「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor area 9 has a first portion 9a provided on the first area 3a of the GaAs substrate 3, and a second portion 9b provided on the second area 3b of the GaAs substrate 3.例文帳に追加

半導体領域９は、ＧａＡｓ基板３の第１の領域３ａ上に設けられた第１の部分９ａと、ＧａＡｓ基板３の第２の領域３ｂ上に設けられた第２の部分９ｂとを有する。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a semi-insulating GaAs single crystal, capable of obtaining a high-purity semi-insulating GaAs single crystal having slight contamination of heavy metal without using an expensive specific quartz ampule.例文帳に追加

高価で特殊な石英アンプルを用いること無く、重金属汚染の少ない高純度な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を得ることが可能な、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

Material gas containing Al, Ga, As is supplied to an n-GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus forming a light reflection layer 21 on the n-GaAs substrate 11.例文帳に追加

有機金属気相成長装置を用いて、ＡｌとＧａとＡｓとを含む材料ガスをｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、光反射層２１をｎ−ＧａＡｓ基板１１上に形成する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method of III-V compound semicon ductor, which makes vapor phase growth method of a semiconductor crystal layer closer to the lattice constant of an InP substrate more than that for one with GaAs substrate on the GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ基板の格子定数よりもＩｎＰ基板の格子定数に近い半導体結晶層を気相成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長法をを提供する。 - 特許庁

Since the refractive index n(Al_2O_3) of Al_2O_3 is 1.67 and the refractive index n(GaAs) of GaAs is 3.51 for a light having a wavelength of 1.3 μm, the difference in the refractive index Δn is 1.85.例文帳に追加

１．３μｍの波長を有する光に対するＡｌ_２Ｏ_３の屈折率ｎ（Ａｌ_２Ｏ_３）は１．６７であり、ＧａＡｓの屈折率ｎ（ＧａＡｓ）は３．５１であるので、これらの屈折率差Δｎは１．８５である。 - 特許庁

The ITO electrode layers 8 and 10 are made in such form as to form cover both main surfaces 17 and 18, severally, of the luminous layer part 24 all over, together with the p-type GaAs layer 7 and the n-type GaAs layer 9.例文帳に追加

ＩＴＯ電極層８，１０は、ｐ型ＧａＡｓ層７及びｎ型ＧａＡｓ層９とともに、発光層部２４の両主表面１７，１８のそれぞれ全面を覆う形にて形成されている。 - 特許庁

In a p-GaAs cap layer 38, a width W3 of its upper surface is made smaller than a width W2 of its lower surface in sectional shape.例文帳に追加

ｐ‐ＧaＡsキャップ層３８を、上面の幅Ｗ3が下面の幅Ｗ2よりも狭い断面形状にする。 - 特許庁

In the process (2), a periodical structure where the GaAs and AlGaAs layers are alternately laminated is formed on an Si substrate.例文帳に追加

（２）Ｓｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。 - 特許庁

To obtain a high-quality GaAs crystal thin film by the use of a low-cost Si substrate having excellent heat dissipation characteristics.例文帳に追加

安価な、また、放熱特性に優れたＳｉ基板を用いて、良質なＧａＡｓ系の結晶薄膜を得る。 - 特許庁

A metamorphic buffer layer 12 of the metamorphic device is provided between a substrate 11 (a GaAs substrate) and a transistor operation part 20.例文帳に追加

メタモルフィックバッファ層１２が基板１１（ＧａＡｓ基板）とトランジスタ動作部２０との間に設けられている。 - 特許庁

First and second double-hetero structures are formed on an n-type GaAs substrate 1 by a crystal growth process.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上には結晶成長工程で第１，第２のダブルへテロ構造が形成されている。 - 特許庁

To provide the structure of a functional GaAs based semiconductor element which can be fabricated with a high productivity.例文帳に追加

高い生産性で製造できるＧａＡｓ材料系における機能的な半導体素子の構成を提供する。 - 特許庁

As a result, an annular trench 27 is formed on the surface of the GaAs substrate or the AlGaAs substrate 10a.例文帳に追加

この結果、ＧａＡｓ基板又はＡｌＧａＡｓ基板１０ａの表面にリング状の溝２７が形成される。 - 特許庁

On the crystal growth, the GaAs crystal having excessive As composition ratio of 0.50005 or more is allowed to grow.例文帳に追加

結晶成長時、０．５０００５以上の過剰なＡｓ組成比を持つＧａＡｓ結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a power amplifier with a bias changeover switch employing a GaAs FET used at a microwave band.例文帳に追加

マイクロ波帯で使用するＧａＡｓＦＥＴを用いたバイアス切替スイッチ付き電力増幅装置を提供する。 - 特許庁

Respective layers, which will be top cells T, are formed onto the surface of a GaAs substrate 1 by the epitaxial growth method.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。 - 特許庁

The Pd catalyst and the GaAs substrate react and a mix layer 40 of Pd-Ga-As is formed.例文帳に追加

このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。 - 特許庁

The band gap energy (Eg3) of the active layer 16 is smaller than the band gap energy (Eg1) of the GaAs board 12.例文帳に追加

活性層１６のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ３）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも小さい。 - 特許庁

Further, the GaAs crystal may have a carbon concentration of 5×10^15 to 1×10^16 cm^-3.例文帳に追加

また、上記ＧａＡｓ結晶は、５×１０^15ｃｍ^-3〜１×１０^16ｃｍ^-3の炭素濃度を有することができる。 - 特許庁

A second clad layer 7 is provided on the first and second areas 3a, 3b of the GaAs substrate 3.例文帳に追加

第２のクラッド層７は、ＧａＡｓ基板３の第１および第２の領域３ａ、３ｂ上に設けられている。 - 特許庁

A first clad layer 5 is provided on the first area 3a and the second area 3b of the GaAs substrate 3.例文帳に追加

第１のクラッド層５は、ＧａＡｓ基板３の第１および第２の領域３ａ、３ｂ上に設けられている。 - 特許庁

Layers which will be a top cell T are formed on a surface of a GaAs substrate 1 by the epitaxy growing method.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。 - 特許庁

To provide an Er-doped GaAs crystal for light emitting element and a method of manufacturing the same crystal structure.例文帳に追加

発光強度の強い、発光素子用ＥｒドープＧａＡｓ結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To compensate fluctuation when producing a differential amplifier composed of GaAs depletion field-effect transistors(FET).例文帳に追加

ＧａＡｓ系デプレッション電界効果トランジスタで構成される差動増幅器の製造時の上記変動を補償する。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively producing a BN crucible, which is used for growing a GaAs single crystal or the like.例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶等の成長に使用されるＢＮるつぼを低コストで製造する方法の提供。 - 特許庁

To prevent the occurrence of non-light-emitting recombination in an interface of a GaAs layer in which a diffraction grating is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。 - 特許庁

Improved is a switch circuit using the GaAs-FET switch having the low-speed tail part effect.例文帳に追加

低速尾部効果を有するＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路に改良を加えたものである。 - 特許庁

To provide a semi-insulating GaAs single crystal substrate having both of high specific resistance and high activation rate.例文帳に追加

高い比抵抗と高い活性化率とを兼ね備えた、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

A p-electrode 63 is formed on the entire surface and an n-electrode 64 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 51.例文帳に追加

そして、全面にｐ電極６３を形成し、ＧaＡs基板５１の裏面にｎ電極６４を形成する。 - 特許庁

TEGa(triethyl gallium) is used as raw material of Ga for the growth of the 1st emitter cap layer made of GaAs.例文帳に追加

ＧａＡｓの第１エミッタキャップ層成長のためのＧａの原料としてＴＥＧａ（トリエチルカリウム）を用いる。 - 特許庁

The guide layers 3c and 3d are approximately lattice-matched with the GaAs substrate and are thicker than adjacent barrier layers.例文帳に追加

ガイド層３ｃ，３ｄはＧａＡｓ基板に対して略格子整合し、隣接する障壁層の厚さよりも厚い。 - 特許庁

A current block area 21 is provided on the GaAs substrate 13, and a semiconductor mesa 23 is embedded.例文帳に追加

電流ブロック領域２１は、ＧａＡｓ基板１３上に設けられており、また半導体メサ２３を埋め込む。 - 特許庁

To provide a device of high performance in a GaAs-based bipolar transistor, semiconductor light-emitting device, and semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＡｓ系のバイポーラトランジスタ、半導体発光素子、半導体素子において、高性能な素子を提供する。 - 特許庁

In this epitaxial wafer for semiconductor device, a superlattice structure layer 12, in which un-GaAs layers 10 and un-AlGaAs layers 11 are grown alternately plural number of times between a semi-insulating GaAs substrate 1 and a subcollector layer 2 acts as a buffer layer, so that when defects exist in the semi-insulating GaAs substrate 1, the wafer is not affected by the defects.例文帳に追加

半導体デバイス用エピタキシャルウェハは、半絶縁ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間にｕｎ−ＧａＡｓ層１０とｕｎ−ＡｌＧａＡｓ層１１とを複数回交互に成長させた超格子構造層１２がバッファ層として機能するので、半絶縁ＧａＡｓ基板１に欠陥があっても影響を受けることがない。 - 特許庁

After a GaP nanowire 13 is formed on an Si (111) substrate 11, a GaAs nanowire 14 is formed on the GaP nanowire 13 and after the GaAs nanowire 14 is removed from the upper part of the GaP nanowire 13 together with Au particulates 12, a GaAs capping layer 15 and a GaP capping layer 16 are epitaxial-grown on the (111) substrate 11.例文帳に追加

ＧａＰナノワイヤ１３をＳｉ（１１１）基板１１上に形成した後、ＧａＡｓナノワイヤ１４をＧａＰナノワイヤ１３上に形成し、ＧａＡｓナノワイヤ１４をＡｕ微粒子１２とともにＧａＰナノワイヤ１３上から除去してから、ＧａＡｓキャッピング層１５およびＧａＰキャッピング層１６を（１１１）基板１１上にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加

共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

An HBT(heterojunction bipolar transistor) 20 is equipped with a heterojunction of semiconductor stack structure consisting of an n+-GaAs sub collector layer 2, an n-GaAs collector layer 3, a tilting type GaAs1-XNX base layer 4, and an n-InGaP emitter layer 5, epitaxially grown in order by epitaxial growth layer on an semiinsulating GaAs substrate 1 whose main face is (i00) face.例文帳に追加

ＨＢＴ２０は、（１００）面を主面とする半絶縁性Ｇa Ａs 基板１上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ^+−ＧａＡｓサブコレクタ層２、ｎ^- −ＧａＡｓコレクタ層３、傾斜型ＧａＡｓ_1-___X Ｎ_X ベース層４、及びｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層５からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a GaAs layer 2 made of a material easier to etch than an n-type GaN layer 6 on a Si substrate 1, a step of forming the n-type GaN layer 6 on the GaAs layer 2, and a step of etching the GaAs layer 2 to remove it, thereby separating the n-type GaN layer 6 from the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ｎ型ＧａＮ層６に比べてエッチングされやすい材料からなるＧａＡｓ層２を形成する工程と、ＧａＡｓ層２上にｎ型ＧａＮ層６を形成する工程と、その後、ＧａＡｓ層２をエッチングにより除去することによって、Ｓｉ基板１とｎ型ＧａＮ層６とを分離する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal substrate, by which the generation of a columnar residual material in a via hole can be suppressed in a process for forming the via hole in a semiconductor substrate by dry etching; and to provide the GaAs single crystal substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing floating capacitance and capable of achieving high speed and low power consumption by forming an element on a GaAs layer formed above a cavity in a GaAs device, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＧａＡｓデバイスにおいて、空洞上に浮遊するＧａＡｓ層に素子形成を行うことにより、浮遊容量を抑え、高速化・低電力化を図ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An arsenic coating layer 12 is formed by decomposing GaAs powder or the GaAs crystal to put As on an Si substrate 11, while the N-type Si substrate 11 of a low resistance is placed in the high temperature reduction atmosphere.例文帳に追加

低抵抗のＮ型のＳｉ基板１１が高温還元雰囲気中に置かれた状態で、ＧａＡｓ粉末あるいはＧａＡｓ結晶を分解してＳｉ基板１１上に砒素を付着させ、砒素被覆層１２を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor laser wherein a plurality of films are grown on a P-GaAs substrate 1 having a ridge 1a, the ridge 1a is formed between a pair of rectilinear trenches 1b formed on the P-GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明は、リッジ１ａを備えるｐ−ＧａＡｓ基板１上に複数の膜を成長して成る半導体レーザにおいて、このリッジ１ａを、ｐ−ＧａＡｓ基板１に形成された一対の線状溝１ｂの間に構成する。 - 特許庁

On flat portions 1a, 1c and an inclined portion 1b of a GaAs substrate 1, which comprise respectively (311) A planes and a (100) A plane, GaAs layers, doped with Si of an amphoteric impurity, are formed respectively by epitaxial growths.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の（３１１）Ａ面からなる平坦部１ａ，１ｃ上および（１００）Ａ面からなる傾斜部１ｂ上にエピタキシャル成長により両性不純物であるＳｉがドープされたＧａＡｓ層が形成される。 - 特許庁

The crucible side wall is heated by the under-crucible heater 10 via the crucible bottom wall to form a large natural convection S of a GaAs melt 6 that rises near the crucible wall and flows toward a growing GaAs single crystal 3.例文帳に追加

このルツボ下ヒータ１０によりルツボ底壁を介してルツボ側壁を加熱して、ルツボ壁の近傍から上昇して育成中のＧａＡｓ単結晶３に向かう大きなＧａＡｓ融液６の自然対流Ｓを形成する。 - 特許庁