FIELD-EFFECTの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4622件
CONTOURED-TUB FERMI-THRESHOLD FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING SAME例文帳に追加
輪郭形成タブ・フェルミスレショルド電界効果型トランジスタとその製造方法 - 特許庁
A drain of the field effect transistor forms a collector of the bipolar transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタのドレインは、前記バイポーラトランジスタのコレクタを形成する。 - 特許庁
The circuit configuration contains a field-effect transistor, connected in series with the load to be controlled and a control circuit for controlling the field-effect transistor.例文帳に追加
この回路構成は、制御すべき負荷に直列接続される電界効果トランジスタ、およびその電界効果トランジスタを制御するための制御回路を含む。 - 特許庁
CIRCUIT DEVICE HAVING CAPACITOR AND FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND DISPLAY APPARATUS例文帳に追加
キャパシタと電界効果型トランジスタとを有する回路装置及び表示装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに電界効果トランジスタ - 特許庁
The delay insertion gate includes two field effect transistors and a current mirror.例文帳に追加
遅延挿入ゲートは、2つの電界効果トランジスタおよびカレント・ミラーを含む。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING STRAIN GROUP HETEROJUNCTION CRYSTAL例文帳に追加
歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの作製方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加
電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに有機半導体材料 - 特許庁
The present invention discloses also a manufacturing method for the biosensor including the field-effect transistor, and a method of detecting the biomolecule using the biosensor including the field-effect transistor.例文帳に追加
また、電界効果トランジスタを含むバイオセンサーの製造方法及び電界効果トランジスタを含むバイオセンサーを利用した生体分子の検出方法である。 - 特許庁
The temperature detection part includes the electric field effect transistor (601) as the heat sensitive body.例文帳に追加
温度検出部は感熱体として電界効果トランジスタ(601)を含む。 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, ORGANIC TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加
有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
It is possible that the electromagnetism isn't the root cause but a side effect of field distortions in time.例文帳に追加
根本的原因は─ 電磁気じゃないのかも 時間の歪みのせいかも - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Its monster effect will cause every defense mode monster on my opponent's side of the field to be destined for destruction!例文帳に追加
モンスター効果によって 相手フィールド上の守備表示モンスターは - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
To improve the performance of a semiconductor device having an MISFET (metal insulator semiconductor field effect transistor).例文帳に追加
MISFETを有する半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁
To enable highly efficient electromagnetic field detection using AB effect or AC effect under a normal temperature.例文帳に追加
AB効果又はAC効果を利用した高効率の電磁界検出を常温下において行えるようにする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the manufacturing cost thereof is reduced and a short channel effect of a field effect transistor is suppressed.例文帳に追加
製造コストが低減し、電界効果トランジスタの短チャネル効果が抑制された半導体装置を提供する。 - 特許庁
SOI FIELD-EFFECT TRANSISTOR CONTAINING BODY CONTACTING SECTION FOR REMOVING FLOATING BODY EFFECT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
フローティングボディ効果を除去するためのボディ接触部を含むSOI電界効果トランジスタ及びその製造方法。 - 特許庁
To provide a structure that has improved high-speed properties as a field effect transistor and has high a parasitic resistance reduction effect.例文帳に追加
電界効果トランジスタとして高速性を得るに優れ、寄生抵抗低減効果の高い構造を提案する。 - 特許庁
This remarkably reduces the side gate effect from a resistance element 103 adjacent to the field effect transistor.例文帳に追加
こうして、電界効果型トランジスタに隣接する抵抗素子などからのサイドゲート効果を大幅に低減出来できる。 - 特許庁
In the field effect transistor, a threshold voltage change layer is provided for increasing/decreasing a concentration of a carrier in a channel layer of the field effect transistor, and the threshold voltage of the field effect transistor is changed by the threshold voltage change layer.例文帳に追加
電界効果型トランジスタのチャネル層におけるキャリアの濃度を増減させる閾値電圧変更層を設け、この閾値電圧変更層により前記電界効果型トランジスタの閾値電圧を変更する電界効果型トランジスタとする。 - 特許庁
The output sink circuit drives the 2nd electric field-effect device so that the product of current in the 1st electric field-effect device and current in the 2nd electric field-effect device can be almost equal to a prescribed constant.例文帳に追加
出力シンク回路は、第1の電界効果デバイスにおける電流と第2の電界効果デバイスにおける電流の積が、出力段の動作中に、所定の定数に略等しいように、第2の電界効果デバイスを駆動する。 - 特許庁
The method for using the ion-sensitive field-effect transistor to monitor properties of a medium includes the step of biasing the ion-sensitive field-effect transistor in a weak inversion region, exposing the ion-sensitive field-effect transistor to the medium, and analyzing the output of different ion-sensitive field-effect which depends on the properties.例文帳に追加
イオン感応電界効果トランジスタを用いて媒体の性質をモニタする方法は、弱反転領域のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるステップと、イオン感応電界効果トランジスタを前記媒体に露出するステップと、前記性質に依存して異なるイオン感応電界効果の出力を分析するステップとを含む。 - 特許庁
Also, the manufacturing method of the electron emission device, a field effect display having such a field effect electron emission device, an illumination device having such a field effect electron emission device and a backlight device for a liquid crystal display having such a field effect electron emission device are provided.例文帳に追加
また、電子放出装置の製造方法、このような電界効果型電子放出装置を有する電界効果型ディスプレイ、このような電界効果型電子放出装置を有する照明装置、及びこのような電界効果型電子放出装置を有する、液晶ディスプレイ用バックライト装置も提供される。 - 特許庁
An electric field relaxing region (31) acting as an FLR is provided between the extending part (5b) of the first electrode (5) and the second electrode (6) where no electric field relaxing effect can be obtained, and the electric field relaxation effect by the field plate is complemented.例文帳に追加
フィールドプレートによる電界緩和効果が得られない第1の電極(5)の延長部(5b)と第2の電極(6)との間にはFLRとして作用する電界緩和領域(31)が設けられ、フィールドプレートによる電界緩和効果が補完される。 - 特許庁
An NPN transistor and a junction field- effect transistor are formed in the region 25.例文帳に追加
島領域25にNPNトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁
A body electrode 8 is provided on the bottom surface or the top surface of the field effect transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタの下面または上面にボディ電極8を設ける。 - 特許庁
SOLUBLE SEXTHIOPHENE DERIVATIVE AND THIN-FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加
可溶性セクシチオフェン誘導体およびそれを用いた薄膜電界効果トランジスタ - 特許庁
TYPE T GATE STRUCTURE NITRIDE SYSTEM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
T字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
To provide a field-effect transistor manufacturing method that utilizes diffusion of magnesium from a lower layer.例文帳に追加
下層からのマグネシウムの拡散を利用した電界効果トランジスタの製造。 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AS WELL AS IMAGE DISPLAY APPARATUS例文帳に追加
電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 - 特許庁
EPITAXIAL WAFER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR USING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ - 特許庁
BIOSENSOR BASED ON CARBON NANOTUBE-FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加
炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー及びその製造方法 - 特許庁
OR CIRCUIT CONSISTING OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND POWER SUPPLY USING IT例文帳に追加
電界効果トランジスタで構成したOR回路およびそれを用いた電源回路 - 特許庁
To provide an SOI field effect transistor structure for providing ESD protection.例文帳に追加
ESD保護を提供するSOI電界効果トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁
To reduce the space factor of a field effect transistor constituting a protection circuit.例文帳に追加
保護回路を構成する電界効果トランジスタの占有面積を縮小する。 - 特許庁
To provide a thin-film transistor(TFT) having a high field effect mobility.例文帳に追加
高い電界効果移動度を有する薄膜トランジスタ(TFT)を提供する。 - 特許庁
To reduce an ON resistance of a semiconductor apparatus with a field-effect transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタを有する半導体装置のオン抵抗を低減させる。 - 特許庁
ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ並びにそれを用いた集積回路及び電子デバイス - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND IMAGE DISPLAY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、これを用いた画像表示装置及び半導体装置 - 特許庁
To provide a metal semiconductor field effect transistor (MESFET).例文帳に追加
本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)を提供する。 - 特許庁
MULTIPLEXING/DEMULTIPLEXING ARCHITECTURE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND FORMING METHOD OF THE SAME例文帳に追加
電界効果トランジスタの多重化/多重分離化アーキテクチャとその形成方法 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR USING OXIDE FILM FOR CHANNEL, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
The third main terminal is called the double drain D2 of the field effect transistor.例文帳に追加
第3の主端子はこの電界効果トランジスタのダブルドレイン(D2)と呼ばれる。 - 特許庁
The amplifier 11 includes a field effect transistor (FET) as an amplifying element.例文帳に追加
増幅器11は、増幅素子としての電界効果トランジスタ(FET)を有する。 - 特許庁
LATERAL DOUBLE-DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING SAME例文帳に追加
横型二重拡散型電界効果トランジスタおよびそれを備えた集積回路 - 特許庁
BONDING METHOD OF DISPLAY BOARD, DISPLAY UNIT AND FIELD- EFFECT DISPLAY UNIT例文帳に追加
表示基板の接合方法及び表示装置並びに電界効果表示装置 - 特許庁
FORMING METHOD AND STRUCTURE OF SELF-ORGANIZATION MONOMOLECULAR FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
自己組織化単分子膜の形成方法及び構造体、電界効果型トランジスタ - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT例文帳に追加
接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 - 特許庁
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