「oxidation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Additionally, by coating the power supply line surfaces with a glass coating layer, the power supply lines are further protected, high temperature oxidation in a burn-in process of a chip or short circuit can be prevented.例文帳に追加

このほか、電源線表面をガラス被覆層で被覆することで、電源線を更に保護し、チップのバーンイン過程での高温酸化、或いは短絡を防止できる。 - 特許庁

To provide a method for heat treating a silicon single-crystal wafer, which suppresses generation of oxidation-induced stacking faults in the device- forming active layer and makes the oxygen precipitation density uniform inside the wafer.例文帳に追加

デバイス活性層での酸化誘起積層欠陥を抑制し、また酸素析出密度をウェーハ面内で均一にしたシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法に関する。 - 特許庁

In the oxide film forming method, the oxide film is locally formed on a substrate surface layer by jetting a high-pressure solution comprising an oxidation source on a substrate surface.例文帳に追加

酸化源を含む高圧溶液を基板表面に噴出することにより、基板表面層に局所的に酸化膜を形成する酸化膜形成方法である。 - 特許庁

To provide conductive particles which can reduce oxidation on the outer surface of a copper layer, and to provide an anisotropic conductive material using the conductive particles and a connection structure.例文帳に追加

銅層の外表面の酸化を抑制できる導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた異方性導電材料及び接続構造体を提供する。 - 特許庁

To provide an inorganic EL element that can prevent the element from deteriorating due to oxidation of a light-emitting layer and that can simplify a manufacturing process, and to provide a method for manufacturing the inorganic EL element.例文帳に追加

発光層の酸化による劣化を生じ難くすることができ、かつ製造工程も簡素化することができる無機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell preventing oxidation of a fuel electrode layer even if nitrogen gas or hydrogen gas is not separately supplied to a power generating cell, and also to provide its operation method.例文帳に追加

別途、窒素ガスや水素ガスを発電セルに供給せずとも、燃料極層の酸化を防止できる固体酸化物形燃料電池とその運転方法を提供する。 - 特許庁

The composite seed layer 22 is subjected to one or both of a low power plasma treatment and natural oxidation process to form a more uniform interface with the [CoFe/Ni]_X multilayer.例文帳に追加

低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層２２に施すことにより、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X多層膜との界面を均一化する。 - 特許庁

Further, lowering of temperature is suppressed with such a simple structure that only the heat insulating unit 32 is arranged between the water evaporation flow path 31 and the selective oxidation catalyst layer A8.例文帳に追加

更に、水蒸発流路３１と選択酸化触媒層Ａ８との間に断熱部３２を配置するだけの簡便な構造で温度低下を抑制することができる。 - 特許庁

To improve a transistor-driving capability by inhibiting oxidation layer formation on a sidewall of the metal gate electrode in a MOS transistor structure having a high dielectric gate insulating film/metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜／メタルゲート電極のＭＯＳトランジスタ構造において、メタルゲート電極側壁の酸化層を抑制し、トランジスタ駆動能力を改善する。 - 特許庁

The superconducting photodetector has a single superconducting thin line having a resistance which changes in response to incidence of a photon, and an oxidation preventive layer formed on the superconducting thin line.例文帳に追加

光子の入射に応じて抵抗が変化する単体の超伝導細線及び該超伝導細線上に形成された酸化防止層を有する超伝導光検出素子。 - 特許庁

In the actuator 10, the volume of the deformation layer 3 is expanded or contracted by an oxidation-reduction reaction and driving is performed so that the inside diameter of the tube is changed.例文帳に追加

アクチュエータ１０は、酸化還元反応によって変形層３の体積が膨張または収縮し、チューブの内径が変化するように駆動するものである。 - 特許庁

To provide a multilayered ceramic composite which can provide protection without changing the composition and characteristics of a surface layer against the oxidation damage particularly by infiltration of air.例文帳に追加

特に空気の侵入による酸化損傷に対し、表面層の組成及び特性を変えることなく保護することのできる多層セラミックス複合体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can release electric field concentration on corner portions on the surface of a second semiconductor layer without executing high-temperature thermal oxidation.例文帳に追加

高温熱酸化を行うことなく、第２半導体層表面の角部での電界集中を緩和できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor including a semiconductor layer assuring comparatively easy composition, higher hole mobility, excellent processing capability, and stability in oxidation under the atmospheric condition.例文帳に追加

合成するのが比較的容易であり、高いホール移動度、良好な加工性および大気酸化安定性を有する半導体層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Then, to suppress the cause of the oxidation, an infrared absorbent of an aminium salt or an imonium salt of 1 wt.% to 30 wt.% is contained in the recording layer.例文帳に追加

そこで、この酸化の原因を抑制するため、記録層に１ｗｔ％〜３０ｗｔ％のアミニウム塩又はイモニウム塩の赤外線吸収剤を含有させる。 - 特許庁

Each porous layer 21a, 22a formed in a porous shape by an anodic oxidation method is formed respectively on the bottom face of the groove 21 and on the side face of each pillar 22.例文帳に追加

溝２１の底面及びピラー２２の側面には、それぞれ陽極酸化法によって多孔質状に形成された多孔質層２１ａ及び２２ａが形成される。 - 特許庁

Between a joined layer 12 and the silicon substrates 2, 1, a thermal oxidation film as dispersion prevention layers 13a, 13b which prevent the dispersion of Au and silicon is provided.例文帳に追加

接合層１２とシリコン基板２やシリコン基板１の間には、Ａｕとシリコンとの拡散を防止する拡散防止層１３ａ，１３ｂとして熱酸化膜を有する。 - 特許庁

The cap layer is formed of metal carbide of which melting point is higher than treatment temperature in the first annealing process and oxidation onset temperature of 1,000°C or below.例文帳に追加

キャップ層を形成する材料には、融点が第１アニール工程における処理温度以上であるとともに、酸化開始温度が１０００℃以下の金属炭化物を用いる。 - 特許庁

An opening 5a is formed in the silicon nitride film 5 and the base film 4, and a first thermal oxidation film 6 is formed on a surface of the silicon layer 3 located in the opening 5a.例文帳に追加

窒化シリコン膜５及び下地膜４に開口部５ａを形成し、開口部５ａ内に位置するシリコン層３の表面に第１の熱酸化膜６を形成する。 - 特許庁

Drip absorbed from the liquid absorbing surface moves to the tea leaf layer 12, and oxidation is prevented owing to action of catechin contained in the crushed tea leaves and freshness of the meat is retained.例文帳に追加

吸液面から吸収されたドリップは、茶葉層１２に移行して破砕茶葉に含まれるカテキン等の作用により酸化等が防止され、食肉等の鮮度が保持される。 - 特許庁

Further, the method comprises a stage wherein, after the formation of the fine pores, projections are formed from a base layer provided below the film to be subjected to anodic oxidation into the fine pores.例文帳に追加

前記細孔の形成後、被陽極酸化膜の下に設けた下地層より該細孔内に突起物を形成する工程を含むナノ構造体の製造方法。 - 特許庁

Oxidation of the metal support can be restrained on this manufacturing method for a fuel cell since the calcining process is carried out after the protection layer is arranged.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池の製造方法によれば、保護層が配置された後に焼成工程が行われることから、金属支持体の酸化が抑制される。 - 特許庁

Then, the water draining part 68 is protruded and installed in the oxidation gas flow passage 42 from the surface of the diffusion layer 36 so as to have a gap between the gas flow passage wall face 61.例文帳に追加

そして、排水部６８は、ガス流路壁面６１と隙間を存するように拡散層３６の表面から酸化ガス流路４２内に突出して設けられる。 - 特許庁

The anodic oxidation coating 13 is used as a capacitive insulating film, the Al foil 11 is used as an anode and the conductive polymer layer 14 is used as a cathode.例文帳に追加

陽極酸化皮膜１３を容量絶縁膜として使用し、Ａｌ箔１１を陽極として使用し、導電性高分子層１４を陰極として使用する。 - 特許庁

To prevent oxidation of a layer made of cubic boron nitride at a high temperature above 900°C and improve maintaining of wear resistance in a temperature region exceeding 900°C.例文帳に追加

立方晶窒化ホウ素からなる層の900℃を超える高温での酸化防止を図るとともに、それ以上の温度域での耐摩耗性を維持を向上することを課題とする。 - 特許庁

Namely, the lamination structure of an N^+ high concentration substrate 1 and the N^- low concentration layer 2 is arranged under a state that the whole surface of the thermal oxidation film 5 is contacted with the susceptor 11.例文帳に追加

すなわち、熱酸化膜５の全表面をサセプタ１１に接触させた状態で、Ｎ^+高濃度基板１及びＮ^-低濃度層２の積層構造を配置する。 - 特許庁

Accordingly, an unnecessary oxidation reaction between a chalcogen element included in an ion source layer 21 and the lower electrode 10 is prevented from occurring with repetition of write and erasure.例文帳に追加

よって、書き込みおよび消去の繰り返しに伴ってイオン源層２１に含まれるカルコゲン元素と下部電極１０との不要な酸化反応が生じることが抑えられる。 - 特許庁

The front surface side of an N^- low concentration layer 2, in which the Schottky electrode is formed, is arranged so as to be contacted with the susceptor 11 of a heat treatment device through a thermal oxidation film 5.例文帳に追加

ショットキ電極が形成されるＮ^-低濃度層２の表面側が熱酸化膜５を介して熱処理装置のサセプタ１１に接するように配置する。 - 特許庁

It is preferable to control the energy density of the irradiated laser beam to within 8 to 14J/cm^2, and to form the insulation film of the inner layer obtained by the heating oxidation with a thickness of 5 to 15 nm.例文帳に追加

照射するレーザショットのエネルギー密度を８〜１４Ｊ／ｃｍ^2とし、内部層の加熱酸化により得られる絶縁膜の厚みを５〜１５ｎｍとするのが好ましい。 - 特許庁

To prevent deterioration of a catalyst caused by flowing of high temperature gas into the catalyst layer for selective oxidation of carbon monoxide when a fuel-reforming system becomes a hot stop state.例文帳に追加

燃料改質システムがホットストップ状態となるときに、一酸化炭素選択酸化触媒層へ高温ガスが流入して触媒が劣化することを防止する。 - 特許庁

The fluoroelastomer layer 4 contains a photocatalyst 5, a thermoplastic resin 6 which is decomposed by the oxidation reduction effect of the photocatalyst 5 and an inorganic ultraviolet shielding agent 7.例文帳に追加

フッ素系エラストマー層４は、光触媒５と、この光触媒５の酸化還元作用により分解される熱可塑性樹脂６と、無機系紫外線遮蔽剤７とを含む。 - 特許庁

To provide a biomass gas generation furnace capable of stably producing biomass gas by uniformly carrying out the oxidation reaction in an oxidizing layer.例文帳に追加

本発明は、酸化層において酸化反応を均一に行って、安定的にバイオマスガスの生成を行うことができるバイオマスガス発生炉を提供することを技術的課題とする。 - 特許庁

A pad oxide film 12 and an oxidation prevention film 13 are formed sequentially from a lower layer on a first region 11a and a second region 11b of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の第１領域１１ａ上と第２領域１１ｂ上とにパッド酸化膜１２及び酸化防止膜１３を下層から順に成膜する。 - 特許庁

Insulation films 18a, 18b are formed on a side surface of the electrode layer 14a by a thermal oxidation method, and insulation films 18A, 18B are formed on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱酸化法により電極層１４ａの側面に絶縁膜１８ａ，１８ｂを形成すると共に基板表面に絶縁膜１８Ａ，１８Ｂを形成する。 - 特許庁

To produce a silicon oxide layer by depositing a film having a carbon content of at least 1% by atomic weight, by a plasma enhanced oxidation of organosilicon compounds.例文帳に追加

有機シリコン化合物のプラズマ増速酸化によって少なくとも１原子量％の炭素含有量を有する膜を堆積させることによって、酸化シリコン層を生成する。 - 特許庁

To provide a method for forming one or more deposited layers on a substrate using cold spray which avoids oxidation of an outermost deposited layer during deposition.例文帳に追加

堆積の際に最も外側の堆積層の酸化を回避する、コールドスプレーを用いて一つまたは複数の堆積層を基体上に形成する方法が提供される。 - 特許庁

A P+ emitter region 41 is formed from above a step difference and an interval 42 is enlarged by the influence of acceleration oxidation to the collector buried layer 29.例文帳に追加

段差の上部からＰ＋エミッタ領域４１を形成すること及びコレクタ埋め込み層２９に対する増速酸化の影響により、間隔４２を拡大する。 - 特許庁

To obtain a pattern in a desired form without varying thickness of a silicon layer in an optical plane circuit type optical element having an oxidation process of a silicon pattern when manufacturing.例文帳に追加

製造時にシリコンパターンの酸化工程を有する光平面回路型光学素子において、シリコン層の厚さを変化させずに所望の形状のパターンを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a capacitor element having excellent characteristics by suppressing deformation of a conductive barrier layer due to oxidation expansion stress, and its fabricating method.例文帳に追加

導電性バリア層の酸化膨張応力による変形を抑制し、優れた特性を有する容量素子を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent oxidation, contamination or damage of a surface of a carrier injection layer constituting a group III nitride semiconductor HEMT which contacts a surface protective film in steps of a manufacturing process.例文帳に追加

III族窒化物半導体HEMTを構成するキャリア注入層の、表面保護膜と接する面が製造工程の過程において酸化、汚染及び損傷されない。 - 特許庁

The chemical cutting agent used for splitting the metal back layer includes a capsule which has a metal oxidation component enclosed by a capsule member which can be gasified at a prescribed heating temperature.例文帳に追加

メタルバック層の分断のために使用されるケミカルカット剤が、所定の加熱温度でガス化し得るカプセル部材により包まれた金属酸化成分を有するカプセルを含む。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a solid electrolytic capacitor in which an electrolyte layer is formed by oxidation polymerization and a high capacitance emergence rate is attained.例文帳に追加

酸化重合法による電解質層の形成が可能であり、しかも高い容量出現率が得られる固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor which is low in equivalent series resistance, even while a solid electrolytic layer is formed through electrolytic oxidation polymerization, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

固体電解質層の形成に電解酸化重合を適用しながらも、等価直列抵抗が低い固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

For the semiconductor device, an interface oxidation layer 102, a gate insulating film 104, and a gate electrode 107 are prepared in order on the superior surface of its semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。 - 特許庁

To provide a method of forming an aluminum oxide layer having high adhesive strength at high oxidation rate on the surface of an aluminum nitride-based sintered compact.例文帳に追加

窒化アルミニウム系焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化アルミニウム層を高い酸化レートで形成するための方法を提供することを目的とする。 - 特許庁