「p-n-p junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The p^+ type anode layer 15 and the n^- type base layer 14 form a pn junction.例文帳に追加

上記ｐ^＋型アノード層１５とｎ^−型ベース層１４でｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

The terminal resistor 130 is integrated on the same chip with the p-n junction structure.例文帳に追加

終端抵抗器１３０は、ｐｎ接合構造と同一のチップに集積されている。 - 特許庁

To reduce the voltage dependency of a capacitance element and increase the p-n junction breakdown voltage thereof.例文帳に追加

容量素子の電圧依存性を小さくすると共に、ＰＮ接合耐圧を向上する。 - 特許庁

To provide the subject microscope capable of observing fine P-N junction in an LSI.例文帳に追加

ＬＳＩ中の微細なｐｎ接合を観察可能とする顕微鏡装置の提供。 - 特許庁

An inclination side 11 is formed on a silicon semiconductor substrate having a P-N junction 12.例文帳に追加

ＰＮ接合１２を有するシリコン半導体基体２に傾斜側面１１を形成する。 - 特許庁

This P-N junction light emitting element is formed by sequentially forming an N-type GaN layer 12, an N-type GaN-based layer 14, and a P-type GaN-based layer 16 on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に順次Ｎ型ＧａＮ層１２、Ｎ型ＧａＮ系層１４、Ｐ型ＧａＮ系層１６を形成し、ＰＮ接合型発光素子を形成する。 - 特許庁

Since a P-N junction is not formed in the lattice defect regions 53 and 54, the parasitic capacity among the N+ region 14 and the P+ regions 15 and 16 is reduced.例文帳に追加

格子欠陥領域５３、５４にはＰＮ接合が形成されないので、Ｎ^+領域１４とＰ^+領域１５、１６との間の寄生容量が少ない。 - 特許庁

Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.例文帳に追加

このため、保護ダイオード１におけるｐｎ接合は、上記ｐ＋型拡散領域１６の側面と、上記ｎ＋型拡散領域４ａとで構成される。 - 特許庁

Then, the former is made into a p-type conversion material, and the latter is made into an n-type conversion material, and they are subjected to p-n junction, so as to compose a thermoelectric element.例文帳に追加

そして前者はｐ型の変換材料、後者はｎ型の変換材料となり、これらをｐ−ｎ接合し、熱電変換素子が構成される。 - 特許庁

This manufacturing method of polycrystalline or microstalline TFTs is achieved by doping a certain part of a channel n-type and a certain part of a channel p-type, whereby a p-n junction is formed within a channel.例文帳に追加

これは、ｎ型のある部分およびｐ型のある部分をドーピングすることにより達成され、それによりｐ-ｎ接合をチャネル内に形成する。 - 特許庁

The N- diffusion layer 17b does not cover the N+ diffusion layer 17a at a junction part (2), and the N+ diffusion layer 17a is joined to the P+- well 9 at the junction part (2).例文帳に追加

Ｎ^-拡散層１７ｂは接合部分 でＮ^+拡散層１７ａを覆っておらず、Ｎ^+拡散層１７ａは接合部分 でＰ^+-ウエル９と接合している。 - 特許庁

In this case, a forward bias voltage is impressed upon the p-n junction between the emitter and base and light hν having a wavelength corresponding to the band gap of the p-n junction is emitted.例文帳に追加

この場合に、エミッタ・ベース間のｐｎ接合に対して順方向のバイアスが印加された状態となり、ｐｎ接合部のバンドギャップに応じた波長の光ｈνを放出する。 - 特許庁

In the outer peripheral part of the base layer 2, a p-type RESURF layer 5 of low concentration is formed and relieves an electric field in a p-n junction part.例文帳に追加

ｐ型ベース層２の外周部には、低濃度のｐ型リサーフ層５が形成され、ｐｎ接合部での電界緩和を行っている。 - 特許庁

The p-n junction diode 20 is constituted of a p-type silicon substrate 21 and a heavily doped region 23, formed by heavily doping n-type impurities on the surface of the p-type silicon substrate 21.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオード２０は、ｐ型シリコン基板２１と、ｐ型シリコン基板２１の表面にｎ型不純物が高濃度にドープされて形成される高濃度不純物領域２３とから構成されている。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

When an electric current flows to the P-N junction, infrared rays are emitted by recoupled minority carriers.例文帳に追加

このＰＮ接合部は、電流が流れると、少数キャリアの再結合で赤外線を発光する。 - 特許庁

A PN junction is formed between a P+-InAsP window layer 6 and the N- InAsP window layer 4.例文帳に追加

ｐｎ接合は、ｐ^+−ＩnＡsＰ窓層６とｎ−ＩnＡsＰ窓層４との間に形成される。 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is sandwiched by the p-type layer 1 and the n-type layer 2.例文帳に追加

当該交互ヘテロ接合層５は、ｐ型層１とｎ型層２とにより挟持されている。 - 特許庁

Each tunnel junction structure includes a p-type lower layer 20 and an n-type upper layer 21.例文帳に追加

各トンネル接合構造は、ｐ型の下部層２０とｎ型の上部層２１とを含んでいる。 - 特許庁

Based on the results of analysis, an amount of electron injected to the p-n junction 13 is specified.例文帳に追加

その解析結果により、ｐｎ接合１３に入射した中性子量が特定される。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING THIN FILM OF COPPER-ALUMINUM OXIDE SEMICONDUCTOR AND p-n JUNCTION STRUCTURE USING IT例文帳に追加

銅・アルミ酸化物半導体薄膜の製造方法及びこれを用いたｐｎ接合構造 - 特許庁

To provide a back junction type solar cell having fine p-type and n-type regions.例文帳に追加

微細なｐ型領域とｎ型領域とを有する裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

A p-n junction multilayer structure is then formed atop the roughened substrate surface to form the LED.例文帳に追加

そして、ｐｎ接合多層構造が基板粗面上に形成されて、ＬＥＤが形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-N JUNCTION IN SEMICONDUCTOR MODULE, FLAME DETECTOR, MOS TRANSISTOR AND IMAGE SENSOR例文帳に追加

半導体モジュールにおけるｐｎ接合の製造方法、炎検知器、ＭＯＳトランジスタおよびイメージセンサ - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which reduces inductance and capacitance generated between a terminal resistor and a p-n junction.例文帳に追加

終端抵抗器とｐｎ接合との間に生じるインダクタンスやキャパシタンスを低減する。 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING HIGH VOLTAGE p++/n- WELL JUNCTION AND DEVICE OBTAINED THEREOF例文帳に追加

高耐圧ｐ＋＋／ｎ−ウエル接合部を処理形成する方法および該方法によって得られた装置 - 特許庁

A p-type second semiconductor region 13 forming a p-n junction and an n-type first semiconductor region 14 are formed within an n-type silicon substrate 11.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１１の内部にｐｎ接合を構成するｐ型の第２半導体領域１３と、高不純物密度でｎ型の第１半導体領域１４とが形成される。 - 特許庁

In this evaluation method, a p-n junction diode for evaluation has a shape, where long line shaped many p-n junction regions 1 are bound with a contact and its upper wiring 3 and are then guided to an electrode pad 4.例文帳に追加

評価用ｐｎ接合ダイオ−ドは細長い線状の多数のｐｎ接合領域１がコンタクト及びその上部配線３によって束ねられて電極パッド４に導かれた形状をしている。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

The junction of the P-type drain 7a to the adjacent N-type source 5b thereto is kept reverse biased at all times, to separate the P-type drain 7a and the N-type source 5b from each other.例文帳に追加

隣り合うＰ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂの接合を常に逆バイアスを保つことにより、Ｐ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂを分離する。 - 特許庁

Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁

The n^+ diffusion layer 8b forms a p-n junction with a Zener breakdown, which is apart from the field oxide film 7, to a p diffusion layer 6b.例文帳に追加

ｎ^+拡散層８ｂは、ｐ拡散層６ｂとツェナー降伏が生じるｐｎ接合を構成し、ツェナー降伏が生じるｐｎ接合は、フィールド酸化膜７から離れている。 - 特許庁

The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.例文帳に追加

埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。 - 特許庁

An edge input photodiode 10 is provided with a laminate in which an intrinsic semiconductor 16 is formed between p-n junction layers 14, 15 comprising n-type and p-type semiconductors containing InGaAsP.例文帳に追加

ｎ型およびｐ型のInGaAsPから成る半導体ｐｎ接合層１４、１５間に真性半導体層１６を有する積層体を備える端面受光型フォトダイオード１０。 - 特許庁

In a first region 10A, a pn junction section 14 is composed of an n-type layer 12 and a p-type layer 13, and a p-side electrode 21 is formed on the p-type layer 13.例文帳に追加

第１領域１０Ａは、ｎ型層１２およびｐ型層１３によりｐｎ接合部１４が構成され、ｐ型層１３の上にｐ側電極２１が形成されている。 - 特許庁

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

The p-type diffusion layer forms n-type diffusion layers 19, 40, and the pn junction region.例文帳に追加

一方、Ｐ型の拡散層は、Ｎ型の拡散層１９、４０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁

The pin junction 100 is obtained by stacking an n-layer 13, an i-layer 14 and a p-layer 15 in this order.例文帳に追加

ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５をこの順に積層して得る。 - 特許庁

Then, impurity diffusion is conducted on the polycrystalline silicon substrate 1, and p-n junction part is formed after etching.例文帳に追加

エッチング後、多結晶シリコン基板１に対して不純物拡散を行ってｐｎ接合部を形成する。 - 特許庁

A P-N junction is formed between the first semiconductor region 12 and the second semiconductor region 13A.例文帳に追加

第１半導体領域１２と第２半導体領域１３Ａとの間にＰＮジャンクションが形成される。 - 特許庁

P-N JUNCTION BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT SOURCE FOR DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 - 特許庁

By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow.例文帳に追加

この酸化により、Ｐウェル５とＮ型領域６で形成されるｐｎ接合深さが浅くなる。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL WITH P-N JUNCTION FORMED IN POLYSILICON FLOATING GATE, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ポリシリコン浮遊ゲートにＰＮ接合を形成した不揮発性メモリ・セル及びそのメモリ・セルを製造する方法 - 特許庁

Thus, the P-N junction surface 5 is tilted against the bottom surface 1B of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

したがって、このＰＮ接合面５は、半導体基板１の底面１Ｂに対して傾斜している。 - 特許庁

The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加

ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁