「nm region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

On this optical recording disk 1, information is recorded by irradiation by the light having a prescribed wavelength λ_L in a wavelength region of 400-420 nm.例文帳に追加

この光記録ディスク１では、４００〜４２０ｎｍの波長域における所定の波長λ_Ｌを有する光を照射することにより情報の記録が可能である。 - 特許庁

To provide a new silicone copolymer having a high absorption even in ≥200 nm far ultraviolet light region and also being an alkali soluble by having a phenolic hydroxy group.例文帳に追加

２００ｎｍで以上の遠紫外線領域でも吸収が高く、かつフェノール性水酸基を有することによりアルカリ可溶な新規シリコーン共重合体を提供する。 - 特許庁

The luminescent labeling reagent emits a light, which is detected by Si-CCD or InGaAs-PD and transmits a sample rich in H_2O in a region of red-near infrared at a wavelength of 650-1,600 nm, by the excitation.例文帳に追加

そして、この励起によりSi-CCDもしくはInGaAs-PDで検出可能でかつ、H_2Oリッチな試料中を透過できる波長650nm〜1600nmの赤〜近赤外領域の光を発光する。 - 特許庁

The device comprising a combination of the stimulation source for generating light with 350 to 415 nm and the phosphorus, the phosphorous containing a crystal phase whose chemical composition is expressed in generic formula [1] and having a light emission peak in a wavelength region of 425 nm or over and 490 nm or below by the emission of light from a first light emitting body.例文帳に追加

３５０−４１５ｎｍの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせた装置において、一般式［１］の化学組成を有する結晶相を含有し、第１の発光体からの光の照射により４２５ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光体を使用した発光装置。 - 特許庁

The semi-cured epoxy resin includes a light transmittance of at most 1% within the wavelength region of 700 nm or shorter and a light transmittance of at least 85% within the wavelength region of 940 nm or longer, a spiral flow length of 25-80 inch and a moisture absorption of a cured resin of at most 0.45% after immersed in water at 97°C for 1 hr.例文帳に追加

半硬化エポキシ樹脂は７００ｎｍ以下の波長領域で光透過率が１％以下であり、９４０ｎｍ以上で光透過率が８５％以上であり、Ｓｐｉｒａｌ Ｆｌｏｗ Ｌｅｎｇｔｈは２５〜８０インチ、９７℃の水に浸漬して１時間経過後、硬化樹脂の吸湿量が０.４５％以下である。 - 特許庁

In the thermal transfer sheet, in which at least a photothermal converting layer and an image forming layer are provided on a support, the photothermal converting layer has an absorption in the infrared region of the wave length of 760 to 1,300 nm and substantially no absorption in the visible region of the wave length of 400 to 780 nm.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも光熱変換層と画像形成層とを有する熱転写シートにおいて、該光熱変換層が波長７６０ｎｍ〜１３００ｎｍの近赤外線領域に吸収を有し、かつ、波長４００ｎｍ〜７８０ｎｍの可視領域に実質的に吸収を有しないことを特徴とするレーザー熱転写記録シートである。 - 特許庁

To provide a machining method by which both of ≤100 nm flatness and ≤0.15 nm RMS (Root-Mean-Square) of surface roughness are satisfied in a Ti-doped low thermally expansive quartz glass substrate for a reflection type photomask which is used in the exposure by a short wave in UV region or below.例文帳に追加

ＵＶ領域以下の短波長の露光に用いられる反射型フォトマスク用Ｔｉドープ低熱膨張石英ガラス基板につき、平坦度≦１００ｎｍ、表面の自乗平均平方根粗さ≦０．１５ｎｍＲＭＳを同時に満足する加工法を提供する。 - 特許庁

The organic transistor 10 has an organic semiconductor layer 14 formed by the droplet coating method, having a portion of more than 50 nm in film thickness; and a channel region 17 selectively formed in a portion of the organic semiconductor layer 14, having a film thickness of 50 nm or less.例文帳に追加

液滴塗布法で形成され、膜厚が５０ｎｍを越える部位を有する有機半導体層１４を有し、チャネル領域１７が、有機半導体層１４中の、膜厚が５０ｎｍ以下の部位に選択的に形成されている有機トランジスタ１０。 - 特許庁

The near-infrared ray shielding composition comprises (A) dispersed resin fine particles which has an average particle diameter of 0.01 μm to 100 μm and contains a near-infrared absorbing dye having a maximum absorption wavelength in the wavelength region of 800 nm to 1,200 nm.例文帳に追加

（Ａ）平均粒径が０．０１μｍ〜１００μｍの範囲にあり、８００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を持つ近赤外線吸収色素を含有する樹脂微粒子が分散されている近赤外線遮蔽性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a photomask blank in which the surface reflectance of a light shielding film in a short wavelength region of 190 to 300 nm (particularly near 200 nm) is sufficiently decreased and favorable pattern transfer accuracy is obtained even for an exposure light source in the tendency of shorter wavelengths.例文帳に追加

１９０〜３００ｎｍの短波長域（特に２００ｎｍ近傍）における遮光膜の表面反射率を十分に低減させ、短波長化の傾向にある露光光源に対しても良好なパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

There is also provided the process for the production of copper phthalocyanine fine particles that is in a crystal form other than α- or ε-form and that exhibits a wavelength (λmax) of shorter than 478 nm in the transmission spectrum in the region of 380-780 nm, the wavelength (λmax) being a wavelength at which the maximum transmittance appears.例文帳に追加

また、α型およびε型の２種の型とは異なる結晶型であり、且つ、３８０〜７８０ｎｍにおける透過スペクトルの透過率が最大となる波長（λmax）が４７８ｎｍ未満である銅フタロシアニン微粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The plastic lens comprises: a meniscus-shaped lens substrate 7 having light-transmitting property in at least a part of the ray region from 200 nm to 420 nm wavelength and having a concave face and a convex face; and a photochromic film 4 formed on the concave face of the lens substrate.例文帳に追加

波長２００ｎｍ〜４２０ｎｍの光線域の少なくとも一部の領域において光透過性を有し、凹面と凸面を有するメニスカス形状のレンズ基板７と、レンズ基板の凹面側に形成されたフォトクロミック膜４と、を有するプラスチックレンズとする。 - 特許庁

A laser beam of 376 nm, which is specific fixed wavelength band, included in a wavelength region of 300-420 nm is projected to a sample vessel for comparison storing a unused cleaning liquid and a sample vessel storing cleaned liquid A for analysis.例文帳に追加

３００〜４２０ナノメートル（ｎｍ）の波長領域に含まれる特定の固定波長帯である３７６ナノメートル（ｎｍ）のレーザー光を未使用洗浄液を収容した比較用試料容器及び洗浄済液Ａを収容した分析用試料容器に投射する。 - 特許庁

The half mirror 24, which divides the light of wavelength region of about 500 nm-600 nm, is arranged in a relay optical system of the photographing lens 12 and the green light reflected by the half mirror 24 is guided to a photographing part 26 for detecting the state of focusing via a relay lens R3.例文帳に追加

撮影レンズ１２のリレー光学系に約５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域の光を分割するハーフミラー２４を配置し、そのハーフミラー２４で反射した緑色光をリレーレンズＲ３を介してピント状態検出用の撮像部２６に導く。 - 特許庁

This bent glass article of the invention is provided with a glass member including a deep-bent region, and a group of metal oxide particles having an average height of 10-150 nm formed on the surface of the glass member at least including the deep-bent region.例文帳に追加

本発明の曲げガラス物品は、深曲げ領域を含むガラス部材と、少なくとも深曲げ領域を含むガラス部材の表面に形成された、平均高さが１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属酸化物粒子群とを備える。 - 特許庁

In addition, a difference in an average reflectance ρM between a same color region 3 with the biggest average reflectance ρM and a same color region with the lowest average reflectance ρM is set at 5% or more, the average reflectance ρM calculated from a spectral reflectance curve in a wavelength of 450-650 nm.例文帳に追加

また、波長４５０〜６５０ｎｍの分光反射率曲線から求められる平均反射率ρＭが最も大きい同色領域３と最も小さい同色領域の平均反射率ρＭの差を５％以上とする。 - 特許庁

A column amplifier 20 is connected to an output of a photoelectric-conversion region 1, in which a plurality of unit pixels 1-nm respectively having a photodiode are arranged in a two-dimensional array shape, via a signal output line 9 so as to sequentially store a pixel signal of each read-out unit pixel 1-nm.例文帳に追加

カラムアンプ部２０は、フォトダイオードを有する複数の単位画素１−ｎｍが二次元アレイ状に配置された光電変換領域部１の出力に、信号出力線９を介して接続され、読み出された各単位画素１−ｎｍの画素信号を順次蓄積する。 - 特許庁

The insulation film is made of an resin which includes an inorganic filler and a laser-beam absorbing agent, and has its laser-beam absorbing factor not smaller than 20% for the laser beam of 150-500 nm in wavelength, and further, has its absorption peak in the wavelength region of ±50 nm around the wavelength of its irradiated laser.例文帳に追加

有機樹脂中に無機フィラーとレーザ光吸収剤とを含み、波長150〜500ｎｍにおいて光吸収率が20％以上であり、かつこれに照射されるレーザの波長に対して±50ｎｍの波長領域に吸収ピークを有する絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板。 - 特許庁

The optical device includes base materials (36 and 53) having a circumferential surface (40) outside a light transmission region through which light can pass and transparent films (32 and 54) of which the reflectance of light with a wavelength of 1,000 nm or longer and shorter than 1,700 nm is 10% or more and which are provided on the above circumferential surface.例文帳に追加

光が通過可能な光通過領域の外側に外周面（４０）を有する基材（３６，５３）と、波長１０００ｎｍ以上１７００ｎｍ未満の光の反射率が１０％以上であり、前記外周面に備えられた透明膜（３２，５４）とを含む光学装置。 - 特許庁

A binder resin layer or an adhesive layer containing a visible light absorbing dye having an absorption maximum in a wavelength region from 580 nm to 600 nm is laminated on one surface of a transparent substrate so as to efficiently separate a green color and a red color to improve color reproducibility.例文帳に追加

透明基材の一面に５８０ｎｍから６００ｎｍの間の波長領域に吸収極大値を有する可視光吸収色素を含有したバインダー樹脂層または粘着層を積層することにより、効率的に緑色と赤色を分離し色再現性を改善する。 - 特許庁

When a through-hole is formed using laser such as UV-YAG laser, excimer laser or the like with a wavelength of 150-500 nm fitted to fine processing, the absorptance of laser beam in the region with a wavelength of 150-500 nm of the liquid crystal polymer layer is enhanced and, as a result, the laser processing time of the insulating film can be shortened.例文帳に追加

波長が150〜500ｎｍで微細加工に適したＵＶ−ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等のレーザを用いて貫通孔を形成する際、液晶ポリマー層の波長150〜500ｎｍの領域におけるレーザ光の吸収率が向上し、その結果、絶縁フィルムのレーザ加工時間を短縮することができる。 - 特許庁

To provide a polyimide resin for optical parts, which is transparent with respect to light of 400-1,000 nm wavelength, is able to have a large birefringence and is inexpensive and an optical retardation plate and a wavelength plate using the same, which is satisfactory in light transmittance in the 400-1,000 nm wavelength region and has large birefringence.例文帳に追加

４００〜１０００ｎｍの波長光に対して透明で複屈折を大きくでき、且つ安価な光学部品用ポリイミド系樹脂とそれを用いた４００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長光領域の光透過性がよく、複屈折の大きい位相差板及び波長板を提供する。 - 特許庁

To provide a fluorophor which has light-emitting characteristics having light-emitting peak wavelengths in a range of 580 to 680 nm and having a high light emission intensity and has excitation band characteristics having flat and highly efficient excitation bands for excitation light in a wide wavelength region of UV light to visible light (wavelengths 250 to 550 nm).例文帳に追加

発光のピーク波長が580〜680nmの範囲にあり、高い発光強度を有するという発光特性を持ち、紫外〜可視光(波長250〜550nm)の広範囲な波長域の励起光に対し平坦で効率の高い励起帯を持つという励起帯特性を有する蛍光体を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition to be used for laser beam in a vacuum UV region of 1 nm to 190 nm, the positive resist composition containing an acid generating agent and an acrylic resin which undergoes a change in solubility to an alkaline aqueous solution by the effect of an acid.例文帳に追加

酸の作用によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が変化するアクリル系樹脂および酸発生剤を含有するポジ型レジスト組成物において、１ｎｍ〜１９０ｎｍの真空紫外領域のレーザー光に使用するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device is an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device which is intended to adhere a semiconductor device to an adhesion-target body and is characterized in that it contains pigment which absorbs or reflects light in a wavelength region ranging from 290 nm to 450 nm.例文帳に追加

本発明の半導体装置製造用の接着シートは、半導体素子を被着体に接着させる半導体装置製造用の接着シートであって、波長域が２９０〜４５０ｎｍの範囲内にある光を吸収又は反射させる顔料を含有することを特徴とする。 - 特許庁

A plant disease damage preventive lighting device 1 includes a first light source 2 that irradiates light including UV-C and UV-B (ultraviolet) of which a wavelength component of 250 nm or less is assumed as 0, and a second light source 3 that irradiates visible light having the peak wavelength in a wavelength region of 380-500 nm.例文帳に追加

植物病害防除用照明装置１は、２５０ｎｍ以下の波長成分をゼロとしたＵＶ−ＣとＵＶ−Ｂ（紫外線）とを含む光を照射する第１の光源２と、波長域３８０〜５００ｎｍにピーク波長を有する可視光を照射する第２の光源３と、を備える。 - 特許庁

The transmission loss P when dried and a transmission loss difference L between at the time of saturation water absorption and when dried are in a wavelength region that satisfies at least one of 0≤L/P1≤1, 0<L≤100, and 0<L+P1≤200 in the wavelength regions of 500 to 720 nm and 785 to 810 nm.例文帳に追加

乾燥時の伝送損失Ｐと、飽和吸水時と乾燥時との伝送損失の差Ｌとが、５００〜７２０ｎｍ、７８５〜８１０ｎｍの波長領域では０≦Ｌ／Ｐ１≦１、０＜Ｌ≦１００、０＜Ｌ＋Ｐ１≦２００の少なくともいずれかひとつをみたす波長領域となる。 - 特許庁

The resin composition contains a resin (A) having ethylenically unsaturated groups in the molecule, a compound (B) capable of absorbing a light in the near infrared region from 650 nm to 1,000 nm, and a compound (C) represented by general formula (1) or (2), as a light resistance improver.例文帳に追加

分子内にエチレン性不飽和基を有する樹脂（Ａ）、６５０ｎｍから１０００ｎｍの近赤外領域を吸収する化合物（Ｂ）、耐光性向上剤として一般式（１）または（２）で表される化合物（Ｃ）を含有することを特徴とするエネルギー線硬化型樹脂組成物。 - 特許庁

A component of an illuminating light in the longer wavelength side of a mainly red band region is eliminated by disposing a red component cutoff optical filter 36 by which a spectral transmittance becomes a half value at a wavelength at 630 nm and zero at a wavelength of 670 nm between, for example, a light source 28 and an infrared cutoff filter 30.例文帳に追加

例えば、光源２８と赤外カットフィルタ３０との間に、分光透過率が波長６３０ｎｍで半値、波長６７０ｎｍで０となる赤成分カット光学フィルタ３６を設けることにより、照明光の主に赤帯域の長波長側の成分を除去する。 - 特許庁

Since the fiber has a large effective cross-sectional area of the core and small dispersion in the wavelength region of 1,530 to 1,625 nm, the fiber exhibits only a small nonlinear effect and makes transmission of WDM (wavelength division multiplexing) possible.例文帳に追加

これにより、波長１５３０〜１６２５ｎｍの範囲で大きなコア有効断面積と小さな分散な値を持つため、非線形効果が小さくＷＤＭの光伝送を可能にする - 特許庁

The CMR memory film 204 may be formed of a Pr_1-XCa_XMnO_3 (PCMO) memory film, where x is in the region between 0.1 and 0.6 and has a thickness in the range of 10 to 200 nm.例文帳に追加

ＣＭＲメモリ膜２０４は、Ｐｒ_１−ＸＣａ_ＸＭｎＯ_３（ＰＣＭＯ）メモリ膜から形成され得、ここでｘは０．１〜０．６の領域であり、１０〜２００ｎｍの範囲の厚さを有する。 - 特許庁

To provide a heat-developable image recording material capable of recording an image in a short wavelength region of ≤500 nm and capable of forming a high contrast image suitable for printing plate making.例文帳に追加

５００ｎｍ以下の短波長領域で画像記録でき、印刷製版用に適した硬調画像を形成することができる熱現像画像記録材料を提供すること。 - 特許庁

This method for promoting the expression of the squalene epoxidase gene of a plant comprises irradiating the plant with light containing a wavelength component in a wavelength region of 435 to 480 nm.例文帳に追加

本発明によれば、植物に、435nm〜480nmの波長領域内の波長成分を含む光を照射することにより、植物のスクアレンエポキシダーゼ遺伝子の発現を促進させることができる。 - 特許庁

Performances of the transparent electrode are limited so that surface resistance values are 7 Ω/(square) to 12 Ω/(square), and transmissivities are 70% to 99% or less in the wave length region of 600 to 700 nm.例文帳に追加

面抵抗値を７Ω／□以上、１２Ω／□以下、波長６００〜７００ｎｍの領域における透過率を７０％以上、９９％以下に透明電極の性能を制限する。 - 特許庁

The thickness D_13 of the semiconductor region 13 is larger than a thickness D_InGaN of the InGaN layer 15, and the thickness D_InGaN of the InGaN layer 15 is 150 nm or more.例文帳に追加

半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_ＩｎＧａＮより大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_ＩｎＧａＮは１５０ｎｍ以上を有する。 - 特許庁

The picture display device includes: the cold cathode tube; and a filter having at least one absorption maximum in a visible light region and 575-600 nm half width wavelength range at the absorption maximum.例文帳に追加

冷陰極管と共に、可視光域に少なくとも１つの吸収極大を有し、吸収極大における半値幅波長範囲が５７５〜６００ｎｍであるフィルタを備えている。 - 特許庁

The first impurity atom 106 and the second impurity atom 107 are introduced to the channel region within a range of 30 nm from the boundary with a gate electrode 105.例文帳に追加

また、第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７は、上記チャネル領域のゲート電極１０５の側の界面より３０ｎｍの範囲に導入されている。 - 特許庁

The phosphor includes light emitting particles 10 containing ZnS 11 as a base material, and an activator is localized in a region 12, down to 500 nm from the surface of the light emitting particles 10.例文帳に追加

蛍光体は、ＺｎＳ１１を母体材料とする発光粒子１０を備え、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域１２に賦活材が局在している。 - 特許庁

To provide a sheet-like object having not less than 80% of a sunshine absorption factor in a visible light region of 380 to 780 nm, and also having an excellent heat-shielding property.例文帳に追加

３８０〜７８０ｎｍの可視光線領域において８０％以上の日射吸収率を有し、しかも優れた遮熱性を有する着色シート状物を提供すること。 - 特許庁

The protective layer has a mean thickness from not less than 5 nm to not more than a radius of the fluorescent material, and the fluorescent material has a discontinuous exposure region exposed from the first protective film.例文帳に追加

保護層の平均暑さが，５ｎｍ以上、かつ蛍光体の半径以下であり、前記第１保護膜によって、蛍光体が露出する露出領域が非連続であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a process for producing an optical fiber preform and an apparatus for the process, in which the phenomenon in which a large loss is caused especially in the region of short wavelengths of 1,310 nm and shorter can be inhibited from occurring.例文帳に追加

特に1,310nm以下の短い波長領域で損失が大きくなるという現象の発生を抑制することのできる、光ファイバ母材の製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

A light-emitting device, having emission peak wavelength in the wavelength region of 500 nm or shorter, is mounted on the cup-shaped section of a substrate, and silicone rubber containing an epoxy group is filled into the cup-shaped section.例文帳に追加

５００ｎｍ以下の波長領域に発光ピーク波長を有する発光素子を基体のカップ状部にマウントし、カップ状部にエポキシ基含有のシリコーンゴムを充填する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element which can be easily fabricated on a semiconductor substrate and emits light with higher luminance, particularly in a blue-green (about 450-550 nm) short-wavelength region.例文帳に追加

半導体基板上に容易に作製することができ、特に青色〜緑色（４５０〜５５０ｎｍ程度）の短波長領域でより大きい輝度で発光する発光素子を提供する。 - 特許庁

To obtain an active layer and an element structure having excellent light emitting efficiency in a short wavelength region of 380 nm in a semiconductor element, particularly in a light emitting element using a nitride semiconductor and a laser element.例文帳に追加

半導体素子、特に窒化物半導体を用いた発光素子、レーザ素子において、３８０ｎｍの短波長域における発光効率に優れた活性層、及び素子構造を実現する。 - 特許庁

To suppress shape variation of a substrate surface without reducing transmissivity of light even when light of a short wavelength region of wavelength 350 to 450 nm is made an object of transmission light.例文帳に追加

波長３５０〜４５０ｎｍの短波長領域の光を透過光の対象とする場合においても、光の透過率を低下させずに基材表面の形状変化を抑制する。 - 特許庁