例文 (999件) |
protection elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1395件
To provide a semiconductor element in which heat radiation is improved and surface protection agent is applied simply and easily to a semiconductor chip.例文帳に追加
放熱性能が向上し、半導体チップへの表面保護剤の塗布が簡単かつ容易に行うことができる半導体素子を提供する。 - 特許庁
As a result, sunlight is effectively confined in a solar cell element by machining directly aligned irregularity to a protection film.例文帳に追加
これにより、保護フィルムに直接配列された凸凹を加工することで太陽光を有効に太陽電池素子内に閉じこめようというものである。 - 特許庁
The power supply switch transistor 1 uses an unused transistor which is arranged as an ESD protection element in an I/O area 2.例文帳に追加
電源スイッチトランジスタ1は、従来ESD保護素子として利用するためにI/O領域2に配置されている空きトランジスタを使用する。 - 特許庁
In one embodiment, the filter is incorporated into an inflator used for inflating an inflatable element of a vehicle occupant protection system.例文帳に追加
1つの実施態様では、フィルターは、乗り物乗員保護システムの膨張可能な要素を膨張させるために使用されるインフレータに組み入れられる。 - 特許庁
A protection element 1 has a structure in which a vertical type bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in the part of the device of a MOS structure.例文帳に追加
保護素子1は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタQ1と寄生バイポーラトランジスタQ2とを形成した構造になっている。 - 特許庁
The electrostatic discharge protection element 23 is covered with a flexible substrate of the FPC and an irradiation level of the light to the amorphous silicon can be reduced.例文帳に追加
静電破壊保護素子23はFPCの可撓性基板に覆われており、アモルファスシリコンへの光の照射量を低減することができる。 - 特許庁
When the distance from the electromagnetic conversion element 20 to a medium contact end 41 of the protection film 17 is α1, 50μm≤α1≤200μm is satisfied.例文帳に追加
電磁変換素子20から、保護膜17の媒体接触端41までの距離をα1としたとき、50μm≦α1≦200μmを満たす。 - 特許庁
To provide a semiconductor device where the impedance of an electrostatic protection element is sufficiently lower than the impedance of an internal circuit, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
静電保護素子のインピーダンスが内部回路のインピーダンスよりも十分に低い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a replica reflecting optical element with a protection film which has a high reflectivity over a wide wavelength range, especially, in the ultraviolet range.例文帳に追加
広い波長範囲、特に紫外域における反射率の高い、保護膜付きのレプリカ反射光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an optical waveguide element reducing a drive voltage substantially independently of impedance matching and interference protection of a light wave.例文帳に追加
インピーダンス整合及び光波の干渉防止と実質上独立して駆動電圧を低減することが可能な光導波路素子を提供する。 - 特許庁
The semiconductor optical modulator 1 is equipped with a substrate 3, a modulation element part 4, metallic wiring 31, air bridge wiring 33 and a protection post part 9.例文帳に追加
半導体光変調器1は、基板3、変調素子部4、金属配線31、エアブリッジ配線33、及び保護ポスト部9を備えている。 - 特許庁
The electrostatic protection element and a high electron mobility transistor having the conductivity type impurities containing layer as the active layer are provided on the same substrate.例文帳に追加
そして、この静電保護素子と導電型不純物含有層を能動層とする高電子移動度トランジスタとを同一基板上に設ける。 - 特許庁
The over voltage protection circuits 33, 34 and 35 and an aluminum wiring 36 are formed on the SOI substrate 30, and the a TMR element 203 is formed.例文帳に追加
SOI基板30上に過電圧保護回路33,34,35と、アルミ配線36を形成し、その後でTMR素子203を形成する。 - 特許庁
To provide an electrostatic-discharge protection element wherein the area of its layout is reduced, and the concentration of its current can be suppressed, and further, the variation of its resistances is made small.例文帳に追加
レイアウト面積が小さく、電流の集中を抑制でき、抵抗値のばらつきが少ない静電気放電保護素子を提供する。 - 特許庁
To enhance detection accuracy and reliability by preventing a filler for circuit protection from sticking to the back surface side of a detecting element.例文帳に追加
回路保護用の充填剤が検出素子の裏面側に付着するのを防止することにより、検出精度と信頼性を向上させる。 - 特許庁
A temperature protection means (thermistor)46 for cutting off current carried to the dynamoelectric element 3 by predetermined temperature rise is mounted in the sealed vessel 1.例文帳に追加
密閉容器1内に、所定の温度上昇により電動要素3への通電を断つための温度保護手段(サーミスタ)46を設ける。 - 特許庁
In the temperature detection element manufacturing process, the covering layer 5 is formed on a part furthermore on the tip side than a position corresponding to at least the rear end 21 of the temperature-sensitive element 2, on the surface of the protection layer 4.例文帳に追加
温度検出素子作製工程において、被覆層5は、保護層4の表面のうち、少なくとも感温素子2の後端部21に相当する位置よりも先端側の部分に形成される。 - 特許庁
To provide semiconductor light-emitting element, light-emitting device, illumination device, display device, signal light unit and road information device, capable of protecting a light-emitting diode (LED) from static electricity and overvoltage without an external protection element.例文帳に追加
外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。 - 特許庁
To provide a gas sensor element forming an excellent porous protection layer, shortening a light-off time furthermore than hitherto, and improving reliability, and to provide a method for manufacturing the gas sensor element, and a gas sensor.例文帳に追加
良好な多孔質保護層を形成することができ、従来に比べてライトオフタイムの短縮と信頼性の向上を図ることのできるガスセンサ素子及びその製造方法並びにガスセンサを提供する。 - 特許庁
To provide a switching element drive circuit that can suppress a surge voltage that is generated when a switching element is turned off and can perform short-circuit protection by detecting a short-circuit state at an early stage.例文帳に追加
スイッチング素子のターンオフ時に発生するサージ電圧を抑制できるとともに、早期に短絡状態を検出して短絡保護を行うことができるスイッチング素子駆動回路を提供することである。 - 特許庁
Further, the bypass line 201 is arranged such that an ESD protection element 205 on the power supply line 109 of the semiconductor element is interposed between a first part 201a and a second part 201b of the bypass line.例文帳に追加
さらに、バイパス配線201は、第1の部分201aと第2の部分201bとによって半導体素子の電源配線109上のESD保護素子205を挟んで配置される。 - 特許庁
The structure substrate 2 and the protection substrate 6 are bonded together after polarization processing of the piezoelectric element 4, each electrode is short-circuited, and the piezoelectric element 4 and the signal processing circuit 5 are electrically connected.例文帳に追加
そして、圧電素子4の分極処理後に構造体基板2と保護基板6とを接合し、それぞれの電極どうしを短絡し、圧電素子4と信号処理回路5とを電気的に接続する。 - 特許庁
The second temperature fuse element 31 is provided on the surface of the ceramic substrate 1, electrically connected to the first temperature fuse element 22 in series, and is thermally connected to a protection target.例文帳に追加
第2の温度ヒューズ素子31は、セラミック基体1の表面に設けられており、第1の温度ヒューズ素子22に電気的に直列接続されているとともに、保護対象に熱的に結合される。 - 特許庁
To provide a protection element which can retain flux on a fusible conductor at a prescribed position stably, and makes possible to precisely fuse the fusible conductor at the occurrence of an abnormality, and a secondary battery device using the element.例文帳に追加
可溶導体上のフラックスを安定に所定の位置に保持可能であり、異常時における可溶導体の的確な溶断を可能にした保護素子とそれを用いた二次電池装置を提供する。 - 特許庁
To detect the amount of spherical aberration, corresponding to thickness error of a protection layer of a recording medium and the amount of the coma aberration corresponding to a disk tilt by a liquid crystal element, and to control the amount of correction by the liquid crystal element.例文帳に追加
記録媒体の保護層の厚み誤差に対応する球面収差量やディスクチルトに対応するコマ収差量を液晶素子により検出し、その液晶素子により、補正量を制御する。 - 特許庁
An improved fusible element for use within a circuit protection device is provided, which includes a double wound fusible element configured to withstand a high surge current associated with inductive and capacitive loads.例文帳に追加
誘導及び容量性負荷に関連する高いサージ電流に耐えるように構成された二重巻き可溶体を含む、回路保護装置内で使用するための改善された可溶体が、提供される。 - 特許庁
The optical device is provided with an optical element, a lens body by using a silicone lens for coating the optical element, and a protection wall arranged on the side surface of the lens body and extended to a position higher than the surface of the lens body.例文帳に追加
光学装置は、光学素子と、光学素子を被覆するシリコーンレンズを使用したレンズ体と、レンズ体の側面に配置され、レンズ体の表面よりも高い位置まで延長された保護壁とを備える。 - 特許庁
To eliminate the need for adding a system protective-circuit element such as a CT installation in a consumer house, to secure and facilitate a matching operation of a ratio differential element and a ground-directional element, and to prevent all stops in the consumer house in a protection system for a ring-wire system.例文帳に追加
環線系統の保護システムにおいて、需要家構内にはCT設置などの系統保護回路要素の追加を不要にし、比率差動要素と地絡方向要素の整合動作を確実、容易にし、需要家構内の全停を防止する。 - 特許庁
In a circuit in which a protected element 42 is connected between an input terminal 61 and an output terminal 62, a protected element 41 is connected between the input terminal 61 and a reference potential 71, and a protection circuit 51 is connected in parallel to the protected element 41.例文帳に追加
入力端子61と出力端子62との間に被保護素子42が接続され、入力端子61と基準電位71との間に被保護素子41が接続された回路において、被保護素子41と並列に保護回路51を接続する。 - 特許庁
A multi-chip device 3 has: a circuit element part 31 that carries out a predetermined operation; and an overheat protection part 32 that detects a temperature caused by heat generated by the circuit element part 31, and stops the operation of the circuit element part 31 when the temperature reaches a predetermined temperature.例文帳に追加
マルチチップデバイス3は所定の動作を行う回路素子部31と前記回路素子部31が発する熱による温度を検出し、所定の温度になった際に前記回路素子部31の動作を停止させる過熱保護部32とを備える。 - 特許庁
In a partial electric wiring layer of multilayer wiring including electric wiring for pads for electrically connecting pad electrodes to a static protection element, and electric wiring for power electrically connected to a power source, and used as the electric wiring for power, the electric wiring for pads and the electric wiring for power are arranged at the center of a region with the static protection element formed therein without being superposed on each other on the static protection element.例文帳に追加
パッド電極と静電気保護素子とを電気的に接続するパッド用電気配線と、電源と電気的に接続する電源用電気配線とを、有し、当該電源用電気配線として用いられている多層配線の一部の電気配線層において、パッド用電気配線と、電源用電気配線とが、静電気保護素子上では重ならないように、静電気保護素子が形成されている領域の中央に配置する。 - 特許庁
In the switch drive device 100, an overcurrent protection circuit starts to count a prescribed protection operation period Toff when an overcurrent is detected, intermittently stops the drive of a switching element 11 until the protection operation period Toff is elapsed after the overcurrent is detected, and after that, restarts the drive of the switching element 11.例文帳に追加
本発明に係るスイッチ駆動装置100において、過電流保護回路は、過電流が検出されたときに所定の保護動作期間Toffを計時し始め、前記過電流が検出されてから保護動作期間Toffが経過するまで、スイッチング素子11の駆動を継続的に停止させた後、スイッチング素子11の駆動を再開させる構成とされている。 - 特許庁
The manufacturing method of the MEMS device 80 wherein the MEMS element 10 and the semiconductor element 70 are formed on the substrate 50 includes the steps of: forming the semiconductor element 70 on the substrate 50; forming an acid resistance protection film 72 on the semiconductor element 70; and forming the MEMS element on the substrate 50.例文帳に追加
基板50上にMEMS素子10と半導体素子70とが形成されたMEMSデバイス80の製造方法において、基板50上に半導体素子70を形成する工程と、半導体素子70上に耐酸性保護膜72を形成する工程と、基板50上にMEMS素子10を形成する工程とを有する。 - 特許庁
The piezoelectric actuator with the protection mechanism protects a piezoelectric actuator element (16) from an input of the abnormal voltage or the abnormal current, and comprises the piezoelectric actuator element (16) driven by an input of a drive signal, and an overvoltage restriction element (Va) that is connected to the piezoelectric actuator element (16) in parallel therewith, and restricts the application of the overvoltage to the piezoelectric actuator element (16).例文帳に追加
異常な電圧または電流の入力から圧電アクチュエータ素子(16)を保護する保護機構付き圧電アクチュエータであって、駆動信号の入力により駆動される圧電アクチュエータ素子(16)と、圧電アクチュエータ素子(16)に並列に接続され、圧電アクチュエータ素子(16)への過電圧の印加を制限する過電圧制限素子(Va)と、を備える。 - 特許庁
This extra current also in turn increases the voltage over the impedance element on the interface line, thus improving the design margins for the ESD protection and providing a better ESD protection capability for IC products.例文帳に追加
また、この余分な電流は、インターフェース回線上のインピーダンス要素にかかる電圧を上昇させ、それにより、ESD保護のための設計の余裕を改善し、かつ、IC製品のためのより優れたESD保護能力を提供する。 - 特許庁
In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a thick insulating film is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加
素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタにおいて、ESD保護用のN型MOSトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、厚い絶縁膜を配置した。 - 特許庁
To prevent crack of a wafer in manufacture of semiconductor element by deforming a surface protection tape for back grind adhered to the wafer surface, by applying the heat thereto and then alleviating uneven shape by the polyimide protection film at the wafer surface.例文帳に追加
ウェハ表面に貼り付けたバックグラインド用の表面保護テープを加熱により変形させて、ウェハ表面のポリイミド保護膜による凹凸形状を緩和することによって、半導体素子の作製時のウェハ割れを防ぐこと。 - 特許庁
The heater X comprises a base plate 1, heating elements 2, 3 formed on the heater 1, and a protection cover 4 covering the heating element 2, 3, and the linear expansion coefficient of the base plate 1 is the same with that of the protection cover 4.例文帳に追加
基板1と、この基板1上に設けられた発熱体2,3と、この発熱体2,3を覆っている保護膜4と、を備えている加熱ヒータXであって、基板1および保護膜4の線膨張係数が同一である。 - 特許庁
A protection circuit board 16 and a PTC element body 150b are connected electrically with a cylindrical unit cell 10 by using lead plates 14, 150a.例文帳に追加
円筒型素電池10にリード板14、150aを用いて保護回路基板16およびPTC素子本体150bを電気的に接続する。 - 特許庁
To provide a nonaqueous secondary battery safely incorporating a protection circuit board and an excessive current shut off element at a low cost without decreasing energy density.例文帳に追加
体積エネルギー密度を低下させることなく、安価に保護回路基板と過電流遮断素子とを内蔵することが可能な非水系二次電池を提供する。 - 特許庁
To provide an LED lighting apparatus that maintains a performance of the LED element itself and also a light volume stable for a long period as a whole lighting fixture including a protection cover housing an LED array.例文帳に追加
LED素子自体の性能だけでなく、LEDアレイを収容した保護カバーを含む器具全体として長期間安定した光量を維持する。 - 特許庁
To provide a highly reliable high breakdown strength semiconductor device at a low cost in which a high breakdown strength element and a drive circuit or a protection circuit, etc., are formed integrally.例文帳に追加
高耐圧素子及びドライブ回路や保護回路等を一体化した高耐圧半導体装置を信頼性高く低コストで提供すること。 - 特許庁
Further, the temperature protection element 2 and the voltage transformer 3 are connected in series between the positive electrode of the secondary battery and the voltage-transformer outer terminal 6.例文帳に追加
また、二次電池1の正極と、電圧変換外部端子6との間には、温度保護素子2および電圧変換器3が直列に接続される。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device which can function as an ESD protection element and use a user's area fully and in which a power supply switch transistor is arranged.例文帳に追加
ESD保護素子機能を果たしユーザ領域を広く使用できる電源スイッチトランジスタを配置する半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide a voltage regulator circuit with a short circuit protection circuit in which variation of output current by an influence of fluctuation of a resistance value of a resistive element is small.例文帳に追加
抵抗素子の抵抗値のばらつきの影響による出力電流の変動が小さい短絡保護回路付きボルテージレギュレータ回路を提供する。 - 特許庁
A gate driving device for performing an overvoltage protection operation detects an element current after a turn-off signal is input and varies an overvoltage suppression value according to the current value at the time of turn-off.例文帳に追加
ターンオフ信号が入力されてからの素子電流を検出してターンオフ時の電流値に応じて過電圧抑制値を可変にする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a head slider in which head crush is suppressed by preventing projection of a protection film caused by heat generation of a head element.例文帳に追加
ヘッド素子の発熱に伴う保護膜部分の突出を防止し、ヘッドクラッシュを抑制するようにしたヘッドスライダの製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a circuit protection element in which stable fusion characteristics can be obtained without deteriorating productivity.例文帳に追加
本発明は、生産性を低下させることなく安定した溶断特性が得られる回路保護素子の製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
To provide a light emitting device that reduces light loss caused as a result of arrangement of an electrostatic discharge protection element, and is improved in light extraction efficiency.例文帳に追加
静電気放電保護素子を配置することにより生じる光損失が低減され、光取り出し効率が改善された発光装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a circuit protection element capable of obtaining stable fusion characteristics with a large electric current capacity.例文帳に追加
本発明は、電流容量が大きくかつ安定した溶断特性が得られる回路保護素子の製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
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