「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field-effect transistor capable of including a gate electrode in a minute size.例文帳に追加

ゲート電極の微細化が可能な電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

TRENCH DOUBLE DIFFUSED MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トレンチ型２重拡散ＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a field effect transistor with which a threshold voltage can be highly accurately set, and semiconductor device with said field effect transistor packaged thereon.例文帳に追加

高精度に閾値電圧を設定することができる電界効果型トランジスタ及び同電界効果型トランジスタを搭載した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The organic field effect transistor (OFET) has a gate, a source and a drain.例文帳に追加

有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）はゲート、ソース及びドレインを有する。 - 特許庁

To simultaneously improve mobility of a P-channel electric field effect transistor and mobility of an N-channel electric field effect transistor by bending a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップを折り曲げることにより、Ｐチャネル電界効果型トランジスタとＮチャネル電界効果型トランジスタの移動度を同時に向上させる。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor with a low on-state resistance, a high breakdown and a high channel mobility, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

オン抵抗が低く、耐圧性及びチャネル移動度が高い電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

接合電界効果トランジスタおよび接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide an organic field effect transistor and a method of fabricating the same.例文帳に追加

有機電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND IMAGE DISPLAY例文帳に追加

電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR COMPENSATING FLUCTUATION IN DIFFERENTIAL AMPLIFIER USING FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電界トランジスタを用いた差動増幅器の変動補償システム及び方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

積層構造の形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shielding material which has a high magnetic-field shielding effect.例文帳に追加

高い磁界シールド効果を有する電磁波シールド材を提供すること。 - 特許庁

By this means, a feedthrough current is made to flow-to Q11 and the breakdown of the field-effect transistor Q12 or noise of the field-effect transistor caused by the feedthrough current is prevented.例文帳に追加

電界効果トランジスタQ11 に貫通電流が流れ、電界効果トランジスタQ12 を破壊したり、貫通電流によりノイズが発生することを防止する。 - 特許庁

Also disclosed is a manufacturing method for the electric field effect type electron emission apparatus.例文帳に追加

電界効果型の電子放出装置の製造方法もまた開示される。 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

電界効果トランジスタ及びこの電界効果トランジスタを備えた半導体装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tunnel field-effect transistor having a heterostructure nanowire and a complementary tunnel field-effect transistor having an accumulated nanowire.例文帳に追加

ヘテロ構造ナノワイアを有するトンネル電界効果トランジスタと集積されたナノワイアを有する相補型トンネル電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive effect film 300 responds to a magnetic field applied from the outside.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３００は、外部から印加される磁界に応答する。 - 特許庁

A source of the field effect transistor forms an emitter of the bipolar transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタのソースは、前記バイポーラトランジスタのエミッタを形成する。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING LAYERED PRODUCT例文帳に追加

電界効果型トランジスタおよびその製造方法、積層体の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

縦型電界効果トランジスタを備える半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH PROTECTIVE LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

保護層を含む有機半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH TYPE METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを作製する方法 - 特許庁

To provide: a field-effect transistor which has low on resistance and high breakdown voltage properties; a method of manufacturing the field-effect transistor; and a method of forming a groove.例文帳に追加

低いオン抵抗と高い耐圧性とを有する電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、および溝の形成方法を提供する。 - 特許庁

The voltage of a field effect transistor Q1 is divided by resistors R5 and R6, and the voltage between both terminals of the field-effect transistor Q1 is impressed to the driving circuit 13.例文帳に追加

電界効果トランジスタQ1の電圧を、抵抗R5および抵抗R6で分圧して駆動回路13に電界効果トランジスタQ1の両端子間電圧を入力する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LAMINATE AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

積層体の製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

To maintain a high on-breakdown voltage of a semiconductor device including a field-effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタを含む半導体装置のオン耐圧を高く保つ。 - 特許庁

The electronic circuit is provided which includes a field-effect transistor 20 and a magnetoresistive element 10 connected to the source S of the field-effect transistor 20.例文帳に追加

本発明は、電界効果トランジスタ２０と、電界効果トランジスタ２０のソースＳに接続された磁気抵抗素子１０と、を具備する電子回路である。 - 特許庁

ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

有機電界効果トランジスタの製造方法及びその有機電界効果トランジスタ - 特許庁

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH LOW ON-RESISTANCE USING MERGED METAL LAYERS例文帳に追加

融合金属層を使用しているオン抵抗の低い電力用ＦＥＴ - 特許庁

To provide a novel method for fabricating an insulated gate field effect transistor in which the problem of gate resistance of an insulated gate field effect transistor is solved.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート抵抗の問題点を解決する新規な絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提案する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of field effect transistors provided on an insulating layer, and a plurality of memory elements provided on a plurality of field effect transistors.例文帳に追加

絶縁層上に設けられた複数の電界効果トランジスタと、複数の電界効果トランジスタ上に設けられた複数の記憶素子とを有する。 - 特許庁

To suppress or prevent a kink phenomenon of a high withstand voltage field effect transistor.例文帳に追加

高耐圧電界効果トランジスタのキンク現象を抑制または防止する。 - 特許庁

FIELD EFFECT JUNCTION TRANSISTOR, SWITCHING POWER SOURCE, AND IC THEREFOR例文帳に追加

電界効果型接合トランジスタ、スイッチング電源用ＩＣおよびスイッチング電源 - 特許庁

To prevent breakage of a field effect transistor caused by an excessive current passing through the field effect transistor while a motor is rotating at a high speed.例文帳に追加

モータが高速回転している時に電界効果トランジスタに過大な電流が流れることに起因した電界効果トランジスタの破損を防止すること。 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加

有機半導体素子、電界効果型トランジスタおよびそれらの製造方法 - 特許庁

To reduce the input capacity of a junction type field effect semiconductor element.例文帳に追加

接合型電界効果半導体素子の入力容量を低減させる。 - 特許庁

The field-effect transistor includes the surface of a diffused layer located at a relatively higher position than the surface of a channel of the field-effect transistor disposed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半導体基板上の電界効果トランジスタのチャネル表面よりも比較的高い位置に拡散層の表面を備える。 - 特許庁

To provide amorphous oxide and a field effect transistor that have superior transistor characteristic of field effect mobility, S value, and the like, and are superior in stability with respect to the environment.例文帳に追加

電界効果移動度やＳ値などのトランジスタ特性に優れ、かつ対環境安定性に優れたアモルファス酸化物及び電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of field-effect transistors which are respectively stacked with a planarization layer interposed therebetween over a substrate having an insulating surface, in which semiconductor layers in the plurality of field-effect transistors are separated from semiconductor substrates.例文帳に追加

また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT EMPLOYING IT例文帳に追加

有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁

ORGANIC FILM, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE ORGANIC FILM例文帳に追加

有機膜、その製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタ - 特許庁

To provide a novel field effect transistor, regarding a field effect transistor of a multigate structure having a channel region containing Ge atoms.例文帳に追加

Ｇｅ原子を含有するチャネル領域を具備するようなマルチゲート構造の電界効果トランジスタに関して、新規な電界効果トランジスタを提案すること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITE AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

有機半導体コンポジットおよびそれを用いた有機電界効果型トランジスタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING MULTIPLE CHANNELS, AND MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING MULTIPLE CHANNELS MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加

多重チャンネルを有するＭＯＳ電界効果トランジスタの製造方法及びそれによって製造された多重チャンネルを有するＭＯＳ電界効果トランジスタ - 特許庁