「p so」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A cleaning pig 1 moves inside the pipe P so that an inside of the pipe P is cleaned.例文帳に追加

清掃ピグ１が管Ｐ内を移動することで管Ｐ内の清掃を行う方法である。 - 特許庁

So, a p+ isolation region 68 is so provided as to adjoin the sidewall of the trench.例文帳に追加

そこでトレンチ６２の側壁に隣接するようにｐ^+分離領域６８を設ける。 - 特許庁

The amplifier 2 is designed so as to be installed near the player P.例文帳に追加

アンプ装置２をプレーヤーＰの傍らに設置できるようにする。 - 特許庁

The nMOS protection circuit 1g comprises a transistor formation portion 10 and a p^+-type well tap region 30 that are formed in a p-type (second-conductivity-type) well 4 so as to be apart from each other.例文帳に追加

nMOS保護回路１ｇはp型（第２導電型）ウェル４内に互いに離間して形成されているトランジスタ形成部１０とp^+型ウェルタップ領域３０を備えている。 - 特許庁

Trenches 3 are provided so as to penetrate through the P-type anode layer.例文帳に追加

Ｐ型アノード層を貫通するようにトレンチ３が設けられている。 - 特許庁

Therefore, the parting line P-L is not strongly pressed against the paper sheet P, so as to prevent the parting line P-L from damaging the recording surface of the paper sheet P.例文帳に追加

これによりパーティングライン（Ｐ・Ｌ）が用紙Ｐに強く押し当たることを防止することができ、パーティングライン（Ｐ・Ｌ）が用紙Ｐの記録面にダメージを与えることを防止することができる。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

A gray axis (point P) of an input device is moved so as to be coincident with a gray axis (point P') of an output device.例文帳に追加

入力装置のグレー軸（点Ｐ）は出力装置のグレー軸（点Ｐ’）に一致するように移動させられる。 - 特許庁

The bottom N-type well 6 is formed under the P-type well 4a so as to contact the P-type well 4a.例文帳に追加

ボトムＮ型ウェル６は、Ｐ型ウェル４ａに接触するようにＰ型ウェル４ａの下方に形成されている。 - 特許庁

Further, GaN and Mn are a p-type at room temperature, so they are usable for a p-type layer of a semiconductor element.例文帳に追加

また、ＧａＮ：Ｍｎは常温でもｐ型を示すので半導体素子のｐ型層として用いることができる。 - 特許庁

The pump driving wheels 2 and 2 are arranged so as to pass through passage positions P and P of wheels W and W of the traction vehicle C.例文帳に追加

ポンプ駆動輪２，２を、牽引車Ｃの車輪Ｗ，Ｗの通過位置Ｐ，Ｐを通るように配置した。 - 特許庁

A heavily doped p-type contact layer 4 is formed in the p-type impurity layer 2 so as to decrease a contact resistance.例文帳に追加

ｐ型不純物層２内には、コンタクト抵抗を下げるための高濃度のｐ型コンタクト層４が形成される。 - 特許庁

The amorphous p-i-n thin film light emitting diode has an emission layer on the p-i interface so that emission intensity of a device is increased while lowering a required operating voltage.例文帳に追加

本発明の非晶質ｐ−ｉ−ｎ薄膜発光ダイオードの発光層はp-iの界面にあり、デバイスの発光光度を上げ、必要な操作電圧を下げる。 - 特許庁

In this screen panel connecting device, a plurality of screen panels P and P are arranged in an endless manner, a connecting pin 4 is arranged between the adjacent screen panels P and P so that the screen panels P and P can be connected to each other, and the connecting member 5 made of an elastic body is interposed along the connecting pin 4 of this connection part.例文帳に追加

複数枚のスクリーンパネルＰ、Ｐをエンドレス状に配設し、この隣接スクリーンパネルＰ、Ｐ間に連結ピン４を配設して連結接続し、この連結接続部の連結ピン４に沿って弾性体製の連結部材５を介在させて構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.例文帳に追加

p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

This leg device supports an object P to be supported so as to adjust its height.例文帳に追加

支持対象物Ｐを高さ調整可能に支持する脚装置である。 - 特許庁

A bit-shift-add- reducing part 10 transacts several kinds of bit-shift to an output data of the bit-shift-reducing part, and processes so that an input signal is changed to be an output of (2p-1)/2p-2p-(2p-1-1)/2p by adding each of the outputs.例文帳に追加

ビットシフト加算減衰部１０はビットシフト減衰部２の出力データに対して数種類のビットシフトを行い、それぞれの出力を加算することにより入力信号を(2^p-1)/2^p〜2^p-(2^p-1-1)/2^pの出力となる処理をする。 - 特許庁

When the Diffie-Hellman type key exchange system is adopted, the exchange keys α, Z of the computers 1-A, 1-C are g^amod p, g^zmod p and group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C are Z^amod p, α^zmod p, so that the same value g^azmod p is obtained.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Ｚは、ｇ^ａmod ｐ，ｇ^ｚmod ｐとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Z^ａmod ｐ、α^zmod ｐとなり、同一値ｇ^^ａｚmod ｐとなる。 - 特許庁

The p-electrode 6 is formed of such a material that cannot form ohmic junction between the p-type layer 4 and itself, so that a current does not flow from the p-electrode 6 to a part with which the p-electrode 6 of the p-type layer 4 is in direct contact.例文帳に追加

ｐ電極６は、ｐ型層４との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、ｐ型層４のｐ電極６が直接に接触している部分には、ｐ電極６から電流が流れない。 - 特許庁

A P-type guard band layer 14 is formed so as to convolute with a P+-type guard band layer 13 while containing it.例文帳に追加

Ｐ−型ガードバンド層１４がＰ＋ガードバンド層１３に重畳されこれを包含するように形成されている。 - 特許庁

The plurality of sensor levers detecting a recording material P are arranged at positions deviated from each other in the conveying direction of the recording material P, so that the timings of generating impact noise of the plurality of the sensor levers are delayed.例文帳に追加

記録材Pを検知する複数のセンサレバーを記録材P搬送方向に互いにずれた位置に配置されていることにより、複数のセンサレバーの衝撃音が発生するタイミングをずらす。 - 特許庁

The paper sheets P are pushed and disordered so as to misalign them by pushing end edges of the paper sheets P by a inclined face of a pushing and disordering part 21 while blowing air between the paper sheets P from a periphery of the paper sheets P mounted on a table 2.例文帳に追加

テーブル２の上に載置された紙Ｐの周囲から紙Ｐの間にエアを吹き込みながら、紙Ｐの端辺を押し崩し部２１の傾斜面で押して紙Ｐをずらせるようにして押し崩す。 - 特許庁

The insulating film 5 is formed so as to cover the p-side ohmic electrode 6.例文帳に追加

絶縁膜５は、ｐ側オーミック電極６を覆うように形成されている。 - 特許庁

The patterning apparatus so removes a processing object material S provided in a base material P as to pattern it.例文帳に追加

基材Ｐに設けられた処理対象材Ｓを除去してパターニングする。 - 特許庁

Meanwhile, when the measured length of the recording sheet P is longer than the set length of the recording sheet P, the start position of printing is corrected so as to make the margin of the top end of the other surface of the recording sheet P larger.例文帳に追加

一方、記録紙Ｐの測定長さの方が長ければ、記録紙Ｐの他側の面の先端の余白が大きくなるように印刷の開始位置を補正する。 - 特許庁

The glass pipe 2 and the glass rod 3 are unified while setting the pressure P[kPa] to the atmosphere in the glass pipe 2 so that the pressure P satisfies following relation: -10kPa≤P<0kPa.例文帳に追加

ガラスパイプ２内の大気圧に対する圧力Ｐ［ｋＰａ］を、−１０ｋＰａ≦Ｐ＜０ｋＰａを満たすように設定して、ガラスパイプ２とガラスロッド３との一体化を行う。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

When the recording body P comes into contact with the static elimination brush 110, a charge having positive polarity on the recording body P escapes to the static elimination brush 110, so that the charge on the recording body P is removed.例文帳に追加

記録体Ｐが除電ブラシ１１０と接触すると、記録体Ｐ上のプラス極性の電荷が除電ブラシ１１０へ逃げ、記録体Ｐの電荷が除電される。 - 特許庁

A toner image on the paper P is heated and melted by the belt 54 heated with the lamp 55 and pressed to the paper P so that the toner image is fixed on the paper P.例文帳に追加

ハロゲンランプ５５によって加熱された定着ベルト５４によって用紙Ｐ上のトナー像が加熱溶融されて用紙Ｐに押圧され、トナー像が用紙Ｐ上に定着される。 - 特許庁

A p^+source layer 9 of the p-channelMOS transistor 30 is so formed as to surround the circumference of a p^+drain layer 11, for example, in an elliptical planar shape.例文帳に追加

このｐ−ｃｈＭＯＳトランジスタ３０のｐ+ソース層９は、ｐ+ドレイン層１１の周囲を、たとえば楕円の平面形状で取囲むように形成されている。 - 特許庁

A heat sink 46 is disposed at a downstream from a fixing section 31 in a conveyance passage of sheet P so as to cool the sheet P.例文帳に追加

ヒートシンク４６は、用紙Ｐの搬送経路において定着部３１よりも下流に配置されて、用紙Ｐを冷却する。 - 特許庁

The first sheet S1 in a roll is mounted on the adherend P and rotated so that the overhanging part is pinched into the gap from the adherend P.例文帳に追加

ロール状の第１シートＳ１を被着体Ｐに載置し、回転させてオーバーハング部を被着体Ｐとの間に挟み込む。 - 特許庁

The relation between the pitch p of the rivet 4 and a diameter d of the rivet 4 is constituted so as to satisfy 2.0<p/d<2.5.例文帳に追加

そして、リベット４のピッチｐとリベット４の直径ｄとの関係が、２．０＜ｐ／ｄ＜２．５を満足するように構成されている。 - 特許庁

P type dopants are executed so that the peak position of the concentration of the P type dopants becomes deeper than the peak position of the concentration of the N type dopants.例文帳に追加

Ｐ型ドーパントの濃度のピーク位置がＮ型ドーパントの濃度のピーク位置よりも深くなるようにＰ型ドーパントを施す。 - 特許庁

Uppurui nori (P. pseudolinearis)' and 'Susabi nori (P. yezoensis)' are used in sushi (nori-maki, gunkan-maki), onigiri (rice balls), isobe-mochi (isobe rice cakes), furikake (powdered seasoning agents), fillings in ramen and so on. 例文帳に追加

ウップルイノリ（岩海苔）とスサビノリは、寿司（海苔巻き、軍艦巻き）、おにぎり、磯辺餅、ふりかけ、ラーメンの具などに使われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Edges of the p-type semiconductor layers are exposed, so that the parasitic capacitance in the edge of the p-type semiconductor layer will not be formed.例文帳に追加

ｐ型半導体層のエッジ部が露出しているので、ｐ型半導体層のエッジ部分での寄生容量がなくなる。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

The conveyor 40 conveys the article P so that the article P passes an irradiation space 2 of the X-rays from the X-ray radiator 31.例文帳に追加

コンベア４０は、商品ＰがＸ線照射器３１からのＸ線の照射空間２を通過するように商品Ｐを搬送する。 - 特許庁

When a type of a printed board P is changed and so on, the support pin 12 is transferred before a new printed board P is produced.例文帳に追加

プリント基板Ｐの機種切替え等に伴って、新たなプリント基板Ｐの生産の前に、支持ピン１２の移載動作が行われる。 - 特許庁

A problem of NP is reduced to P by a fact N=P, which is indicated by the inventor for the first time, so as to enable a linear algorithm.例文帳に追加

Ｐ＝ＮＰという私によって初めて示された事実によりＮＰの問題がＰに還元され線型なアルゴリズムが可能になる。 - 特許庁

A pump shaft P5 of the pump P is inclined so as to locate a suction side of the pump P downward from a discharge side to incorporate it into the gate 10.例文帳に追加

ポンプＰの吸込側が吐出側よりも下方に位置するようにポンプＰのポンプ軸Ｐ５を傾斜させてゲート１０に組み込む。 - 特許庁

A shaft body 38 rotatably supported by the sleeve 30 is press-inserted into the core 52 of a donor paper P so as to rotate the donor paper P.例文帳に追加

このスリーブ３０に回転可能に支持された軸体３８を、ドナー紙Ｐの巻き芯５２へ圧入しドナー紙Ｐを回転可能とする。 - 特許庁

The number N of the leading blades 28, the number M of the stationary blades 61 and the number P of the trailing blades 51 are set so as to satisfy a relation of N>P>M.例文帳に追加

前方ブレード２８の枚数Ｎと静止ブレード６１の枚数Ｍと後方ブレード５１の枚数Ｐを、Ｎ＞Ｐ＞Ｍとする。 - 特許庁

The floor panel P is supported via the vibration-proof supporting implement 10 which is installed on a slab S so as to support the undersurface side of the floor panel P.例文帳に追加

床パネルＰは、スラブＳ上に設置されて床パネルＰの下面側を支持する防振支持具１０を介して支持されている。 - 特許庁

Guard rings GR are formed in gaps between adjacent pixel electrodes P in a grid shape so as to enclose an outer periphery of each pixel electrode P.例文帳に追加

隣り合う画素電極Ｐの間隙に、その画素電極Ｐの外周を囲うように格子状にガードリングＧＲを形成した。 - 特許庁