「oxidation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In the oxygen indicator, a layer containing at least an oxidation reduction coloring matter and a layer containing a reducer for at least discoloring the coloring matter are laminated on a base so that they are in contact.例文帳に追加

基材上に、少なくとも酸化還元色素を含む層と、少なくともその色素を変色させ得る還元剤を含む層とを接触するように積層したことを特徴とする酸素インジケーターである。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head and a manufacturing method of the thin film magnetic head in which oxidation of a Cu layer of a lead conductor layer and a connection pad can be suppressed without increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を増大させることなくリード導体層及び接続パッドのＣｕ層の酸化抑制を図ることができる薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 due to the oxidation hardly occurs, so that generation of leakage current caused by the defect generated by the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 can be suppressed.例文帳に追加

そのため、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化による変形が起こりにくくなり、Ｓｉ層２の下面エッジ部が変形して欠陥が生じることによるリーク電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

Thus, even when an oxidation layer exists on the surface of the wire 2, the correction layer 5 and the wire 2 are fused and fixed in the respective regions so that the resistance value of the correcting part can be decreased.例文帳に追加

したがって、配線２の表面に酸化層がある場合でも、各領域において修正層５と配線２が溶融して固着するので、修正部の抵抗値を低くすることができる。 - 特許庁

To provide a high-performance catalyst layer capable of selectively oxidizing a small amount of carbon monoxide, and a method for removing carbon monoxide by oxidation using the catalyst layer.例文帳に追加

本発明は、微量の一酸化炭素に対して選択的酸化能を持つ高性能触媒層及び該触媒層を用いた一酸化炭素の酸化除去方法を提供することをその課題とする。 - 特許庁

According to the ink jet recording medium having an ink receiving layer on a base material, the ink receiving layer contains a compound having two ore more types of anti-oxidation function.例文帳に追加

支持体上にインク受容層を有するインクジェット記録媒体において、該インク受容層が、２種以上の酸化防止能を有する化合物を含有することを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

Although the tunnel insulation layer is formed as the lower electrode is put under anodic oxidation, but a good-quality tunnel insulation layer can not be formed when the Nd is segregated on the surface of the signal wire.例文帳に追加

トンネル絶縁層は下部電極を陽極酸化することによって形成されるが、信号線の表面にＮｄが偏析すると品質のよいトンネル絶縁層を形成することが出来ない。 - 特許庁

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板に深いＮ型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第１のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、Ｎ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

To suppress the degradation of light output characteristics due to oxidation of an Al containing semiconductor layer in a vertical emission type semiconductor laser element with a horizontal resonator including the Al containing semiconductor layer.例文帳に追加

Ａｌ含有半導体層を有する水平共振器・垂直出射型半導体レーザ素子において、Ａｌ含有半導体層の酸化に起因する光出力特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a rubber composition for an inner liner suppressing oxidation-deterioration of a rubber component constituting a carcass layer and a belt layer by reducing an amount of oxygen in air permeating the inner liner.例文帳に追加

インナーライナーを透過する空気中の酸素量を低減することにより、カーカス層及びベルト層を構成するゴム成分の酸化劣化を抑制するようにしたインナーライナー用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

The trench is substantially filled with the insulating layer formed as a result of the oxidation process, and the trench is constituted so that the semiconductor layer between a pair of corresponding adjacent trenches is consumed.例文帳に追加

トレンチは、酸化工程の結果形成された絶縁層がトレンチを実質的に充填し、対応する１対の隣接したトレンチ間の半導体層を実質的に消費するように構成される。 - 特許庁

The fuel cell is constituted, by interposing an electrolyte membrane between the anode and the cathode, and oxidation reaction in a catalyst layer of the anode progresses in a liquid layer.例文帳に追加

アノード極とカソード極とで電解質膜を挟んで構成される燃料電池であって、前記アノード極の触媒層における酸化反応が、液相で進行することを特徴とする燃料電池。 - 特許庁

The metallized layer 2 and the brazing filler metal 5 are protected by the covering material 6, and oxidation and degradation of the metallized layer 2 and the brazing filler metal 5 can be prevented even under a high-temperature oxidizing atmosphere of ≥ 400°C.例文帳に追加

メタライズ層２とろう材５とが被覆材６により保護され、４００℃以上の高温の酸化雰囲気でもメタライズ層２とろう材５とが酸化されて劣化するのを防止することができる。 - 特許庁

The oxidation-resistant conductive assistant 12A includes conductive cores 15, at least a portion of the surfaces of the cores 15 are covered with an aluminum layer 16, and an aluminum oxide layer 17 is formed on the surface of the aluminum layer 16.例文帳に追加

耐酸化性導電助剤１２Ａは、導電体である芯体１５と、この芯体１５の表面の少なくとも一部がアルミニウム層１６により覆われ、さらに、このアルミニウム層１６の表面には酸化アルミニウム層１７が形成されている。 - 特許庁

An electrolytic Al plating layer is formed on the surface of an R-T-B rare earth magnet (R is at least a kind of rare earth elements containing Y, and T is Fe or Fe and Co) and an oxidation-resistant layer is formed on the outer layer.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種であり、ＴはＦｅまたはＦｅ及びＣｏである。）の表面に電解Ａｌめっき層とその外層に耐酸化層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The intermediate layers 52 and 53 are provided between the current constriction layer 51A, and 1st p-type clad layer 41A and 2nd p-type clad layer 41B and then mixed crystal of phosphorus and arsenic is prevented from being formed between them, thereby increasing the reproducibility by oxidation.例文帳に追加

電流狭窄層５１Ａと第１ｐ型クラッド層４１Ａおよび第２ｐ型クラッド層４１Ｂとの間に中間層５２，５３を設けることにより、それらの間でリンとヒ素との混晶が形成されることが防止され、酸化の再現性が高まる。 - 特許庁

By one reaction of oxidation and reduction corresponding to a specimen introduced into the sensing material layer, a first change is generated in absorption characteristics of the sensing material layer for infiltration light infiltrated into the sensing material layer.例文帳に追加

前記センシング材料層に導入される検体に応じた酸化及び還元の一方の反応により、前記主面から前記センシング材料層に浸透する浸透光に対する前記センシング材料層の吸収特性において第１変化が生じる。 - 特許庁

An aluminum oxide layer 14 is formed in at least one surface of an aluminum substrate 12 by an anode oxidation method, a solution wherein perhydropolysilazane is dissolved is applied on the aluminum oxide layer 14 and a silica glass layer 16 is formed by heating treatment.例文帳に追加

アルミニウム基板１２の少なくとも一方の面に、陽極酸化法により酸化アルミニウム層１４を形成し、酸化アルミニウム層１４上にパーヒドロポリシラザンが溶解した溶液を塗布し、加熱処理することによりシリカガラス層１６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a sapphire substrate 101; a primary GaN layer 103 formed on the sapphire substrate 101; and a primary oxidation layer 104 formed near to an upper part of a defect which resides in the primary GaN layer 103.例文帳に追加

半導体装置は、サファイア基板１０１と、サファイア基板１０１上に形成された第１のＧａＮ層１０３と、第１のＧａＮ層１０３に存在する欠陥の上部近傍に形成された第１の酸化層１０４とを備える。 - 特許庁

After impurities are introduced in the polysilicon layer 3 by ion injection, a heat treatment is carried out for IPO oxidation to form an IPO oxide film 4 on the surface of the polysilicon layer 3, and a second polysilicon layer is further formed on the IPO oxide film 4.例文帳に追加

不純物をイオン注入にてポリシリコン層３に導入した後に、熱処理することによりＩＰＯ酸化を行い、ポリシリコン層３の表面にＩＰＯ酸化膜４を形成し、さらにＩＰＯ酸化膜４の上に第二のポリシリコン層を形成した。 - 特許庁

A high density plasma oxidation (HDPO) processing layer is formed on a channel, source and drain regions to form a dielectric interface and then one or more dielectric layers are deposited on the HDPO layer to form a high quality gate dielectric layer.例文帳に追加

高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。 - 特許庁

A region (and a neighboring region thereof) having a sidewall portion exposed between source-drain electrodes 17, of a semiconductor layer 14 formed in a lower layer of a channel protection layer 15 provided in the thin film transistor TFT is subjected to oxidation processing by oxygen plasma processing.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。 - 特許庁

This solar battery is provided with a mixture layer 14 of a nano-particle oxide and an acetonated substance or chloride containing cations having a bivalent or univalent oxidation number, and provided with the semiconductor electrode 10 including a dye molecule layer chemically adsorbed by the mixture layer 14.例文帳に追加

ナノ粒子酸化物と酸化数が２価または１価のカチオンを含むアセト化物または塩化物との混合物層１４を備え、混合物層１４に化学的に吸着されている染料分子層を含む半導体電極１０を備えている。 - 特許庁

The insulation properties of gate insulating films of the first semiconductor layer transistor and second semiconductor layer transistor are almost identical, and the gate insulating film of the second semiconductor layer transistor is formed by radical oxidation or radical nitriding.例文帳に追加

なお、第１半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性と、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性とは概ね同等であり、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜は、ラジカル酸化又はラジカル窒化により形成される。 - 特許庁

The second layer 52 is formed with alloy including b-atomic% of cobalt and (100-b)-atomic% of iron while (b) is ≥70, ≤90, and also an oxidation process is applied on the face of the second layer 52 at the side opposite to the first layer 51.例文帳に追加

第２層５２は、コバルトをｂ原子％、鉄を（１００−ｂ）原子％含み、ｂが７０以上、９０以下である合金によって形成され、且つ第２層５２における第１層５１とは反対側の面には酸化処理が施されている。 - 特許庁

The polymer layer discolors through the electrochemical oxidation or reduction, so the contrast and black density can be increased and no fading, etc., is caused for a long time.例文帳に追加

電気化学的な酸化もしくは還元により変色するため、コントラスト及び黒色濃度を高くすることができ、長時間褪色などが発生しない。 - 特許庁

By covering a part of the second layer 13B with an insulating film 14 at the time of the surface oxidation treatment, a metal film 13B2 that is not oxidized is left under the insulating film 14.例文帳に追加

表面酸化処理の際に、第２層１３Ｂの一部を絶縁膜１４で覆うことで、絶縁膜１４下に酸化されない金属膜１３Ｂ２を残す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a patterned medium type magnetic recording medium free from non-magnetization due to oxidation of a magnetic layer and after corrosion due to a residual fluorine compound.例文帳に追加

磁性層の酸化による非磁性化や、フッ素化合物残存によるアフターコロージョンのないパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display element which coats an oxidation film on conductive particles in an organic EL layer and can control occurrence of current leaking, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

有機EL層内の導電性パーティクルに酸化膜を被覆し、漏洩電流発生を抑制する表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting tool capable of inhibiting wear due to oxidation and crater wear in a breaker and also preventing a coating layer of a cutting blade from chipping or peeling.例文帳に追加

ブレーカにおける酸化摩耗やクレータ摩耗を抑制でき、かつ切刃における被覆層のチッピングや剥離を抑制できる切削工具を提供する。 - 特許庁

To prevent an oxidation-reduction reaction between an electrode and an alignment layer caused by incident light, to improve resistance properties of a substrate and to suppress deterioration of the substrate.例文帳に追加

入射光による電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、基板の耐性を向上させると共に、基板の劣化を抑制する。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING SILICON DIOXIDE LAYER BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION ON SUBSTRATE HAVING GERMANIUM OR SILICON-GERMANIUM ALLOY ON AT LEAST ITS SURFACE例文帳に追加

少なくともその表面にゲルマニウムまたはケイ素−ゲルマニウム合金を持つ基板上において、高温酸化により二酸化ケイ素層を調製する方法 - 特許庁

The catalyst layer 18 includes further an oxide system catalyst component which reduces an oxidation temperature of a particulate substance 26, which is an exhaust particulate.例文帳に追加

触媒層１８は、さらに、排気微粒子である、粒子状物質２６の酸化温度を低減させる酸化物系の触媒成分が含有される。 - 特許庁

To provide a fuel cell which prevents unusual oxidation of a metal substrate and cracking and peeling of an electrolyte layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

金属基材の異常酸化が抑制されかつ電解質層のひび、剥がれ等が抑制された、燃料電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After an n+-type region 16b of a gate electrode 11 and a Poly-Si layer 16 is formed, thermal oxidation is carried out and an oxidized film 12 is formed.例文帳に追加

ゲート電極１１及びＰｏｌｙ−Ｓｉ層１６のうちのｎ^+型領域１６ｂを形成したのち、熱酸化を施して酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

Consequently, processes of removing a pad and polysilicon layer, dummy oxidation and removing the dummy in the prior art can be omitted and thereby the number of processes can be reduced.例文帳に追加

これにより、従来例のパッド・ポリシリコン層の除去工程、ダミー酸化とその除去工程を省略でき、工程を短縮することができる。 - 特許庁

A Ta film which is a protection film and a metallic film is used as an etching stop layer of a feed port instead of a conventional thermal oxidation film.例文帳に追加

本発明では、従来の熱酸化膜に変えて、保護膜で、且つ、金属膜であるＴａ膜を、供給口のエッチングストップ層として使用するものである。 - 特許庁

By this, the metal oxide layer becomes a heat-resistant and oxidation-resistant protective membrane so as to prevent the current collector from deteriorating due to exposure to a high temperature.例文帳に追加

これによって、金属酸化物層が耐熱性、耐酸化性の保護膜になり、集電体を高温に曝されることによる劣化から防ぐことができる。 - 特許庁

A three-layer inorganic resist oxidation film 10 including an As thin film 2, a Ga_2O_3 thin film 4 and an As thin film 5 on the surface of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、Ａｓ薄膜２と、Ｇａ_2Ｏ_3薄膜４と、Ａｓ薄膜５と、で構成される３層無機レジスト酸化膜１０を形成する。 - 特許庁

The whole reformer is miniaturized by integrating a mixing chamber of air for PROX (CO selective oxidation) and the reformed gas with a PROX catalyst layer.例文帳に追加

ＰＲＯＸ用空気と改質ガスとの混合室をＰＲＯＸ触媒層と一体化したため、改質器全体を小さくすることができた。 - 特許庁

To provide a porous nano-structure which is made from anodic oxidation alumina and has a thicker barrier layer in the bottom than a conventional one, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

陽極酸化アルミナからなり、従来に比べ膜厚の大きな底部バリア層を有する多孔質ナノ構造体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming a silicon oxide film 31 by thermal oxidation under the condition in which the thickness of the surface of a diffused layer 15 becomes about 3 nm.例文帳に追加

拡散層１５の表面における厚さが３ｎｍ程度になるような条件で、シリコン酸化膜３１を熱酸化により形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which suppresses an occurrence of abnormal oxidation even heat treating at high temperatures after forming a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層形成後、高温の熱処理を施しても異常酸化の発生を抑制することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Oxides are formed on the surface of the material to be treated and in the vicinity of the surface to produce grain boundary oxidation and a slack quenched layer accompanying the same by the gas carburizing.例文帳に追加

このガス浸炭により、被処理品の表面及び表面近傍に酸化物が生成し、粒界酸化とそれに伴う不完全焼入れ層とが生じた。 - 特許庁