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「oxidation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索
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oxidation layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1426



例文

Since the first current constriction layer 17 requiring the oxidation process is formed at a portion separated from the active layer 14, effect of strain (stress) incident to formation of an Al oxide layer 17B as the first current constriction layer 17 on the active layer 14 is reduced.例文帳に追加

酸化工程を要する第1の電流狭窄層17が活性層14から離れた部位に形成されるので、この第1の電流狭窄層17としてのAl酸化層17Bを形成する際、その生成に伴う歪(応力)が活性層14に与える影響が軽減される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a two-layer copper clad laminated sheet which can further inhibit oxidation discoloration after a heat treatment which raises folding resistance in the two-layer copper clad laminated sheet (two-layer CCL material) wherein a copper layer is formed on a polyimide film by sputtering and plating, and to provide the two-layer copper clad laminated sheet.例文帳に追加

ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した2層銅張積層板(2層CCL材料)において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる2層銅張積層板の製造方法及び2層銅張積層板を得る。 - 特許庁

The electronic device has at least one electrode which is formed on a wide band gap compound semiconductor layer formed on a substrate, and at least contains an adhesion layer, an ohmic layer, and an oxidation preventive layer in this order from the side of the wide band gap compound semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に形成されたワイドバンドギャップ化合物半導体からなる層の上に形成され、該ワイドバンドギャップ化合物半導体からなる層の側から、少なくとも密着層とオーミック層と酸化防止層とをこの順序で含む電極を少なくとも1つ有する電子デバイス。 - 特許庁

A through-hole 9 is provided to penetrate the intermediate oxidation film layer 2 and supporting substrate layer 1, and a stencil pattern area 11 from which the membrane layer 3 is removed in the shape of a pattern is formed in the part of the membrane layer 3 exposed in the through-hole 9.例文帳に追加

中間酸化膜層2と支持基板層1とを貫通する貫通孔9が設けられ、貫通孔9内に露出するメンブレン層3の箇所にメンブレン層3がパターン状に除去されたステンシルパターン領域11が形成されている。 - 特許庁

例文

Deterioration is prevented even if a metal susceptible to oxidation and being rendered nonconductive easily is employed as an electrode material constituting the Ni ohmic electrode layer 7a, the Ti ohmic electrode layer 8a and the Au pad electrode layer 7b, the Al pad electrode layer 8b.例文帳に追加

したがって、Niオーミック電極層7a,Tiオーミック電極層8aやAuパッド電極層7b,Alパッド電極層8bを構成する電極材料として、酸化され易くて不導体化し易い金属を用いても、劣化を生じにくい。 - 特許庁


例文

This photoelectric conversion element comprises: a first electrode layer 1 having light transmittance; an electron transportation/charge separation layer 2 formed on the first electrode layer; a charge amplification layer 5 contacting the layer 2 and containing at least a potential gradient type dendrimer; an electrolyte layer 3 contacting the layer 5 and containing at least oxidation-reduction species; and a second electrode layer 4 contacting the electrolyte layer 3.例文帳に追加

光透過性を有する第一の電極層(1)と、第一の電極層上に形成された電子輸送・電荷分離層(2)と、電子輸送・電荷分離層(2)と接し、少なくとも電位傾斜型デンドリマーを含有する電荷増幅層(5)と、電荷増幅層(5)と接し、少なくとも酸化還元種を含有する電解質層(3)と、電解質層(3)と接する第二の電極層(4)を有する光電変換素子とする。 - 特許庁

At least, the uppermost part of the second clad layer 107 contains Al, a second conductivity-type mesa protective layer 108 whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the second clad layer 107 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132a against oxidation.例文帳に追加

第2クラッド層107の少なくとも最上部にAlを含み、その上にそれよりもAl組成比が小さい第2導電型のメサ保護層108を設けて再成長界面132aの酸化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a wafer-oxidizing device, which is constituted to form an Al oxide layer having high in-plane uniformity and an equal oxidation width over the whole surface of a wafer, at formation of the oxide layer by oxidizing an Al-containing layer.例文帳に追加

Alを含む層を酸化してAl酸化層を生成する際、面内均一性が高く、ウエハの全面にわたって同じ酸化幅の酸化層を生成できるようにした、ウエハの酸化装置を提供する。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層3,5内、または遮熱層3と金属結合層2との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層4を少なくとも1層形成する。 - 特許庁

例文

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride.例文帳に追加

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。 - 特許庁

例文

An insulating layer is formed on a surface of the cutting tool made of a conductive base material and the sensor circuit composed of a conductive film is formed on the insulating layer after oxidation treatment of the insulating layer.例文帳に追加

導電性母材を用いた切削工具の表面に絶縁層を形成し、その絶縁層を酸化処理した後にその絶縁層上に導電膜から成るセンサ回路を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Silicon oxide in the 2nd layer is formed by the oxidation of the 1st layer and the silica compound is formed from the oxide in the 1st layer and the oxide powder of an element belonging to group IA, IIA, IIIA or IVA.例文帳に追加

第2層の酸化硅素は第1層の酸化により、珪酸化合物は、第1層の酸化物とIa族、IIa族、IIIa族又はIVa族に属する元素の酸化物粉末とから生成される。 - 特許庁

After forming a backing layer 22 of a soft magnetic material on a substrate 21, an oxidation preventive layer 23 is formed in 0.1-1.0 nm thick by using rare earth metals, such as Tb, Gd, Sm, and Y on the backing layer 22.例文帳に追加

基板21上に軟磁性体により裏打層22を形成した後、裏打層22の上にTb、Gd、Sm及びY等の希土類金属により酸化防止層23を0.1〜1.0nmの厚さに形成する。 - 特許庁

The intense-field drift layer 6 is formed after the porous polycrystalline silicon layer 4 made by subjecting a polycrystalline silicon layer 3 to anode-oxidation is oxidized, by subjecting it to hydrogen-anneal treatment.例文帳に追加

強電界ドリフト層6は、多結晶シリコン層3に陽極酸化処理を施すことにより形成された多孔質多結晶シリコン層4を酸化した後、水素アニール処理を行うことにより形成されている。 - 特許庁

The oxidation catalyst 1 comprises a first catalytic layer 11 containing no zeolite, a second catalytic layer 12 which contains zeolite but not a rare metal or contains a negligible amount of rare metal, and a third catalytic layer 13 containing a rare metal.例文帳に追加

酸化触媒1を、ゼオライトを含まない第1触媒層11と、ゼオライトを含み貴金属を含まないか貴金属量が少ない第2触媒層12と、貴金属を含む第3触媒層13とから構成した。 - 特許庁

To provide a process for improving the oxidation resistance of a single MCrAlY layer as an adhesive layer without causing embrittlement by increasing the content of Al in the MCrAlY layer.例文帳に追加

本発明の課題は、MCrAlY層のAl含有量を高めることによって、脆化を生じることなく接着層としての単一MCrAlY層の耐酸化性を改善する方法を明示することである。 - 特許庁

A surface of an aluminum alloy base material 11 is subjected to anodic oxidation to form a porous layer 12, and a coating layer 13 with a lower thermal conductivity than the base material 11 is disposed on the porous layer 12.例文帳に追加

アルミ合金製母材11の表面に陽極酸化処理によるポーラス層12を形成し、該ポーラス層12の上に上記母材11よりも熱伝導率が低い被覆層13を設けた構造とする。 - 特許庁

Accordingly, oxidation due to air contact of the inside metal electrode layer 135 as in the past can be prevented, so that deterioration in the inside metal electrode layer 135 due to oxidation can be inhibited and a highly reliable semiconductor laser element 200 can be achieved.例文帳に追加

したがって、従来のように内側金属電極層135の空気接触による酸化を防ぐことができるため、内側金属電極層135の酸化による劣化の発生を抑制できて、信頼性に優れた半導体レーザ素子200を得ることができる。 - 特許庁

A wiring material has a three or more layered structure, consisting of a thin-film layer consisting of oxidation resistant metal, a thin-film layer formed thereon and consisting of or essentially of aluminum and 9 thin- film layer formed thereon and consisting of oxidation resistant metal and metal oxide is used for transparent electrode material.例文帳に追加

配線材料については耐酸化性金属からなる薄膜層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする薄膜層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる薄膜層からなる3層以上の構造とし、また透明電極材料に金属酸化物を使用する。 - 特許庁

The method for the production of an aromatic hydroperoxide comprises the contact of a water layer obtained from a reaction liquid during or after the oxidation reaction with metallic copper to dissolve the metal component into the water layer and the use of the water layer containing the dissolved metal component as a part or whole of the aqueous solution for the oxidation reaction.例文帳に追加

酸化反応時又は酸化反応後の反応液から得られる水層を金属銅と接触させることにより該金属成分を該水層中に溶解させ、該溶解させた水層を上記酸化反応用の水溶液の一部又は全部として用いる芳香族ヒドロペルオキシドの製造方法。 - 特許庁

The oxidation resistant carbonaceous material is formed by applying the oxidation resistant coating film (preferably, a laminated body containing a boron-containing layer 2 and an oxide ceramic layer 3) on the surface of a carbonaceous material 1 and the adhesive strength of the oxidation resistant coating film to the surface of the carbonaceous material is ≥2 MPa.例文帳に追加

炭素質材料1の表面に耐酸化性皮膜(好ましくは、ホウ素含有層2及び酸化物セラミックス層3を含む積層体)を被覆してなる耐酸化性炭素質材料であって、前記耐酸化性皮膜の、前記炭素質材料の表面に対する接着強度が、2MPa以上であることを特徴とする耐酸化性炭素質材料。 - 特許庁

To provide a NOx decomposing/removing body in which a coat layer having an oxidation-reduction function for detoxifying NOx by a photocatalytic reaction.例文帳に追加

光触媒反応によりNO_X を無害化する酸化還元機能をもつ被覆層が形成されたNO_X 分解除去体を提供する。 - 特許庁

This method allows the critical states of the oxidation and reduction of the prescribed substance on the surface of the material layer to be obtained.例文帳に追加

これにより、材料層の表面において所定の物質の酸化および還元反応の臨界状態を実現することができる。 - 特許庁

Once the temperature of the catalyst layer reaches the temperature at which ammonia reacts with oxygen, an ammonia oxidation reaction is advanced independently after that.例文帳に追加

一旦、触媒層温度がアンモニアと酸素が反応する温度まで上昇すると、その後は自立的にアンモニア酸化反応が進行する。 - 特許庁

The lower part metal layer 140 is composed of at least 2 metal layers and an oxidation precess is conducted after a forming process of each of metal layers.例文帳に追加

下部金属層140は少なくとも2個の金属層からなり、酸化工程は各金属層形成工程後にそれぞれ実行される。 - 特許庁

The adhesive fixing the base is not made in direct contact with the anti-oxidation layer of the external lead.例文帳に追加

前記ベースを固定する接着剤が、前記外部リードの酸化防止層に直接に接触することがないようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

A current constricting layer 14 is subjected to an oxidation treatment to form its current passing region 141 into a rectangle that is anisotropic in its plane.例文帳に追加

電流狭窄層14に対して酸化処理を施し、電流通過領域141を面内異方性をなす矩形状とする。 - 特許庁

The nanowires 14 have their side walls embedded in the nanopores 22 in the layer 12 of anodized aluminum oxide for preventing oxidation of the side walls.例文帳に追加

ナノワイヤ14は、その側壁が酸化されるのを防止するために、陽極酸化アルミニウム層12のナノ細孔22内に埋め込まれている。 - 特許庁

At least the surface layer of the negative electrode collector 3 consumes a greater oxidation current per unit area than the active negative electrode.例文帳に追加

陰極集電体3の少なくとも表面層が、活性陰極よりも単位面積あたり大きな酸化電流を消費する。 - 特許庁

As a result, the film 31 having a thickness of about 12 nm is formed by accelerating oxidation on the surface of a source diffused layer 13S.例文帳に追加

この結果、ソース拡散層13Sの表面には、増速酸化により厚さが12nm程度のシリコン酸化膜31が形成される。 - 特許庁

To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.例文帳に追加

ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁

To provide an oxidation resistant component and method for creating an aluminum diffusion surface layer within substantially nickel- and cobalt-free components.例文帳に追加

実質的にニッケルとコバルトを含まない部品内にアルミニウム拡散表面層を創成するための耐酸化性部品及び方法の提供。 - 特許庁

After irradiating locally a metal film forming a spacer layer 6 with an Ar ion beam, the metal film is subjected to an oxidation processing.例文帳に追加

スペーサ層6を形成する金属膜に局所的にArイオンビームを照射し、そののちに当該金属膜を酸化処理する。 - 特許庁

The deposition and thermal oxidation processing of the amorphous silicon layer is repeated so that multilayer multicrystalline silicon/silicon dioxide laminated layers are formed.例文帳に追加

非晶質シリコン層の堆積及び熱酸化処理は繰り返され、複数層の多結晶シリコン/二酸化シリコン積層膜を形成する。 - 特許庁

An oxygen-rich surface may be formed adjacent to a silicon oxide layer by temporarily increasing oxidation of the organosilicon compound.例文帳に追加

有機シリコン化合物の酸化を一時的に増大させることによって酸化シリコン層の隣に酸素リッチ表面を形成してもよい。 - 特許庁

This resin layer 4a with inorganic materials supported in the matrix resin gives oxidation resistance to prevent the deterioration of the separator 4.例文帳に追加

マトリックス樹脂に無機物が担持された樹脂層4aを有することで、耐酸化性を得ることができ、セパレータ4の劣化を抑制できる。 - 特許庁

The support 12 and the thermal oxidation film 17 on the surface of the support are removed, and a second semiconductor layer 6 is exposed, thus obtaining the SOI structure.例文帳に追加

その後、支持体12とその表面の熱酸化膜17とを除去し、第2半導体層6を露出させ、SOI構造を得る。 - 特許庁

A graphite layer 24 formed on a surface of an Ni silicide film 23 is removed by vaporization of oxidation, reduction or overheating.例文帳に追加

Niシリサイド膜23の表面に形成されたグラファイト層24をスパッタ、酸化、還元もしくは過熱による気化によって除去する。 - 特許庁

A third oxide film 17 is formed on sidewalls of a first polysilicon layer 14 and a bottom face of an exposed substrate 10 by an oxidation treatment.例文帳に追加

酸化処理により、第1ポリシリコン層14の側壁及び露出した基板10の底面に第3酸化膜17を形成する。 - 特許庁

The removal quota is allocated to the catalyst layers preferentially in an upstream order starting from the catalyst layer 4c, and the allocated quota is commensurate with the oxidation capacity of each of the catalyst layers.例文帳に追加

ノルマは、触媒層4cから優先的に下流から上流へと、各々の酸化能力に見合う分が割り当てられる。 - 特許庁

To provide suitable conditions when a monocrystal semiconductor layer of a composite substrate is reduced in thickness by sacrificial oxidation.例文帳に追加

複合基板の単結晶半導体層を犠牲酸化によって薄膜化する際の好適な条件を提供することを目的とする。 - 特許庁

The second and third hard layers are made of carbon-doped silicon oxide made from a source gas and an oxidation-reduction gas, while controlling the carbon content in the second hard layer as a function of the flow rate of the oxidation-reduction gas.例文帳に追加

第2及び第3ハード層は、酸化還元ガスの流量の関数として第2ハード層中の炭素含有率を制御しながら、ソースガス及び酸化還元ガスから形成された炭素ドープ酸化シリコンから成る。 - 特許庁

In an oxidized layer 108a surrounding the current passing-through region 108b, the thickness of a portion in which oxidation advances in a -Y direction is thicker than a portion in which oxidation advances in a +X direction and a -X direction.例文帳に追加

また、電流通過領域108bを取り囲んでいる酸化層108aは、酸化が−Y方向に進行した部分の厚さが、酸化が+X方向及び−X方向に進行した部分の厚さよりも厚い。 - 特許庁

The chemical - mechanical polishing(CMP) slurry for polishing the layer of copper or that of the alloy of copper contains an etchant, an oxidation suppression agent, and an additive for adjusting the complexing between the copper and the oxidation suppression agent.例文帳に追加

本発明の、銅の層又は銅の合金の層を研摩する化学的−機械的研摩(CMP)スラリーは、エッチャントと、酸化抑制剤と、銅及び酸化抑制剤の間の錯化を調整する添加剤とを含む。 - 特許庁

Thereafter, at the time of forming a thermal oxidation film 21 on an inner wall of a groove 5, an exposed part of the silicon layer 16 is also oxidized so that a polycrystalline silicon oxidation region 21a is formed relatively wide.例文帳に追加

その後、溝5の内壁に熱酸化膜21を形成する際にイオン注入多結晶シリコン層16の露出部分も酸化され、多結晶シリコン酸化領域21aが比較的広い形成幅で形成される。 - 特許庁

To provide a surface emission type laser technique having a structure which prevents oxidation from a side surface of an AlGaAs layer, AlAs layer or the like which constitutes a lower DBR reflector or the like and has a high Al composition.例文帳に追加

下部DBR反射鏡等を構成するAl組成の高いAlGaAs、AlAs等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。 - 特許庁

The organic compound is formed as a gel layer 6 by containing an electrolyte solution which stabilizes the reduction state of the oxidation-reduction part, and a sensitizing dye exists in the gel layer 6.例文帳に追加

有機化合物は酸化還元部の還元状態を安定化させる電解質溶液を含んでゲル層6として形成され,増感色素がゲル層6内に存在している。 - 特許庁

To significantly reduce the time required for a degreasing step after achieving prevention of oxidation of a base-metal inner-electrode layer, sufficient dissipation of a binder, prevention of elution of the inner-electrode layer and the like.例文帳に追加

卑金属内部電極層の酸化の防止、バインダの十分な分解、内部電極層の溶出の防止等を達成した上で、脱脂工程に要する時間を大幅に削減する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can surely remove a layer formed due to surface abnormalities, such as oxidation of a wiring line or deterioration of an inter-layer insulating film.例文帳に追加

配線の酸化又は層間絶縁膜の変質などの表面異常によって生じる層を確実に除去することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

The circular AlAs layer on the upper stage can be formed in an accurate shape and maintained under a non-oxidizing state in an area by controlling the time of the oxidation reaction of the AlAs layer.例文帳に追加

AlAs層の酸化反応を時間制御することにより、上段部上の円形のAlAs層を正確な形状、面積で未酸化の状態に維持することができる。 - 特許庁




  
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