例文 (836件) |
nm regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 836件
A pellicle film is bonded to at least the top of a pellicle frame with, an adhesive having ≥90%/μm light transmittance in the wavelength region of 190-800 nm and ≥93%/μm light transmittance in the wavelength region of 240-600 nm to obtain the objective pellicle for lithography.例文帳に追加
少なくともペリクルフレームの上面に、ペリクル膜を接着したリソグラフィ用ペリクルであって、該ペリクル膜とペリクルフレームを接着する接着剤の光線透過率が、190nm〜800nmの光線波長領域において、90%/μm以上であることを特徴とするリソグラフィ用ペリクル。 - 特許庁
A thermal oxidation process is carried out in a dry atmosphere, whereby a silicon oxide film 161 of thickness 3 nm is formed on the surface of the first region 11a of the silicon board 11, and a silicon oxide film 171 of thickness 6 nm is formed on the surface of a second region 11b of the silicon board 11 where no nitrogen ions are implanted.例文帳に追加
乾燥雰囲気中で熱酸化を行い、第1の領域11aのシリコン基板11の表面には厚さ3nmのシリコン酸化膜16_1 が形成され、窒素イオンが注入されていない第2の領域11bには厚さ6nmのシリコン酸化膜17_1 が形成される。 - 特許庁
A polycrystalline semiconductor film is formed and thereafter, rare gas element ions are selectively implanted, in only the channel formation region of the semiconductor film and the regions in the vicinity of the channel formation region and in such a way, that the center of the range of charged particles in the ions is positioned from the interface under the lower side of the semiconductor film to be within a distance of 10 nm ±10 nm.例文帳に追加
多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜のチャネル形成領域およびその近傍領域にのみ選択的に、また、飛程中心が該半導体膜の下側界面から10nm±10nm内になるよう注入する。 - 特許庁
The lens has an antireflection film having ≤1% reflectance Rv in the wavelength region of 420-650 nm and ≥40% reflectance Rir in the wavelength region of 920-1,100 nm to the incidence of light parallel to the optical axis of the lens.例文帳に追加
光軸に平行した光の入射に対し、波長領域420nm〜650nmの反射率R_vがR_v≦1%であり、波長領域920nm〜1100nmの反射率R_irが40%≦R_irである反射率特性を有する反射防止膜が形成されたレンズである。 - 特許庁
This heat radiation shielding coating composition contains a black pigment having ≥8.0% solar radiation reflectance in 780-2,100 nm wave length region and the black pigment may have ≤15% reflectance at any wave length in a visible light region of 400-700 nm.例文帳に追加
780〜2100nmの波長域における日射反射率が8.0%以上である黒色顔料を含む熱線遮蔽塗料組成物であり、この黒色顔料は、可視領域の波長400〜700nmのいずれの波長においても、その波長での反射率が15%以下であってよい。 - 特許庁
The full color hologram in which multiple recording or multilayer recording is performed with different four main wavelengths for reproducing has one reproducing wavelength in the region from 550 to 560 nm near 555 nm peak wavelength in the specific luminosity curve, and has other three reproducing wavelengths in the regions for the three primary colors of red, blue and green from 615 to 680 nm, from 380 to 470 nm and from 485 to 515 nm, respectively.例文帳に追加
異なる4つの再生主波長で多重記録又は多層記録されたフルカラーホログラムにおいて、比視感度曲線のピーク波長555nm付近の550nm〜560nmに再生波長の1つを有し、かつ、赤、青、緑の3原色領域の615nm〜680nm、380nm〜470nm、485nm〜515nmの3つの領域に他の3つの再生波長を有するフルカラーホログラム。 - 特許庁
The optical fiber which has a dispersion value of 2≤D≤8 (ps/nm/km) in a range of from 1,400 to 1,700 nm in wavelength and in which the wavelength dispersion is made to have at least one extreme value in this wavelength region is constituted.例文帳に追加
波長1400nm〜1700nmの範囲で分散値が2≦D≦8(ps/nm/km)で、且つ、この波長範囲で波長分散が少なくとも1つの極値を持つようにした光ファイバを構成する。 - 特許庁
In the optical element 1, scattering of light in a short wavelength region, particularly ≤500 nm, can be decreased by forming optical faces 1a, 1b having ≤5 nm center line surface average roughness on the both surfaces.例文帳に追加
この光学素子1は中心線表面平均粗さRaが5nm以下である光学面1a,1bを両面に有することにより、特に、500nm以下の短波長の光に対して散乱光を減じることができる。 - 特許庁
The tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate thus obtained are jointed, and the junction region of amorphous whose thickness is 0.3 nm or larger and 2.5 nm or smaller is provided at the interface, thus obtaining the substrate whose junction strength is high.例文帳に追加
このようにして得られたタンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを接合し、その界面に0.3nm以上2.5nm以下の厚みのアモルファスの接合領域を設けると、接合強度の高い基板が得られる。 - 特許庁
A green light component has the peak in a region of wavelength 520 to 590 nm, its spectral half-value width is 70 nm or less, and the quantity of light of at least green light component can be independently adjusted.例文帳に追加
また緑色光成分は波長520〜590nmの領域にピークを有し、かつそのスペクトル半値幅が70nm以下であり、少なくとも緑色光成分の光量を独立して調整可能とする。 - 特許庁
This "write once"-type optical recording medium uses the recording layer containing a new squalirium compound or a cyclobutenedion compound having absorption in 600 to 700 nm or 350 to 520 nm wavelength region as organic coloring matter.例文帳に追加
600〜700nmまたは350〜520nmの波長領域で吸収をもつ新規スクアリリウム化合物またはシクロブテンジオン化合物、および該化合物を有機色素として含む記録層を用いる追記型光記録媒体。 - 特許庁
To provide a novel TCNQ complex having a styrylpyridinium skeleton having an absorption in the region of wavelength of 350 nm to 530 nm capable of being recorded and read by blue semiconductor lasers and a large absorptivity coefficient.例文帳に追加
青色半導体レーザーで記録再生が可能な350nm〜530nmの波長領域に光吸収を有し、かつ、吸光係数の大きい新規なスチリルピリジニウム骨格を有するTCNQ錯体を提供。 - 特許庁
To provide an interlayer film excellent in an infrared ray shielding property at a wavelength region of not only 1,500 nm or more but also 1,500 nm or less and to provide laminated glass using the interlayer film.例文帳に追加
波長領域1500nm以上の赤外線遮蔽性のみならず、波長領域1500nm以下の赤外線遮蔽性にも優れた中間膜、および該中間膜を用いてなる合わせガラスの提供。 - 特許庁
Here, λ is set to a lower limit 400 (nm) of a visible light wavelength and Lc is set to a distance (nm) between an end of a light-shielding layer and an end of a channel region.例文帳に追加
光導波路に侵入しうる光がチャネル部に到達しないようにするためには、第1絶縁体層の層厚t(nm)、屈折率をnとした場合、以下の式で表されるt<(0.61×λ)/(n×sinθ)。 - 特許庁
A region where at least one element of the electrode composition material and one element of the solid electrolyte composition material composes a compound is formed on the interface of at least one of electrodes and the solid electrolyte, and the region is made of at least either of an oxide, a hydroxide, and a nitride, and the thickness of the region layer is made to be 0.01 nm-300 nm.例文帳に追加
少なくとも一方の電極と固体電解質との界面に少なくとも電極構成材料の一元素と固体電解質構成材料の一元素が化合物を構成する領域を形成し、その領域は酸化物、水酸化物、窒化物の少なくともいずれからなり、なおかつ領域層の厚みを0.01nm〜300nmとする。 - 特許庁
Rms of the irregularities (standard deviation of height) located in every region in a 1 μm square is larger than 0.25 nm.例文帳に追加
また、表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きい。 - 特許庁
Both the high breakdown voltage and large current can be compatibly obtained by setting the thickness of the reserve region 112 within a range of 30 to 100 nm.例文帳に追加
リサーフ領域112の厚さを30nm以上100nm以下の範囲内に設定することによって高耐圧と大電流の両立を得ることができる。 - 特許庁
Side walls 32a of, for example, 38 nm in width are disposed on both sides of a gate electrode 29a of a transistor A having a small source-drain region.例文帳に追加
ソース・ドレイン領域が小さいトランジスタAのゲート電極29aの両側には例えば幅が38nmのサイドウォール32aを配置する。 - 特許庁
First metal particles 1 have an average particle size which gives a fine size effect and are in an nm region in which they can melt at a temperature lower than the melting point.例文帳に追加
第1の金属粒子1は、平均粒径が、微細サイズ効果を生じ融点よりも低い温度で溶融可能なnm領域にある。 - 特許庁
To provide a dye covering a wavelength region of 500-560 nm in a polarizing film with high dyeability, durability and light resistance intended for liquid crystal projectors.例文帳に追加
染色性、耐久性、耐光性に優れた液晶プロジェクター用の偏光膜において、500〜560nmの範囲の領域をカバーする染料の提供。 - 特許庁
To provide a phosphor which shows good light emission over the whole visible light region (wavelengths of about 450 to about 850 nm).例文帳に追加
可視光領域(波長約450nm〜約850nm)全体にわたって良好な発光を示す蛍光体を提供することを目的とする。 - 特許庁
It is preferable to have ≤50% mean value of spectroscopic transmittance of visible light in 380-800 nm wave length region in the fabric.例文帳に追加
この織物の波長領域380〜800nmにおける可視光線の分光透過率平均値は50%以下であることが好ましい。 - 特許庁
To prepare a photocatalyst thin film showing high efficiency by irradiation of natural light, particularly light in a 600 to 250 nm wavelength region, and to provide a method for manufacturing the thin film.例文帳に追加
自然光下、特に600〜250nmの波長域の光照射下において高効率な光触媒薄膜、及びその製造方法。 - 特許庁
The cholesteric liquid crystal layers 11, 12 and 13 selectively reflect the circularly polarized light over the entire region (400 to 750 nm) of the visible light as a whole.例文帳に追加
コレステリック液晶層11,12,13は、全体として、可視光全域(400〜750nm)の円偏光を選択的に反射するものである。 - 特許庁
Next, plasma oxidation is carried out (step S18) and many protrusions of about 5 nm in height are selectively formed only in the substrate region of the air bearing surface.例文帳に追加
次に、プラズマ酸化を行い(ステップS18)、エアベアリング面の基体領域にのみ、高さが5nm程度の多数の凸部を選択的に形成する。 - 特許庁
To provide a filter glass for cutting near-infrared ray which is excellent in chemical durability and efficiently permeates a wavelength region near 400 nm.例文帳に追加
化学的耐久性に非常に優れ、かつ400nm付近の波長域を効率よく透過する近赤外線カットフィルタガラスを提供すること。 - 特許庁
The light transmissivity of an alignment film 34 formed on the electrode 31, at the wavelength region of 300-600 nm is set 95% or more.例文帳に追加
また、反射電極31上に形成される配向膜34の波長域300nm〜600nmの光透過率を95%以上とする。 - 特許庁
Then a processed region 35 along a cutting expectation line 25 is formed in the sapphire wafer 20 with laser light of, for example, 355 nm in wavelength.例文帳に追加
次に、サファイアウエハ20の内部に、たとえば波長355nmのレーザ光によって、切断予定ライン25に沿う加工領域35が形成される。 - 特許庁
It is suitable that the plastic material has the transmissivity of ≥10% in the visible light wavelength region of 400-800 nm.例文帳に追加
プラスチック材料は、400〜800nmの可視光波長領域において10%以上の透過率を有するプラスチック材料が好適である。 - 特許庁
EUV light with a wavelength of 13.5 nm is radiated by flowing a high current of a pulse shape between electrodes 11 and 12, and forming a high temperature plasma region.例文帳に追加
電極11,12間にパルス状の大電流を流し、高温プラズマ領域を形成し、波長13.5nmのEUV光を放射させる。 - 特許庁
A pulse laser beam of 400 to 650 nm in wavelength is made incident on the region where the impurities are implanted to activate the implanted impurities.例文帳に追加
不純物の注入された領域に、波長400〜650nmのパルスレーザビームを入射させて、注入された不純物を活性化させる。 - 特許庁
An impurity diffused layer, comprising a source region 15 and a rain electrode 16 of a pMOS 11, is formed very shallow to about 50 nm.例文帳に追加
pMOS11のソース領域15およびドレイン電極16を構成する不純物拡散層を50nm程度の極浅に形成する。 - 特許庁
Further by adding a metal oxide as a refractive index adjusting agent, transmissivity in a long wave length region is improved and high transparency is exhibited in the wide wave length region of 400-1,200 nm.例文帳に追加
さらに屈折率調整剤として金属酸化物を混合することにより、長波長領域での透過性が改善され、400〜1200nmの幅広い波長領域において高い透明性を示す。 - 特許庁
The maximum value of nitrogen atom concentration in a region within 10 nm from an interface between the semiconductor layer and the insulating film (interface between a channel region and the oxide film 8) is 1×10^21 cm^-3 or over.例文帳に追加
半導体層と絶縁膜との界面(チャネル領域と酸化膜8との界面)から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値が1×10^21cm^-3以上である。 - 特許庁
UV light reflective layer (8), having high reflectivity in plasma emission wavelength region (145-200 nm) and high light-permeability in syncope wavelength region is mounted on a front plate (1).例文帳に追加
前側プレート(1)上に、プラズマ放出波長域(145〜200nm)において高い反射性を有すると共に仮死波長域において高い光透過性を有するUV光反射層(8)を設ける。 - 特許庁
The object region composed of air containing steam is irradiated with ultraviolet light laser beams at 270-180 nm wavelength to thereby produce the waterdrops or ice grains in the object region.例文帳に追加
水蒸気を含む空気よりなる対象領域に、波長が270nm〜180nmの紫外線レーザー光を照射することにより、上記対象領域内に水滴又は氷粒を生じさせる。 - 特許庁
A barrier insulating material 36 is deposited through a CVD method and formed by etching, with which the lower electrode 26 is set separate from the source region 18 and the drain region 20 by a distance D of 50 to 300 nm.例文帳に追加
障壁絶縁材36をCVD堆積した後エッチングにより成形し、下部電極26とソース領域18及びドレイン領域20とが50〜300nmの距離D離れるようにする。 - 特許庁
The active region 19 has a region of carrier concentration not higher than 1×10^16 cm^-3 in the light confinement layers 43a, 47a and the quantum well structure section 45a with the total thickness of ≥270 nm.例文帳に追加
活性領域19が、光閉じ込め層43a、47a並びに量子井戸構造部45aに総厚270nm以上の1×10^16cm^−3以下のキャリア濃度の領域を有する。 - 特許庁
The glass material contains a light absorbing substance having intrinsic absorption in a wavelength region shorter than 600 nm and no intrinsic absorption in the wavelength region from 600 nm to less than 2,000 nm, for example, either germanium oxide or tin oxide or an oxide containing the combination of these having a group IV element having higher ionization tendency added to the above oxide.例文帳に追加
600nmより短い波長範囲において固有吸収が存在しかつ波長600nm以上2000nm未満の波長範囲において固有吸収が存在しない吸収物質、例えば酸化ゲルマニウムと酸化スズのいずれか一つあるいはそれらの組合せからなる酸化物に、よりイオン化傾向の高い周期律表IV属元素を添加したもの等を含むガラス材料。 - 特許庁
A contrast improving film 15 having a locally minimum value of transmittance in the range of 530-590 nm in a visible region of 400-700 nm is formed on the light extraction side of an EL element 11 wherein a luminescent layer 14 is formed between electrodes 12, 13 opposite to each other.例文帳に追加
対向する2つの電極12,13間に発光層14が設けられたEL素子11の光取出し側に、400nm〜700nmの可視領域において、530nm〜590nmの範囲に透過率の極小値を有するコントラスト向上膜15が設けられている。 - 特許庁
The lengthwise retardation film 12 is obliquely oriented and has a slow phase axis 14 in an inclined direction with respect to the longitudinal direction of the film, and the film shows a quarter-wave in-plane phase difference at a wavelength in a visible ray region from 380 nm to 780 nm.例文帳に追加
長尺状位相差フィルム12は斜め延伸され遅相軸14がフィルム長手に対し斜め方向であり、380nm〜780nmの可視光領域のいずれかの波長で1/4波長の面内位相差を有する。 - 特許庁
A molded body from the resin composition preferably has an average light-ray transmittance of 15 to 85%, in the wavelength region of 300 nm to 800 nm as measured at an optical length of 200 mm.例文帳に追加
また、本発明の導光板用樹脂組成物は、成形体としたときの、200mmの光路長で測定された300nm〜800nmの波長領域における平均光線透過率が、好ましくは15〜85%である。 - 特許庁
A dielectric layer 2 is formed on a region including grid-shaped convex portions 1a of a resin substrate 1 having the grid-shaped convex portions 1a with pitches of 80 nm to 120 nm on its surface and metal wires 3 are formed on the dielectric layer 2.例文帳に追加
表面に80nm〜120nmピッチの格子状凸部1aを有する樹脂基材1の格子状凸部1aを含む領域上に誘電体層2を形成し、その誘電体層2上に金属ワイヤ3を形成する。 - 特許庁
A wavelength selection layer 1 to absorb light with a wavelength region of 550 nm to 620 nm and penetrate visible light with other wavelength regions is arranged on an optical path from an LED light source 3 to a light-emitting surface of a light guide plate 4.例文帳に追加
550nm〜620nmの波長領域の光を吸収し、それ以外の波長領域の可視光を透過する波長選択層1をLED光源3から導光板4の出光面までの光路上に設ける。 - 特許庁
The transparent organic thin-film transistor is constituted by using a p-type organic semiconductor material in a semiconductor active layer, in which the maximum absorbance in the range of 400 to 700 nm, which is visible region, is 0.2 or less, when the thickness of a thin film is made to be 30 nm.例文帳に追加
半導体活性層に、膜厚30nmの薄膜としたときに可視域である400〜700nmの範囲の最大吸光度が0.2以下であるp型有機半導体材料を用いた透明有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁
When the spectral absorption of wavelength region 290 to 400 nm is measured in a methylene chloride solvent, the maximum absorption wavelength of the ultraviolet absorber is shorter than that of the ultraviolet ray absorbing polymer by 5 nm or more.例文帳に追加
紫外線吸収剤は塩化メチレン溶媒中で290〜400nmの波長領域の分光吸収を測定した時に、前記の紫外線吸収性ポリマーよりも最大吸収波長が5nm以上短い紫外線吸収剤。 - 特許庁
Moreover, the wavelength of the ultraviolet ray including the far ultraviolet region used is 200 to 365 nm, and the dose is 50 to 100 mJ/cm2 at the wavelength of 254 nm per film thickness of lens material of 1 μm.例文帳に追加
また、用いる遠紫外域を含む紫外光の波長が200〜365nm、その照射量がレンズ材料の膜厚1μm当たり、波長254nmにおいて50〜100mJ/cm^2であることを特徴とする。 - 特許庁
The color purity of the emission light of a display can be significantly improved by preparing an optical filter containing dyes having the absorption maximum in the wavelength region from 440 to 510 nm or from 570 to 605 nm.例文帳に追加
波長440から510nmの間、または570から605nmの間に吸収極大を持つ色素を含有した光学フィルターを用意することにより、ディスプレイの発光色純度を大幅に向上させることができる。 - 特許庁
This composition is characterized by containing (A) a resin having an ethylene unsaturated group in the molecule, (B) a compound which absorbs the near infrared region of 650 nm and 1,000 nm and (C) a light resistant improver.例文帳に追加
分子内にエチレン性不飽和基を有する樹脂(A)、650nmから1000nmの近赤外領域を吸収する化合物(B)、耐光性向上剤(C)を含有することを特徴とするエネルギー線硬化型樹脂組成物。 - 特許庁
To provide an aluminum substrate for a lithographic printing plate which has high sensitivity, is excellent in plate wear, stain resistance, and plate cleaner suitability, and corresponds to a laser exposure in a region of 350 nm to 450 nm, a photosensitive lithographic printing plate and a method for forming an image.例文帳に追加
高感度で、耐刷性、耐汚れ性、プレートクリーナー適性に優れた350nmから450nm域でのレーザー露光に対応した平版印刷版用アルミニウム支持体、感光性平版印刷版および画像形成方法の提供。 - 特許庁
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