５ｂと電界効果型トランジスタ３０とを接続する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂは上層側光反射膜７ａと重なる位置に形成されている。 - 特許庁

As a structure applicable to a MOSFET (field effect transistor) provided with a gate electrode G (MOS gate) of a trench electrode structure, a p-type diffused layer SP having a higher concentration than a p-type base area BS is formed around the surface of a substrate in a p-type base area BS.例文帳に追加

トレンチ電極構造のゲート電極Ｇ（ＭＯＳゲート）を備えるＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に適用される構造として、ｐ型のベース領域ＢＳの基板表面付近に、該ベース領域ＢＳよりも濃度の高いｐ型の拡散層ＳＰを設けるようにする。 - 特許庁

To provide a driving apparatus for a self-arc-extinguishing type semiconductor device in which a power source utilization rate can be improved, a short-circuiting current in a field effect transistor in an output stage is prevented, and a switching speed of the self-arc-extinguishing type semiconductor device to be driven can be accelerated.例文帳に追加

電源利用率を向上させることができ、出力段の電界効果トランジスタにおける短絡電流を防止し、かつ駆動する自己消弧型半導体素子のスイッチング速度を向上させることができる自己消弧型半導体素子の駆動装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, as a substrate 11 for forming thereby a nitride semiconductor field effect transistor, an SiC (11-20) plane having its heat conductivity nearly larger by 40% than the one of an SiC (0001) plane is so used as to obtain thereby the low thermal resistance of a chip without increasing the size and the number of chips.例文帳に追加

窒化物半導体電界効果トランジスタを形成するための基板１１としてＳｉＣ（０００１）面に比べて熱伝導率が４０％程度大きなＳｉＣ（１１−２０）面を用いることにより、チップサイズとチップ数を増加させることなく低いチップ熱抵抗を得る。 - 特許庁

The alternating current (AC) switching circuit comprises a first field effect transistor (FET) (144, 244) having a first source, a first gate and a first drain, and a second FET (142, 242) having a second drain, a second source connected with the above first source and a second gate connected with the above first gate.例文帳に追加

交流(AC)スイッチング回路は、第１のソース、第１のゲート、及び第１のドレインを有する、第１の電界効果トランジスタ(FET)(144,244)と、第２のドレイン、前記第１のソースに結合された第２のソース、及び前記第１のゲートに結合された第２のゲートを有する、第２のFET(142,242)とを備える。 - 特許庁

Thus, a transistor with high electric field effect mobility can be manufactured.例文帳に追加

酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 - 特許庁

After the formation of first electrodes 2 and second electrodes 3 at the growth starting side end sections and the growth terminating side end sections of the carbon nanotubes 1, interlayer insulating films 9 are formed, and then the semiconductor device 100 is completed, with a logic circuit comprising an n-type FET (field effect transistor) 20n and a p-type FET 20p mounted thereon.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１の成長起点側及び終点側の端部に第１及び第２の電極２，３を形成した後、層間絶縁膜９を成膜し、ｎ型ＦＥＴ２０ｎ及びｐ型ＦＥＴ２０ｐからなる論理回路を実装した半導体装置１００を完成する。 - 特許庁

In the structure of a field effect transistor using a nitride semiconductor, the part of a barrier brought into contact with a channel formed near the hetero-junction of a gallium nitride layer and the barrier is formed as the multi-layer structure of an aluminum nitride layer whose thickness is 2 nm or less and a gallium nitride layer whose thickness is 2 nm or less.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの構造は、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分を、厚さ２ｎｍ以下の窒化アルミニウム層と厚さ２ｎｍ以下の窒化ガリウム層の多層構造とする。 - 特許庁

To increase the design flexibility when forward voltage Vf is adjusted while suppressing a leakage current in the reverse direction without changing the on resistance of a field effect transistor, so as to allow fine adjustment of the forward voltage Vf and the leakage current without increasing the chip area or drastically narrowing the current path.例文帳に追加

電界効果トランジスタのオン抵抗を変えずに、逆方向へのリーク電流を押さえつつ順方向電圧Ｖｆを調節するに際し、チップ面積増大や電流経路の大幅狭化を伴うことなく、両者を微妙に調整できるように設計自由度を高める。 - 特許庁

An induction coil L1 and a resonant capacitor C1 with the forward voltage of a body diode connected reverse to the direction of a voltage in a DC supply has a resonant circuit connected in parallel, and an n-channel first field effect transistor F1 to turn the connection to the DC supply E1 on and off.例文帳に追加

ボディダイオードの順方向が直流電源による電圧の向きの逆向きとなるように接続された誘導コイルＬ１と共振コンデンサＣ１とが並列に接続された共振回路と直流電源Ｅ１との接続をオンオフするｎチャネルの第１電界効果トランジスタＦ１を備える。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3; and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4; are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a T-shaped gate electrode, together with its manufacturing method which has a reduced source resistance, a reduced gate resistance, and a reduced gate capacitance while keeping a sufficient gate breakdown voltage, and which can be manufactured with high accuracy and a high yield.例文帳に追加

ソース抵抗およびゲート抵抗を低減し、十分なゲート耐圧を保ちつつ、ゲート容量を低減し、高精度にかつ歩留りよく形成することができるＴ型ゲート電極を備えた電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 separated from each other by the insulating layer 3; and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4; are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

This junction gate field effect transistor(JFET) 30 has an n-type channel region 14 on a GaAs substrate 12, a p-type gate region 16 on the surface of the channel region, and a gate electrode 20 connected to the gate region through an insulating region 32 on the substrate.例文帳に追加

ＪＦＥＴ３０は、ＧａＡｓ基板１２に設けられたｎ型チャネル領域１４と、チャネル領域の表層部に設けられたｐ型ゲート領域１６と、基板上に設けられた絶縁膜３２を貫通してゲート領域と接続するゲート電極２０とを備える。 - 特許庁

To obtain a thin film of an organic conductive material (a charge transporting material), which has high carrier mobility, by a simple method and without requiring a special orientating technology, and to provide a field effect transistor and a switching element easily manufactured using the organic conductive material, and a display panel using them.例文帳に追加

特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機伝導性材料（電荷輸送性材料）薄膜を得ることにあり、該伝導性材料を用いて製造の容易な電界効果トランジスタ、スイッチング素子又これを用いたディスプレイパネルを提供することにある。 - 特許庁

The initializing circuit has a field effect transistor(FET) connecting a 1st terminal to the output terminal of the internal power supply circuit, connecting a 2nd terminal to a boosting reference voltage terminal and allowed to be turned on by a control signal for turning off the internal power supply circuit.例文帳に追加

前記初期化回路は、第１の端子に前記内部電源回路の出力端子が接続され、第２の端子に昇圧基準電圧端子が接続される電界効果型トランジスタで、内部電源回路をオフとする制御信号によりオンとされる電界効果型トランジスタを有する。 - 特許庁

In a field effect transistor which has at least a channel layer for traveling of carrier, a carrier supply layer for supplying carrier to the channel layer and a buffer layer for flattening the channel layer, an insertion layer whose band gap is larger then that of the buffer layer is provided between the buffer layer and the channel layer.例文帳に追加

キャリアが走行するチャネル層と、該チャネル層にキャリアを供給するキャリア供給層と、該チャネル層を平坦化するためのバッファ層とを少なくとも有する電界効果トランジスタにおいて、該バッファ層と該チャネル層との間に該バッファ層よりもバンドギャップが大きい挿入層を設ける。 - 特許庁

A bidirectional switch includes a field-effect transistor 10 having a first ohmic electrode 16, a second ohmic electrode 17 and a gate electrode 18, and a control circuit 20 for controlling between a conduction state and a cut-off state by applying a bias voltage to the gate electrode 18.例文帳に追加

双方向スイッチは、第１のオーミック電極１６、第２のオーミック電極１７及びゲート電極１８を有する電界効果トランジスタ１０と、ゲート電極１８にバイアス電圧を印加することにより導通状態と遮断状態とを制御する制御回路２０とを備えている。 - 特許庁

In a field effect transistor including a control circuit board equipped with a gate electrode having a trapezoidal structure, a T type structure, and a Y type structure, the application type resin film is interposed between the control circuit board and the sealing resin.例文帳に追加

台形型構造、Ｔ型構造またはＹ型構造をもつゲート電極を有する制御回路基板と封止樹脂とを備えてなる電界効果型トランジスタにおいて、 前記制御回路基板と前記封止樹脂との間に塗布型樹脂膜を介在させることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

The sensor is a sensor containing the back gate type field-effect transistor and characterized in that the gate electrode, which surrounds a reaction region, is fixed on the insulating film of a semiconductor substrate and the thickness of the insulating film of the reaction region is less than the thickness of the insulating film in the periphery of the reaction region.例文帳に追加

本発明のセンサは、バックゲート型の電界効果トランジスタを含むセンサであって、反応領域を囲むゲート電極が半導体基板の絶縁膜上に固定されていること、および反応領域の絶縁膜の厚さがその周囲の絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method of a microelectronic circuit which is made by incorporating both a fin-type field-effect transistor (FinFET) 1801 and a thick-body device 1802 into a single chip can attain an efficiency higher than that of the conventional methods by utilizing common masks and processes.例文帳に追加

本発明は共通のマスクとステップを用いることにより従来の方法よりも大きな効率性を達成しうる、同一チップにフィン型電界効果トランジスタ（フィンＦＥＴ）１８０１と厚ボディ・デバイス１８０２を備えた微小電子回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

Voltage is induced in an inductor L2 based on a ballast choke L3 when an electric field-effect transistors Q1, Q2 of an inverter circuit 12 are turned on or off alternately, and the transistor Q2 is turned on or off to be driven based on a resonance frequency set by an inductor L1, the inductor L2 and a variable capacitor C2 of a resonance circuit 15.例文帳に追加

インバータ回路12の電界効果トランジスタQ1，Q2を交互にオン、オフするに際しては、バラストチョークL3に基づきインダクタL2に電圧を誘起し、共振回路15のインダクタL1，L2および可変容量コンデンサC2で設定する共振周波数で、電界効果トランジスタQ2をオン、オフ駆動する。 - 特許庁

To provide an AGC circuit capable of enlarging the change quantity of a gain in respect to the variable quantity of an AGC voltage by preventing a source potential from being lowered even when the drain current of a dual gate type field effect transistor(FET) provided in the AGC circuit is changed.例文帳に追加

ＡＧＣ回路の有するデュアルゲート型電界効果トランジスタにおけるドレイン電流が変化しても、これに伴ってソース電位の低下が生じないようにすることによって、ＡＧＣ電圧の可変量に対する利得の変化量を大きくできるようにＡＧＣ回路を提供する。 - 特許庁

The silicon layer is doped with ions at an angle based on the height of a second field effect transistor adjacent to the first one so that ions of a predetermined type, which have concentration that is the same as that of a portion adjacent to the channel region of the silicon layer and is not equal to zero, are implanted into one portion of the channel region.例文帳に追加

シリコン層は、シリコン層のチャネル領域に隣接する部分と同じゼロでない濃度の特定のタイプのイオンがチャネル領域の一部に注入されるように、第１電界効果型トランジスタに隣接する第２電界効果型トランジスタの高さに基づいた角度でイオンをドープされている。 - 特許庁