FIELD-EFFECTの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4622件
The field-effect transistor and the resistance varying material 4 configure a memory cell.例文帳に追加
電界効果トランジスタ及び抵抗変化材4はメモリセルを構成する。 - 特許庁
GATE ELECTRODE OF MULTIGATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
マルチゲート電界効果トランジスタのゲート電極およびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURE THEREOF, AND FIELD- EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
半導体装置およびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ - 特許庁
To provide a new method for manufacturing a field effect transistor.例文帳に追加
電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of easily manufacturing an organic field-effect transistor.例文帳に追加
有機電界効果トランジスタを簡単に製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a field-effect device, taking the problem of the thickness of a gate dielectric into consideration.例文帳に追加
ゲート誘電体の厚さの問題を考慮した電界効果デバイス。 - 特許庁
ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加
有機電界効果トランジスタおよびその製造方法、集積回路装置 - 特許庁
MILLIMETER WAVE FREQUENCY STATE PASSIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR SIGNAL SWITCHING DEVICE例文帳に追加
ミリメートルウェーブ周波数段受動フィールドエフェクトトランジスタ信号切替え装置 - 特許庁
INSULATED GATE TYPE ELECTRIC FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
絶縁ゲート型電界効果半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF THEM例文帳に追加
電界効果トランジスタ及び半導体装置並びにそれらの製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT OPTICAL MODULATOR AND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加
電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MIS- TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
半導体装置およびMIS型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SINGLE ELECTRON TRANSISTOR, AND SENSOR USING IT例文帳に追加
電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ - 特許庁
HIGH-MOBILITY HETERO-JUNCTION COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS METHOD例文帳に追加
高移動度ヘテロ接合相補型電界効果トランジスタおよびその方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE FILM AS GATE INSULATING LAYER例文帳に追加
アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND INTEGRATED VOLTAGE GENERATING CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加
電界効果トランジスタ及びそれを用いた集積化電圧発生回路 - 特許庁
A body of the field effect transistor forms a base of bipolar transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタのボディは、前記バイポーラトランジスタのベースを形成する。 - 特許庁
To adjust the threshold voltage of a field effect transistor with high accuracy.例文帳に追加
電界効果トランジスタのしきい値電圧の調整を精度良く行う。 - 特許庁
To provide a pressure sensor comprising an organic field effect transistor single body.例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ単体からなる圧力センサを提供する。 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE AND RADIO IDENTIFICATION TAG USING THE SAME例文帳に追加
電界効果トランジスタと、それを用いた表示装置及び無線識別タグ - 特許庁
To provide an insulated gate field effect transistor of high operation efficiency.例文帳に追加
動作効率の高い絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide an insulated gate type field effect transistor of high reliability.例文帳に追加
信頼性の高い絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a field effect transistor which improves the soft error rate.例文帳に追加
ソフトエラーレートを向上させる電界効果トランジスタを提供すること - 特許庁
π-CONJUGATED COMPOUND, AND FIELD EFFECT ORGANIC TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加
π共役化合物およびそれを用いた電界効果型有機トランジスタ - 特許庁
METHOD OF TREATING METAL SURFACE AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
金属表面の処理方法及び電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
CHARGED BODY, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
帯電体並びにそれを用いた電界効果トランジスタ及びメモリ素子 - 特許庁
MESA-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS PREPARATION例文帳に追加
メサ型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁
To provide a nanometer scale field effect element exhibiting good reproducibility of signal.例文帳に追加
信号の再現性のよいナノメートルスケール電界効果素子を提供する。 - 特許庁
UNIDIRECTIONAL METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND APPLICATIONS THEREOF例文帳に追加
単方向金属酸化膜半導体電界効果トランジスターとその応用 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBE DISPERSION POLYMER例文帳に追加
カーボンナノチューブ分散ポリマーを用いた電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
電界効果トランジスタおよび半導体装置、ならびにそれらの製造方法 - 特許庁
Si/SiGe HETEROSTRUCTURE FOR HIGH-SPEED COMPOSITE P-CHANNEL FIELD EFFECT DEVICE例文帳に追加
電界効果デバイス用高速複合pチャネルSi/SiGeヘテロ構造 - 特許庁
BIAS CIRCUIT FOR AMPLIFIER AND HIGH-FREQUENCY FIELD EFFECT TRANSISTOR AMPLIFIER例文帳に追加
増幅器用のバイアス回路および高周波電界効果トランジスタ増幅器 - 特許庁
BIPOLAR ORGANIC THIN-FILM FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS FABRICATION METHOD例文帳に追加
両極性有機電界効果薄層トランジスター及びその製造方法 - 特許庁
BIPOLAR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS例文帳に追加
両極特性電界効果型トランジスタ及び半導体集積回路装置 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET) HAVING STRESS CHANNEL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
応力チャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
接合型電界効果トランジスタ、その製造方法および半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
電界効果トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
有機半導体デバイス、有機電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
The logic circuit region 192 includes a complementary field effect transistor.例文帳に追加
論理回路領域192は、相補型電界効果型トランジスタを含む。 - 特許庁
METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
金属酸化膜半導体電界効果型トランジスターとその製造方法 - 特許庁
METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS GATE STRUCTURE例文帳に追加
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよびそのゲート構造 - 特許庁
NITRIDE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ構造とその作製法 - 特許庁
The first and second field-effect transistors constitute a current mirror circuit.例文帳に追加
第1及び第2の電界効果トランジスタはカレントミラー回路を構成する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND BIOSENSOR DEVICE例文帳に追加
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの製造方法およびバイオセンサ装置 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING SCHOTTKY SOURCE-DRAIN STRUCTURE例文帳に追加
ショットキーソース・ドレイン構造を有する電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
DUAL/WRAP-AROUND GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
デュアル/ラップ−アラウンド・ゲート電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING GERMANIUM NANO-ROD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
ゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
The gate terminals of the field effect transistors FET1, 2 are grounded through respective resistors.例文帳に追加
FET1,2のゲート端子はそれぞれ抵抗を介して接地される。 - 特許庁
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