「p-n-p junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

In the junction field effect transistor 1; a p-type lower epitaxial layer 3, an n-type epitaxial layer 4, and a p-type upper epitaxial layer 5 are stacked on a semiconductor substrate 2 in this order from the side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ１では、半導体基板２上に、ｐ型下エピタキシャル層３、ｎ型エピタキシャル層４およびｐ型上エピタキシャル層５が、半導体基板２側からこの順に積層されている。 - 特許庁

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、Ｎ型カラムとＰ型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記Ｐ型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

A control electrode 12d is an electrode for applying to the p^--epitaxial layer 3 such a voltage that the p^--epitaxial layer 3 and the n-type epitaxial layer 4 are brought into a mutually inverse bias in the case of the OFF-operation of the lateral junction type field effect transistor.例文帳に追加

制御電極１２ｄは、オフ動作時においてｐ^-エピタキシャル層３とｎ型エピタキシャル層４とが逆バイアス状態となるような電圧をｐ^-エピタキシャル層３に印加するためのものである。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

Since a p-type film or an n-type film is formed in the gaps at the time of fitting, a more rigid and electrically stable repetitive pn junction is formed.例文帳に追加

これにより、嵌合時の間隙にｐ形膜或いはｎ形膜が成膜され、より強固な又電気的に安定した繰り返しｐｎ接合が形成される。 - 特許庁

To reduce an area for elements, while an area for P-N junction is enlarged, when a diode structure is formed on a comparatively thin polycrystal line silicon layer.例文帳に追加

比較的薄い多結晶シリコン層上にダイオード構造を形成する場合に、ＰＮ接合の面積を大きくしながら、素子面積を低減する。 - 特許庁

To improve energy conversion efficiency by preventing the destruction in the p-n junction part of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のｐｎ接合部における破壊を防止してエネルギー変換効率を向上させることのできる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress the parasitic capacitance low at a p-n junction and also changes due to applied voltages in the depletion layer width.例文帳に追加

ｐｎ接合における寄生容量を低く抑えつつ、印加電圧による空乏層幅の変化を抑制できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To surely provide withstand voltage to a MOSFET by allowing a plurality of P-N junctions constituting a super-junction to be provided to an element part with sure.例文帳に追加

スーパージャンクションを構成する複数のＰＮ接合が素子部に確実に配置されるようにし、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧が得られるようにする。 - 特許庁

The light-receiving element is a lateral junction type photodiode, and an n-layer or a p-layer included in the light-receiving element is formed while overlapping with the first transistor.例文帳に追加

また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するｎ層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されている。 - 特許庁

Consequently, the area of the p-n junction determining the source-drain dielectric strength is nearly the same as before and the output capacity of the MOS transistor does not increase.例文帳に追加

その結果、ソース・ドレイン間耐圧を決定するＰＮ接合の面積は、従来とほぼ同一となり、ＭＯＳトランジスタの出力容量は増加しない。 - 特許庁

An on-resistor of the pass transistor is replaced with a resistor R, while a P-N junction part of the pass transistor is replaced with capacitor C1 and C2 and diodes D1 and D2.例文帳に追加

パストランジスタのＯＮ抵抗を抵抗Ｒで置き換えるとともに、該パストランジスタのＰＮ接合部をコンデンサＣ１、Ｃ２およびダイオードＤ１、Ｄ２で置換する。 - 特許庁

In this design, not only a cell section but also a terminal section is provided with an electric charge compensation structure constituted of a RESURF pn junction pair of a p-layer 18 and n-layer 16.例文帳に追加

リサーフのＰ層１８およびＮ層１６のＰＮ接合対で構成される電荷補償構造をセル部のみならず、終端部にも持たせる。 - 特許庁

Upper surface layouts of an n-type region 2 and a p-type region 3 constituting a super junction structure are varied in a cell region and an outer peripheral region.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を構成するｎ型領域２およびｐ型領域３の上面レイアウトをセル領域と外周領域とで異ならせる。 - 特許庁

As a result, a pn junction is formed at the interface between the p-type epitaxial layer PEpi2 and the n-type silicon substrate NSub so as to form a capacitor C1.例文帳に追加

これにより、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２とＮ型シリコン基板ＮＳｕｂとの界面にｐｎ接合が形成され、キャパシタＣ１が形成される。 - 特許庁

Consequently, the diode 8 for antistatic protection will not turn on, and the penalty which is the exclusion time of a charge time of the diode for antistatic protection (p-n junction diode) is avoided.例文帳に追加

その結果、静電保護用ダイオード８はターンオンせず、静電保護用ダイオード（ｐｎ接合ダイオード）のチャージ時間の抜き去り時間というペナルティを免れる。 - 特許庁

In this manner, the n-conductive carbon nanowall 81 is joined to the p-conductive carbon nanowall 82 for forming a pn junction, and a diode is formed.例文帳に追加

このようにして、ｎ伝導型カーボンナノウォール８１とｐ伝導型カーボンナノウォール８２との接合によりｐｎ接合を形成して、ダイオードを形成した。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

To provide a junction type group III nitride transistor configured to be fabricated without regrowing a p-type semiconductor and a low-concentration n-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体および低濃度ｎ型半導体の再成長を行うことなく作製可能な構造を有する接合型III族窒化物トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a technology for forming a shallow p-n junction of a depth, from the surface of a semiconductor substrate which is 10 nm or less, without decreasing the throughput.例文帳に追加

スループットを低下させずに、半導体基板の表面からの深さが１０ｎｍ以下の浅いｐｎ接合を形成することのできる技術を提供する。 - 特許庁

Various configurations of the PN junction and the N and P metal contacts for the ESD diode are described for increasing the breakdown voltage and for improving test conditions.例文帳に追加

破壊電圧を高め、試験条件を改良するための、ＥＳＤダイオード用のＰＮ接合部とＮ及びＰ金属接点の各種構成が記載されている。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a p-n junction-type solar cell with high optoelectric conversion efficiency, using a crystal system semiconductor by reducing the number of the manufacturing processes.例文帳に追加

結晶系半導体を用いた光電変換効率の高いｐｎ接合型の太陽電池を、製造工程を少なくして安価に製造し得るようにする。 - 特許庁

In this way, the current flow reaching the light emitting section is controlled in the light emitting device 1 wherein the p-n junction 17 acts as the light emitting section.例文帳に追加

これにより、ｐ−ｎ接合部１７を発光部とする発光素子１において、発光部に至る通電電流の流れを制御することができる。 - 特許庁

Therefore, a drift layer to which a current is made to flow in an on state and depleted in an off state can be formed easily by using a parallel p-n junction layer.例文帳に追加

これにより、オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化するドリフト層を並列ｐｎ接合層によって容易に形成することができる。 - 特許庁

To form the p-n junction of a variable capacitance diode to be shallow, to sharpen the distribution of impurity concentration and to lower the impurity concentration.例文帳に追加

可変容量ダイオードのｐｎ接合を浅く形成して、不純物濃度の分布を急峻にするとともに不純物濃度を低くすることである。 - 特許庁

A multilayer film dopant diffusion barrier efficiently blocks diffusion of dopant but does not contribute to a parasitic p-n junction or parasitic capacity.例文帳に追加

多層膜ドーパント拡散バリヤは、ドーパントの拡散を効率的に阻止するが、寄生ｐｎ接合または寄生容量には貢献しないと開示されている。 - 特許庁

In one embodiment, back-to-back P-N junction diodes are formed by implanting ions in zones arranged among the adjacent transducer elements.例文帳に追加

１つの実施例において、隣接するトランスデューサ素子間に配置された区域にイオン注入することによりバックツーバックｐｎ接合ダイオードが形成される。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on a substrate 1 composed of n-type silicon (a), and an nip junction is obtained (b).例文帳に追加

ｎ型シリコンからなる基板１上に（ａ）、ｉ型非晶質シリコン層２及びｐ型非晶質シリコン層３を形成してｎｉｐ接合を得る（ｂ）。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 11 is formed on one side of pn junction, and an n-type semiconductor region 12 is formed on the other side.例文帳に追加

ｐｎ接合の一方の側にはｐ型半導体領域１１が形成されており、他方の側にはｎ型半導体領域１２が形成されている。 - 特許庁

The substrate is thermally processed at a predetermined temperature to form a p-n junction by dispersing phosphorus from the film 2 and form an antireflection coating comprising the film 2.例文帳に追加

基板１を所定の温度で熱処理して、膜２からリンを拡散してｐｎ接合を形成するとともに、膜２からなる反射防止膜を形成する。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁

To make it possible to form an n-type region of a thyristor RAM formed by a PNPN junction by means of an epitaxial growth film in which phosphorus (P) is doped.例文帳に追加

ＰＮＰＮ接合で形成されるサイリスタＲＡＭのｎ型領域をリン（Ｐ）がドープされたエピタキシャル成長膜で形成することを可能にする。 - 特許庁

The aspect ratio of the trench 2 is greater than 1 and a pn junction of the n^+-silicon substrate 1 and the p-type silicon layer 3 is present inside the trench 2.例文帳に追加

トレンチ２はアスペクト比が「１」より大きく、トレンチ２の内面においてＮ^＋シリコン基板１とＰ型シリコン層３とのＰＮ接合を有している。 - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

A pn junction 15 composed of a p-channel organic semiconductor layer 12 and an n-channel organic semiconductor layer 14 is sandwiched between electrodes 16 and 18.例文帳に追加

電極１６，１８の間にｐ型有機半導体層１２とｎ型有機半導体層１４とからなるｐｎ接合１５が挟み込まれて形成されている。 - 特許庁

Since the p-n junction of the photodiode extends to the inner surface of the trench GRV, substantial light-receiving region can be widened.例文帳に追加

したがって、ホトダイオードのｐｎ接合がトレンチ溝ＧＲＶの内面に接触するまで延びることとなり、実質的な受光領域を広くすることができる。 - 特許庁

The anode electrode 5 and the p-type anode region 3 are in ohmic contact with each other, while the anode electrode 5 and the n-type drift layer 2 form a Schottky junction 6.例文帳に追加

このアノード電極５とｐアノード領域３とはオーミック接触しており、アノード電極５とｎドリフト層２とはショットキー接合６が形成される。 - 特許庁

A voltage is applied to a p-n junction of a surface light emission type semiconductor element by a modulation circuit installed in a surface light emission type semiconductor element and modulated.例文帳に追加

面発光型半導体素子に設置した変調回路により面発光型半導体素子のｐｎ接合に電圧を印加し変調する。 - 特許庁

At least either one the p- and n-type clad layers 8 and 7 is constituted in a junction structure of first crystal layers 5 and 3 and second crystal layers 6 and 2.例文帳に追加

また、ｐ型クラッド層８とｎ型クラッド層７との少なくとも一方が、第一結晶層５，３と第二結晶層６，２との接合構造とされる。 - 特許庁

To provide a method for making a conductive copper-aluminum oxide film having a large area in air and p-n junction formed by using the film.例文帳に追加

大面積の導電性銅アルミ酸化物を常圧の大気中にて作成する方法及びそれを用いて構成したｐｎ接合を提供する。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

A source region 4, a drain region 5, and a p well region 3 are formed in an n well region 2 of a lateral MOSFET, an anode electrode 15 is provided in the n well region 2 to form a Schottky junction 16.例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域４、ドレイン領域５、ｐウェル領域３が形成されるｎウェル領域２にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加

たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁