「p-n-p junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Accordingly, a capacitance value of the pn junction area may become lower than that of the convention method in which the n-type impurity diffusing layer is provided in direct on the surface of the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、Ｎ型不純物拡散層をＰ型半導体基板の表面に直接設けていた従来に比べ、ＰＮ接合部の容量値が小さくなる。 - 特許庁

The photodiode 1 has a structure in which a variable region is not present at the periphery of a photosensitive region 1a because a p-n junction is formed up to the inside of a trench groove GRV.例文帳に追加

このホトダイオード１によれば、トレンチ溝ＧＲＶの内面まで、ｐｎ接合部が形成されているので、光感応領域１ａの周縁に変動領域がない。 - 特許庁

Because the p-n junction J5 exists in the position that is apart from isolation bodies 41, 42 and thus has very little crystal defects, the leakage current at this position is very small.例文帳に追加

ｐｎ接合Ｊ５は分離体４１，４２と離れ、従って結晶欠陥が非常に小さい位置に存在するので、ここにおけるリーク電流は非常に小さい。 - 特許庁

The third activation treatment is carried out under the condition that the impurity concentration distribution gradient of the P-N junction be steeper than that of the first impurity diffusion region.例文帳に追加

そのｐｎ接合部における不純物濃度分布勾配が、第１の不純物拡散領域よりも急峻になる条件で第３の活性化処理を行う。 - 特許庁

In a power MOSFET 21, a super-junction structure where an n-pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are periodically arranged is formed in a semiconductor substrate 19.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ２１において、半導体基板１９内に、ｎピラー層３及びｐピラー層４が周期的に配列されたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

The cell includes a reflecting metal substrate (2) which serves as a lower electrode, a stack of hardened amorphous silicon layers forming a P-I-N junction (8), and an upper transparent electrode (9).例文帳に追加

電池は、下部電極の役目をする反射金属基板（２）、ｐ−ｉ−ｎ接合（８）を形成する硬化アモルファスシリコン層のスタック、及び、透明な上部電極（９）を含む。 - 特許庁

To provide a solar cell capable of improving p-n junction characteristics by diffusing a sufficient amount of dopant onto a semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the solar cell.例文帳に追加

半導体基板に十分量のドーパントを拡散させることによって、ｐ-ｎ接合特性を向上できる太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently emit electrons from a semiconductor to the outside (vacuum) without their losing energy by generating hot electrons, while generating avalanche breakdown phenomenon without a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合なしで雪崩降伏現象を起こして熱い電子を生じせしめてエネルギーを失うことなく半導体から外部（真空）への電子の放出を効率よく行う。 - 特許庁

Both control parts for respectively controlling electron currents and hole currents are formed in two main electrodes to control currents in an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer composing super junction.例文帳に追加

二つの主電極の両方に電子とホールの制御部を設け、スーパージャンクションを構成するｎ形半導体層とｐ形半導体層における電流を制御する。 - 特許庁

To a pn junction element which has such a layer that selectively covers a p type region and an n type region and is made of cylindrical carbon molecules, and also to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

ｐ型領域とｎ型領域とを選択的に覆う被覆層を持たない筒状炭素分子からなるｐｎ接合素子、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10.例文帳に追加

次に、ｐ領域６の濃度のピークが、最終的にｎ^+領域１０とのＰＮ接合８部になるように、Ｂ^+イオン注入層５をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

To provide a backside junction type solar cell capable of forming a low-resistance electrode accurately on an n-type region and a p-type region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ｎ型領域上及びｐ型領域上に精度良く低抵抗の電極を形成できる裏面接合型の太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Or also, instead of applying current to the liquid, paper which is impregnated with the liquid and dried is used as the material of a substrate for forming a P-N junction and various semiconductor devices can be made.例文帳に追加

あるいは通電せずにこの液体を紙などに吸収乾燥させたものを基材としてＰＮ接合を形成し、各種の半導体素子を製作する。 - 特許庁

The VCSEL device 10 has a tunnel junction 17 between an n-type lower DBR mirror 12 and an n-type upper DBR mirror 19, and the tunnel junction 17 has a quantum dot layer 32 of 2.5 mono layer thickness between a p^+-GaAs layer 31 and an n^+-InGaAs layer 33.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ素子１０は、ｎ型下部ＤＢＲミラー１２とｎ型上部ＤＢＲミラー１９との間にトンネル接合１７を有し、トンネル接合１７は、ｐ^+−ＧａＡｓ層３１とｎ^+−ＩｎＧａＡｓ層３３との間に２．５モノレーヤ厚みの量子ドット層３２を有する。 - 特許庁

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics.例文帳に追加

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。 - 特許庁

The junction FET 1 includes a n^- layer 11 in a drift region of the junction FET 1, formed on the main face of n^+ substrate 12 of silicon carbide, a p^+ layer 9 in a gate region, joined and formed onto the n^- layer 11 in the drift region, and a gate electrode 14 provided on the upper layer of the n^+ substrate 12.例文帳に追加

接合ＦＥＴ１は、炭化珪素からなるｎ^＋基板１２の主面に形成された接合ＦＥＴ１のドリフト領域のｎ^−層１１と、ドリフト領域のｎ^−層１１に接合して形成されたゲート領域のｐ^＋層９と、ｎ^＋基板１２の上層に設けられたゲート電極１４と、を有している。 - 特許庁

A photodiode small in junction capacity is made of an N-type epitaxial layer 6 and a P-type epitaxial layer 3, and the photodiode is surrounded by a P+-type buried isolated diffused layer 4 and a P-type isolated diffused layer 7 and electrically isolated from a signal processing circuit including a MOS structure of transistor.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層６とＰ型エピタキシャル層３とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され、そのフォトダイオードが、Ｐ^+型埋め込み分離拡散層４およびＰ型分離拡散層７によって取り囲まれて、ＭＯＳ構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離される。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

To realize a defective junction detecting method, which can accurately detect a defective location in a p-n junction in a semiconductor device and can avoid etching of an impurity inlet region by the defective detection.例文帳に追加

半導体装置中のｐｎ接合不良個所を精確に検出し、かつ、検出によって不純物導入領域をエッチングしてしまわない、接合不良の検出方法を実現することを目的とする。 - 特許庁

To make bias setting easily executable without being influenced by a variation in the manufacturing process of a MOSFET nor the fluctuation of a p-n junction temperature at the time of changing p-n junction between a body and a source of the MOSFET to a shallow forward bias, by applying a certain voltage to the back gate of the MOSFET for reducing 1/f noise generated in the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴで発生する１／ｆノイズを低減するために、そのバックゲートにある電圧を与え、該ＭＯＳＦＥＴのＢｏｄｙーｓｏｕｒｃｅのＰＮ接合を浅い順バイアスにする際、ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおけるバラツキやＰＮ接合温度の変動に影響されず、容易にバイアス設定を行うため。 - 特許庁

A ferroelectric capacitor 1 and a p-n junction diode are connected in series to form a nonvolatile memory device which exhibits hysteresis characteristics which change the capacitance when voltage reversing the polarization of the ferroelectric capacitor 1 is applied between electrodes A and C at the ends of the ferroelectric capacitor 1 and the p-n junction diode which are directly connected.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１とｐｎ接合ダイオードを直列に接続し不揮発メモリ素子を構成し、この不揮発メモリ素子は、直接接続した強誘電体キャパシタ１とｐｎ接合ダイオードの両端の電極Ａ、Ｃ間に、強誘電体キャパシタ１を分極反転させる電圧を印加すると、容量が変化するヒステリシス特性を有する。 - 特許庁

This method for manufacturing the polycrystalline compound semiconductor solar battery has a process for composing a sub module by forming each semiconductor layer for forming a p-n junction and an electrode layer that is continuous to the p-n junction, and then allowing a current to flow to the sub module in a forward or backward direction from an external power supply while a light-inducing current does not flow.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合を形成する各半導体層とそれらに連なる電極層を形成してサブモジュールを構成した後、このサブモジュールに、光誘起電流が流れない状態で外部電源から順方向または逆方向に電流を流す工程を有する多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The multi-beam semiconductor laser element provided with a plurality of laser stripes can be formed by bonding the p-side electrode and the first junction electrode, bonding the n-side electrode and the second junction electrode and mounting the semiconductor laser elements on the submount by a junction-down system.例文帳に追加

ｐ側電極と第１接合電極とを、ｎ側電極と第２接合電極とを接合し、ジャンクションダウン方式で半導体レーザ素子をサブマウントにマウントすることにより、複数個のレーザストライプを備えたマルチビーム半導体レーザ素子を形成することができる。 - 特許庁

As a result, since a junction area of a PN junction between the N-type drain regions 4A and 4B and source regions 5A and 5B and P-type base regions 7A and 7B is reduced compared with the conventional art, an output capacitance Coss generated at the PN junction can be reduced.例文帳に追加

その結果、Ｎ型のドレイン領域４Ａ，４Ｂ及びソース領域５Ａ，５ＢとＰ型のベース領域７Ａ，７ＢとのＰＮ接合の接合面積が従来よりも減少するので、当該ＰＮ接合に生じる出力容量Cossの低下を図ることができる。 - 特許庁

A compressive stress applied portion 20 consisting of SiGe film is formed in a source/drain region of a p-MOS region 30a, after that, an impurity is implanted into the p-MOS region 30a and an n-MOS region 30b, and shallow junction regions 22a, 22b and deep junction regions 23a, 23b are formed.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳ領域３０ａのソース／ドレイン領域にＳｉＧｅ膜からなる圧縮応力印加部２０を形成し、その後にｐ−ＭＯＳ領域３０ａおよびｎ−ＭＯＳ領域３０ｂに不純物注入を行い、浅い接合領域２２ａ、２２ｂおよび深い接合領域２３ａ、２３ｂを形成する。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

In each resistive element, an island voltage V1 applied to the n-type layer from a pad p1 allows a pn junction formed at the connection section between the n-type layer and the p-type diffusion layer to be set to a backward bias state for composing a resistor.例文帳に追加

各抵抗素子は、パッドＰ１からＮ型層に印加される島電圧Ｖ１によって、Ｎ型層とＰ型拡散層との結合部に形成されるＰＮ接合が逆バイアス状態となり、抵抗体を構成する。 - 特許庁

Although the depleted layers 26 are formed in an n-type silicon layer 11 and off-set regions 13 by forming p-n junction with body regions 15, the body regions 15 are provided to surround the off-set regions 13.例文帳に追加

ボディ領域１５とのｐｎ接合により、ｎ^−型シリコン層１１及びオフセット領域１３中には空乏層２６が形成されるが、ボディ領域１５はオフセット領域１３を取り囲むようにして設けられている。 - 特許庁

An anode electrode film 20 is subjected to ohmic junction to a surface n+ region 16 formed on the surface layer above the upper-part n- layer 14, while being under to the p-region 15 as well at a part (not shown).例文帳に追加

アノード電極膜２０は、上部ｎ^- 層１４上の表面層に形成された表面ｎ^+ 領域１６に対してオーミック接合しており、また図示していない部分でｐ領域１５ともオーミック接合している。 - 特許庁

In this photodiode, plural barrier layers 3 accompanied by a P-N junction are formed, and carriers generated in the barrier layers are quickly transmitted to an N-type region, so that responsiveness is improved, and an operation becomes high speed.例文帳に追加

このフォトダイオードでは、ＰＮ接合に伴う空乏層３が多く形成されるとともに空乏層３に発生するキャリアが早くＮ型領域へ到達するので、応答性がよくなり、動作が高速となる。 - 特許庁

With the super-junction formed over the entire surface of the main surface 1a of the n+ type substrate 1, the super-junction is formed surely under a p-type base region 5 and n-type source region 6, even if the super-junction formation position deviates due to dislocation of a mask, etc., providing surely an MOSFET with withstand voltage.例文帳に追加

このように、スーパージャンクションがｎ^+型基板１の主表面１ａ全面に形成されるようにすれば、マスクずれ等によってスーパージャンクションの形成位置がずれても、必ずｐ型ベース領域５やｎ型ソース領域６の下にスーパージャンクションが形成されるため、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧を得ることができる。 - 特許庁

The visible-ray transmitting structure is formed of a transparent substrate and a pn-junction layer comprising p-type and n-type semiconductors provided on the substrate, and has a power generating function utilizing blue to ultraviolet rays.例文帳に追加

透明基板と、基板上に設けられたｐ型半導体及びｎ型半導体のｐｎ接合層とからなる青〜紫外光発電機能を有する可視光透過構造体。 - 特許庁

Thus, junction capacity C of the electric charge detection part 7 is sharply reduced by depleting the P-type well 3 sandwiched between the electric charge detection part 7 and the N-type substrate 2.例文帳に追加

このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 - 特許庁

A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.例文帳に追加

検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iを配置しているダイアフラム部１が、第１支持脚２ａと第２支持脚２ｂにより中空状態でアレイ分離領域３に支持されている。 - 特許庁

In addition, respective concentrations of type p impurity and type n impurity are set to 5×10^17/cm^3 or less at the area near the junction region of the base region and the emitter region.例文帳に追加

そして、ベース領域とエミッタ領域との接合領域近傍において、ｐ型不純物とｎ型不純物のそれぞれの濃度を５×１０^１７／ｃｍ^３以下にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, where both of an n-type cladding layer and a p-type one are mainly made of the same kind of mixed crystal, resistance can be reduced, and type I junction with an active layer can be achieved.例文帳に追加

ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。 - 特許庁

Optical carriers, generated by light are incident on a periphery of a first light-receiving region disappear near the interface of the second p-n junction, and in a part exposed to the end surface of the chip.例文帳に追加

第１の受光領域の周囲に入射した光により発生する光キャリアは、第２のｐｎ接合の界面近傍又はチップ端面に露出した部分で消滅してしまう。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

The amplifying transistor 1 is stabilized by using a resistance component of the diode 2A and a desired high-frequency signal is passed by the P-N junction capacity of the diode 2A.例文帳に追加

ダイオード２Ａの抵抗成分を利用して増幅トランジスタ１の安定化が図られ、且つダイオード２ＡのＰＮ接合容量により、所望の高周波信号を通過させることができる。 - 特許庁

The solar cell has a pn junction defined by a p-type semiconductor layer 13 functioning as a light absorbing layer and an n-type semiconductor layer 14 formed thereon.例文帳に追加

光吸収層として機能するｐ形半導体層１３とｐ形半導体層１３に積層されたｎ形半導体層１４とによって構成されるｐｎ接合を含む。 - 特許庁

By lowering the temperature of the solution 4 for epitaxial growth, a PN junction composed of an N type layer 11 and a P type layer 12 is formed on the principal surface of the semiconductor wafer 1 (c).例文帳に追加

（ｃ）エピタキシャル成長用溶液４の温度を下げることにより、半導体基板１の主表面上にＮ型層１１とＰ形層１２とからなるＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a as the top gate, and becomes a channel layer of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

トップゲートとなる前記Ｐ型拡散層１１１ａの直下に選択的に形成された前記Ｎ型拡散層１１０ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のチャネル層となる。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

A stacked matter S, which contains a p-n junction structure via a buffer layer 2 (or directly) and is formed of a GaN material is grown on a crystal substrate 1, and a light reception element is obtained.例文帳に追加

結晶基板１上に、バッファ層２を介して（または直接的に）ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系材料からなる積層体Ｓを成長させて受光素子とする。 - 特許庁