「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GaAs SUBSTRATE FOR MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

磁気センサ用ＧａＡｓ基板 - 特許庁

TEGa and AsH3 react on a heated GaAs substrate 18, thereby growing thereon a compound semiconductor crystal.例文帳に追加

TEGaおよびAsH_3は、加熱されたGaAs基板１８上で反応して、GaAsの化合物半導体結晶をGaAs基板１８上に成長させる。 - 特許庁

A first AlGaAs or GaAs barrier layer 402 is grown.例文帳に追加

第１のAlGaAsまたはGaAs障壁層４０２が成長させられる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GAAS LAYER例文帳に追加

ＧａＡｓ層の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓウェハの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL AND GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶製造方法及びＧａＡｓ単結晶 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL, AND GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法、及びＧａＡｓ単結晶 - 特許庁

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶 - 特許庁

The GaAs chip 14 includes a p-type GaAs base layer 34 (p-type GaAs layer) and an n-type GaAs emitter layer 36 (n-type GaAs layer) formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は、ｐ型ＧａＡｓベース層３４（ｐ型ＧａＡｓ層）と、その上に形成されたｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６（ｎ型ＧａＡｓ層）を有する。 - 特許庁

THERMAL TREATMENT METHOD OF GaAs CRYSTAL, AND GaAs CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶の熱処理方法およびＧａＡｓ結晶基板 - 特許庁

The active circuit element is a GaAs metal/semiconductor field-effect transistor (MESFET). 例文帳に追加

能動回路素子はGaAs金属半導体電場効果トランジスタ（MESFET）である。 - コンピューター用語辞典

METHOD FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL AND GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶製造方法 - 特許庁

GaAs SINGLE CRYSTAL GROWTH PROCESS例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶成長方法 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶製造方法 - 特許庁

The GaAs substrate is obtained by slicing the GaAs single crystal.例文帳に追加

また、該ＧａＡｓ単結晶をスライスすることによってＧａＡｓ基板を得る。 - 特許庁

The GaAs (111) A substrate 1 is removed by wet etching by ammonia based etchant.例文帳に追加

GaAs（111）Ａ基板1をアンモニア系エッチャントによるウェットエッチングによって除去する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板 - 特許庁

In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加

InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁

A compound semiconductor device 100 is equipped with an N+-GaAs drain layer 12, an N+-GaAs buffer layer 14, an N-GaAs channel layer 16, a P+-InGaP gate layer 28, an N+-InGaP source layer 30, a drain electrode 22, a gate electrode 24, and a source electrode 26.例文帳に追加

本発明において、化合物半導体素子１００が、ｎ^+GaAsドレイン層１２、ｎ^+GaAsバッファ層１４、ｎ^-GaAsチャネル層１６、ｐ^+InGaPゲート層２８、ｎ^+InGaPソース層３０、ドレイン電極２２、ゲート電極２４およびソース電極２６を備える。 - 特許庁

METHOD FOR COATING GaAs WAFER WITH WAX例文帳に追加

ＧａＡｓウエハへのワックス塗布方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR PRODUCING GaAs CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶の製造用原料 - 特許庁

The substrate 2 consists of n-type GaAs.例文帳に追加

基板２は、ｎ型ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

SEMI-INSULATIVE GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウエハ - 特許庁

GaAs SUBSTRATE, MULTILAYER SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, DUMMY GaAs SUBSTRATE, AND GaAs SUBSTRATE FOR REUSE例文帳に追加

ＧａＡｓ基板、積層基板及びそれを用いた電子デバイス、ダミー用途ＧａＡｓ基板、再利用用途のＧａＡｓ基板 - 特許庁

SURFACE TREATING METHOD FOR GaAs SUBSTRATES例文帳に追加

ＧａＡｓ系基板の表面処理方法 - 特許庁

SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

An undoped GaAs layer 2 is formed on a GaAs substrate 1, and at least, a thallium layer functioning as a surfactant is attached as thick as a monatomic layer on the undoped GaAs layer 2.例文帳に追加

GaAs基板１上に形成されたアンドープGaAs２を形成し、アンドープGaAs２上にサーファクタントとして機能するタリウムを少なくとも１原子層分の厚みで付着させる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaAs SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

DIMPLELESS GaAs WAFER STICKING METHOD例文帳に追加

ディンプルレスのＧａＡｓウエハ−貼付方法 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR GaAs WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓウエハの化学機械研磨方法 - 特許庁

To provide an epitaxial growth layer of high-purity GaAs on a GaAs substrate.例文帳に追加

高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。 - 特許庁

The GaAs thin film 37b is thicker than the GaAs region 37a.例文帳に追加

ＧａＡｓ薄膜３７ｂの厚さはＧａＡｓ領域３７ａの厚さよりも大きい。 - 特許庁

An n-GaAs layer 102 and an n^+-GaAs layer 109 are successively grown on a semi-insulating GaAs substrate 101.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓ層１０２、次いでｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９を成長させる。 - 特許庁

An andoped GaAs layer 3, an n+-type GaAs layer 4, and an n-type GaAs layer 5 undergo epitaxial growth in this order via a GaAs buffer layer 2 on a semi-insulating GaAs substrate 1 to form a channel layer.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓバッファー層２を介してアンドープＧａＡｓ層３、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層４およびｎ型ＧａＡｓ層５を順次エピタキシャル成長させてチャネル層を形成する。 - 特許庁

A layer of surface part 105 sealing the pores is formed on a surface of the porous GaAs layer.例文帳に追加

多孔質GaAs層の表面にこの孔が封止された表面部１０５の層を形成する。 - 特許庁

GaAs-BASED SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ＧａＡｓ系半導体電界効果トランジスタ - 特許庁

GaAsSb/GaAs DEVICE WITH IMPROVED TEMPERATURE PROPERTY例文帳に追加

改善された温度特性を有するＧａＡｓＳｂ／ＧａＡｓ素子 - 特許庁

POLISHING METHOD AND DEVICE FOR GaAs WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓウエハの研磨方法と研磨装置 - 特許庁

GALLIUM-ARSENIC SINGLE CRYSTAL AND GaAs WAFER AND PRODUCTION METHOD FOR GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法 - 特許庁

A p-type GaAs layer 12, an n-type GaAs layer 14, a p-type GaAs layer 16, and an n-type GaAs layer 18, are sequentially laminated on a p-type GaAs substrate 10; a cathode electrode 22 is formed on the n-type GaAs layer 18; and a gate electrode 23 is formed on the p-type GaAs layer 16.例文帳に追加

ｐ形ＧａＡｓ基板１０の上に、ｐ形ＧａＡｓ層１２，ｎ形ＧａＡｓ層１４，ｐ形ＧａＡｓ層１６，ｎ形ＧａＡｓ層１８が順次積層され、ｎ形ＧａＡｓ層１８上にカソード電極２２が、ｐ形ＧａＡｓ層１６上にゲート電極２３が形成されている。 - 特許庁

In the GaAs layer formation step, a GaAs layer containing GaAs is formed on the surface of a precursor 11 of the semiconductor laser device.例文帳に追加

ＧａＡｓ層形成工程では、半導体レーザ素子の前駆体１１の表面上に、ＧａＡｓを含むＧａＡｓ層を形成する。 - 特許庁