「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the growing method of compound semiconductor substrate, a carbon-doped semiconductor layer 104 is formed on a GaAs substrate 101 wherein a plane orientation for growing of the semiconductor layer is a little inclined by 1.0° to 2.0° in the direction nearest to the plane (110) from the plane (100) of the GaAs substrate.例文帳に追加

半導体層を成長させる面方位をGaAs基板の(100)面から(110)面に最も近い方向に1.0°から2.0°微傾斜させたGaAs基板１０１上にカーボンドープする半導体層１０４を形成する化合物半導体基板の成長方法である。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法および装置 - 特許庁

The elastic modulus of GaAs is smaller than that of GaN.例文帳に追加

ＧａＡｓの弾性率は、ＧａＮの弾性率よりも小さい。 - 特許庁

An AlOx film 4 patterned on a GaAs substrate 5 is formed.例文帳に追加

ＧaＡs基板５上にパターンニングされたＡlＯx膜４を形成する。 - 特許庁

GaAs-BASE LONG WAVELENGTH LASER INCORPORATING TUNNEL JUNCTION STRUCTURE例文帳に追加

トンネル接合構造を組み込んだＧａＡｓベースの長波長レーザ - 特許庁

After a GaAs substrate 101 is processed from the back side thereof, a grounding conductor 106 is provided on the backside of the GaAs substrate 101a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１を裏面側から加工した後、ＧａＡｓ基板１０１ａの裏面に接地導体１０６を設ける。 - 特許庁

An active layer 6 is formed on an n-type GaAs substrate 1 while a p-type AlGaInP clad layer 8 is formed on the active layer 6.例文帳に追加

Ｎ型GaAs基板１上に、活性層６を形成すると共に、活性層６上に、Ｐ型AlGaInPクラッド層８を形成する。 - 特許庁

To provide a tandem solar cell including a solar cell layer having an InGaP/GaAs/Si 3-junction structure, capable of being efficiently produced at low cost.例文帳に追加

効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si３接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。 - 特許庁

The n-type GaAs substrate 2 is covered with an insulating layer 6, excluding the upper surface of a p-type GaAs contact layer 37.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板２上は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の上面を除いて、絶縁膜６によって覆われている。 - 特許庁

To provide a method for producing a GaAs single crystal capable of suppressing generation of a polycrystal, and provide the GaAs single crystal.例文帳に追加

多結晶の発生を抑制することのできるＧａＡｓ単結晶の製造方法及びＧａＡｓ単結晶を提供する。 - 特許庁

A metal electrode 18 is formed on the n-type GaAs emitter layer 36 along an edge of the GaAs chip 14.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４の外周部においてｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６上に金属電極１８が形成されている。 - 特許庁

There is provided an Er-doped GaAs crystal 3 for light emitting element aligned at the position among the lattices of the GaAs crystal.例文帳に追加

Ｅｒ原子が、ＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位した発光素子用ＥｒドープＧａＡｓ結晶３を提供する。 - 特許庁

An AlGaAs clad layer 52 is formed on a GaAs semiconductor wafer and an i-type GaAs layer 53 is formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体基板上にＡｌＧａＡｓクラッド層５２を形成し、その上にｉ型ＧａＡｓ層５３を形成する。 - 特許庁

The high frequency switch module employs a GaAS switch 11A manufactured by using gallium arsenide (GaAs) being an element needing a comparatively small current consumption.例文帳に追加

消費電流が比較的少ない素子である砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を用いて作製されたＧａＡｓスイッチ１１Ａを使用する。 - 特許庁

Then the GaAs substrate 1 supported by the glass substrate is dipped in an alkali solution to remove the GaAs substrate 1.例文帳に追加

次に、ガラス基板に支持されたＧａＡｓ基板１をアルカリ溶液に浸漬することによって、ＧａＡｓ基板１が除去される。 - 特許庁

To avoid a breakdown between a circuit element and a metal electrode in a semiconductor device, such as MMIC using a semi-insulating GaAs substrate.例文帳に追加

半絶縁性GaAs基板を用いたMMICなどの半導体装置において、回路素子と金属電極の間のブレイクダウンを回避する。 - 特許庁

The main advantage of ``FLC (ferroelectric liquid crystal) on silicon'' over GaAs optical neuro-chips, is its higher contrast and lower cost. 例文帳に追加

「シリコン上FLC(強誘電性液晶)」のGaAs光学ニューロチップに対する主な利点は, コントラストが高いこととコストが低いことである. - コンピューター用語辞典

An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.例文帳に追加

光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁

An n-GaAs active layer 3 is grown on a GaAs substrate 1 via an AlGaAs high-resistance buffer layer 2, and an n-InGaP etching stopping layer 4 and an n+-GaAs cap layer 5 are grown (first step).例文帳に追加

ＧaＡs基板１上にＡlＧaＡs高抵抗バッファ層２を介してｎ-ＧaＡs活性層３を成長させ、更にｎ-ＩnＧaＰエッチング停止層４、ｎ^+-ＧaＡsキャップ層５を成長させる（第１の工程）。 - 特許庁

ELEMENT FABRICATED ON GaAs SUBSTRATE AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

ＧａＡｓからなる基板に備えられた素子およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING InGaP/GaAs-HBT AND EVALUATING METHOD例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ−ＨＢＴの製造方法及び評価方法 - 特許庁

After altering that temperature, a GaAs thin film 37b is grown.例文帳に追加

該温度を変更した後に、ＧａＡｓ薄膜３７ｂを成長する。 - 特許庁

The thickness of each p-type GaAs layer is 10 nm or less.例文帳に追加

各ｐ型ＧａＡｓ層の厚さはそれぞれ１０ｎｍ以下である。 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer for field effect transistors with a semi-insulating GaAs substrate structure in which the back-gate effect of a GaAs FET is suppressed.例文帳に追加

ＧａＡｓＦＥＴのバックゲート効果を抑制した半絶縁性ＧａＡｓ基板構造の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor laser element comprises the steps of forming an AlGaAs semiconductor laser 29 on an N-type GaAs substrate 21; and then forming a non-doped GaAs protective layer 30.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板２１上にＡlＧaＡs系半導体レーザ２９を形成した後、ノンドープＧaＡs保護層３０を形成する。 - 特許庁

To provide a light emitting device usable for a GaAs base laser having a tunnel junction structure of a small voltage drop.例文帳に追加

GaAsを主材料とするレーザで利用することができる電圧降下の小さいトンネル接合構造を有する発光デバイスを提供する。 - 特許庁

The first layer of the p-type GaAs layers contacts the p-type band-discontinuity relaxation layer 10 and the m+1 th layer of the GaAs layers contacts a first electrode 14.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ層は１層目がｐ型バンド不連続緩和層１０に、ｍ＋１層目が第１電極１４に接している。 - 特許庁

An undope AlGaAs layer 2 and an n+-GaAs high-density anode layer 3 are successively laminated on a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧaＡs基板１上に、ノンドープＡlＧaＡs層２およびｎ^+-ＧaＡs高濃度アノード層３をＭＢＥ法で順次積層形成する。 - 特許庁

On the n^+ GaAs layer 3, an n^- GaAs layer 4 having an implanted low concentration n-type impurity is partially formed.例文帳に追加

ｎ＋ＧａＡｓ層３上には、低濃度のｎ型不純物が注入されたｎ−ＧａＡｓ層４が部分的に形成されている。 - 特許庁

Advantageous is the construction such that the optical transmission portion constructed as an LED is inserted in the optical reception hole constructed as a photodiode. As the LED, it is possible to use GaAs LED, or GaAlAs LED of Barus type. 例文帳に追加

発光ダイオードとしてはGaAs発光ダイオード、又はGaAlAs発光ダイオードが必要な場合バラス型として使用可能である。 - 特許庁

It is possible to prevent cracks from occurring in the dielectric body 14 by an Al slide in a temperature rising or falling process since the recessed part is in the GaAs substrate 11.例文帳に追加

GaAs基板１１に凹部があるので、昇温降温を行うプロセスにおけるAlスライドによって誘電体１４にクラックが生じない。 - 特許庁

To provide a semi-insulating GaAs wafer without causing any slip after annealing treatment during the production of a device, and to provide a method for producing the semi-insulating GaAs wafer.例文帳に追加

デバイス製造時アニール処理後にスリップが発生しない半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an open area where the n^- GaAs layer 4 is not formed on the n^+ GaAs layer 3, a cathode electrode 6 is formed.例文帳に追加

ｎ＋ＧａＡｓ層３上でｎ−ＧａＡｓ層４が形成されていない開口領域には、カソード電極６が形成されている。 - 特許庁

The current constriction layer of the lower-part laser 50 is composed of an n-type Al0.7GaAs part 9, an n-type GaAs 10 and a p-type GaAs 11.例文帳に追加

下部レーザ５０の電流狭窄層は、ｎ型Ａｌ_０．７ＧａＡｓ９、ｎ型ＧａＡｓ１０、およびｐ型ＧａＡｓ１１からなる。 - 特許庁

The semiconductor device is a GaAs IC in which input pads 10, output pads 14, GaAs FETs 12, 13 connected in multistage, a wiring 23 interconnecting the GaAs FETs 12, 13, and a wiring 11 for connecting the GaAs FETs 12, 13 with the input pads 10 and the output pads 14 are provided on the surface of a GaAs substrate 18.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、入力パッド１０と、出力パッド１４と、多段接続されたＧａＡｓＦＥＴ１２，１３と、ＧａＡｓＦＥＴ１２，１３相互を接続する配線２３と、ＧａＡｓＦＥＴ１２，１３と入力パッド１０及び出力パッド１４とを接続する配線１１とが、ＧａＡｓ基板１８の表面に設けられたＧａＡｓＩＣである。 - 特許庁

A sub-collector layer 2 of n+-GaAs, a collector layer 3 of n- GaAs, a base layer 4 of p-GaAs, a first emitter layer 5 of n-InGaPs, a first cap layer 7 of n+-GaAs, and a second cap layer 8 of n+-InGaAs are provided on a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ｎ^+ −ＧａＡｓからなるサブコレクタ層２、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層５、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる第２エミッタ層６、ｎ^+ −ＧａＡｓからなる第１キャップ層７、ｎ^+ −ＩｎＧａＡｓからなる第２キャップ層８を設ける。 - 特許庁

To provide a new and improved production process for a GaAs single crystal, which enables reduction in degree of occurrence of twins or polycrystals in a produced GaAs single crystal and production of a high quality GaAs single crystal at a low cost and with good reproducibility by inhibiting nitride from being formed in the synthesis of GaAs polycrystals.例文帳に追加

ＧａＡｓ多結晶を合成する際に窒化物の形成を抑制して双晶や多結晶の発生率を低減し，高品質のＧａＡｓ単結晶を再現性良くかつ低コストで製造することが可能な，新規かつ改良されたＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１と、不純物層１２０と、アンドープＧａＡｓバッファ層２と、アンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３と、アンドープＧａＡｓバッファ層４と、ｎ型ＧａＡｓチャネル層５と、ゲート電極１５と、ソース電極１９と、ドレイン電極１８とを備えている。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 501, an n-type GaAs collector layer 502, a p-type GaAs base layer 503, a p-type GaNAs diffusion-preventing layer 504, an n-type AlGaAs emitter layer 505, and an n-type GaAs contact layer 506 are laminated in order through crystal growth.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層５０２、ｐ型ＧａＡｓベース層５０３、ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５０６が結晶成長によって順に積層されて構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor light emitting device comprises the steps of, laminating GaN based semiconductor layers including light emitting layer on a GaAs (111) A substrate 1, fixing an electrode surface provided on the above-mentioned lamination surface and the conductive substrate with a conductive adhesive, and removing the GaAs (111) A substrate 1.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs（111）Ａ基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs（111）Ａ基板1を除去する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor light-emitting element includes the steps of: growing a laminate of GaN based semiconductor layers including light emitting layer, on a GaAs (111) A substrate 1; fixing an electrode surface provided on a surface of the laminate and the conductive substrate with a conductive adhesive; and removing the GaAs (111) A substrate 1.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs（111）Ａ基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs（111）Ａ基板1を除去する。 - 特許庁

A mesa part formed on a substrate 1 comprises a high resistance layer 2, a channel layer 3 composed of Si-doped GaAs, a high resistance layer 4 composed of undoped GaAs, and a contact layer 5 composed of Si-doped GaAs.例文帳に追加

基板１の上に、高抵抗層２と、ＳｉドープＧａＡｓであるチャネル層３と、アンドープＧａＡｓである高抵抗層４と、ＳｉドープＧａＡｓであるコンタクト層５とからなるメサ部が形成されている。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

InP SINGLE CRYSTAL, GaAs SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、及びそれらの製造方法 - 特許庁