「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, an n-type GaAs layer 1 with the recess part is provided between the ohmic electrodes 2, and the gate fingers 4 and 5 are formed in the recess part.例文帳に追加

また、オーミック電極２間には、リセス部を有するｎ型ＧａＡｓ層１があり、ゲートフィンガー４，５は、このリセス部に形成される。 - 特許庁

After a lower-part DBR mirror is formed on a GaAs substrate in the MOCVD device, the substrate is transported into the MBE device.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置内で、ＧａＡｓ基板上に、下部ＤＢＲミラーを形成した後、その基板をＭＢＥ装置内に搬送する。 - 特許庁

In this semiconductor device, a lower DBR mirror 2 and a quantum well active layer 3 are formed on the upper surface of an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上面に、下部ＤＢＲミラー２および量子井戸活性層３を形成する。 - 特許庁

A p-type GaAlAs clad layer 22 is formed on the GaAs active layer 20, and a stripe part is formed in the center thereof.例文帳に追加

ＧａＡｓ活性層２０上にはｐ形ＧａＡｌＡｓクラッド層２２が形成され、その中央部にはストライプ部が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 1 is provided with a semiconductor layer part 5 placed on a principal face 3a of a GaAs semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ＧａＡｓ半導体基板３の主面３ａ上に設けられている半導体積層部５を備える。 - 特許庁

A rectangular gate electrode 3 is subjected to pattern formation on a GaAs substrate 1 that is a compound semiconductor substrate with a channel layer 2.例文帳に追加

チャネル層２を有する化合物半導体基板であるＧａＡｓ基板１上に矩形状のゲート電極３をパターン形成する。 - 特許庁

PREPARATION OF SAMPLE FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE OF GaAs, GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LAMINATED STRUCTURE ANALYSIS BY USING IT例文帳に追加

ＧａＡｓ、ＧａＮ系化合物半導体の透過電子顕微鏡用試料の作製方法及びそれを用いる積層構造解析法 - 特許庁

GaAs switches (MOS FET transistors) easily taking mutual synchronization of ON/OFF control are employed for the main switching elements 22 to 31.例文帳に追加

主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁

To provide an optical integrated element that uses a GaAs substrate capable of decreasing the dispersion of optical coupling in a butt joint structure.例文帳に追加

バットジョイント構造における光学的結合のばらつきを縮小できＧａＡｓ基板を用いる光集積素子を提供する。 - 特許庁

An aluminum oxide film generated on the surface of an AlGaAs layer at the lower part GaAs in the recess etching process is removed (S106) in an aqueous phosphate.例文帳に追加

リセスエッチングプロセスでＧａＡｓ下部のＡｌＧａＡｓ層表面に生じたアルミの酸化膜はリン酸水で除去する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a cavity 14 formed above a semiconductor substrate 11; a GaAs epitaxial layer 13 formed above the cavity 14; a gate electrode 15 formed on the GaAs epitaxial layer 13; and a pair of a source electrode 16 and a drain electrode 17 that are each formed on the GaAs epitaxial layer 13 so as to sandwich the adjacent gate electrode 15.例文帳に追加

本発明の実施形態は、半導体基板１１上に形成される空洞１４と、空洞１４上に形成されるＧａＡｓエピタキシャル層１３と、ＧａＡｓエピタキシャル層１３上に形成されるゲート電極１５と、それぞれＧａＡｓエピタキシャル層１３上に形成され、隣接するゲート電極１５を挟むように形成される一対のソース電極１６及びドレイン電極１７と、を備える。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device 50 is a ridge waveguide type and comprises an n-GaAs substrate 52 and a multilayered structure, which consists of an n-AlGaAs clad layer 54, InGaAs/GaAs quantum well structure layer 56, a GaInNAs absorption layer 58 formed with diffraction grating, p-AlGaAs clad layer 60, and a GaInNAs absorption layer, which are deposited in this order on the n-GaAs substrate 52.例文帳に追加

本分布帰還型半導体レーザ素子５０は、リッジ導波路型であって、ｎ−ＧａＡｓ基板５２と、ｎ−ＧａＡｓ基板５２上に、順次、成膜された、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造層５６、回折格子５７が形成されているＧａＩｎＮＡｓ吸収層５８、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層６０、及びＧａＡｓキャップ層６２の積層構造とを備えている。 - 特許庁

The surface emitting laser element comprises a GaAs layer 16 having a thickness exhibiting a high reflectivity to an oscillation wavelength and formed on an upper DBR mirror 14, and a recess 42 of a depth exhibiting a low reflectivity to the oscillation wavelength at the GaAs layer 16 directly under a position bridged over the extension line of the boundary between an Al oxide layer 32 and an AlAs layer 31 on the GaAs layer 16.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー１４上に、発振波長に対して高い反射率を示す厚みのＧａＡｓ層１６を形成するとともに、そのＧａＡｓ層１６上であってＡｌ酸化層３２とＡｌＡｓ層３１の境界の延長線上をまたいだ位置に、直下のＧａＡｓ層１６が発振波長に対して低い反射率を示す厚みとなるような深さの窪み４２を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor laser comprises the steps of forming an AlGaAs semiconductor laser 29 on an N-type GaAs substrate 21, then etching the substrate, until an N-type AlGaAs clad layer 23 reaches the substrate from the surface, and then removing the layer 23 via an etchant having a selectivity to a GaAs by etching.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板２１上にＡlＧaＡs系半導体レーザ２９を形成した後、表面からｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３に届くまでエッチングを行ない、次にＧaＡsに対して選択性があるエッチャントによってｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３をエッチング除去する。 - 特許庁

A mask having a zigzaged shape window or a striped window is formed on a GaAs(111) substrate, a GaN buffer layer is formed at a low temperature by HVPE method or MOC method, a GaN epitaxial layer is formed thick at a high temperature by the HVPE method, and the GaAs substrate is removed.例文帳に追加

ＧａＡｓ（１１１）基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、ＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法により低温でＧａＮバッファ層を形成し、ＨＶＰＥ法により高温でＧａＮエピタキシャル層を厚く形成し、ＧａＡｓ基板を除去する。 - 特許庁

To provide ferromagnetic group III-V compounds in which ferromagnetism can be obtained by using the group III-V compounds (GaAs, InAs, GaP, InP) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the ferromagnetic group III-V compounds.例文帳に追加

光を透過するＩＩＩ-Ｖ族系化合物（GaAs, InAs, GaP, InP）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

A lower mirror layer 14 having a p-type AlGaAs system DBR structure, an active layer 24 having a GaAs/AlGaAs system MQW structure, and an upper mirror layer 28 having an n-type AlGaAs system DBR structure are formed on a p-type GaAs substrate 12 to constitute a vertical resonator.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｐ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の下部ミラー層１４、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のＭＱＷ構造の活性層２４、及びｎ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の上部ミラー層２８等が積層され、垂直共振器を構成している。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2 is provided on an n-GaAs substrate 1 provided with a bottom face electrode 8, a light emitting part consisting of an n-clad layer 3, an active layer 4 and a p-clad layer 5 is formed on the buffer layer 2, and a p-contact layer 6 is formed on the p-clad layer 5.例文帳に追加

底面電極８が設けられたｎ−ＧａＡｓ基板１上には、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２が設けられ、このバッファ層２には、ｎクラッド層３、活性層４、ｐクラッド層５よりなる発光部が形成され、ｐクラッド層５上にｐコンタクト層６が形成される。 - 特許庁

The GaAs crystal substrate has the dispersion of the specific resistance of less than 10% within the plane parallel to the main crystal surface obtained by slicing a GaAs crystal having the specific resistance of 1×10^8 to 8×10^8 Ω cm and a carbon concentration of 5×10^15 to 1×10^16 cm^-3.例文帳に追加

本ＧａＡｓ結晶基板は、比抵抗が１×１０^8Ω・ｃｍ〜８×１０^8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０^15ｃｍ^-3〜１×１０^16ｃｍ^-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満である。 - 特許庁

The nonvolatile optical memory 10 includes a GaAs substrate 1, a distribution Bragg reflection layer 2 formed on the GaAs substrate 1 by alternately laminating semiconductor films differing in refractive index, and a semiconductor active layer 3 with a quantum well structure on the distribution Bragg reflection layer 2.例文帳に追加

不揮発性光メモリ１０は、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層２と、分布ブラッグ反射層２上に、量子井戸構造を有する半導体活性層３とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a recess 2a on the surface of the GaAs active layer 2, then forming an organic film 10a made of, for example, a dioctyl phthalate on the entire surface, and coating on the exposed surface of the GaAs active layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、ＧａＡｓ活性層２の表面にリセス部２ａを形成した後、表面全面にたとえばジオクチルフタレートよりなる有機皮膜１０ａを形成してＧａＡｓ活性層２の露出面を被覆することを特徴とする。 - 特許庁

This field-effect transistor is provided with a compound semiconductor multilayered thin film having a GaAs substrate 1 and a GaInP channel layer 3, and an AlInP buffer layer 2a or an AlGaInP buffer layer is provided between the GaAs substrate 1 and GaInP channel layer 3.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＩｎＰチャンネル層３とを有する化合物半導体多層薄膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、前記ＧａＡｓ基板１と、前記ＧａＩｎＰチャンネル層３との間に、ＡｌＩｎＰバッファー層２ａ、又はＡｌＧａＩｎＰバッファー層を設ける。 - 特許庁

The probe 22 of an AFM is brought into contact with the surface of a GaAs substrate or an AlGaAs substrate 10a, negative bias is applied to the probe 22, positive bias is applied to the GaAs substrate or the AlGaAs substrate 10a, and a doughnut-shaped oxide film 13 is formed.例文帳に追加

ＡＦＭの探針２２をＧａＡｓ基板又はＡｌＧａＡｓ基板１０ａの表面に接触させ、探針２２に負のバイアスを印加し、ＧａＡｓ基板又はＡｌＧａＡｓ基板１０ａに正のバイアスを印加することにより、ドーナツ状の酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

Moreover, after an AlGaAs layer 11, of which an Al composition ratio is from 0.3 to 0.6, is grown as a clad layer within a growth temperature range from 670°C to 685°C, GaAs is supplied and a plurality of GaAs quantum wires 13 of shape like a crescent moon in cross section is formed as an array in the V groove.例文帳に追加

その上に成長温度６７０℃から６８５℃の範囲内で、Ａｌ組成比が０．３から０．６のＡｌＧａＡｓ層１１をクラッド層として成長させてからＧａＡｓを供給し、Ｖ溝内に断面が三ケ月形状のＧａＡｓ量子細線１３を複数本、アレイ状に形成する。 - 特許庁

Carbon molecules are always taken in GaAS (melt) 8 from carbon (solid) 9, and the carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal increases by growing the the semi-insulative gallium arsenide single crystal by adding carbon(solid) 9 to GaAS (solid) 8 being a raw material.例文帳に追加

原料としてのＧａＡｓ（固体）８に炭素（固体）９を添加して半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、炭素９から常に炭素分子がＧａＡｓ（融液）８中に取り込まれて半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度が増加する。 - 特許庁

Following to the epitaxial growth of an n^+-GaAs layer 8 of GaAs single crystal 10, an Si layer 11 is grown epitaxially in the same epitaxial growth furnace and then an aluminum electrode 12 is formed, as an ohmic electrode, on the Si layer 11.例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶１０のｎ^＋ −ＧａＡｓ層８をエピタキシャル成長により成膜した後、引き続きＳｉ層１１を同一のエピタキシャル成長炉内においてエピタキシャル成長させ、しかる後アルミニウムの電極１２をオーミック電極としてＳｉ層１１上に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor integrated circuit device which can easily reduce variations in the gate bias voltage of a GaAs field-effect transistor among a plurality of semiconductor devices or variations among a plurality of GaAs field-effect transistors of the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

ＧａＡｓ電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧について、複数の半導体装置間でのバラツキを、または半導体集積回路装置の複数のＧａＡｓ電界効果トランジスタ間でのバラツキを、容易に低減できる半導体装置および半導体集積回路装置を提案する。 - 特許庁

Liquid gallium metal particulates are manufactured by supplying only gallium not onto a conventional GaAs(100) substrate, but onto a GaAs(311)A substrate, and droplets thereof are irradiated with an arsenic molecular beam to be crystallized into gallium arsenide, thereby manufacturing quantum dots with small size fluctuations.例文帳に追加

従来のＧａＡｓ（１００）基板でなく、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属微粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the HBT provided with a GaAs base layer 6 and an emitter layer 5 consisting of InGa or AlGaAs, a super lattice spacer layer 11 consisting of AlGaAs/GaAs is inserted between the base layer 6 and the emitter layer 5 to improve a current amplification factor β.例文帳に追加

ＧａＡｓベース層６とＩｎＧａＰ又はＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層５を備えたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層６とエミッタ層５との間に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓより成るスーパーラティススペーサー層１１を挿入し、電流増幅率βを向上させる。 - 特許庁

Oxygen-doped AlGaAs having a band gap wider than that of GaAs is used in whole or part of a collector layer 16, or one or both of first and second collector layers 16b and 16a are made of an AalGaAs layer having a band gap wider than that of GaAs and doped with oxygen.例文帳に追加

コレクタ層１６の全体もしくは一部に、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープＡｌＧａＡｓを使用し、又は、第一コレクタ層１６ｂと第二コレクタ層１６ａの一方又は双方を、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープしたＡｌＧａＡｓ層で構成する。 - 特許庁

A second photoresist pattern 110 is formed, and a part of the n^+-GaAs layer 109 and the n-GaAs layer 102 are subjected to wet etching to form a gate recess 111, and furthermore, a second compound semiconductor layer 103 and a third compound semiconductor layer 104 are formed.例文帳に追加

次に、第２のフォトレジストパターン１１０を形成し、ｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９およびｎ−ＧａＡｓ層１０２の一部をウェットエッチングしてゲートリセス１１１を形成し、さらに第２の化合物半導体層１０３および第３の化合物半導体層１０４を形成する。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1 for generating light having a predetermined wavelength such as an infrared light is composed by forming an AlGaAs/GaAs active layer 11 on a GaAs substrate 10 having a cascade structure with a quantum well light emitting layer and an injection layer alternately laminated and by using an intersubband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上に、量子井戸発光層及び注入層が交互に積層されたカスケード構造を有するＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ活性層１１を形成して、量子井戸構造でのサブバンド間遷移を利用して赤外光などの所定波長の光を生成する量子カスケードレーザ１を構成する。 - 特許庁

A first optical guide layer 13 of Al0.3Ga0.7As, a quantum well active layer 14 of GaAs, a second optical guide layer 15 of AlGaAs, and a second clad layer 16 p-type Al0.5Ga0.5As, are sequentially formed on a substrate 11 of n-type GaAs.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１上には、Ａｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓからなる第１光ガイド層１３と、ＧａＡｓからなる量子井戸活性層１４と、ＡｌＧａＡｓからなる第２光ガイド層１５と、ｐ型Ａｌ_0.5 Ｇａ_0.5 Ａｓからなる第２クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask.例文帳に追加

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。 - 特許庁

A plurality of V grooves expanded in [01-1] directions on a (100) GaAs substrate 10 are etched so that each side becomes (111) A face with a sub-micron order pitch on the surface of the GaAs substrate 10 and an angle of V groove becomes 80 degrees or less after a removal processing of a surface oxide film.例文帳に追加

（１００）ＧａＡｓ基板１０上の［０１−１］方向に伸びるＶ溝をＧａＡｓ基板１０の表面に複数個、サブミクロンオーダのピッチで各々の側面が（１１１）Ａ面となるようにエッチングし、表面酸化膜の除去処理をした後もＶ溝の角度が８０度以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a method for growing a III-V compound semiconductor capable of improving the crystal quality of GaAs, when growing the III-V compound semiconductor containing gallium and indium as a group III element and containing arsenic and nitrogen as group V elements, and GaAs.例文帳に追加

III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共にＶ族元素としてヒ素及び窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体およびＧａＡｓを成長する際に、ＧａＡｓの結晶品質を向上可能なIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。 - 特許庁

On the surface of an n-GaAs substrate 2, a clad layer 3, an MQW active layer 4, a first clad layer 5, an etching stop layer 6, a block layer 7, a second clad layer 8, a buffer layer 9, and a p-electrode 11 are formed, and an n-electrode 1 is formed on the back of the n-GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。 - 特許庁

To provide a compact and low-cost high-frequency power amplifier including GaAs heterobipolar transistors (HBTs) but having a low level of noise in the reception band.例文帳に追加

受信帯域ノイズレベルが低く、小型で低コストなＧａＡｓヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を用いた高周波電力増幅器を提供する。 - 特許庁

As material of the compound, GaAs or one selected from the group comprising CdTe, InAs and GaSb is adopted.例文帳に追加

化合物の材料としては、ＧａＡｓとするか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つとする。 - 特許庁

The semi-insulating GaAs single crystal substrate contains carbon in an concentration of ≥2×1015/ cm3, boron in an concentration of ≤1×1016/cm3 and EL2 in an concentration of ≥2×1016/ cm3.例文帳に追加

炭素濃度を２×１０^15ｃｍ^-3以上、硼素濃度を１×１０^16ｃｍ^-3以下、ＥＬ２濃度を２×１０^16ｃｍ^-3以上とする。 - 特許庁

Thus, the chip size can be further reduced, and a lower cost GaAs FET than that of a silicon semiconductor of an ultra-high frequency can be realized.例文帳に追加

これによりチップサイズを更に低減でき、超高周波のシリコン半導体のＦＥＴよりも安価なＧａＡｓＦＥＴを実現できる。 - 特許庁