「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

During the growth of the GaAs compound semiconductor crystal, Cl2H2 is given thermal energy on the grown crystal surface and is thermally decomposed.例文帳に追加

GaAsの成長中、CI_2H_2が成長結晶表面で熱エネルギを与えられて熱分解される。 - 特許庁

A second AlGaAs or GaAs barrier layer 402 is then grown to complete the quantum well.例文帳に追加

前記量子井戸を完成するために、第２のAlGaAsまたはGaAs障壁層４０２が成長させられる。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁

An emitter electrode 13 comprising a Ti layer and Au layer on the entire reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 are provided.例文帳に追加

n^+型GaAs基板１裏面全体にはTi層とAu層から成るエミッタ電極１３を有している。 - 特許庁

There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

ｎ^+型AlGaAsエミッタ層５直下部のn^+型GaAs基板１裏面には凹部１４を有している。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaAs CRYSTAL SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

The technology disclosed herein adopts a configuration, wherein a resistor Rbb9 is provided in parallel with a voltage drive bias circuit including a transistor (GaAs-HBT) Trb1.例文帳に追加

GaAs-HBTからなるTrb1を含む電圧駆動バイアス回路と並列に、抵抗Rbb9を設けた構成とする。 - 特許庁

Moreover, since selection of GaAs is possible, the etching automatically stops at the n-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

また、ＧaＡsに対して選択性があるため、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２でエッチングが自動的に停止する。 - 特許庁

In the second heating, the substrate 1 is heated with a GaAs substrate placed on the GaAs film 2.例文帳に追加

第２の加熱工程では、ＧａＡｓ膜２上にＧａＡｓ基板を載せた状態で、基板１を加熱する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - 特許庁

The intermediate layer 4 is also made of intrinsic GaAs.例文帳に追加

この中間層４も真性ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

GaAs SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法 - 特許庁

Fujitsu is reported to have chosen GaAs/GaAlAs high electron mobility transistor (HEMT) technology for its next supercomputer. 例文帳に追加

富士通は次のスーパーコンピュータのために、GaAs/GaAlAs高電子移動度トランジスタ（HEMT）技術を選んだと報告している。 - コンピューター用語辞典

A high-speed GaAs MESFET sequential sampling gate employing a NEC710 as a resistive switch is designed and the step response is tested. 例文帳に追加

NEC710を抵抗スイッチとして使う高速GaAs MESFET順次サンプリングゲートを設計し、ステップ応答を試験した。 - コンピューター用語辞典

To provide a method for manufacturing GaAs wafer which enables the manufacture of a mirror-finished wafer having a small number of micropits from an undoped semi-insulating GaAs crystal.例文帳に追加

アンドープ半絶縁性ＧａＡｓ結晶から微小ピット数の少ない鏡面ウェハを得る。 - 特許庁

90°wedges of MgO and GaAs have frequently been used to assist the quantitative interpretation of lattice images. 例文帳に追加

MgOとGaAsの90°のくさびは、しばしば格子像の定量的な解釈を(補助的に)助けるために使われてきた。 - 科学技術論文動詞集

GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法 - 特許庁

Thereby, p-type layers 2a, made of p-type GaAs formed on the flat portions 1a, 1c existing on the GaAs substrate 1, and an n-type layer 2b made of n-type GaAs is formed on the inclined portion 1b existing on the GaAs substrate 1.例文帳に追加

それにより、ＧａＡｓ基板１上の平坦部１ａ，１ｃ上にｐ型ＧａＡｓからなるｐ型層２ａが形成され、傾斜部１ｂ上にｎ型ＧａＡｓからなるｎ型層２ｂが形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MADE OF GaAs AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＡｓ製の半導体基板及び半導体素子 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶製造方法及び製造装置 - 特許庁

P TYPE GAAS SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ単結晶およびその製造方法 - 特許庁

InP-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE USING GaAs SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ基板を用いたＩｎＰ系半導体装置 - 特許庁

An n-type GaAs layer 2, an n-type AlGaAs layer 3 and a non- doped GaAs layer 4 are formed on a semiinsulative GaAs substrate 1 in the order of these layers 2, 3 and 4.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にｎ型のＧａＡｓ層２、ｎ型のＡｌＧａＡｓ層３、およびノンドープのＧａＡｓ層４がこの順に形成されている。 - 特許庁

A resistance layer 13 consisting of n-type GaAs layer is formed on a SI-GaAs substrate 11 via a high resistance buffer layer 12 consisting of i-type GaAs layer.例文帳に追加

ＳＩ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｉ型ＧａＡｓ層からなる高抵抗バッファ層１２を介して、ｎ型ＧａＡｓ層からなる抵抗層１３が形成されている。 - 特許庁

In the impurity activation step, the temperature of GaAs layer formed in the GaAs layer formation step is raised to activate predetermined impurities in the GaAs layer.例文帳に追加

不純物活性化工程では、ＧａＡｓ層形成工程で形成したＧａＡｓ層の温度を上昇させ、ＧａＡｓ層内に、予め定める不純物を活性化させる。 - 特許庁

In this heterojunction bipolar transistor, a GaAs sub-collector layer 2, GaAs collector layer 3, GaAs base layer 4, AlGaAs transition layer 5, AlGaAs emitter layer 6 and GaAs emitter contact layer 7 are laminated sequentially on a semi-insulating GaAs substrate 1 to respectively form a collector electrode 8, a base electrode 9 and an emitter electrode 10.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓサブコレクタ層２、ＧａＡｓコレクタ層３、ＧａＡｓベース層４、ＡｌＧａＡｓ遷移層５、ＡｌＧａＡｓエミッタ層６、ＧａＡｓエミッタコンタクト層７を順次積層しそれぞれコレクタ電極８ベース電極９エミッタ電極１０を形成する。 - 特許庁

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCED FROM THE Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴットおよびその製造方法、並びに、当該ＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴットから製造されたＳｉドープＧａＡｓ単結晶ウェハ - 特許庁

p-TYPE GaAs SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ単結晶及びその製造方法 - 特許庁

The base substrate is composed of, for instance, a single crystal GaAs.例文帳に追加

ベース基板は、例えば単結晶ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

GaAs POLYCRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING FURNACE例文帳に追加

ＧａＡｓ多結晶及びその製造方法と製造炉 - 特許庁

The capacitor 20 is formed on the GaAs substrate 10.例文帳に追加

キャパシタ２０は、ＧａＡｓ基板１０に形成されている。 - 特許庁

GaAs FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＧａＡｓ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

The GaAs barrier layers are doped with impurities.例文帳に追加

ＧａＡｓ障壁層には不純物がドーピングされている。 - 特許庁

A GaAs chip 14 is sealed by a resin 26.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は樹脂２６で封止されている。 - 特許庁

P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM PHOTODIODE AND P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM AVALANCHE PHOTODIODE例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ基板ＺｎＳｅ系フォトダイオードおよびｐ型ＧａＡｓ基板ＺｎＳｅ系アバランシェフォトダイオード - 特許庁

To enable to form an InP-based semiconductor element which is inherently lattice matched to an InP substrate on a GaAs substrate.例文帳に追加

本来InP基板に格子整合性を有するInP系半導体素子をGaAs基板に形成することができるようにする。 - 特許庁

METHOD OF HEAT-TREATING GaAs WAFER AND HEAT TREATMENT JIG例文帳に追加

ＧａＡｓウェハの熱処理方法及び熱処理治具 - 特許庁

Thus, a temperature error in a GaAs base board 11 when the emitted light from the GaAs base board 11 passes through the transmission window 14 can be determined on the basis of an actual temperature of the standard black body furnace 17 and the temperature of the standard black body furnace 17 measured by the radiation thermometer 15 so that a surface temperature of the GaAs base board 11 can be accurately determined.例文帳に追加

従って、標準黒体炉１７の実際の温度と放射温度計１５で測定した標準黒体炉１７の温度とに基づいて、GaAs基板１１からの放射光が透過窓１４を透過する際のGaAs基板１１の温度誤差を求めることができて、上記GaAs基板１１の表面温度を正確に求めることができる。 - 特許庁

A recessed part 12, which has a depth of about 1 μm to a place where a capacitor is planned to be formed, is formed on a GaAs substrate 11.例文帳に追加

GaAs基板１１上にキャパシタを形成予定の場所に対して、約1μmの深さを持つ凹部１２を形成する。 - 特許庁

The GaAs barrier layers are not doped with impurities.例文帳に追加

ＧａＡｓ障壁層には不純物がドーピングされていない。 - 特許庁

When the GaAs cap layer 13 is grown at a growth temperature of 300 to 500°C through an MBE method, the cap layer 13 substantially having no projection can be formed.例文帳に追加

MBE法を用い、成長温度300℃〜500℃で成長させると、実質的に突起のないGaAs系キャップ層１３が形成できる。 - 特許庁

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法 - 特許庁

InAs dot formed by using strain relaxation on a GaAs layer is buried in a GaAs film 4 to a thickness not more than a thickness of dot thickness.例文帳に追加

ＧaＡs層上に歪み緩和を利用して形成したInＡsドットをＧaＡs膜でドットの厚さ以下の厚さまで埋め込む。 - 特許庁

A GaAs substrate 101 is wet etched to form a slant surface.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１をウエットエッチングし斜面を形成。 - 特許庁