「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

JFET (JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR) AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING SAME例文帳に追加

ＪＦＥＴ（接合型電界効果トランジスタ）、及びこれを用いた固体撮像装置 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a heterojunction field-effect transistor by which a desired recess etching depth can be stably obtained, and to provide the heterojunction field-effect transistor.例文帳に追加

所望のリセスエッチング深さを安定して得ることができるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法およびヘテロ接合電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

To obtain stable electrical characteristics of a semiconductor device in which an N-channel field-effect transistor and a P-channel field-effect transistor are formed on an identical substrate.例文帳に追加

Ｎチャネル型電界効果トランジスタとＰチャネル型電界効果トランジスタとが同一基板上に形成された半導体デバイスにおいて、安定した電気的特性を得る - 特許庁

To provide a nitride semiconductor field-effect transistor with reduced cracking.例文帳に追加

クラックを低減した窒化物半導体電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having wire channels and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ワイヤチャンネルを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor type field effect transistor which can perform high-speed switching operation.例文帳に追加

高速スイッチング動作可能な窒化物半導体系電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To detect drain current between the drain and source of a field-effect transistor when using the field-effect transistor for controlling a voltage to a load.例文帳に追加

負荷に対する電圧を制御するために電界効果トランジスタを使用した場合に、電界効果トランジスタのドレイン−ソース間のドレイン電流を高精度で検出する。 - 特許庁

A gas sensor is constituted of: an organic field-effect transistor 1; and an LED 2 to irradiate the organic semiconductor layer 13 of the organic field-effect transistor 1 with light.例文帳に追加

ガスセンサは、有機電界効果トランジスタ１と、有機電界効果トランジスタ１の有機半導体層１３に光を照射するＬＥＤ２と、により構成されている。 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TRENCH ISOLATION REGION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

トレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

In a field effect transistor 104 having 200 μm gate width, a source is connected to the drain of the field effect transistor 103 and the drain is connected to the circuit of power source.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０４は、ソースが電界効果トランジスタ１０３のドレインに接続され、ドレインが電源回路に接続され、２００μｍのゲート幅を有している。 - 特許庁

SILICON SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PARTIAL DEPLETION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

シリコン基板およびその製造方法並びに部分空乏型の電界効果トランジスタ - 特許庁

An NPN transistor and a junction field effect transistor are formed at the island region 26.例文帳に追加

島領域２６にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

電界効果トランジスタ及び半導体装置並びに電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタおよびヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

The fin field-effect transistor indicated here comprises a first and a second gates.例文帳に追加

ここで開示されるフィン電界効果トランジスタは第１ゲートおよび第２ゲートを含む。 - 特許庁

JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS例文帳に追加

接合形電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに固体撮像装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

There are formed, in the island region 25, a NPN transistor, and a junction- type field effect transistor.例文帳に追加

島領域２５にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a highly integrated and high-power compound semiconductor field effect transistor.例文帳に追加

化合物半導体電界効果トランジスタの高集積化及び高電力化を図る。 - 特許庁

To provide a field effect transistor and a logic circuit utilizing an ambipolar material.例文帳に追加

アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路を提供する。 - 特許庁

To provide a driving device and a driving method for a junction field effect transistor which suppress heat generation by the junction field effect transistor due to temporary excess current.例文帳に追加

一時的な過電流による接合型電界効果トランジスタの発熱を抑制できる接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

π ELECTRON-BASED COMPOUND AND n-TYPE ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR GIVEN BY USING THE SAME例文帳に追加

π電子系化合物、及びそれを用いたｎ−型有機電界効果トランジスタ - 特許庁

To form a source and a drain, which are respectively formed on the upper and lower gate electrodes of an field-effect transistor, in a state, where the source and drain are aligned with each other to minimize parasitic capacitance which impairs high-speed operation of the field-effect transistor.例文帳に追加

上下のゲート電極にソースとドレインを整合した状態で形成して、電界効果トランジスタの高速動作を阻害する寄生容量を最小にする。 - 特許庁

To provide a technique capable of reducing a high-order harmonic generated in a field-effect transistor, especially, in a field-effect transistor constituting a switching element in an antenna switch.例文帳に追加

電界効果トランジスタ、特に、アンテナスイッチのスイッチング素子を構成する電界効果トランジスタで発生する高次高調波の発生を低減できる技術を提供する。 - 特許庁

To enhance the current driving capability of field-effect transistors.例文帳に追加

電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上（ドレイン電流の増加）を図る。 - 特許庁

A high-frequency semiconductor switch 10 includes a plurality of field effect transistors 50.例文帳に追加

高周波半導体スイッチ１０は、複数の電界効果型トランジスタ５０を有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

The H bridge has four field effect transistors and out of these, a first transistor of the two field effect transistors is connected to a common terminal and a second terminal is connected to a lamp.例文帳に追加

Ｈブリッジは４つの電界効果トランジスタを有し、そのうち２つの電界効果トランジスタの第１の端子が共通端子に、第２の端子がランプに接続される。 - 特許庁

To provide a field effect transistor capable of suppressing variation in a threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧のばらつきを抑えることができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING IT, AND SWITCH CIRCUIT例文帳に追加

電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた集積回路装置及びスイッチ回路 - 特許庁

To provide a field-effect transistor (FET) capable of reducing on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の低減を図ることができる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供する。 - 特許庁

In this field effect transistor type ion sensor, an ion sensor for detecting ions and a field effect transistor for acquiring an electric signal are formed integrally.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタ型イオンセンサは、イオンを検出するためのイオンセンサと電気信号を得るための電界効果トランジスタとを一体として形成している。 - 特許庁

TETRATHIAFULVALENE DERIVATIVE, TETRASELENAFULVALENE DERIVATIVE, AND P-TYPE ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

テトラチアフルバレン誘導体、テトラセレナフルバレン誘導体及びｐ型有機電界効果トランジスタ - 特許庁

EPITAXIAL WAFER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND EPITAXIAL LAYER FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ及び高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ - 特許庁

To stably and accurately obtain an expected threshold Vth, without increasing the amount of gate recess in a field effect type compound semiconductor device, and to provide a manufacturing method of the field effect type compound semiconductor device.例文帳に追加

電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス量を増大させることなく、所期のしきい値Ｖ_thを安定して精度良く得る。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ - 特許庁

ELECTRIC FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR DRIVING GATE ELECTRODE, AND SENSOR DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

ゲート電極が駆動する電界効果型トランジスタおよびそれを有するセンサデバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING BURIED MOTT MATERIAL OXIDE CHANNEL例文帳に追加

埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法 - 特許庁

The first field-effect transistor Q2 is turned on when the divided voltage by the first driving resistor R1 and the second driving resistor R2 exceed the threshold voltage of the first field-effect transistor Q1.例文帳に追加

第１の起動抵抗R1および第２の起動抵抗R2の分圧が第１の電界効果トランジスタQ1のスレッショルド電圧を越えると、第１の電界効果トランジスタQ1をオンする。 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING BIDIRECTIONAL CURRENT BLOCKING FUNCTION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

双方向電流阻止機能を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, GATE ELECTRODE FORMING METHOD AND FIELD EFFECT TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

レジスト・パターン形成方法、ゲート電極形成方法、電界効果型半導体装置 - 特許庁

SOI FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SOI SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＳＯＩ型電界効果トランジスタ、ＳＯＩ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for passivation of field-effect transistor which solves any problem in a conventional technique of passivation for the field-effect transistor including at least one source electrode, drain electrode and gate electrode.例文帳に追加

少なくとも１つのソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有する電界効果トランジスタの不動態化において、従来技術の問題点を解決する。 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁