「on-off diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the sludge is settled on the bottom part of the tank, one diffusion part 10b is elected as shown by a chain line, air distribution to the diffusion part 10b is cut off by the on-off valve function of the flexible pipe joint 17 due to the election.例文帳に追加

槽底部に汚泥が堆積した場合には、一方の散気部１０ｂを鎖線のごとく起立させ、その起立による自在管継手１７の開閉弁機能によってその散気部１０ｂへの空気流通を遮断する。 - 特許庁

In this case, the on/off of dots is set definitely without correcting with errors diffused from processed pixels, and an error calculation and an error diffusion process are not carried out.例文帳に追加

この場合には、該画素ではほとんど濃度誤差が生じないため、誤差の計算および誤差拡散も行わない。 - 特許庁

To render gradation display of an image of high quality by eliminating bit diffusion noise caused by an on/off duty ratio of a micromirror for a DMD element.例文帳に追加

ＤＭＤ素子のマイクロミラーのオン／オフのデューティ比に起因して生じるビット拡散ノイズを解消して、高品質の画像で諧調表示を行う。 - 特許庁

Whenever the peak signal is obtained by amplitude detection, a switch 15 alternately changes the on/off of a reference signal input to a diffusion code generator 14.例文帳に追加

振幅検波によりピーク信号が得られる度にスイッチ１５により拡散符号発生器１４への基準信号入力のオン・オフを交互に切り替える。 - 特許庁

To prevent an Mo electrode film from readily peeling off, and to prevent adverse effects to diffusion of Na from a glass substrate, when forming the Mo electrode film on the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上にMo電極膜を形成する際に、Mo電極膜を剥がれ難くし、かつガラス基板からのNaの拡散に悪影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21.例文帳に追加

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。 - 特許庁

The junction field effect transistor has a vertical structure and normally-off type on/off characteristics wherein a semiconductor substrate 1, a channel layer 3 and a source diffusion layer 9 are mainly composed of SiC.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、半導体基板１、チャネル層３およびソース拡散層９がＳｉｃを主成分として形成されている。 - 特許庁

So, while a short turn-off time is maintained, concentration of current that occurs at a corner part of the high-concentration collector diffusion layer is suppressed, resulting in improved on-breakdown strength.例文帳に追加

これにより、短いターンオフ時間を維持しながら、高濃度コレクタ拡散層のコーナー部分で起こる電流集中を抑制し、オン耐圧の向上を実現する。 - 特許庁

To prevent a light reflection layer from peeling off from a diffusion layer by thermal hysteresis received in a color filter forming step, when the light reflection layer containing a base layer consisting of an ICO based transparent film is formed on the diffusion layer and a color filter is formed on the light reflection layer.例文帳に追加

拡散層の上にＩＣＯ系の透明膜からなる下地層を含む光反射層を形成し、その光反射層の上にカラーフィルタを形成する場合、カラーフィルタ形成工程で受ける熱履歴によって、拡散層から光反射層が剥離するのを防止する。 - 特許庁

To provide a vacuum valve capable of suppressing diffusion of metal vapor produced when a main current is carried and cut off and preventing it from depositing on an insulation tube and on a flexible body, simple in internal structure, and reduced in size and weight.例文帳に追加

主電流を通流、遮断するときに発生する金属蒸気の拡散を抑制して絶縁筒及び可撓体への付着を防止でき、内部構造が簡単で小型化、軽量化した真空バルブを提供する。 - 特許庁

Thereby, electric field concentration on the vicinity of a transfer gate TG end easily causing a crystal defect in the floating diffusion region FD in turning off the transfer gate is prevented, and leak current is suppressed.例文帳に追加

これにより、転送ゲートがオフ時に、フローティングディフュージョン領域ＦＤにおいて、結晶欠陥が生じ易い転送ゲートＴＧ端付近への電界集中を防ぎ、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

By connecting a gas introduction parts 4 and a gas diffusion parts 6 to the reinforcement rib 3 prepared for breakage prevention of the dielectric top board 2, a structure is constituted that gas is made to distribute uniformly on a substrate 9 in a vacuum processing room 8 from a gas blow-off hole 7 arranged in the gas diffusion parts 6.例文帳に追加

誘電体天板２の破損防止のために設けた補強リブ３にガス導入部品４およびガス拡散のための部品６を接続することで、ガス拡散のための部品６に設けたガス吹き出し穴７から真空処理室８内の基板９上にガスを均一に分布できる構造とした。 - 特許庁

To suppress an off-current in a cell transistor even if the transistor has a designed size that allows a significant short channel effect to occur, and to suppress a leak current from a joint on the capacitor side diffusion layer of the cell transistor.例文帳に追加

短チャネル効果が顕著に現れるような設計寸法であったとしてもセルトランジスタのオフ電流を抑制することができ、さらにセルトランジスタのキャパシタ側拡散層の接合部におけるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

In the light-emitting element 100 in which a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate as the substrate 1, a substrate having an off-angle is used.例文帳に追加

単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成した発光素子１００において、単結晶基板１としてオフアングルを有するものを使用する。 - 特許庁

On both surfaces of a translucent substrate 3 that can transmit exposure light 7 including specific wavelength, a light diffusion part 2 which transmits the light 7 while scattering it and a shading part 4 which cuts off the light 7 are put opposite each other to form the mask 1 for inspection.例文帳に追加

所定波長を含む露光光７が透過可能な光透過基板３の両面に、光７を散乱させつつ透過させる光散乱部２と、光７の通過を遮る遮光部４とを対向させて検査用マスク１を形成する。 - 特許庁

To provide a multi-split anode wall plasma generating device capable of preventing the short circuit between a cathode and an anode by the peeling off of deposits adhering to and depositing on an inner wall of the anode by diffusion plasma, and to provide a plasma treating device using the same.例文帳に追加

拡散プラズマにより陽極内壁に付着、堆積した堆積物が剥落して陰極と陽極間を短絡することを防止することができる陽極壁多分割型プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

The second concept prevents anti-phase domains from growing due to the growth of a polar material on a non-polar material using an off-cut corner Si substrate, this solving the problem of the diffusion between dissimilar atoms during growing a usual ZnSe layer on the Si substrate.例文帳に追加

第２のコンセプトは、オフカット角Ｓｉ基板を用いた非極性材料上に極性材料を成長させることに起因する反位相領域が生じないようにすることであり、それによってＳｉ基板上に一般的なＺｎＳｅ層を成長している間に異種原子間の拡散の問題が解決される。 - 特許庁

To provide a technology for shortening such a time as the resistance between main electrodes becomes the on resistance under steady state when transition is made from off state to on state in a semiconductor device having an impurity diffusion region of a conductivity type different from that of a drift layer within a range surrounding the footprint of a trench in the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層内においてトレンチの底面を取り囲む範囲に、ドリフト層とは異なる導電型の不純物拡散領域を備えている半導体装置の、オフ状態からオン状態に移行する際の主電極間の抵抗が定常状態のオン抵抗となる時間を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

To prevent the peeling-off of a low dielectric constant insulation film when etching gas and moisture, etc., fetched in the low dielectric constant insulation film are eliminated in a heating process in process even at realizing the structure, for which a diffusion preventing insulation film is directly formed on the low dielectric constant insulation film.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜上に直接に拡散防止絶縁膜を成膜した構造を実現しても、低誘電率絶縁膜中に取り込まれたエッチングガスや水分等がプロセス中の熱工程で脱離した際に低誘電率絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁

This electric power consumption reducing device is used for the oil diffusion pump exhausting suction gas by injecting a steam flow of a hydraulic fluid heated by a heater from a jet, and is constituted for intermittently cutting off electric power supplied to the heater on the basis of a control signal inputted in advance.例文帳に追加

ヒータにより加熱した作動油の蒸気流をジェットから噴射して吸入気体を排気する油拡散ポンプに使用する消費電力量削減装置において、予め入力された制御信号に基づいて、ヒータに供給する電力を断続的に遮断する構成とした。 - 特許庁

According to the heat resistant alloy, a dense chromium oxide film is formed on the surface even when used for a long time in a high temperature atmosphere, thus the internal diffusion of oxygen can be cut off, the oxidative consumption of W can be suppressed, the mass change rate in the heat resistant alloy is extremely low, and further, collapse is not caused therein.例文帳に追加

本発明の耐熱合金によれば、高温大気中で長時間使用しても、表面に緻密な酸化クロム被膜を形成するため、酸素の内方拡散を遮断し、Wの酸化消耗を抑えることができ、耐熱合金の質量変化率がごく小さく、しかも崩壊することがない。 - 特許庁

According to the heat resistant alloy, since a dense chromium oxide film is formed on the surface even when being used in high temperature atmosphere for a long period of time, inner diffusion of oxygen is cut off, the oxidative consumption of W and Mo can be suppressed, and the mass change rate of the heat resistant alloy is reduced as well.例文帳に追加

本発明の耐熱合金によれば、高温大気中で長時間使用しても、表面に緻密な酸化クロム被膜を形成するため、酸素の内方拡散を遮断し、W及びMoの酸化消耗を抑えることができ、耐熱合金の質量変化率も小さくなる。 - 特許庁

A transfer circuit 20 is configured to transfer signal charges of an accumulating region 15 to a floating diffusion region 30 when in operation, and to interrupt the transfer of the signal charges when not in operation by means of a transfer gate 21 which is turned on and off in response to a transfer control signal TG.例文帳に追加

転送回路２０は、転送制御信号ＴＧに応答してオンオフする転送ゲート２１によって、作動時に蓄積領域１５の信号電荷をフローティングディフュージョン領域３０へ転送する一方で非作動時に信号電荷の転送を遮断するように構成される。 - 特許庁

Toner particles forming an image on the intermediate transfer belt 70 receive vibrations from from the toner layer diffusion member 10 to be peeled off a surface of the intermediate transfer belt 70 and dispersed in carrier liquid, so that the secondary transfer defect at the secondary transfer unit 80 can be prevented.例文帳に追加

中間転写ベルト７０上で画像を形成するトナー粒子は、このトナー層拡散部材１０からの振動を受け中間転写ベルト７０表面から剥がされ、キャリア液中に分散するような状態となり、二次転写ユニット８０での二次転写不良の発生を防止することができる。 - 特許庁

To improve the suitability of an emulsion layer (gelatin) washing off at washing in the production of an aluminum planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process and to produce an aluminum planographic printing plate excellent in ink receptivity and printing durability while preventing the sticking of a deposit on a roller in a processing apparatus.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の製版処理において、水洗処理時の乳剤層（ゼラチン）のウォッシュ・オフ性を向上させ、インキ受理性及び耐刷力に優れたアルミニウム平版印刷版の製版方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

Respective electrolyte membrane 1 sides of the two electrolyte membranes 10 (10A) with the catalyst layers for the fuel cell with the base material are arranged opposite to each other to join them by heat press treatment, and after peeling off the base materials 6, 7, gas diffusion layers 4, 5 are formed on the catalyst layers 2, 3 respectively, thereby manufacturing of the membrane-electrode assembly for the fuel cell is made.例文帳に追加

基材付き燃料電池用触媒層付電解質膜１０（１０Ａ）の２つを互いに電解質膜１側を対向させて配置し、熱プレス処理により接合して、基材６，７を剥離した後ガス拡散層４，５を触媒層２，３上に形成することにより燃料電池用膜・電極接合体を製造する。 - 特許庁

In the particle material charging apparatus equipped with a charging hopper for storing the particle material, an on-off shutter for controlling the charging of the particle material, a discharge part, a container for housing the particle material discharged from the discharge part and a stand for holding the container, a cone-shaped diffusion device is arranged to the discharge part.例文帳に追加

粒体材料を溜める投入ホッパと、前記粒体材料の投入を制御する開閉シャッタと、吐出部と、該吐出部から吐出される前記粒体材料を収容する容器と、該容器を保持する架台とを具備して成る粒体材料投入装置において、前記吐出部に円錐形拡散器を設置したことにある。 - 特許庁

The slurry is applied to surfaces of the substrate, which is then heated to burn off the binder, vaporize and react the activator with the metallic aluminum to form the halide vapor, react the halide vapor at the substrate surfaces to deposit aluminum on the surfaces and diffuse the deposited aluminum into the surfaces to form a diffusion aluminide coating 20.例文帳に追加

このスラリーを基材の表面に塗布し、次いで加熱してバインダを焼失させ、活性剤を蒸発させるとともに金属アルミニウムと反応させてハロゲン化物蒸気を形成し、ハロゲン化物蒸気を基材表面上で反応させて同表面上にアルミニウムを堆積し、さらに堆積アルミニウムを表面内に拡散させて拡散アルミナイド皮膜２０を形成する。 - 特許庁

A light emitting pattern wherein the ON/OFF states of continuous SFs in the continuous gradations is prevented from being switched is selected as real gradations, gradations which can not be expressed are falsely expressed by error diffusion or dither, the non-lighting phenomenon due to the composite factor of electric discharge and defective writing is suppressed, the gradations are smoothed, and the quality of images is improved.例文帳に追加

連続した階調間で、連続したＳＦにおいて、ＳＦの点灯／非点灯が入れ替わることがないような発光パターンを選択して実階調とし、表現できない諧調を誤差拡散やディザにより擬似的に表現することによって、電荷抜けと書き込み不良との複合要因による不灯現象を抑えるとともに階調も滑らかとなり、映像の品位を向上させることができる。 - 特許庁