「nm region」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fluorescent material having a peak wave length of an excitation spectrum within a wave length region of 350-500 nm, and suitable for a white LED emitting yellow light, and to provide the white LED using the fluorescent material.例文帳に追加

３５０〜５００ｎｍの波長範囲に励起スペクトルのピーク波長があり、黄色に発光する白色ＬＥＤ用として好適な蛍光体および該蛍光体を用いてなる白色ＬＥＤを提供する。 - 特許庁

Also the liquid crystal display device is provided with a light cut filter 18 which can shield a light included in a light absorption region of the polymer dispersed liquid crystal and whose cut wavelength range is ≤430 nm at the longest.例文帳に追加

液晶表示素子に前記高分子分散型液晶の光吸収領域の光を遮光することができ、かつカット波長の範囲は最長でも４３０ｎｍを越えない光カットフィルター１８を備える。 - 特許庁

To provide a structure and a method of manufacturing semiconductor device for reducing a parasitic resistance in FinFET, wherein a diffusing layer in the width of 30 nm or less is formed by digging down an insulating film in the STI region.例文帳に追加

ＳＴＩ領域の絶縁膜掘り下げにより形成される幅３０ｎｍ以下の拡散層が配されているＦｉｎＦＥＴにおいて、寄生抵抗を低減した構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the electrode 14 in which a very ultra-thin-film layer 26 of the tin, having a thickness of about 1 to 10 nm, is adhered to the surface of a substrate copper layer of the externally connecting electrode region, can be obtained.例文帳に追加

このようにして外部接続用電極領域の下地銅層の表面に、厚みがおよそ１ｎｍから１０ｎｍの錫のごく薄の薄膜層２６を付着させた外部接続用電極１４を得ることができる。 - 特許庁

Next, after the oxide-resistance film 4 and the sacrificial oxide film 3 in the first element active region are removed by using the resist 7, the resist 7 is removed and a gate oxide film 8 of a thickness of about 100 nm is formed.例文帳に追加

次に、レジスト７を用いて第１の素子活性領域内の耐酸化膜４及び犠牲酸化膜３を除去した後、レジスト７を除去し、１００ｎｍ程度の厚さのゲート酸化膜８を形成する。 - 特許庁

The value of x represents a plurality of maximums and a plurality of minimums in the thickness direction of the buffer layer 2, and variation of the value of x is 0.5 or less in any region where the thickness in the buffer layer 2 is 1 nm.例文帳に追加

ｘの値は、バッファ層２の厚さ方向で複数の極大及び複数の極小を示し、バッファ層２中の厚さが１ｎｍの任意の領域内では、ｘの値の変化量が０．５以下となっている。 - 特許庁

To provide a polymer chip for conducting mixture, reaction, synthesis, extraction, separation and analysis of trace samples of one type or two or more types of organic compounds which absorb light in the range from 200 to 400 nm in a wave length region.例文帳に追加

波長領域２００〜４００ｎｍの範囲の光を吸収する１種または２種以上の有機化合物の微量試料を、混合、反応、合成、抽出、分離、分析するためのポリマーチップを提供する。 - 特許庁

Provided is the feed for raining the Thunnidae fishes, containing a region for reflecting or emitting light having a main wavelength in 490-640 nm on a surface visible from outside.例文帳に追加

本発明に係る飼餌料は、マグロ属魚類を飼育するための飼餌料であって、外部から視認可能な表面に、４９０〜６４０ｎｍを主波長とする光を反射するまたは発する領域を含んでいるものである。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics in a wavelength region of 405±5 nm and such excellent durability as to avoid light-induced fatigue deterioration, and to provide an image forming apparatus including the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

４０５±５ｎｍの波長域で高い感度特性を有し、光によって疲労劣化しない高耐久性に優れた電子写真感光体及びその電子写真感光体を備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a compound slight in absorption loss in the region of near infrared to infrared wavelengths (600 to 2,000 nm) and useful as a raw material or a modifier or the like for functional materials including optical resin materials of low refractive index.例文帳に追加

近赤外〜赤外域（６００〜２０００ｎｍ）での吸収損失が少なく、低屈折率の光学樹脂材料等の機能性材料の原料および改質剤等に有用な化合物を提供すること。 - 特許庁

A typical embodiment comprises a semiconductor laser having an active layer region employing an InGaAlAs or InGaAs multiple quantum well structure with a barrier layer having a composition wavelength of less than 950 nm.例文帳に追加

本発明の代表的な形態は、半導体レーザの活性層領域をＩｎＧａＡｌＡｓ材料あるいはＩｎＧａＡｓ系の多重量子井戸構造とし、障壁層の組成波長を９５０ｎｍ未満とする。 - 特許庁

The optical glass is suitably applicable to a core material of an optical fiber since it is less in optical transmission loss by having a heightened internal transmissivity in a short wavelength region particularly in a wavelength range near 400 nm.例文帳に追加

この光学ガラスは、短波長領域、特に４００ｎｍ近辺の波長範囲において内部透過率が高められるため、光伝送損失が少なく、フアイバー用のコア材ガラスとして好適に用いられる。 - 特許庁

To provide an IR reflective black pigment containing no harmful element and having excellent IR reflecting property and a high reflectance at a wavelength of 1,500 nm in an IR region.例文帳に追加

本発明は、有害な元素を含有せず、しかも優れた赤外線反射性を有し、赤外線領域波長１５００ｎｍにおいても高い反射率を有する赤外線反射性黒色顔料を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic toner has a polyazo compound containing two or more azo groups within the molecule and a binder resin and has at least the maximum light absorption peak in a near IR region of 700 to 2,000 nm.例文帳に追加

分子内に２つ以上のアゾ基を含むポリアゾ化合物と、バインダ樹脂とを有し、且つ７００〜２０００ｎｍの近赤外線領域に少なくとも最大吸光ピークを有することを特徴とする電子写真用トナー。 - 特許庁

Thereby, the laser-induced absorption (LIA) has a remarkably reduced peak top of ≤0.002 in the wavelength region of 200 to 800 nm, and the generation of color centers after laser irradiation is suppressed.例文帳に追加

前記の原料フッ化カルシウムの精製方法により、レーザー誘起吸収（ＬＩＡ）は、２００〜８００ｎｍの波長領域において、ピークトップが０．００２以下に大幅に低減し、レーザー照射後のカラーセンターの発生が抑制される。 - 特許庁

Preferably the light selective absorption layer is formed so as to have the maximum absorption in the region of a wavelength of 575 nm and is a layer that the transmissivity at the wavelength is 40-90% of the transmissivity at the wavelength showing the minimum absorption.例文帳に追加

また光選択吸収層は、波長 575nmの領域に最大吸収を有し、かつこの波長における透過率が、最小吸収を示す波長での透過率の40〜90％である層とすることが望ましい。 - 特許庁

The disclosed semiconductor device manufacturing method comprises implanting fluorine ions into a region 5B for forming a medium- thickness gate oxide film 12 under the condition of a fluorine range Rp of 15-150 nm in a substrate 1, removing a chemical oxide film 7 on the surface of the region 5B, and applying the oxidation to form the medium-thickness gate oxide film 12 on the region 5B.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、フッ素イオン注入を中膜厚のゲート酸化膜１２を形成すべき領域５Ｂに、フッ素の飛程Ｒｐが基板１中で１５〜１５０ｎｍとなるようなイオン注入条件で行った後、領域５Ｂの表面のケミカル酸化膜７を除去し、次に酸化処理により領域５Ｂに中膜厚のゲート酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

This display body 10 includes: a rugged structure region having a plurality of recessed or projecting parts or both thereof arranged in two dimensions on one principal surface of a light transmitting layer; and a reflection layer supported on the one principal surface to cover at least part of the rugged structure region, wherein the pitch of the plurality of recessed or projecting parts or both thereof ranges from 200 nm to 500 nm.例文帳に追加

本発明の表示体１０は、光透過層の一方の主面に、二次元的に配列した複数の凹部又は凸部又はその両方を含む凹凸構造領域を備え、前記一方の主面に支持され、前記凹凸構造領域の少なくとも一部を被覆する反射層を具備しており、前記複数の凹部又は凸部又はその両方の中心間距離が２００ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることを特徴とする。 - 特許庁

Further, on the above film having a spectral absorption region with an absorbance of 0.3 or more in a spectral wavelength region of 300-1,200 nm, a layer including a hydrophobic polymer compound having a functional group, which changes its hydrophobic nature to its hydrophilic nature by heating, on its side chain, is provided.例文帳に追加

また、３００〜１２００ｎｍの分光波長領域中に吸光度が０．３以上の分光吸収領域を有する上記の皮膜の上に、加熱により疎水性から親水性に変化する官能基を側鎖に有する疎水性高分子化合物を含有する層を設けた平版印刷版用原板。 - 特許庁

The interlayer insulation films 47 are formed by screen printing in a fine line shape after forming a high surface free energy region on the wettability changing layer by irradiating a region where the interlayer insulation films 47 are formed in the terminal part 40 with DeepUV rays at a wavelength 254 nm through a photomask with a pattern drawn thereon.例文帳に追加

層間絶縁膜４７は、端子部４０の層間絶縁膜４７を形成する領域にパターンが描画されたフォトマスク越しに波長２５４ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光を照射し、濡れ性変化層上に高表面自由エネルギー領域を形成した後、微細なライン形状でスクリーン印刷法によって形成する。 - 特許庁

To provide a polarized light irradiation device wherein polarized light having a satisfactory extinction ratio is obtained even in ≤300 nm wavelength region and transmittance is not changed and a polarization axis is not rotated even when the angle of light made incident in a polarizing element is different in the wavelength region.例文帳に追加

３００ｎｍ以下の波長領域でも良好な消光比の偏光光を得ことができ、また、この波長領域において、偏光素子に入射する光の角度が異なっても、透過率が変化せず、また偏光軸が回転することがない光配向用偏光光照射装置を提供すること。 - 特許庁

In a process for forming a gate electrode film, the gate electrode film is formed while oscillating a discharge region on a target so that a film being formed every time when the discharge region reciprocates has a thickness of 2 nm or less thus suppressing variation in the characteristics of the device when a voltage is applied and realizing a highly reliable thin film semiconductor device.例文帳に追加

ゲート電極膜を形成する工程において放電領域をターゲット上で揺動させながら成膜し、放電領域が一往復するごとに成膜する膜厚を２ｎｍ以下とすることにより、電圧印加時の素子特性の変化が小さく、信頼性の高い薄膜半導体素子を実現する。 - 特許庁

When a clad 2 comprises a region as an inner clad 2a where light passes and the rest region as an outer clad 2b, at least both of the core 1 and the inner clad 2a are doped with fluorine to control the irreversible increase of the loss in a 1,550 nm band caused by intrusion of hydrogen to ≤0.01 dB/km.例文帳に追加

クラッド２のうち光が通過する領域を内側クラッド２ａ、それ以外の領域を外側クラッド２ｂとするとき、少なくともコア１と内側クラッド２ａとの両方にフッ素をドープし、水素の侵入によって引き起こされる１５５０ｎｍ帯の不可逆な損失増加量を０．０１ｄＢ／ｋｍ以下とする。 - 特許庁

Fluorspar is irradiated with pulse laser beam with an ultraviolet wavelength region such as KrF or ArF excimer laser under such a condition that energy density is 1-50 mJ/cm2/pulse and the number of pulses is 104-107 and, thereafter, the internal transmissivity of fluorspar within a wavelength region of 150-300 nm is measured to evaluate the ultraviolet durability of fluorspar.例文帳に追加

ＫｒＦやＡｒＦエキシマレーザ等の紫外線波長域のパルスレーザ光を、１ｍＪ／ｃｍ^2 ／パルス〜５０ｍＪ／ｃｍ^2 ／パルスのエネルギー密度で１０^4 〜１０^7 のパルス数照射した後に、１５０ｎｍ〜３００ｎｍの波長域における内部透過率を測定して紫外線耐久性を評価する。 - 特許庁

Norbornene resin has bending elasticity modulus of about 3000 MPa and the film which has 0.1 mm thickness and is formed of the norbornene resin has ≥90% of transmittance of all light having wavelength in a range from 350 nm wavelength included in an ultraviolet wavelength region to a visible wavelength region.例文帳に追加

ノルボルネン系樹脂は約３０００ＭＰａ程度の曲げ弾性率を有しており、ノルボルネン系樹脂で形成した板厚０．１ｍｍのフィルムは紫外波長領域に含まれる３５０ｎｍの波長の光をはじめとして可視波長領域までの範囲の波長を有する全ての光の透過率が９０％以上となる。 - 特許庁

Preferably, when the glass is 10±0.1 mm thick, the glass has 80% transmittance for light at ≤420 nm wavelength, and the glass shows ≤3.0% deterioration rate in the transmittance by the irradiation of rays in a UV region and/or visible region at 2.2 W.cm^-2 radiation illuminance for 10 minutes.例文帳に追加

さらに、厚さ１０±０．１ｍｍである場合に、透過率８０％で透過する光の波長が４２０ｎｍ以下であり、紫外域および／または可視域の光線を２．２Ｗ・ｃｍ^-2の放射照度で１０分間照射することによる透過率の劣化率が３．０％以下であることが好ましい。 - 特許庁

This silver halide photographic sensitive material is characterized by incorporating photosensitive silver halide and at least one kind of fine particles of a metal or metal oxide characterized by having an absorbance at a wavelength attaining to the maximum absorbance in the region of 400-700 nm lower than the absorbance at 800 nm wavelength in a layer formed on the support.例文帳に追加

支持体上に設けられた層に、感光性ハロゲン化銀、及び４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下において分光吸収が最大となる波長での吸光度が８００ｎｍでの吸光度よりも小さいことを特徴とする少なくとも１種の金属又は金属酸化物の微粒子を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料である。 - 特許庁

Among light rays which transmit the color correction filter 30 and are made incident for the liquid crystal display panel 10, the light made incident in the vertical direction includes the same hue as the light from the light source 21 and the oblique incident light which is made incident in the oblique direction includes a hue having the maximum value in the wavelength region of 400 nm or more and less than 550 nm.例文帳に追加

色補正フィルタ３０を透過して液晶表示パネル１０に対して入射する光のうち、垂直方向に入射する光は光源２１からの光と同じ色相を有し、斜め方向に入射する斜入射光は４００ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に極大値をもつ色相を有している。 - 特許庁

To provide a simultaneous two-photon absorption recording material capable of performing reproduction with high sensitivity using reproduction laser light in a wavelength range of 400-550 nm by producing a fluorescent chromogen having a large molar extinction coefficient in a wavelength region near 400-550 nm; and to provide a two-photon absorption optical recording and reproducing method, a recording medium and the like using the recording material.例文帳に追加

４００〜５５０ｎｍ近傍の波長領域にモル吸光係数の大きい蛍光性発色体を生成させることで、上記波長範囲の再生レーザー光を用いて高感度に再生を行うことができる同時２光子吸収記録材料、それを用いた２光子吸収光記録再生方法記録媒体等を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics in the wavelength region from 380 to 600 nm and excellent durability which does not fatigue or deteriorate by light, and to provide an image forming device which uses the above photoreceptor and a laser having the oscillation wavelength from 380 to 600 nm as the exposure light source, which has high sensitivity and high resolution and which can give stable picture quality.例文帳に追加

３８０〜６００ｎｍの波長域で高い感度特性を有し、光によって疲労劣化しない耐久性に優れる電子写真感光体、および該感光体を用いて３８０〜６００ｎｍに発振波長を有するレーザを露光光源とし、高感度かつ高解像力を有して安定した画質が得られる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The method is characterized in that after the photo-polymerizable ink composition comprising a polymerization initiating system with a molar absorptivity coefficient of ≥1,000 M^-1cm^-1 in a light wave region of 400 nm-700 nm and a polymerization initiator is delivered on a substrate, the delivered ink is polymerized and cured by light-exposing by a light source of ≤1,000 W.例文帳に追加

支持体上に、４００ｎｍ〜７００ｎｍの光波長領域におけるモル吸光係数が、１０００Ｍ^−１ｃｍ^−１以上の重合開始系及び重合開始剤を含有する光重合型インク組成物を打滴した後、１０００Ｗ以下の光源で露光により打滴されたインクを重合、硬化することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics in the wavelength region from 400 to 600 nm and excellent durability which does not fatigue or deteriorate by light, and to provide an image forming device which uses the above photoreceptor and laser light in the wavelength range from 400 to 600 nm as the exposure light source, which has high sensitivity and high resolution, and which can give stable picture quality.例文帳に追加

４００〜６００ｎｍの波長域で高い感度特性を有し、光によって疲労劣化しない耐久性に優れる電子写真感光体、および該感光体を用いて４００〜６００ｎｍの波長範囲のレーザ光を露光光源とし、高感度かつ高解像力を有して安定した画質が得られる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The synthetic quartz glass is characterized in that the transmissivity in the whole wavelength region of 170-380 nm is ≥80%, no absorption peak substantially exists at 163 nm, the OH content is ≤30 ppm by weight, the Cl content is ≤10 ppm by weight, and the fluorine content is 7,000-30,000 ppm by weight.例文帳に追加

波長１７０ｎｍから３８０ｎｍの全域における透過率が８０％以上、１６３ｎｍの吸収ピークが実質的に存在せず、ＯＨ含有量：３０ｗｔｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量：１０ｗｔｐｐｍ以下、フッ素含有量：７０００ｗｔｐｐｍ以上、３００００ｗｔｐｐｍ以下、であることを特徴とする石英ガラスとした。 - 特許庁

This device uses a wavelength conversion glass fiber 4 of a conversion wavelength of 610 nm or above containing rare-earth ions (Eu) for a wavelength conversion fiber inserted in a scintillator 1, quartz-based optical fiber having a low transmission loss characteristic in a region not less than 610 nm wavelength as a transmitting optical fiber, and a measurement circuit 9 for receiving and measuring the transmission light.例文帳に追加

シンチレータ１内部に挿入する波長変換ファイバに希土類イオン（Ｅｕ）を含有する変換波長６１０ｎｍ以上の波長変換ガラスファイバ４を用い、伝送用光ファイバに波長６１０ｎｍ以上の領域で低伝送損失特性を持つ石英系光ファイバを用い、その伝送光を受光計測する計測回路９を備えた。 - 特許庁

The color converting composition converts light emission from a light emitter to light of longer wavelength, contains a compound having a pyrromethene frame expressed in general formula (1) or its metal complex, and a light-absorbing compound having a long wavelength end of light absorption in a region of 400 nm to 600 nm.例文帳に追加

発光体からの発光をより長波長な光に変換する色変換組成物であって、少なくとも一般式（１）で表されるピロメテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体と、４００ｎｍ〜６００ｎｍ領域に光吸収の長波長端を有する光吸収性化合物を含有することを特徴とする色変換組成物。 - 特許庁

The carbonaceous material for a lithium-ion secondary battery anode is amorphous carbon having fibril tissues with diameters of 20 to 200 nm with stratified nanofibrils made up of micro-region units of diameters of 2 to 20 nm linearly arrayed in aggregate.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池負極用炭素質材料であって、前記炭素質材料が、直径２〜２０ｎｍの微細領域単位が線状に集合配列してなるナノフィブリルが層状に集合した直径２０〜２００ｎｍのフィブリル組織を有する非晶質炭素である、ことを特徴とするリチウムイオン二次電池負極用炭素質材料に係る。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics in the wavelength region from 380 to 600 nm and excellent durability which does not fatigue or deteriorate by light and to provide an image forming device which uses the above photoreceptor and laser light in the wavelength range from 380 to 600 nm as the exposure light source, which has high sensitivity and high resolution and which can give stable picture quality.例文帳に追加

３８０〜６００ｎｍの波長域で高い感度特性を有し、光によって疲労劣化しない耐久性に優れる電子写真感光体、および該感光体を用いて３８０〜６００ｎｍの波長範囲のレーザ光を露光光源とし、高感度かつ高解像力を有して安定した画質が得られる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The light diffusion sheet 10 includes: a high refractive index region 12 formed by a substance having a refractive index N1_650 in light with a wavelength of 650 nm; and low refractive index regions 14 formed by a substance having a refractive index N2_650 in light with a wavelength of 650 nm and forming light reflection faces S3.例文帳に追加

光拡散シート１０は、６５０ｎｍの波長の光における屈折率Ｎ１_６５０を有する物質によって形成されている高屈折率領域１２と、６５０ｎｍの波長の光における屈折率Ｎ２_６５０を有する物質によって形成されており光反射面Ｓ３を形成する低屈折率領域１４とを含む。 - 特許庁

This is because of the following reasons: In an ultraviolet region with a wavelength of 400 nm or less, the difference in reflectivity between a white ground and printed portions of the C, M, and Y colors becomes large, and concentration difference occurs among a plurality of patterns included in the test pattern.例文帳に追加

これは、波長４００ｎｍ以下の紫外域では、ＣＭＹ各色において白下地と印字部分との反射率差が大きくなり、テストパターンに含まれる複数のパターン間で濃度差が発生するためである。 - 特許庁

To provide a resin composition keeping product design flexibility and productivity characterizing the thermoplastic resin, excellent in low curvature and pin press-fit strength, and having high reflection characteristic in visible light region (400-700 nm wave length).例文帳に追加

熱可塑性樹脂の特徴である製品設計自由度および生産性を保持しつつ、低そり性、ピン圧入強度に優れ、かつ、可視光領域（４００〜７００ｎｍ波長）での高反射特性を有する樹脂組成物を得る。 - 特許庁

A GaN based semiconductor laser 1, generating a laser light L1 whose wavelength is at most 450 nm, is used as a light source for optical pumping, and phosphor 2 is so combined that fluorescence L2 in a visible region is generated by excitation of the laser light L1.例文帳に追加

波長４５０ｎｍ以下のレーザ光Ｌ１を発するＧａＮ系半導体レーザ１を励起光源として用い、レーザ光Ｌ１で励起されて可視域の蛍光Ｌ２を発するよう、蛍光体２を前記レーザ１と組み合わせる。 - 特許庁

To provide a photosensitive planographic printing plate material adaptable to laser exposure in the region of 350-450 nm and excellent in high sensitivity, high printing durability, staining property, suitability to a plate cleaner and dot reproducibility and to provide an image forming method for the same.例文帳に追加

高感度、高耐刷、汚れ性、プレートクリーナー適性、網点再現性に優れた３５０ｎｍから４５０ｎｍ域でのレーザー露光に対応した感光性平版印刷版材料及びその画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyvinyl alcohol-based film for optical use, which is a polyvinyl alcohol-based film being excellent in stretchability, and can be used for producing a polarizing film with high polarizing performance over the whole visible light region, especially in the vicinity of the wavelength of 460 nm.例文帳に追加

延伸性に優れたポリビニルアルコール系フィルムであり、かつ可視光線全域、特には波長４６０ｎｍ付近において、偏光性能に優れた偏光膜を製造するための光学用ポリビニルアルコール系フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which prevents interference fringes from appearing during image formation and obviates the occurrence of image defects, such as black dots, voids, and ghosts when light of a wavelength region from 380 to 500 nm is used for the formation of an electrostatic latent image.例文帳に追加

３８０〜５００ｎｍの波長域の光を静電潜像形成に使用した場合にも、画像形成時に干渉縞が現れず、黒ポチ、白抜け、ゴースト等の画像欠陥を生じさせない電子写真感光体の提供。 - 特許庁