「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

EVALUATION DEVICE AND CHARACTERISTICS MEASURING METHOD OF ORGANIC SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。 - 特許庁

HETERO-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH GATE SPACER STRUCTURE AND LOW-RESISTANCE CHANNEL COUPLING例文帳に追加

ゲートスペーサー構造と低抵抗チャネル連結部とを備えた電界効果トランジスタ - 特許庁

To improve a Fermi-threshold field effect (Fermi FET) and a method of forming same.例文帳に追加

フェルミスレショルド電界効果（フェルミＦＥＴ）とその製造方法を改良する。 - 特許庁

VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND REFERENCE VOLTAGE SOURCE CIRCUIT USING FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果トランジスタを用いた電圧発生回路及び基準電圧源回路 - 特許庁

GaN-SYSTEM HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR CONTROLLING ITS CHARACTERISTIC例文帳に追加

ＧａＮ系ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその特性を制御する方法 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 2 and a field effect transistor structure.例文帳に追加

デバイス１は、半導体基板２および電界効果トランジスタ構造を備える。 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ - 特許庁

RECESS OXIDATION TYPE FIELD EFFECT COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

SANDWICH-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING ORGANIC SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

有機半導体を含むサンドイッチ型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ、及び接合型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

To lower a source contact resistor of a vertical insulating gate field effect transistor.例文帳に追加

縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソースコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

SOLUBLE DERIVATIVE OF SEXITHIOPHENE, AND THIN-FILM FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

可溶性セクシチオフェン誘導体およびそれを用いた薄膜電界効果トランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor device with large on-current of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのオン電流の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

TRANSPARENT THIN FILM FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR USING HOMOLOGOUS THIN FILM AS ACTIVE LAYER例文帳に追加

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SWITCH ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

電界効果トランジスタおよびその製造方法、スイッチ素子ならびに電子機器 - 特許庁

To provide a field effect transistor which can be utilized as a high breakdown voltage semiconductor device by relaxing the concentration of high electric field at a field plate end edge.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とする。 - 特許庁

To relieve concentration of a high electric field on a field plate end of a field effect transistor and then to use it as a high-breakdown-voltage semiconductor device.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とすること。 - 特許庁

To obtain a field effect transistor for easing electric field concentrated in an insulating film at the end of a field plate electrode while alleviating the electric field concentrated to the gate electrode end.例文帳に追加

ゲート電極端に集中する電界を緩和しつつ、フィールドプレート電極の端の絶縁膜中に集中する電界を緩和することができる電界効果型トランジスタを得る。 - 特許庁

To significantly reduce a side gate effect on an field effect transistor in a semiconductor integrated circuit device formed of a plurality of semiconductor electronic materials including the field effect transistor.例文帳に追加

本発明は、電界効果型トランジスタを含む複数の半導体電子部材を有する半導体集積回路装置において、前記電界効果型トランジスタに対するサイドゲート効果せんとするものである。 - 特許庁

To provide a Schottky-barrier diode having a field plate structure capable of stably providing an electric field concentration mitigating effect.例文帳に追加

安定して電界集中緩和効果を得ることが可能なフィールドプレート構造を有するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A resistor for setting the gain of the inverting amplifier IA1 is substituted with the field effect transistor, and the action of the on resistance of the field effect transistor is removed from an output voltage of the inverting amplifier IA1 to determine a current value of the field effect transistor T1.例文帳に追加

反転増幅器ＩＡ１のゲインを設定する抵抗を電界効果トランジスタに置換して、反転増幅器ＩＡ１の出力電圧から、電界効果トランジスタのオン抵抗の作用を除去して、電界効果トランジスタＴ１の電流値を求める。 - 特許庁

The amplifier device includes a field effect transistor M1 where an input signal is input into a gate; a variable capacitor Cgs that is connected between the field effect transistor M1 and a source; and a variable inductor Ls that is connected with the source of the field effect transistor M1.例文帳に追加

入力信号がゲートに入力される電界効果トランジスタＭ１と、電界効果トランジスタＭ１のゲートとソースの間に接続された可変キャパシタＣｇｓと、電界効果トランジスタＭ１のソースに接続された可変インダクタＬｓを設ける。 - 特許庁

To provide a driving IC or the like that can reduce a noise level regardless to the current ability of a field-effect transistor among field-effect transistors present in an output stage, to which an output control signal is inputted without involving other field-effect transistors.例文帳に追加

出力段にある電界効果トランジスタのうち、出力制御信号が他の電界効果トランジスタを介さずに入力される電界効果トランジスタの電流能力如何に関わらずノイズレベルを低減できる駆動用ＩＣ等を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field effect transistor and the field effect transistor which can reduce IMD (intermodulation distortion), and to provide a semiconductor device equipped with this field effect transistor and a communication apparatus.例文帳に追加

本発明は、ＩＭＤ（相互変調歪）を低減させることができる電界効果トランジスタの製造方法及び電界効果トランジスタ、この電界効果トランジスタを備えた半導体装置並びこの通信機器を備えた通信機器を提供するものである。 - 特許庁

To provide a field effect transistor structure wherein the efficiency and effectiveness are improved with no effect from a series gate resistance.例文帳に追加

直列ゲート抵抗の影響を受けず、効率及び実効性が向上した電界効果トランジスタ構造体の提供。 - 特許庁

LAMINATE HAVING HEUSLER ALLOY, SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE LAMINATE, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁

To achieve weight reduction and cost reduction while preserving constant field effect relaxation effect, and besides to set it up in a short time.例文帳に追加

一定の電界緩和効果を保持しつつ、軽量化・低コスト化を図り、かつ、容易に短時間で組み立てること。 - 特許庁

To restrain a bias stress effect in an organic field effect transistor, and to control concurrently a threshold voltage to a fixed value.例文帳に追加

有機電界効果トランジスタにおけるバイアスストレス効果を抑えると同時に、しきい値電圧を一定値に制御する。 - 特許庁

To reduce temperature dependence of a current restriction value of an output field effect transistor.例文帳に追加

出力電界効果トランジスタの電流制限値の温度依存性を小さくする。 - 特許庁

To develop a stable organic field effect transistor whose threshold voltage is low.例文帳に追加

閾値電圧が低く、かつ安定な有機電界効果トランジスタを開発することである。 - 特許庁

To stabilize the shapes of gate electrodes of an N-channel insulating gate type field effect transistor and a P-channel insulating gate type field effect transistor, of which gate electrode structures are different.例文帳に追加

ゲート電極構造が異なるＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタとＰｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極形状を安定化させる。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR RELAY EQUIPMENT USING IT例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ、その製造方法及びそれを用いた光半導体リレー装置 - 特許庁

To provide a semiconductor field effect transistor wherein high power output, high frequency and high efficiency can be obtained at a gate length of at most 1 μm, and a power amplifier using the field effect transistor.例文帳に追加

１μｍ以下のゲート長においても高出力、高周波数、高効率の半導体電界効果トランジスタ及びこれを用いた電力増幅器を提供する。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT例文帳に追加

電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ及び集積回路素子 - 特許庁

To provide a field effect transistor which suppresses a rise of ON resistance and reduces an OFF capacity, and also to provide a manufacturing method of the field effect transistor and a communication device.例文帳に追加

オン抵抗の上昇を抑制し、かつ、オフ容量を低減することができる電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法及び通信装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for imparting a gate bias to an enhancement mode field effect transistor.例文帳に追加

エンハンスメントモード電界効果トランジスタにゲートバイアスを与える方法を提供する。 - 特許庁

When the transistor Q is ON, DC power is supplied to the field effect transistor F, and when the transistor Q is off, the auxiliary power is supplied to the field effect transistor F.例文帳に追加

トランジスタＱがオンのとき、直流電源が電界効果トランジスタＦに供給され、トランジスタＱがオフのとき、補助電源が電界効果トランジスタＦに供給される。 - 特許庁

HORIZONTAL GROWTH METHOD OF CARBON NANO TUBE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ - 特許庁

A charging transistor M2 is an N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) disposed between the high voltage terminal VH and the power terminal VCC and biased to be normally on.例文帳に追加

充電用トランジスタＭ２は、ハイ電圧端子ＶＨと電源端子ＶＣＣの間に設けられ、ノーマリオンとなるようバイアスされたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

An NPN-transistor and a junction type field effect transistor are formed on the island region 25.例文帳に追加

島領域２５にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

TETRABENZANTHRACENE-BASED COMPOUND, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE COMPOUND例文帳に追加

テトラベンズアントラセン系化合物、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ - 特許庁

THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR, FABRICATION PROCESS THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 - 特許庁

In this method, formation of an ultrathin gate oxide film 14 of a field-effect transistor 10 is conducted.例文帳に追加

電界効果トランジスタ(１０)の極薄ゲート酸化物１４を形成する方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which n-channel type field effect transistors and p-channel type field effect transistors from memory cells respectively and a word line can be shared by the cells.例文帳に追加

ｎチャンネル型電界効果トランジスタとｐチャンネル型電界効果トランジスタとでメモリセルをそれぞれ形成し、ワード線を共用可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁