「oxidation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Oxidation-reduction reaction of the precious metal particles attached thereto enables the electrochemical capacitor to accumulate more charge than the conventional electric two-layer capacitor.例文帳に追加

付着している貴金属粒子の酸化還元反応により、従来の電気二重層キャパシタよりもより多くの電荷を蓄積することができる。 - 特許庁

To provide a laminated film having stable adhesiveness to a layer comprising polyolefin or a modified matter thereof without generating an odor due to oxidation.例文帳に追加

ポリオレフィン系またはその変性物からなる層に対し、酸化による臭いがなく安定した接着性を有する積層フィルムとその製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an ignition coil for internal combustion engines capable of saving work for separating a plating layer preventing oxidation when welding the lead terminal of a power switch.例文帳に追加

パワースイッチのリード端子を溶接する際に酸化防止の為のメッキ層を剥がす作業を省くことのできる内燃機関用点火コイルを提供すること。 - 特許庁

Then a gate G is formed by patterning the laminated film of the gate oxide film, polysilicon film, and first wiring layer, and an insulating coating film is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

次に、ゲート酸化膜、ポリシリコン膜、第１配線層の積層膜をパターンニングしてゲートＧを形成し、熱酸化により絶縁被膜を形成する。 - 特許庁

To produce a layer-structured electrochermical catalyst for exhaust gas cleaning, which has a compact and simple structure and is capable of electrochemically allowing oxidation and reduction to proceed.例文帳に追加

コンパクトでしかも簡単な構成で、電気化学的に酸化反応と還元反応を進めることができる排ガス浄化用電気化学触媒を提供する。 - 特許庁

The first conductivity type polymer layer 4 is formed by performing chemical oxidation polymerization by using an oxidizer composed of a second iron salt and a monomer, and then cleaning.例文帳に追加

第一の導電性高分子層４は、第二鉄塩からなる酸化剤とモノマーを用いた化学酸化重合を施し、洗浄をして形成される。 - 特許庁

To obtain ink for an oxygen indicator that prevents elution of an oxidation-reduction pigment in an ink layer for an oxygen indicator and a packaging material using the ink.例文帳に追加

酸素インジケーター用インキ層中の酸化還元色素の溶出を防止した酸素インジケーター用インキ、及び該インキを用いた包装材料を提供する。 - 特許庁

The thickness of the Ru layer 4 which is an anti-oxidation film is formed to be thinner than the thickness wherein the highest reflectivity is acquired as the whole multilayer film reflecting mirror.例文帳に追加

酸化防止膜であるRu層４の厚さを、多層膜反射鏡全体として最高の反射率が得られる厚さより薄く成膜されている。 - 特許庁

To provide a surface-emission semiconductor laser element with an oxidation constriction type current constriction layer having a constitution having excellent repetitive reproducibility and controllability.例文帳に追加

繰り返し再現性及び制御性の良好な構成の酸化狭窄型電流狭窄層を備えた面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface emitting semiconductor laser, capable of accurately controlling the reaction of oxidation reaction of III-V semiconductor layer containing aluminum.例文帳に追加

Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体層の酸化反応を精度良く制御することが可能な面発光型半導体レーザの製造方法を提供する - 特許庁

To improve heat resistance and oxidation deterioration resistance in an insulating coil for high tension equipment including an insulating layer using thermosetting resin such as epoxy resin.例文帳に追加

エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いた絶縁層を有する高電圧機器用絶縁コイルにおいて、耐熱性や耐酸化劣化特性の向上を図る。 - 特許庁

The insulation part 2 is constituted of a porous silicon layer formed by making one part of the base substrate 1 porous with anodic oxidation treatment.例文帳に追加

ここで、断熱部２は、ベース基板１の一部を陽極酸化処理により多孔質化することで形成された多孔質シリコン層により構成されている。 - 特許庁

In the swelling step, the treatment of swelling the organic polymer constituting the resist film pattern, on which the oxidation of the cured layer has been done using the chemical, is carried out.例文帳に追加

膨潤化工程では、薬液を用いて硬化層の酸化が実施されたレジスト膜パターンを構成する有機ポリマーを膨潤させる処理が実施される。 - 特許庁

Preferably, in addition to the amide and/or metallic soap, the layer contains an oxidation inhibitor of 0.1 to 2.0 wt.% for the acrylic soft resin.例文帳に追加

また、アミド及び／又は金属石鹸と共に、更にアクリル系軟質樹脂に対し０．１〜２．０重量％の酸化防止剤を含有させるのが好ましい。 - 特許庁

The SiC film is made to function as a Cu oxidation preventing layer and an etching preventing film at opening the connection hole, and the SiO_2 film is made to function as the protecting film of the SiOC film.例文帳に追加

ＳｉＣ膜はＣｕの酸化防止層及び接続孔開口時のエッチング阻止膜として、ＳｉＯ_２ 膜はＳｉＯＣ膜の保護膜として機能する。 - 特許庁

The interconnector for solid oxide fuel cell constituted using a heat-resisting alloy material including Cr includes the steam oxidation suppression layer on the surface facing the anode of the interconnector, the steam oxidation inhibiting layer successively composed of an MnCr oxide layer and a composite oxide layer including Mn and Co.例文帳に追加

Ｃｒを含む耐熱合金材料を用いて構成された固体酸化物形燃料電池用インターコネクタであって、前記インターコネクタのうちアノード側に面する表面に、順次、ＭｎＣｒ酸化物層及びＭｎとＣｏを含む複合酸化物層からなる水蒸気酸化抑制層を有することを特徴とする固体酸化物形燃料電池用インターコネクタ及びその水蒸気酸化抑制層の形成方法。 - 特許庁

A filter concentration part which consists of a first layer 23 through which at least part of PM passes including an oxidation catalyst 3 toward a flow out side cell 21 from a flow in side cell 20, a third layer 25 suppressing pass of PM, and a second layer 24 formed between the first layer 23 and the third layer 25 and capturing PM which is prevented from passing through the third layer 25.例文帳に追加

フィルタ隔壁の少なくとも一部に、流入側セル20から流出側セル21に向かって、酸化触媒３を含みＰＭの少なくとも一部が通過する第１層23と、ＰＭの通過を抑制する第３層25と、第１層23と第３層25の間に形成され第３層25で通過が抑制されたＰＭが捕集される第２層24と、よりなる濾過集中部を形成した。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device 1 which has a stacked structure of a lower electrode 20, a photoelectric conversion layer 30, and an upper electrode 50 on the anodic oxidation substrate 10 formed with an anodic oxidation film 12 on at least one face of a metal base 11 having Al as a main component, the anodic oxidation substrate 10 is formed by doping at least one kind of alkaline metal onto the anodic oxidation film 12.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする金属基材１１の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０上に、下部電極２０、光電変換層３０および上部電極５０の積層構造を有する光電変換素子１において、陽極酸化基板１０が、陽極酸化膜１２に少なくとも１種のアルカリ金属がドープされたものとする。 - 特許庁

In this printing method using an oxidation polymerization-type printing ink and a printing plate material where a hydrophilic layer and an image forming layer enabling on-printer development are provided on a substrate, the oxidation polymerization-type printing ink does not form a skim after being left still for 24-hour in the environment at a 25°C/55% RH (relative humidity).例文帳に追加

基材上に親水性層及び機上現像可能な画像形成層を有する印刷版材料と酸化重合タイプの印刷インキを用いる印刷方法において、該酸化重合タイプのインキが、２５℃・５５％ＲＨ（相対湿度）の環境下で２４時間静置後、皮張りしないことを特徴とする印刷方法。 - 特許庁

The fuel gas is fed to the first passage 38 and the first gas passage 58, the oxidation gas is fed to the second passage 46 and the second gas passage 60, thus the fuel gas and oxidation gas are uniformly diffused and fed to a first electrode catalyst layer 50 and a second electrode catalyst layer 54.例文帳に追加

第１流路３８および第１ガス流路５８に燃料ガスが供給される一方、第２流路４６および第２ガス流路６０に酸化剤ガスが供給されることにより、第１および第２電極触媒層５０、５４には、前記燃料ガスおよび前記酸化剤ガスが均一に拡散供給されることになる。 - 特許庁

An inflow-side oxidation catalyst-coated layer containing at least one metal selected from alkali metals and alkaline-earth metals is formed on the surface of a partition wall of a cell on the inflow side and an outflow-side oxidation catalyst-coated layer containing neither alkaline metal nor alkaline-earth metal is formed on the surface of the partition wall of the cell on the outflow side.例文帳に追加

流入側セル側のセル隔壁表面にアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも一種を含む流入側酸化触媒コート層を形成し、流出側セル側のセル隔壁表面にはアルカリ金属及びアルカリ土類金属を含まない流出側酸化触媒コート層を形成した。 - 特許庁

To provide an MoSi_2-Si_3N_4 composite coating layer which is formed on a substrate material composed of molybdenum, a molybdenum alloy, molybdenum- coated niobium or a molybdenum-coated niobium alloy and by which repeated-oxidation resistance and low temperature oxidation resistance can be improved and the high- temperature mechanical properties of a coating layer can be improved, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

モリブデン、モリブデン合金又はモリブデンが被覆されたニオビウム若しくはニオビウム合金の基材材料に、反復耐酸化性及び低温耐酸化性を向上させ、被覆層の高温の機械的性質を改善し得るＭｏＳｉ_2−Ｓｉ_3Ｎ_4複合被覆層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate electrode 11 is provided, in a defective part 23a extending from the surface of the oxidation film 23 to the surface of the parent material 22, with a barrier layer 24 formed from the surface of the parent material 22 to the surface side of the oxidation film 23 in order to seal the defective part 23a.例文帳に追加

基板電極１１は、酸化皮膜２３の表面から母材２２の表面に達する欠陥部２３ａ内に、母材２２の表面から酸化皮膜２３の表面側に形成され、欠陥部２３ａを封止するバリア層２４を備える。 - 特許庁

The p-electrode 12 is configured with a first Pd film 13, a Ta film 14 and a second Pd film 15 as an oxidation preventing film for preventing oxidation of the Ta film 14 and is formed on a type p-type contact layer 11 formed of a nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４、およびＴａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜としての第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。 - 特許庁

In the anodic oxidation substrate 10a in which an anodic oxidation film 12 is formed on an Al base material 11, an alkali-proof substrate protective film 13 is formed on a surface opposite to the side on which a laminated structure such as a photoelectric conversion layer or the like is formed.例文帳に追加

Ａｌ基材１１に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０ａにおいて、光電変換層等の積層構造が形成される側の反対側の面上に耐アルカリ性を有する基板保護層１３を備える。 - 特許庁

A second insulation film 2 due to anodic oxidation is formed on the upper surface around a forming region of the electron source of the upper-layer electrode film, and a third insulation film due to anodic oxidation is formed similarly in the forming region of the electron source as a tunnel film.例文帳に追加

上層電極膜の電子源の形成領域の周囲上面には陽極酸化による第２絶縁膜２が形成され、電子源の形成領域には同じく陽極酸化による第３絶縁膜がトンネル膜として形成されている。 - 特許庁

The wiring board 1 is employed under an oxidation atmosphere and comprises: an insulation substrate 2; an electrode 3 at least part of which is provided on the surface of the insulation substrate 2; and an oxidation-resistant coating layer 4 for covering an electrode 3a provided on the surface.例文帳に追加

酸化雰囲気下で用いられる配線基板１であって、絶縁基板２と、少なくとも一部が絶縁基板２の表面に設けられた電極３と、表面に設けられた電極３ａを覆う耐酸化性の被覆層４とを備える。 - 特許庁

To provide an oxidation apparatus for manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser for maintaining the temperature in the plane of a workpiece uniformly and enhancing the in-plane uniformity of the oxidation rate of a semiconductor layer including aluminum and arsenic, and provide a method of manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser for forming a high-quality current constriction layer by using the oxidation apparatus for manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser.例文帳に追加

被処理体の面内における温度を均一に保ち、アルミニウムと砒素を含む半導体層の酸化速度の面内均一性を高めることができる面発光型半導体レーザ製造用酸化装置、およびその面発光型半導体レーザ製造用酸化装置を用いることにより、品質の高い電流狭窄層を形成することができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

An exhaust emission control device 101 comprises an oxidation catalyst layer 12 formed at a midpoint in a path through which exhaust gas circulates, a hydrophilic layer 13 formed at least at an end surface 12b at a downstream side of the oxidation catalyst layer 12 and having at least one action of hydrophilic action and hydrolytic catalyst action, a SCR catalyst 15 provided downstream from the hydrophilic layer 13, and an injection valve 18 for supplying urea water to the hydrophilic layer 13.例文帳に追加

排気ガス浄化装置１０１は、排気ガスが流通する経路の途中に設けられた酸化触媒層１２と、少なくとも酸化触媒層１２の下流側の端面１２ｂに設けられ、親水作用及び加水分解触媒作用のうちの少なくとも一つの作用を有する親水層１３と、親水層１３よりも下流に設けられたＳＣＲ触媒１５と、親水層１３に尿素水を供給するための噴射バルブ１８とを備える。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor for use in a photocatalytic oxidation/reduction reaction is characterized by comprising a base layer and a surface layer overlaid thereon each having mutually different semiconductor characteristics forming an interface contacting the base layer and the surface layer, whereby at least the surface layer is made to have a function of accelerating carrier migration.例文帳に追加

III −Ｖ族窒化物半導体は、光触媒酸化還元反応用のIII −Ｖ族窒化物半導体であって、互いに半導体特性の異なる基層およびこの基層に積層された表層を有し、前記基層と前記表層とが接触する界面が形成されることにより、少なくとも表層がキャリア移動促進作用を有することを特徴とする。 - 特許庁

The contact part 14 has a structure on which connecting auxiliary layer 8, a diamond state carbon film 10, a cathode wiring layer 12b are sequentially laminated, thereby preventing direct contact of the connecting auxiliary layer 8 and a cathode wiring layer 12b and even in the case a minute amount of oxygen, moisture or the like invades, promotion of oxidation or corrosion of the cathode wiring layer 12b is suppressed.例文帳に追加

コンタクト部１４は、接続補助層８、ダイヤモンド状炭素薄膜１０、カソード配線層１２ｂが順次積層された構造を有し、接続補助層８とカソード配線層１２ｂとが直接接触することを防止し、微量の酸素、水分等が浸入した場合であってもカソード配線層１２ｂの酸化、腐食が促進されることを抑制している。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

In the organic EL element including a first electrode, a second electrode opposed to the first electrode, and a light emitting medium layer including the carrier transport layer and an organic light emitting layer provided between the electrodes, the carrier transport layer is the inorganic oxide layer formed through oxidation processing after film deposition.例文帳に追加

第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記電極間に設けられたキャリア輸送層および有機発光層を含む発光媒体層とを備えた有機ＥＬ素子において、前記キャリア輸送層は、成膜した後に酸化処理を行うことで得られた無機酸化物層であることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

Here, the metal coating layer 16 is provided with a low melting point coating layer 14 constituted by Pd alloy having a lower melting point than Pd; and an anti-oxidation coating layer 15 formed on a surface side than the low melting point coating layer 14 and formed by a Pd-containing metal more hardly oxidized than the low melting point coating layer 14.例文帳に追加

ここで、金属被覆層１６は、Ｐｄよりも低融点なＰｄ合金により構成される低融点被覆層１４と、低融点被覆層１４よりも表面側に形成されると共に、低融点被覆層１４よりも酸化を受けにくい性質を有するＰｄ含有金属により形成される耐酸化性被覆層１５とを備える。 - 特許庁

In the planographic printing plate which has at least one layer of silver halide emulsion layer on an aluminum supporting body subjected to roughening treatment and anodic oxidation and which employs the silver complex diffusion transfer process, a layer containing a polymer having a functional group expressed by formula (1) or (2) is formed as an upper layer on the silver halide emulsion layer.例文帳に追加

粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該ハロゲン化銀乳剤層の上層に、化１あるいは化２で示される官能基を有するポリマーを含有する層を設けることによって達成された。 - 特許庁

In a mirror layer of first period from the active layer side of the upper reflective layer 6, a current constriction layer 20 is formed of a current injection region 19a arranged in the vicinity of the center of mesa and having circular horizontal cross-section, and a selective oxidation layer 19b arranged contiguously to the current injection region 19a.例文帳に追加

そして、上部反射層６の活性層側から第一周期目のミラー層内に、そのメサ中央付近に配置されかつ水平断面が円状の形状を有する電流注入領域１９ａと該電流流入領域に１９ａに隣接して配置された選択酸化領域１９ｂにより形成された電流狭窄層２０が配置されている。 - 特許庁

A gas separator is also provided which is arranged on each gas diffusion layer, wherein a fuel gas flow path through which hydrogen-containing fuel gas flows from the upstream side to the downstream side is formed between the separator and the gas diffusion layer arranged on the anode side, and an oxidation gas flow path through which oxygen-containing oxidation gas flows is formed between the separator and the gas diffusion layer arranged on the cathode side.例文帳に追加

また、各々のガス拡散層上に配置されて、アノード側に配置されたガス拡散層との間に、水素を含有する燃料ガスが上流側から下流側へと流れる燃料ガス流路を形成すると共に、カソード側に配置されたガス拡散層との間に、酸素を含有する酸化ガスが流れる酸化ガス流路を形成するガスセパレータを備える。 - 特許庁

Then, after the metal gate substance layer is etched to form a metal gate pattern, a capping layer is formed on the metal gate pattern, and a selective oxidation process is performed for selectively oxidizing a substance containing silicon while suppressing oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern in order to cure any damage occurring upon etching for forming the metal gate pattern.例文帳に追加

次いで、前記金属ゲート物質層をエッチングして金属ゲートパターンを形成した後、前記金属ゲートパターン上にキャッピング層を形成し、前記金属ゲートパターンを形成するためのエッチング時に発生したダメージをキュアリングするために前記金属ゲートパターンに含まれた前記金属層の酸化を抑制しつつ、シリコンを含有した物質を選択的に酸化させる選択的酸化工程を行う。 - 特許庁

The lower layer 31 including MoSi_2 as a main component also has a function for preventing moisture or oxygen passing the upper layer 32 from invading the multilayered film 20, and is excellent from the viewpoint of oxidation resistance.例文帳に追加

このようにＭｏＳｉ_２を主成分とする下部層３１は、上部層３２を通過した水分や酸素が多層膜２０に侵入することを阻止する機能も有し、耐酸化性の観点でも優れたものとなっている。 - 特許庁

A phosphorous-doped film is laminated on the silicon layer of the rear surface side of a wafer having a device layer formed on its front surface side in a non-oxidation atmosphere, and a phosphate (P) is directly supplied to a silicon substrate from the phosphorous-doped film by thermal annealing.例文帳に追加

非酸化雰囲気下で、表面側にデバイス層が形成されたウエーハ裏面側のシリコン層に、リンドープ膜を積層させ、熱アニールでリンドープ膜より直接的にシリコン基板に対しリン（Ｐ）を供給する。 - 特許庁

N-semiconductor SiC particles are subjected to an oxidation treatment in an SiC oxidizing atmosphere, an oxide layer of thickness 5 to 100 nm is formed on the surfaces of the SiC particles, and the SiC particles coated with the oxide layer are formed into a voltage nonlinear resistor.例文帳に追加

ｎ半導性のＳｉＣ粒子をＳｉＣ酸化雰囲気中で酸化処理を行い、ＳｉＣ粒子表面に酸化層の厚みが５〜１００ｎｍとなるように酸化層を形成した電圧非直線抵抗体。 - 特許庁

Consequently, a thermal oxidation film 83 is formed along the surface of the wall of gate trench 21, so that the chemical bonding strength of the surface side of the deposition insulating layer 23 may improve, while the seam in deposition insulating layer 23 disappears.例文帳に追加

これにより，ゲートトレンチ２１の壁面沿いに熱酸化膜８３が形成され，堆積絶縁層２３中のシームが消滅するとともに堆積絶縁層２３の表層面の化学的結合力が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which, when a semiconductor substrate formed with a local wiring layer is heat treated in an atmosphere containing an oxygen, an oxidation of this local wiring layer can be prevented; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

局所配線層を形成した半導体基板を酸素を含む雰囲気中で熱処理した場合に、この局所配線層の酸化を防止できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

The substrate is provided which has a graphene film and a metal oxide film, for example, an SiO_2 film laminated in order on an insulating layer and obtained by subjecting a metal carbide film, for example, an SiC film on the insulating layer to oxidation treatment.例文帳に追加

絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。 - 特許庁