「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the n-type GaAs layer 1 between the gate fingers 4 and 5 is provided continuously from the input end to the terminating end of a gate electrode.例文帳に追加

そして、ゲートフィンガー４，５間にあるｎ型ＧａＡｓ層１は、ゲート電極の入力端から終端まで連続して設けられている。 - 特許庁

Dielectrics 15a-15d for impedance matching are provided on the GaAs substrate 18 directly under the wiring 11, 23.例文帳に追加

そして、その特徴は、配線１１，２３直下のＧａＡｓ基板１８に、インピーダンス整合用の誘電体１５ａ〜１５ｄが設けられたことである。 - 特許庁

An optical transparent layer 30 comprising GaAs is extended between the active layers to optically connect the two active layers.例文帳に追加

これらの活性層の間には、ＧａＡｓからなる光透過層３０が延在しており、この二つの活性層を光学的に接続している。 - 特許庁

A GaAs sample 14 is stuck to the upper surface of the intermediate layer 16 through an adhesive layer 18 composed of indium having good thermal conductivity.例文帳に追加

中間層１６の上に、熱伝導が良好なインジウムからなる接着層１８を介して、ＧａＡｓ試料１４が接着されている。 - 特許庁

Meanwhile, the surface light emitting laser part 4 forms a metallic bump 3 on an n type GaAs substrate 2 by being accurately positioned by photolithography.例文帳に追加

一方、面発光レーザ部４は、フォトリソグラフィによって高精度に位置決めして、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に金属バンプ３を形成する。 - 特許庁

GaAs is used for a base layer 7 and InGaP with an In mixed crystal ratio of 0.49 or more and 0.56 or less for an emitter layer 6 to construct a heterojunction.例文帳に追加

ベース層７にＧａＡｓ、エミッタ層６にＩｎ混晶比が０．４９以上０．５６以下のＩｎＧａＰを使用し、ヘテロ接合を構成する。 - 特許庁

As a result, a leak current between the GaAs substrate 1 and a buffer layer 2 is reduced and the deterioration of characteristics of the semiconductor device is prevented.例文帳に追加

この結果、ＧａＡｓ基板１とバッファ層２との間におけるリーク電流が低減され、半導体デバイスの特性の劣化が防止される。 - 特許庁

A first photo-resist 102 is applied on a GaAs substrate 101, and a photo-resist opening part 103 is formed, and a via hole 104 is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に第１のホトレジスト１０２を塗布し、ホトレジスト開口部１０３を形成して、バイアホール１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a frequency converting element which is adaptable to not only Si MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) but also a GaAs MMIC by using a magnetoresistive element.例文帳に追加

磁気抵抗素子を用いることでＳｉ系ＭＭＩＣにもＧａＡｓ系ＭＭＩＣにも対応可能な周波数変換素子を提供する。 - 特許庁

AlGaAs barrier layers and GaAs well layers are laminated alternately into the second multi-quantum well structure 14.例文帳に追加

第２の多重量子井戸構造１４は、ＡｌＧａＡｓ障壁層とＧａＡｓ井戸層が交互に積層されて多重量子井戸を形成している。 - 特許庁

AlGaAs barrier layers and GaAs well layers are laminated alternately into the first multi-quantum well structure 12.例文帳に追加

第１の多重量子井戸構造１２は、ＡｌＧａＡｓ障壁層とＧａＡｓ井戸層が交互に積層されて多重量子井戸を形成している。 - 特許庁

The GaAs crystal is subjected to temperature rising (annealing) to 1,100°C in a crystalline state or a wafer state and, thereafter, is cooled at a rapid cooling speed of 50°C/h or more.例文帳に追加

結晶状態で又はウェハ状態で１，１００℃に昇温（アニール）してから、５０℃／ｈ以上の速い冷却速度で冷却する。 - 特許庁

To provide a semi-insulating GaAs wafer capable of reducing the rate of occurrence of defectives after treatment and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

処理後のウエハの不良品発生率を低減することが可能な半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To avoid an unstable operation due to a gate current of a switch IC employing a GaAs FET.例文帳に追加

ＧａＡｓ ＦＥＴを用いるスイッチＩＣのゲート電流による動作不安定を回避する小型のバイアス回路内蔵型スイッチＩＣを提供する。 - 特許庁

Using an etching liq. contg. sulfuric acid or phosphoric acid as a main component, a square recess is formed into a surface orientation (100) GaAs substrate 20.例文帳に追加

基板面方位（１００）ＧａＡｓ基板２０上に硫酸あるいはリン酸を主成分としたエッチング液で正方形状の凹部を形成する。 - 特許庁

The Al_xGa_(1-x)As substrate 10a may additionally comprise a GaAs substrate 13 which is arranged adjacent to the rear surface 11b of the Al_xGa_(1-x)As layer 11.例文帳に追加

またＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の裏面１１ｂに接するＧａＡｓ基板１３をさらに備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having improved characteristics by reducing the number of atoms diffused from a GaAs substrate to an active layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板から活性層へ拡散する原子の数を低減することによって、優れた特性を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A GaAs emitter layer 6, an emitter cap layer 7 and an emitter electrode film 8 are formed on the AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

また、ＡｌＧａＡｓエミッタ層５の上には、ＧａＡｓエミッタ層６、エミッタキャップ層７及びエミッタ電極膜８が選択的に形成されている。 - 特許庁

Each firm has established internal rules for audit working papers by way of audit manuals and prepares and preserves them in accordance with cabinet office orders, and the GAAS, etc . 例文帳に追加

各法人ともに、内閣府令、監査基準等を踏まえ監査調書について監査マニュアルで規定し、監査調書を作成、保存している。 - 金融庁

A semi-insulation (non-doped) layer 102b of GaAs is formed on a silicon base 102a for giving a buffer layer, thus eliminating the possibility of latch-up.例文帳に追加

ＧａＡｓの半絶縁性（未ドープ）層１０２ｂをシリコンベース１０２ａ上に形成してバッファ層を与え、ラッチアップの可能性を取除く。 - 特許庁

An intrinsic GaAs wave-guiding layer 9 on a p-type AlGaAs clad layer 2 and the quantum dot active layer 3 is formed thereon.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２上に真性ＧａＡｓ導波層９が形成され、その上に量子ドット活性層３が形成されている。 - 特許庁

To set an energy discrete value of a junction interface over a relatively wide range in an In_xAl_yGa_1-x-yP/GaAs heterojunction.例文帳に追加

Ｉｎ_x Ａｌ_y Ｇａ_1-x-y Ｐ／ＧａＡｓヘテロ接合において比較的広範囲に接合界面のエネルギー不連続値を設定できるようにすること。 - 特許庁

An active layer 14 is composed of a GaAs system group III-V compound semiconductor containing nitrogen (N) such as GaInNAs mix crystal or the like.例文帳に追加

活性層１４は、ＧａＩｎＮＡｓ混晶など、窒素（Ｎ）を含むＧａＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。 - 特許庁

A semiconductor laminate 2 includes An InAlP/InGaAlP multilayered film 102 which is a yellow light-emitting layer grown/formed on the GaAs substrate 101.例文帳に追加

半導体積層体２は、ＧａＡｓ基板１０１に成長形成された黄色発光層であるＩｎＡｌＰ／ＩｎＧａＡｌＰ多層膜１０２とコンタクト層１０３を含む。 - 特許庁

By realizing the structure by using the compound semiconductor of GaAs/AlGaAg system or the like, integration with another optical element is facilitated.例文帳に追加

この構造をＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系など化合物半導体を用いて実現することにより、他の光学素子との集積化が容易となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for forming a high-performance power GaAS MESFET with an improved yield while highly maintaining a gate/drain breakdown voltage.例文帳に追加

ゲート・ドレイン耐圧を高く維持しつつ、高性能なパワーＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを歩留まり良く形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

A light-emitting portion has a lower clad layer 12 grown in order on a n-type GaAs substrate, an active layer 13, and an upper clad layer 15.例文帳に追加

発光部は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次成長された下部クラッド層１２、活性層１３及び上部クラッド層１５を有している。 - 特許庁

After growing a GaAs region 37a, temperature is altered to a range of 450-490°C without supplying a film deposition material.例文帳に追加

この後に、ＧａＡｓ領域３７ａを成長した後に、成膜原料を供給することなく摂氏４５０度以上４９０度以下の範囲の温度に変更する。 - 特許庁

On the surface of a GaAs substrate 102, a recess 100 in which a source via hole region 106 is formed and an FET region 108 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０２表面には，ソースバイアホール領域１０６が内部に形成されたリセス１００とＦＥＴ領域１０８とが形成される。 - 特許庁

In addition, the p-type GaAs layer 210 is electrically connected with the n-type lower DBR mirror layer 103 of the VCSEL by an electrode layer 230.例文帳に追加

また、ｐ型のＧａＡｓ層２１０とＶＣＳＥＬのｎ型の下部ＤＢＲミラー層１０３とが電極層２３０によって電気的に接続される。 - 特許庁

By this setup, the p-AlGaAs window layer 6a, the p-GaAs layer 5a, and the n-AlInP lower clad layer 4a can be protected against abnormal side etching.例文帳に追加

これにより、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａ、ｐ‐ＧａＡｓ層５ａおよびｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層４ａにおいて、異常なサイドエッチの発生が阻止される。 - 特許庁

The method can nondestructively evaluate GaAs of 5×10^16/cm^3-3×10^19/cm^3 with a precision equivalent to that of Hall measurement.例文帳に追加

ＧａＡｓでは５×１０^１６／ｃｍ^３ 〜３×１０^１９／ｃｍ^３ の範囲を非破壊な状態で、ホール測定と同等な精度で評価可能である。 - 特許庁

An integrated circuit 12 such as MMIC is formed on the main face of a board 11 comprising anti-insulation GaAs of thickness of about 600 μm.例文帳に追加

厚さが約６００μｍの反絶縁性ＧａＡｓからなる基板１１の主面上には、ＭＭＩＣ等の集積回路１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a high frequency amplifier circuit which enables reduction in a drain bias current Idq of a GaAs FET comprising a high frequency amplifier at a high temperature.例文帳に追加

高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴに対する高温でのドレインバイアス電流Ｉdqを低減させることができる高周波増幅回路を得る。 - 特許庁

Then, via holes 107A, 107B are formed through the GaAs substrate 101b from the surface side thereof to the grounding conductor 106.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓ基板１０１ｂの表面側から、接地導体１０６に達するバイアホール１０７Ａ，１０７ＢをＧａＡｓ基板１０１ｂに形成する。 - 特許庁

A GaAs cap layer 47, which is formed of a second group III-V compound semiconductor comprising arsenic, is grown by molecular beam epitaxy, after the well layer 45 has been formed.例文帳に追加

井戸層４５を形成した後に、ヒ素を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなるＧａＡｓキャップ層４７を分子線エピタキシ法で成長する。 - 特許庁

In the optically integrated device 1, the GaAs substrate 3 has a first area 3a and a second area 3b arranged along a predetermined axis Ax.例文帳に追加

光集積素子１では、ＧａＡｓ基板３は、所定の軸Ａｘに沿って配列された第１の領域３ａおよび第２の領域３ｂを有する。 - 特許庁

A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11.例文帳に追加

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層１５をＧａＡｓ基板１１上に形成する。 - 特許庁

In particular, when GaAs whose crystal plane of the surface is a (100) plane is used, the inverse tapered shape having sidewalls of (111) crystal planes can be simply formed.例文帳に追加

特に表面の結晶面が（１００）面のＧａＡｓを用いると、結晶面が（１１１）面の逆テーパー形状を簡便に形成することができる。 - 特許庁

A GaAs region 37 is grown on a first group III-V compound semiconductor 35 at a substrate temperature in the range of 530-600°C.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体３５上にＧａＡｓ領域３７を摂氏５３０度以上６００度以下の範囲の基板温度で成長する。 - 特許庁

In another embodiment, a strained (compressed) very thin InGaP, InGaAs or AlInGaP layer is grown on a GaAs substrate.例文帳に追加

別の実施形態では、歪んだ（圧縮された）非常に薄いＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰ層をＧａＡｓ基板上に成長させる。 - 特許庁

Of the multilayered structure, the upper part of the p- AlGaAs clad layer and the GaAs cap layer are processed into a mesa of the stripe-shape geometry having a width of 4 μm.例文帳に追加

積層構造のうちｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層の上部及びＧａＡｓキャップ層は、幅４μｍのストライプ状メサに加工されている。 - 特許庁

A light reflecting layer consisting of AlAs/AlGaAs mixed crystal is formed on a GaAs substrate and a pn junction consisting of AlGaInP mixed crystal is formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ混晶からなる光反射層を形成し、その上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなるｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

An organic V group compound is introduced immediately before an epitaxial layer 2 is grown on a semiconductor insulating GaAs substrate 1, so that Si impurity can be removed.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル層２を成長させる直前に、有機Ｖ族化合物を導入してＳｉ不純物を除去する。 - 特許庁

An n-type GaAsP composition gradient layer 2 and an n-type GaAsP composition uniform layer 3 are formed in order on an n-type GaAs substrate 1 by an epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、エピタキシャル成長によりｎ−ＧａＡｓＰ組成勾配層２とｎ−ＧａＡｓＰ組成均一層３を順次形成する。 - 特許庁