「Kev」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The focusing electrode is positively biased to several keV to focus the image of the cathode at infinity.例文帳に追加

集束電極は数keVに正バイアスされて、陰極の像を無限遠に集束させる。 - 特許庁

A thick specimen was irradiated with a 1000 keV electron beam in a UHV-TEM. 例文帳に追加

厚い試料が、UHV-TEMの中で1000keVの電子線で照射された。 - 科学技術論文動詞集

In the steps shown on Fig. (b)-Fig.(d), ions are implanted in the single crystal silicon film 30 with implantation energy quantities of "30 keV", "100 keV" and "170 keV".例文帳に追加

次に、図８（ｂ）〜図８（ｄ）に示す工程において、上記単結晶シリコン膜３０に、それぞれ注入エネルギ量を、「３０ｋｅＶ」、「１００ｋｅＶ」、「１７０ｋｅＶ」としてイオン注入を行う。 - 特許庁

Here, the energy range of the ion beam B, generated by the accelerated voltage, is to be set at 1 keV or higher and lower than 20 keV.例文帳に追加

この際、加速電圧によって生じるイオンビームＢのエネルギー範囲を１ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ未満に設定する。 - 特許庁

The step of implanting the ions implants the ions with 520 keV or more.例文帳に追加

イオンを注入する工程において、520keV以上でイオン注入を行う。 - 特許庁

Since a side wall portion of this fine pore 15 is formed with a sharp cutting edge and a non-taper shape, an outer periphery outside the fine pore 15 does not transmit even a high energy electron beam of 200 keV to 300 keV.例文帳に追加

この微細孔15の側壁部をシャープかつ非テーパー状に形成することで、200keVないし300keVの高エネルギー電子線でも透過しないようにした。 - 特許庁

By the above described structures, a high speed acceleration of 10 keV or more is realized.例文帳に追加

以上の構造により１０ｋｅＶ以上の高加速を実現できた。 - 特許庁

After implanting atomic oxygen ions into a silicon wafer by acceleration energy ≥40 keV and <100 keV or implanting oxygen molecular ions by the acceleration energy ≥80 keV and <200 keV, heat treatment is conducted in the atmosphere of an oxygen concentration ≥1%, without having to apply heat treatment of the oxygen concentration <1%.例文帳に追加

シリコンウェーハに、酸素原子イオンを加速エネルギー４０ｋｅＶ以上１００ｋｅＶ以下で注入するか、酸素分子イオンを加速エネルギー８０ｋｅＶ以上２００ｋｅＶ以下で注入した後、酸素濃度１％未満の熱処理を行うことなく、酸素濃度１％以上の雰囲気で熱処理を施す。 - 特許庁

Typically, the accelerating voltage used in focused ion beam (FIB) systems ranges from 5 to 30 keV. 例文帳に追加

典型的には、集束イオンビーム(FIB)システムで使われる加速電圧は5〜30keVにわたる。 - 科学技術論文動詞集

Further, an energy of the electron beam 5 is set to a low energy of about 20 keV to 500 keV, thereby the electron beam 5 is further dispersed, resulting in that a more uniform electron beam 5 is irradiated.例文帳に追加

さらに、電子線５のエネルギーを２０ｋｅＶ〜５００ｋｅＶ程度の低いエネルギーとすることにより、より一層電子線５が散乱し、より均一な電子線５の照射が行われる。 - 特許庁

The main electrode 16 is formed by applying Ar ion through a contact hole 12 in which the main electrode 15 is buried at 100 keV-200 keV and then heat-treating it.例文帳に追加

低ライフタイム領域６は、主電極１５が埋設されるコンタクトホール１２を通じて、Ａｒイオンを100keV〜200keVのエネルギーで照射し、その後、熱処理を加えることによって形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming an impurity diffusion region in a desired region even when the ion implantation of 500 keV to 3000 keV is performed.例文帳に追加

５００ｋｅＶ〜３０００ｋｅＶのエネルギーイオン注入を行っても、目的とする領域に精度良く、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a practical example, the one ion generation device 10 generates ions in the range of around 3-80 keV and the other ion generation device 22 generates ions in the range of around 80-3,000 keV.例文帳に追加

好ましい実施例においては、一方のイオン発生装置１０は、約３−８０ｋｅＶの範囲のイオンを発生し、他方のイオン発生装置２２は、約８０−３，０００ｋｅＶの範囲のイオンを発生する。 - 特許庁

The electron gun 12 has a function capable of setting primary energy from 10 eV to 30 keV.例文帳に追加

ここで電子銃１２は１次電子エネルギを１０ｅＶから３０ｋｅＶまで設定できる機能を持つ。 - 特許庁

The method of processing carbon nanotubes is characterized in that carbon nanotubes are irradiated with energy rays having energy of less than 120 keV.例文帳に追加

エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴とする。 - 特許庁

When the energy becomes 100 keV or less, visible light to be generated by the phosphor 4 is made incident on the solar battery 3 by incidence of the γ-rays with 100 keV or less on the phosphor 4, and the power is generated.例文帳に追加

このエネルギーが１００ｋｅＶ以下になったとき、１００ｋｅＶ以下のγ線の蛍光体４への入射によって蛍光体４で発生する可視光が、太陽電池３に入射されて電力が発生する。 - 特許庁

To provide an energy compensation scintillation type photon dosimeter, improved in detection sensitivity by making the energy dependence of its response low with respect to radiation, especially, photons in a range of 8 keV to 1,500 keV.例文帳に追加

放射線、特に８ｋｅＶ〜１５００ｋｅＶの範囲の光子に対してエネルギー依存度が小さいレスポンスとなるようにして、検出感度を良好にしたエネルギー補償型シンチレーション式光子線量計を提供する。 - 特許庁

Ion beams include impurity ions to be implanted, and are accelerated with energy which is not higher than acceleration energy 5 keV.例文帳に追加

注入すべき不純物のイオンを含み、加速エネルギ５ｋｅＶ以下のエネルギで加速されたイオンビームを得る。 - 特許庁

An energy of the electron beam 15 is to be 10 keV or less, and an X-ray component of high energy is limited from penetrating the target 19.例文帳に追加

電子ビーム15のエネルギを１０ｋｅＶ以下とし、高エネルギのＸ線成分がターゲット19を透過するのを制限する。 - 特許庁

The electron beam energy is 1 keV or more and a current density per unit area is 1 pA/cm^2 or more.例文帳に追加

電子ビームのエネルギーは１ｋｅＶ以上、単位面積あたりの電流値は１ｐＡ／ｃｍ^2以上となっている。 - 特許庁

Silver is implanted into the silicon oxide film 110 with a negative ion implantation method in the implantation energy of about 30 keV.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１０中に、約３０ｋｅＶの注入エネルギーで、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

The scintillation detector 10 is provided with an entrance window 15; a scintillator 12; and a photomultiplier 13 and flattens energy response when low-energy photons between 10-150 keV are incident by approximating the properties of the transmissivity of the entrance window to energy of 20 keV or less to a curve of conversion factors of 1-cm dose equivalent of 20 keV or less.例文帳に追加

入射窓１５と、シンチレータ１２と、光電子増倍管１３と、を備え、２０ｋｅＶ以下におけるエネルギーに対する入射窓の透過率の特性を２０ｋｅＶ以下の１ｃｍ線量当量換算係数曲線に近似させることで、１０ｋｅＶから１５０ｋｅＶまでの低エネルギー光子が入射したときのエネルギーレスポンスの平坦化を図るシンチレーション検出器１０とした。 - 特許庁

Only a relatively high energy level of a radiation (over 60 KeV) is radiated to an object 9 through a copper sheet filter 21.例文帳に追加

銅板フィルタ２１を介して比較的高いエネルギーレベルの放射線（６０ＫｅＶ以上）のみを被写体９に照射する。 - 特許庁

Ion implantation conditions for the ion implantation are 300 keV ion implantation energy and 2×10^18 atoms/cm^2 dose amount.例文帳に追加

このときのイオン注入条件は、注入エネルギー３００ｋｅＶ、ドーズ量２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２である。 - 特許庁

Diatomic nitrogen or nitrogen atoms, or both are implanted into a substrate except for a stack with a maximum energy of 10 keV or less for the diatomic nitrogen and a maximum energy of 5 keV or less for the nitrogen atoms at a temperature equal to or lower than 1,000°C for 30 minutes or less.例文帳に追加

２窒素原子または窒素原子あるいはその両方を、２窒素原子は最大エネルギー１０ｋｅＶ以下、窒素原子は最大エネルギー５ｋｅＶ以下で、かつ１０００℃以下の温度と３０分以下の時間で、スタックを除く基板内に注入する。 - 特許庁

In a second operation mode (for example, 1 keV ion beam energy), a deflection electric field is generated for only the deflection electrode pair 51a and 52a.例文帳に追加

第２動作モード（例えば、１ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、偏向電極対５１ａ、５２ａのみに偏向電場を発生させる。 - 特許庁

In an SEM, it is necessary to place a permanent magnet in front of an EDS detector to deflect the backscattered electrons for electron energies above 25 keV. 例文帳に追加

SEMの中では、25keVより大きなエネルギーの後方散乱電子を偏向させるため、EDS検出器の前に永久磁石を置く必要がある。 - 科学技術論文動詞集

To provide a one-centimeter dose equivalent meter-usage scintillation detector which adopts a low-cost configuration, while enhancing its mechanical strength and is improved in detection sensitivity, by making the energy dependence of its response low to low-energy photons in a range of 8 keV to 150 keV.例文帳に追加

安価かつ機械的な強度が高くなるような構成を採用しつつ、さらに、８ｋｅＶ〜１５０ｋｅＶという領域の低エネルギー光子に対してエネルギー依存度が小さいレスポンスとなるようにして、検出感度を良好にした１ｃｍ線量当量計用シンチレーション検出器を提供する。 - 特許庁

After H ions and He ions are implanted into a silicon substrate with acceleration energy of 5-40 keV, temperature of the silicon substrate is raised to about 500°C and then O ions are implanted with acceleration energy of 30-180 keV thus forming an ion implantation layer 2.例文帳に追加

シリコン基板にＨイオン又はＨｅイオンを、加速エネルギが５ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ未満で注入した後、該シリコン基板を略５００℃に昇温し、それにＯイオンを、加速エネルギが３０ｋｅＶ以上１８０ｋｅＶ以下で注入し、イオン注入層２を形成する。 - 特許庁

CNT's themselves as well as the CNT's and the substrate are firmly fixed by irradiating low-energy electron beams of a total irradiation charge volume per unit area of 0.1 mC/mm^2 or more and 50 mC/mm^2 or less at an energy of 19 keV or more and 20 keV or less on the substrate with a CNT aggregate arranged.例文帳に追加

ＣＮＴ集合体を配置した基板に、エネルギー１０ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ以下で単位面積当たりの全照射電荷量０．１ｍＣ／ｍｍ^2以上５０ｍＣ／ｍｍ^2以下の低エネルギー電子線を照射して、ＣＮＴ間及びＣＮＴと基板とを固着させる。 - 特許庁

Moreover, for example, implantation energy is set to 15 to 30 keV, and dose amount is set to 3×10^12 to 1.5×10^13 cm^-2 per one direction.例文帳に追加

また、例えば、注入エネルギを１５乃至３０ｋｅＶとし、ドーズ量を１方向当たり３×１０^12乃至１．５×１０^13ｃｍ^-2とする。 - 特許庁

To accurately estimate a concentration distribution of implanted impurities even if acceleration energy for implanting impurities into a crystal is not higher than approximately 2 keV.例文帳に追加

結晶への不純物注入時の加速エネルギーが約２keV以下の場合においても、注入された不純物の濃度分布を正確に予測する。 - 特許庁

The method for reforming the hydrogenated carbon film comprises the steps of: irradiating the hydrogenated carbon film with photons having energy at least higher than 50 eV, or with the first energy beam containing the particles having energy higher than 100 keV; and then, irradiating photons having energy at least higher than 3 eV but lower than 10 eV, or the second energy beam containing particles having energy higher than 5 keV but lower than 100 keV.例文帳に追加

水素化炭素膜に少なくとも５０ｅＶよりも大きいエネルギを有する光子または１００ｋｅＶよりも大きいエネルギを有する粒子を含む第１のエネルギビームを照射した後に、少なくとも３ｅＶよりも大きく１０ｅＶよりも小さいエネルギを有する光子または５ｋｅＶよりも大きく１００ｋｅＶよりも小さいエネルギを有する粒子を含む第２のエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。 - 特許庁

In this condition, the end of the quartz oscillator 2 is irradiated with a thin converged electron beam of the order of 100 keV as shown in Fig. 3 (a).例文帳に追加

そして、その状態で、図３（ａ）に示すように、細く集束された１００ｋｅＶ程度の電子線を水晶発振子２の先端に照射する。 - 特許庁

In succession, boron (B) ions are implanted into the rear of the wafer under the condition that acceleration energy is, for instance 20 keV, and an average projection rage is, for instance, 0.06 μm.例文帳に追加

続いて、ウエハの裏面に、加速エネルギーが例えば２０ｋｅＶ、平均投影飛程が例えば０．０６μｍの条件で、例えばボロン（Ｂ）がイオン注入される。 - 特許庁

In a first operation mode (for example, 30 keV ion beam energy), a deflection electric field is generated for all of the deflection electrode pairs, as shown by an arrow 55.例文帳に追加

第１動作モード（例えば、３０ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、矢印５５で示すように全部の偏向電極対に偏向電場を発生させる。 - 特許庁

An argon ion is accelerated with 1 keV or less of low energy using an ion milling device, and the thin sample piece 30 is irradiated with argon ion to remove the damaged layer.例文帳に追加

イオンミリング装置を用いてアルゴンイオンを１ｋｅＶ以下の低エネルギーで加速し、アルゴンイオンを薄片試料（３０）に照射することで、ダメージ層を除去する。 - 特許庁

To provide a compact, inexpensive and wide-range implanter capable of generating and implanting ions having energy from a keV level to a MeV level.例文帳に追加

ｋｅＶ単位のエネルギからＭｅＶ単位のエネルギまでのイオンを生成して注入することのできる、コンパクトで低コストの広範囲のインプランタを提供する。 - 特許庁

The method for locally exciting the phonon in the thermal nonequilibrium condition uses the step for irradiating a soft X-ray photon beam having a photon energy of 10 eV to 3 keV.例文帳に追加

フォノンを非熱平衡状態で局所的に励起させる方法として、光子エネルギー10eVから3keVの軟Ｘ線光子ビームを照射する方法を用いる。 - 特許庁

To provide an ion current measuring apparatus capable of measuring ions with energy of about several keV, suppressing an applied voltage to a small level and being miniaturized.例文帳に追加

数ｋｅＶ程度のエネルギーを持つイオンを計測することができ、印加電圧を小さく抑え、かつ小型化が可能なイオン電流量計測器を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions (H+) are implanted into an Si(111) substrate (ground substrate) 10 in a dose amount of 1×1016/cm2 at nearly ordinary temperature with an energy of 10 keV acceleration voltage.例文帳に追加

Ｓi(111)基板（下地基板）１０に、略常温で水素イオン（Ｈ^+ ）を１×１０^16／cm^2 のドーズ量で、加速電圧１０ｋｅＶのエネルギーで注入する。 - 特許庁

In the soft X-ray generator, comprising an electron gun 1, a target 2, a rotation device 3 and a target vessel 4, a target 2, is formed with a metal-nonmetal compound constituted of titanium, calcium, and oxygen or nitrogen and electron beam of 4 keV to 8 keV is generated from the electron gun 1 to have the target and generate a soft X-ray irradiated.例文帳に追加

電子銃１、ターゲット２、回転装置３、ターゲット容器４からなる軟Ｘ線発生装置において、チタンもしくはカルシウムと酸素もしくは窒素とからなる金属−非金属化合物でターゲット２を形成し、電子銃１から４ＫｅＶ−８ＫｅＶの電子ビームを発生してターゲットに照射し軟Ｘ線を発生させる。 - 特許庁

In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less.例文帳に追加

第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the tube is to manufacture the tube by applying an electron beam 13 with the acceleration voltage of 150 keV or lower to a flexible tube material 10 such as a thermoplastic high-molecular material.例文帳に追加

熱可塑性高分子材料製の可撓性を有するチューブ材料１０に、１５０ｋｅＶ以下の加速電圧で電子線１３を照射するチューブの製造方法。 - 特許庁

A primary part in a continuous X-ray range of spectra of the X-rays generated from the X-ray generation system is set to be in the range of 3-20 keV of the X-ray energy.例文帳に追加

Ｘ線発生装置が発生するＸ線のスペクトルの連続Ｘ線領域の主要部分がＸ線エネルギーの３〜２０ｋｅＶの範囲内にあるようにする。 - 特許庁