「protection element」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The imaging module 1 includes a lens group 2 for imaging which receives incident light LL, the image sensor 3 having a photodetecting element portion 4 photoelectrically converting the incident light LL and a transparent protection member 5 protecting the photodetecting element portion 4, and the lens 10 for the image sensor disposed opposite to the transparent protection member 5.例文帳に追加

撮像モジュール１は、入射光ＬＬを入射させる撮像用レンズ群２と、入射光ＬＬに対して光電変換を行なう受光素子部４および受光素子部４を保護する透明保護部材５を有するイメージセンサ３と、透明保護部材５に対向して配置されたイメージセンサ用レンズ１０とを備える。 - 特許庁

The PNP transistors PT1-3 and the NPN transistor NT2 function as a current supply circuit part, supply a leakage current flowing to the replica electrostatic protection element in high-temperature operation to the NPN transistor Nt1 side as a turned current, and suppresses voltage drop on the collector side by a leakage current of the electrostatic protection element.例文帳に追加

ＰＮＰトランジスタＰＴ１乃至３とＮＰＮトランジスタＮＴ２は電流供給回路部として機能し、高温動作にレプリカ静電気保護素子に流れる漏れ電流をＮＰＮトランジスタＮＴ１側に折り返し電流として供給し、静電保護素子の漏れ電流によるコレクタ側の電圧降下を抑制する。 - 特許庁

If an applicant does not agree to consider part of the trade mark as an element which is not subject to protection but the Patent Office does not regard the opinion of the applicant as reasoned, the Patent Office shall make a decision to register the trade mark with a restriction, indicating the element which is not subject to protection. 例文帳に追加

出願人が商標の一部を保護の対象とならない構成部分と認めることに同意せず，かつ，特許庁が出願人の意見を根拠があるものとみなさない場合は，特許庁は，保護の対象とならない構成部分を表示するとの制限付きで商標を登録する決定を行うものとする。 - 特許庁

In the control device of a vehicle, an intervention condition of a fastening element protection control that releases the clutch during an accelerator hill hold state and maintains a state where a vehicle is stopped by a brake, is set based on an inclination load torque equivalent value, while a cancel condition of the fastening element protection control, is set based on a required torque in an intervention.例文帳に追加

アクセルヒルホールド時に、クラッチを開放し、ブレーキによって車両停止状態を維持する締結要素保護制御の介入条件を、勾配負荷トルク相当値に基づいて設定する一方、締結要素保護制御の解除条件を、介入時の要求トルクに基づいて設定することとした。 - 特許庁

The element body supporting means is formed of a support plate section 9 that is formed in a flat plate shape of substantially the same width as the inner diameter of the protection pipe section 7 and is inserted into the protection pipe section 7 without clearance while the element body 8, a platinum fine wire 10 for temperature measurement, and the lead wire 4 are fixed to its surface.例文帳に追加

この素子本体支持手段は、保護管部７の内径とほぼ同じ幅寸法の平板状に形成されてその表面に素子本体８、温度測定用白金細線１０及びリード線４を固定した状態で保護管部７内に隙間無く挿入された支持板部９で構成した。 - 特許庁

The flexible display device includes: the flexible substrate 27; the display element layer 25 formed on the flexible substrate 27; and the insulating protective layer 23 covering the display element layer 25, wherein at least one of the etching ratio of glass to the insulating protection layer and the etching ratio of stainless steel to the insulating protection layer is 1:20 or higher.例文帳に追加

更に、フレキシブル基板２７と；フレキシブル基板２７上に形成された表示素子層２５と；表示素子層２５を保護する絶縁保護層２３を備えて、ガラス：絶縁保護層のエッチング比及びステンレス：絶縁保護層のエッチング比の中、少なくともいずれか一つは１：２０以上であるフレキシブル表示装置。 - 特許庁

A power supply voltage VDD is applied to a high-voltage side power terminal H2 of the second amplifier 2 from a power pad P1 through a first protection resistive element r1, and a ground voltage VSS is applied to a low voltage side power terminal L2 from a ground pad P3 through a second protection resistive element r2.例文帳に追加

第２のアンプ２の高電圧側電源端子Ｈ２には電源パッドＰ１から第１の保護抵抗素子ｒ１を通して電源電圧ＶＤＤが供給され、その低電圧側電源端子Ｌ２には接地パッドＰ３から第２の保護抵抗素子ｒ２を通して接地電圧ＶＳＳが供給されている。 - 特許庁

This image sensor comprises a light-sensitive element 31, a micro lens 41 formed on the light-sensitive element 41, an insulating protection film 45 formed on the micro lens 41 for protecting micro lens and an oxide film 42A formed between the micro lens 41 and the insulating protection film 45 with an index of refraction smaller than that of the micro lens 41.例文帳に追加

受光素子３１と、受光素子３１の上に形成されたマイクロレンズ４１と、マイクロレンズ４１の上に形成され、マイクロレンズ４１を保護するための絶縁保護膜４５と、マイクロレンズ４１と絶縁保護膜４５との間に形成され、マイクロレンズ４１の屈折率よりも小さい屈折率を有する酸化膜４２Ａとを備える。 - 特許庁

A temperature protection element 21 is connected in series to at least one electrode outside lead wire 15 at the vicinity of the electrode sealing parts 10, 11, and at the end of life of the fluorescent lamp, the temperature protection element 21 is put in current break state in response to heating of the electrode sealing parts 10, 11.例文帳に追加

口金部１２内の、電極封止部１０，１１の近傍に、温度保護素子２１が少なくとも一本の電極外部リード線１５に直列に接続されて設けられており、蛍光ランプの寿命末期に、電極封止部１０，１１の発熱に感応して温度保護素子２１が電流遮断状態となる。 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit that allows an ESD protection element to protect the ESD of an internal element while securing sufficient ESD breakdown strength and also reduces an area, in a power management semiconductor device having a fully depleted SOI device structure and in an analog semiconductor device.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩデバイス構造を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置において、ＥＳＤ保護素子がＥＳＤ破壊強度を充分に確保しつつ内部素子のＥＳＤ保護を可能とし、かつ面積縮小も可能にＥＳＤ保護回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

The light emitting element 16 and the protection element 17 having a suitable Zener voltage are mounted on a bottom 10b inside a recess 10a formed on an upper surface of a surface mounting package 10, and those elements are reversely connected in parallel with each other.例文帳に追加

面実装パッケージ１０の上面に形成された凹部１０ａ内の底面１０ｂ上に発光素子１６と適切なツェナー電圧を持つ保護素子１７が実装され、両素子が互いに逆並列接続される。 - 特許庁

The organic EL device has a substrate, an organic EL element 14 formed on the substrate, and a protection layer 26 formed on the upper surface of the organic EL element 14.例文帳に追加

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた有機ＥＬ素子１４と、前記有機ＥＬ素子１４の上面に設けられた保護層２６を有する有機ＥＬ装置の製造方法および検査方法である。 - 特許庁

To obtain a drive circuit which has a protection means capable of protecting an output drive element by preventing the voltage rise of the drive input circuit of the output drive element even when a surge current of an inductance load is large.例文帳に追加

インダクタンス負荷のサージ電流が大きいときでも出力駆動素子の駆動入力回路の電圧上昇を防いで、出力駆動素子を保護できる保護手段を有する駆動回路の実現を課題とする。 - 特許庁

To provide a multi-stage power source protection device capable of comprehending a deteriorated state of a non-linear element in advance by effectively protecting equipment from incoming surge even if a failure mode or deterioration in the non-linear element occurs.例文帳に追加

非線形素子の故障モードや劣化が起こっても進入サージから機器を有効に保護し、非線形素子の劣化状態を事前に把握できるようにした多段形電源保護装置を提供すること。 - 特許庁

To adjust a breakdown voltage of an ESD protection device formed by the same process with an internal element without changing a basic performance of the internal element at a final stage of an LSI manufacturing step also.例文帳に追加

ＬＳＩ製造工程の最終段階においても、内部素子の基本性能を変えることなく、内部素子と同一プロセスで形成されたＥＳＤ保護素子のブレークダウン電圧を調整可能とすることを目的とする。 - 特許庁

By constituting the input/output buffer 13 from the high withstand-voltage elements, the input/output buffer 13 can be protected from element breakage due to an abnormal voltage such as ESD without providing an overvoltage protection element.例文帳に追加

入出力バッファ１３を高耐圧素子で構成することにより、過電圧保護素子などを設けることなく、入出力バッファ１３をＥＳＤなどの異常電圧による素子破壊などから保護することができる。 - 特許庁

Then the gradient of the measurement waveform is calculated (108) and variation in gradient of the measurement waveform is calculated (110) to specify a reflection peak position by the imaging element from the position relation between the protection glass and imaging element (112).例文帳に追加

そして、測定波形の傾きを算出して（１０８）測定波形の傾きの変化を算出し（１１０）、保護ガラスと撮像素子の位置関係から撮像素子による反射ピーク位置を特定する（１１２）。 - 特許庁

The dispersive compound 4 that dispersed into the photosensitive resin composition 3 for forming a semiconductor element protection film is removed for making porous, and then is cured, thus obtaining the porous resin for protecting a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子保護膜形成用感光性樹脂組成物３中に分散される分散性化合物４を除去し多孔化させ、その後硬化させることにより、半導体素子保護用多孔質樹脂を得る。 - 特許庁

The network element includes a function side transmission concentrated sub layer entity (TCS-W) and a protection side transmission concentrated sub layer entity (TCS-P) and both the entities can individually addressed in the ATM element through a UTOPIA address.例文帳に追加

ネットワーク要素は、機能側送信集中サブレイヤエンティティ(TCS-W)と保護側送信集中サブレイヤエンティティ(TCS-P)を含み、両エンティティは、ＵＴＯＰＩＡアドレスを経てＡＴＭネットワーク要素内で個々にアドレスすることができる。 - 特許庁

The overheat protective function semiconductor switch comprises a power element 1 provided in the main circuit passing a load current, and an overheat protection circuit 2 for interrupting the power element 1 when heat generation thereof exceeds an allowable range.例文帳に追加

負荷電流の流れる主回路に設けられたパワー素子１と、パワー素子１の発熱量が許容範囲を超えたときにパワー素子１を遮断する過熱保護回路２とを備えた過熱保護機能半導体スイッチ。 - 特許庁

To provide a battery pack having a heat sensitive element mounted on the upper face of a battery so that when connecting a lead plate of the heat sensitive element to an electrode of the battery and a protection circuit board, the lead plate can be connected at a correct position with excellent workability.例文帳に追加

パック電池において、電池の上面に感熱素子を装着して、電池の電極及び保護回路基板に感熱素子のリード板を接続する際に、正確な位置に作業性よく接続できるようにする。 - 特許庁

A dynamic drive circuit for controlling the light emitting element is provided with a diode 211 which is serially connected to the parallel circuit of the light emitting element (LED2-a) and the over-voltage protection Zener diode 201 and also which has the opposite polarity of the Zener diode 201.例文帳に追加

発光素子を制御するダイナミックドライブ回路で、発光素子（ＬＥＤ２−ａ）と過電圧保護用のツェナーダイオード２０１との並列回路と直列に、ツェナーダイオード２０１と逆極性にダイオード２１１を設ける。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element which has an aperture rate improved and image quality improved by reducing the line width of a black matrix layer in the structure of the liquid crystal element using an inorganic insulating film as a protection film.例文帳に追加

保護膜として無機絶縁膜を使用する液晶表示素子の構造において、ブラックマトリックス層の線幅を減らして開口率を向上させ、画像品質を向上させる液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a price-controlled highly reliable weather resistant photovoltaic element which assures outdoor use with the minimum protection member even when a photovoltaic element which does not have full watertight property is used.例文帳に追加

十分な耐水性を有していない光起電力素子を使用した場合においても、最低限の保護部材で屋外で使用でき、製造価格を抑えた信頼性の高い耐候性光起電力素子を提供する。 - 特許庁

To provide an element dividing method of a semiconductor laser element which can improve the operation efficiency of scribing without deteriorating workability and operation efficiency when an edge face protection film is formed.例文帳に追加

端面保護膜を形成する際の作業性および作業効率を悪化させることなく、スクライブ傷入れの作業効率を向上させることができる半導体レーザー素子の素子分割方法を提供すること。 - 特許庁

The light-emitting diode element is effectively prevented from being damaged by electrostatic discharge by providing the electrostatic discharge protection element which electrically couples the ground electrode lead and the negative electrode lead.例文帳に追加

グランド電極リードと陰極電極リードとを電気的に連結する静電気放電保護素子が備わることによって、静電気放電によって、発光ダイオード素子が損傷することを効果的に防止することができる。 - 特許庁

To provide a sealing method of an organic EL element and a sealing device to carry out the method wherein an organic EL element can be coated and adhered easily without damaging a sealing protection film or causing a wrinkle due to defoaming failure.例文帳に追加

封止保護フィルムを破損したり脱泡不良による皺を生じさせることなく有機ＥＬ素子に容易に被着できる有機ＥＬ素子の封止方法とこれを実施するための封止装置を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetic memory device has a process for forming the magnetoresistive element 12 used as a memory cell, and a process for forming an SiN protection insulating film 39 for covering the magnetoresistive element 12.例文帳に追加

本発明による磁気メモリ装置の製造方法は、メモリセルとして使用される磁気抵抗素子１２を形成する工程と、磁気抵抗素子１２を被覆するＳｉＮ保護絶縁膜３９を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a protection mechanism for an element mounted on an electric motor capable of preventing a temperature rise of a printed circuit board and the element by interrupting radiation heat generated during driving the motor and capable of attaining easier mounting than in conventional methods.例文帳に追加

モータ駆動時に発生する輻射熱を遮断することで、回路基板や素子の温度上昇を防ぎ、また、従来方法より簡易な取り付けを可能とする電動機の搭載素子の保護機構を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a connection electrode 7 formed on a semiconductor element substrate 5 provided on a semiconductor element 4 at a position facing the bump 3; a surface protection layer 8 formed around the connection electrode 7 and on the semiconductor element substrate 5; and a barrier metal layer 10 that is formed on the connection electrode 7 and the surface protection layer 8 and is electrically connected to the bump 3.例文帳に追加

半導体素子４に設けられた半導体素子基板５におけるバンプ３と対向する位置に形成された接続電極７と、接続電極７の周縁部及び半導体素子基板５の上に形成された表面保護層８と、接続電極７及び表面保護層８の上に設けられ、バンプ３と電気的に接続するバリア金属層１０とを備えている。 - 特許庁

To secure assured and superior electrical connection in a normal state and assured separation of a broken overvoltage limiting element, and to achieve the highest possible insulation resistance and current-resistance leakage property to discharge the largest possible pulse current by an overvoltage protection element, even when the size of the overvoltage protection element is made as small as possible.例文帳に追加

正常状態における確実で良好な電気的接続と、故障した過電圧制限素子の確実な切り離しを保証するするとともに、過電圧保護素子によってできるだけ大きなパルス電流を排出することができるように、過電圧保護素子のサイズをできるだけ小さくした場合でも、できるだけ高い耐絶縁性と耐電流漏洩性を達成する。 - 特許庁

To provide an overcurrent protection circuit of power semiconductor element which controls, when a fault such as short-circuit is generated, a value of protection resistance for protecting a power semiconductor element, such as IGBT not to become extremely large value and thereby, to prevent the switching time of the power semiconductor element under the short-circuit conditions from becoming very long and also to prevent increase in losses at off condition.例文帳に追加

短絡などの異常時において、ＩＧＢＴなどの電力用半導体素子を保護する保護抵抗の値が極端に大きくならないようにし、もって、異常時における電力用半導体素子のスイッチング時間の長期化が防止できる上に、オフ時の損失の増加が防止できるようにした電力用半導体素子の過電流保護回路の提供。 - 特許庁

The substrate with a built-in electronic component 1, in addition to at least one electronic component element built in, has an ESD protection element fitted, which 2 is structured of a cavity part formed inside the substrate with a built-in electronic component, and a pair of discharge electrodes formed in opposition in the cavity part; and the ESD protection element 2 is to be integrally formed with the electronic component element.例文帳に追加

電子部品内蔵基板１は内部に少なくとも１つの電子部品素子を内蔵した電子部品内蔵基板１の内部に、更にＥＳＤ保護素子を設け、そのＥＳＤ保護素子２を、少なくとも、その電子部品内蔵基板の内部に形成された空洞部と、空洞部内において対向して形成された一対の放電電極とで構成し、かつ、ＥＳＤ保護素子２を、電子部品素子と一体的に形成するようにした。 - 特許庁

Further, a transparent protection film 17 for covering the plurality of linear shading bodies 21 and the coloring matter materials 23a, 23b, 23c is formed, and then an MIM element 18 is aligned to the linear shading bodies 21 and is formed on the transparent protection film 17.例文帳に追加

さらに、複数の線状遮光体２１および色素材２３ａ，２３ｂ，２３ｃを覆う透明保護膜１７が形成された後、ＭＩＭ素子１８が線状遮光体２１に対してアライメントされて透明保護膜１７上に形成されている。 - 特許庁

Then the p-type well diffusion region 11 of the protection element 41 included in the electrostatic protection circuit 2 is configured to have higher p-type impurity density than the p-type well diffusion region 4 of the NMOS transistor 31 included in the internal circuit 1.例文帳に追加

そして、静電気保護回路２に含まれる保護素子４１のｐ型ウェル拡散領域１１が、内部回路１に含まれるＮＭＯＳトランジスタ３１のｐ型ウェル拡散領域４よりもｐ型不純物濃度が高くなるように構成されている。 - 特許庁

A plurality of electric wires mounted on a prescribed bending part, bending protection members, atmospheric temperatures, bending start shapes and bending finish shapes are set, respectively, and each infinite element model of the bending protection member and the plurality of electric wires is formed.例文帳に追加

所定の屈曲部に取り付けられる複数の電線、屈曲保護部材、及び雰囲気温度、屈曲開始形状及び屈曲終了形状が設定され、屈曲保護部材及び複数の電線の各有限要素モデルが作成される。 - 特許庁

To easily provide an electrostatic protection element of which operation voltage (trigger voltage) and holding voltage are low which have been impossible to obtain with an electrostatic protection circuit using an NMOS transistor of a conventional drain structure, and with which holding voltage can be arbitrarily set.例文帳に追加

従来のコンベンショナル型のドレイン構造を持つＮＭＯＳトランジスタを用いた静電保護回路では不可能であった動作電圧（トリガ−電圧）および保持電圧をが低く、かつ、自由に設定できる静電保護素子を容易に提供する。 - 特許庁

The temperature sensor comprises a mouth caulked part 6, formed by inserting a lead wire 2 connected to a thermosensitive element into a protection tube 5 together with a bush 3, through which the lead wire 2 is inserted, and a glass fiber tube 4, through which the bush 3 is inserted and caulking the protection tube 5 from the outside.例文帳に追加

感温素子に接続されたリード線２を、リード線２を挿通させたブッシュ３と、ブッシュ３を挿通させたガラス繊維チューブ４と共に、プロテクションチューブ５内に挿入し、プロテクションチューブ５の外方からかしめた口元かしめ部６を有する。 - 特許庁

The heater is manufactured by inserting a heating element 11 in a single wire state or in a twisted wire state, with an outer circumference face thereof coated with a coating material 12, into a protection tube 13 having flexibility, and filling a gap, between the coating material 12 and the inner face of the protection tube 13, with sand 14.例文帳に追加

可撓性を有する保護管１３の内部に、外周面が被覆材１２で覆われた単線状又は撚り線状の発熱体１１を挿入し、前記被覆材１２と前記保護管１３内面との間隙に砂１４を充填する。 - 特許庁

In the secondary battery device 1 having a plurality of protection circuits U_1-U_3 connected in parallel with each other in which two fuses f_a, f_b are serially connected, a switching element 4 is connected to terminal t_c of a heater h of respective protection circuits U_1-U_3 through rectifying elements D_1-D_3.例文帳に追加

二個のフューズｆ_a、ｆ_bが直列接続された複数の保護回路Ｕ_1〜Ｕ_3を並列接続した二次電池装置１において、各保護回路Ｕ_1〜Ｕ_3のヒータｈの端子ｔ_cに整流素子Ｄ_1〜Ｄ_3を介して、スイッチ素子４に接続する。 - 特許庁

A sensor panel including a light receiving part 15 two-dimensionally arranging a photoelectric conversion element 2 receiving light as the substrate 1, and a protection layer 5 provided on the light receiving part 15 and brought into contact with the scintillator layer 7 and the scintillator protection layer 8 is used.例文帳に追加

基板１として、光を受光する光電変換素子２が２次元状に配された受光部１５と、受光部１５上に設けられ且つシンチレータ層７及びシンチレータ保護層８と接する保護層５と、を有するセンサーパネルを用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is manufactured with a small number of processes, while having a high protection capability, in the semiconductor device in which an MOSFET as an element to be protected and an MOSFET for electrostatic protection are mounted on the same substrate.例文帳に追加

被保護素子であるＭＯＳＦＥＴと、静電保護用のＭＯＳＦＥＴを同一基板上に搭載する半導体装置において、高い保護能力を備えながらも少ない工程数で製造することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element body having an exterior cover body, the photoelectric conversion element attached to the cover body to convert light information into an electrical signal, a cover 4 for protection is arranged so as not to be in parallel with the surface of the photoelectric conversion element 3.例文帳に追加

外装カバー体と、該カバー体に取り付けられ、光情報を電気信号に変換する光電変換素子と、該光電変換素子保護用のカバーを有する光電変換素子体において、保護用のカバー４が光電変換素子３表面と平行にならないように配置されている。 - 特許庁

Further, the input/output circuit 11 is formed by MISFET elements of nMISFET forming region 21 and pMISFET forming region 27, resistive elements of resistive element forming regions 22, 26 functioning as a protection element, and diode elements of diode element forming regions 23, 25.例文帳に追加

入出力回路１１は、ｎＭＩＳＦＥＴ形成領域２１およびｐＭＩＳＦＥＴ形成領域２７のＭＩＳＦＥＴ素子と、保護素子として機能する抵抗素子形成領域２２，２６の抵抗素子およびダイオード素子形成領域２３，２５のダイオード素子とにより形成されている。 - 特許庁

The DC-DC converter is so constructed that the following takes place: a protection circuit detects the potential at the point of junction between the rectifier and the switch element; and when the junction point potential is equal to or higher than a predetermined potential in a state in which a drive signal turns on the switch element, the switch element is turned off without fail.例文帳に追加

本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、保護回路が、整流器とスイッチ素子との接続点電位を検出し、駆動信号がスイッチ素子をオンさせる状態において、接続点電位が所定電位以上であるとき、スイッチ素子を確実にオフさせるよう構成されている。 - 特許庁