「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily peel off a hard carbon layer formed on a resist film by implanting ion with high concentration and high energy in a semiconductor producing process.例文帳に追加

本発明は、半導体製造工程において、高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより、レジスト膜に形成された硬いカーボン層を、容易に剥離することを目的とするものである。 - 特許庁

This metal contamination prevention agent is configured to prevent metal contamination in the neighborhood of the surface of a semiconductor wafer, by making nearly insoluble metal ion contained in the polishing process of a semiconductor wafer.例文帳に追加

本発明に係る金属汚染防止剤は、半導体ウエーハの研磨工程に含まれる金属イオンを難溶性化して半導体ウエーハ表面近傍への金属汚染を防止する。 - 特許庁

The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon.例文帳に追加

この製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ１８の形成後に少なくともエミッタ１８の先端部に炭素イオン４０を注入するイオン注入工程を備えている。 - 特許庁

After disintegration, the intermediate fluorescent substance is heated at a specific temperature (e.g. 1,400-1,800°C) in a reducing atmosphere in a production process for a trivalent rare earth ion-containing aluminate fluorescent substance.例文帳に追加

この中間蛍光体を解砕した後、三価希土類イオン含有アルミネート蛍光体製造工程において、還元雰囲気中所定温度（例えば１４００〜１８００℃）で加熱する。 - 特許庁

A first film forming process for forming a first thin film 17 on the electrode film 15 is carried out under a first spatter gas atmosphere, reduced in the contents of oxidizing gas, whereby high energy ion, such as oxidizing gas ion, will not be incident into the electrode film 15 and the electrode film 15 will not be damaged.例文帳に追加

電極膜１５上に第一の薄膜１７を形成する第一の成膜工程は、酸化ガスの含有率が少ない第一のスパッタガス雰囲気で行われるので、酸化ガスイオンのような高エネルギーイオンが電極膜１５に入射せず、電極膜１５がダメージを受けない。 - 特許庁

The method for producing smoked cheese comprising the following process: drawing smoke from a smoke generator into a smoke chamber provided with a spray humidifier generating minus ions to fill the chamber with minus ion-mist-smoke so that the plus ion-charged cheese in the chamber is smoked by utilizing Coulomb's force at normal temperatures.例文帳に追加

スモーク発生装置からのスモークをマイナスイオンを発生させる加湿用噴霧装置を備えたスモークチャンバー内に引込んでマイナスイオン・ミスト・スモークを充満させることにより、プラスイオンに帯電しているチャンバー内のチーズをクーロン力を利用して常温下でスモークすることを特徴とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the mold for molding the optical element which is used for press-molding the optical element composed of a glass, a silicon carbide film or a mixed film of carbon with silicon is formed by implanting silicon ion and carbon ion at least on a molding surface of the mold base material composed of a metal in a 1st process.例文帳に追加

ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる光学素子成形用型の製造方法において、第１の工程で、金属よりなる型母材の少なくとも成形面にケイ素イオンおよび炭素イオンを注入し、炭化シリコン膜あるいは炭素とシリコンの混合膜を形成する。 - 特許庁

In a method of forming the positive electrode body, and the dielectric coating layer by immersing the positive electrode body in a chemical conversion solution to carry a current to the positive electrode body and a metal member in the chemical conversion solution, the chemical conversion solution is previously subjected to an ion-exchange process by using an ion-exchange resin.例文帳に追加

陽極体と、該陽極体を化成液に浸漬して、該陽極体と化成液中の金属部材とを通電させることにより誘電体皮膜層を形成する方法において、該化成液は予め酸水溶液をイオン交換樹脂を用いてイオン交換処理されている。 - 特許庁

An ion implantating process is started by the use of an ion beam 10a of large current with a slit 9 being kept open, and when the detection temperature of a temperature sensor 6 and/or the detection charge of a charge sensor 8 exceeds a previously set value while ions are implanted, the slit 9 is closed.例文帳に追加

スリット９を「開」状態にして大電流のイオンビーム１０ａによるイオン注入開始後、温度センサ６の検出温度とチャージセンサ８の検出電荷のいずれか一方又は両方が、イオン注入の途中で予め設定した所定値を越えたときは、スリット９が閉じられる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element with an epichannel structure which eliminates a limit of usable energy in an extremely low energy ion injecting method and which is suitable for improving a decrease in productivity in a extremely low energy ion injecting method which requires a process of a long period of time.例文帳に追加

極低エネルギーイオン注入法に伴う使用可能なエネルギーの限界を解消し、長時間の工程が要求される極低エネルギーイオン注入法の生産性低下を改善するのに好適のエピチャネル構造の半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing process in which the ion implantation for the implantation separation area of the high-withstand voltage transistor and the ion implantation for the retrograde well formation are performed at the same time is provided to decrease the number of masks, reduce manufacturing processes accompanying them, and further provide a low-cost semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧トランジスタの注入分離領域とレトログレードウェルの作成の為のイオン注入を同時に行う製造プロセスを提供することによってマスク枚数の削減とそれに伴う製造工程の縮減さらには低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

The occurrence of cracking is prevented by imparting resistance to the chlorine ion to the polyamide resin utilizing barrier properties to the chlorine ion possessed by an epoxy and the complementary action by an epoxy group for linking a carboxylic group and an amino group during the process in which the carboxylic group and the amino group is produced by the hydrolysis of the polyamide resin.例文帳に追加

エポキシの持つ塩素イオンに対するバリアー性と、また、ポリアミド樹脂が加水分解により、カルボキシル基とアミノ基が生じる過程で、その両者を繋ぐためのエポキシ基による補完作用を利用し、塩素イオンに対するポリアミド樹脂に耐性を持たせ、クラックの発生を防止する。 - 特許庁

To easily form a fine impurity region; to eliminate a need of removing a film at every ion implantation; and to reduce man-hours in a method of manufacturing a semiconductor device, which method comprises a process for forming the impurity region with ion implantation.例文帳に追加

本発明はイオン注入により不純物領域を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、微細な不純物領域の形成を容易にすることができると共にイオン注入毎に膜除去を行う必要がなく工数の削減を図ることを課題とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid electrolyte green sheet, includes a process mixing lithium ion conductive powder and an organic binder with a solvent with lithium ion conductive powder/an organic binder (mass ratio) to be 1.2 or more to produce slurry which is arranged on a support and making it dry.例文帳に追加

固体電解質グリーンシートの製造方法は、リチウムイオン伝導性粉末と有機バインダとを、リチウムイオン伝導性粉末／有機バインダ（質量比）が１．２以上で、溶媒と混合することでスラリーを作製し、このスラリーを支持体上に配置し、乾燥する工程を有する。 - 特許庁

To easily and efficiently make pure water by RO membrane separation treatment from raw water consisting of Ca ion-containing water such as industrial water and F ion-containing water such as waste water from an electronic part producing process without requiring complicated pretreatment while preventing the formation of CaF2 scale.例文帳に追加

工業用水等のＣａイオン含有水と電子部品製造排水等のＦイオン含有水とを原水として、煩雑な前処理を必要とすることなくＣａＦ_２スケールの生成を防止して、ＲＯ膜分離処理により容易かつ効率的に純水を製造する。 - 特許庁

The primary reforming processing is carried out successively, on the preliminary reforming process; second ion implantation is performed with energy higher than that of the first ion injection to reform the organic SOG film to the target depth; and thus a lower reformed SOG film 52d is formed below the upper reformed SOG film 52u.例文帳に追加

予備改質工程に続いて本改質工程が行われ、第１のイオン注入より高いエネルギーで第２のイオン注入を行い、目的深さまでの有機ＳＯＧ膜を改質して、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕの下に下部改質ＳＯＧ膜５２ｄを形成する。 - 特許庁

The method of generating high speed ion comprises a process of converging a laser by 10^15 W/cm^2 or higher on a low-density conductive first target having an effective thickness of 0.3 mm or thinner, and emitting the high speed ion from a back side of the laser irradiation part of the first target.例文帳に追加

有効な厚みが０．３ｍｍ以下である低密度導電性第一ターゲットにレーザーを１０^１５Ｗ／ｃｍ^２以上に集光し、該第一ターゲットのレーザー照射部の裏側から高速イオンを放出させる工程を含む、高速イオンの発生方法を提供する。 - 特許庁

After implementing a hot pressing process on the completed ion exchange membrane, a cut out diffusion layer carbon cloth is placed on the catalyst layers on both positive and the other side of the ion exchange membrane and a positive electrode gas diffusion layer and a negative electrode gas diffusion layer are made, thereby the membrane electrode assembly is manufactured.例文帳に追加

完成したイオン交換膜に熱圧工程を実行した後、裁断した拡散層カーボンクロスをイオン交換膜の正反両面の触媒層上に置いて陽極気体拡散層及び陰極気体拡散層となし、以上で膜電極アセンブリの製造を完成する。 - 特許庁

To provide a processing method of needle-like samples for atom probes and a focused ion beam apparatus capable of suppressing contamination of the vicinity of the vertex of the tip of a needle-like sample, when a focused ion beam is irradiated to process the needle-like sample and suppressing reductions in the mechanical strength of the needle-like sample.例文帳に追加

集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

During a rinsing and spin-drying process, silver ions are dissolved in water in a water supply channel 9 by an electrolyte cell 10, silver ion water is supplied to a washing tub 4 and brought into contact with the laundry, the laundry and the silver ion water are irradiated with light from an LED 5, thereby the sterilizing and antibacterial effect of the laundry is improved.例文帳に追加

濯ぎ脱水工程時に、電解槽１０より銀イオンを給水路９の水に溶解して、銀イオン水を洗濯槽４に供給して洗濯物に接触させ、洗濯物および銀イオン水にＬＥＤ５から光を照射し、洗濯物の除菌、抗菌効果を向上する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hydrogen ion conductive polymer membrane with a catalyst layer for a fuel cell without causing a wrinkle or looseness of the hydrogen ion conductive polymer membrane in a machining process or in handling, damage such as a pin hole or micro-crack thereof, or a crack, wear or pollution of the catalyst layer.例文帳に追加

加工工程や取扱い中における水素イオン伝導性高分子膜の皺や弛み、ピンホール、マイクロクラックなどの損傷、および触媒層のクラックや摩耗、汚染などが発生しない燃料電池用触媒層付き水素イオン伝導性高分子膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The composition for forming the rust preventive film is composed of a first process liquid containing the zirconium and fluorine compounds, a second process liquid containing the metallic ion and/or the metallic compound for successively treating the surface already treated by the first process liquid, and if required, a third process liquid containing silicate for treating the surface of the second rust preventive film, or the third process liquid mainly containing polymer.例文帳に追加

ジルコニウム化合物とフッ素化合物を含有する第１処理液と、第１処理液で処理した表面を引き続き処理するための金属イオンおよび／または金属化合物を含有する第２処理液と、必要に応じて前記第２防錆皮膜の表面を処理するための珪酸塩を含有する第３処理液あるいはポリマーを主として含有する第３処理液とからなる防錆皮膜形成用組成物により課題を解決できる。 - 特許庁

Alternatively, in the Monte Carlo simulation calculating process for an ion implantation process, when scattering of a cluster-type molecular ion consisting of ten or more atoms is calculated by the Monte Carlo method, if a large angle scattering event resulting in energy loss designated by a predetermined parameter occurs, the cluster-type molecule is decomposed, and a travelling direction of decomposed individual atom is defined at random.例文帳に追加

もしくは、イオン注入プロセスのモンテカルロシミュレーション計算過程において、１０個以上の原子からなるクラスター型分子イオンのモンテカルロ法による散乱を計算する場合に、所定のパラメータで指定したエネルギー損失になる大角度散乱イベントが起きた段階で、クラスター型分子を分解させ、かつ分解した個々の原子の進行方向をランダムに決定する。 - 特許庁

This method for removing iron in the clay mineral using the biochemical percolation comprises a step of preparing a mineral solution containing a raw mineral to be treated and a step of simultaneously treating the biochemical percolation process by the microorganism and the process for adsorbing iron ion in the percolated solution by adding metallic salt reducing bacteria as a microorganism, a substrate and a iron ion adsorbent to the mineral solution.例文帳に追加

生化学浸出を用いて粘土鉱物の鉄分を除去する方法において、処理しようとする原料鉱物を含む鉱液を準備する段階と、前記鉱液に微生物としての金属塩還元細菌、基質及び鉄イオン吸着剤を添加して、微生物による生化学浸出工程と浸出液中の鉄イオン吸着工程とを同時に処理する段階とを含む。 - 特許庁

A manufacturing process S10 manufacturing a positive electrode 1 of the lithium ion secondary battery containing an active material 4 includes a cleaning process S1 cleaning the active material 4 with a cleaning fluid 5, and the cleaning fluid 5 is composed of: an electrolyte of the lithium ion secondary battery using a fluorine-containing lithium salt as a supporting electrolyte; and 300-10,000 ppm water at weight ratio.例文帳に追加

活物質４を含有するリチウムイオン二次電池の正極１を製造する製造工程Ｓ１０において、洗浄液５を用いて活物質４の洗浄を行う洗浄工程Ｓ１を具備し、洗浄液５は、フッ素含有リチウム塩を支持電解質とする前記リチウムイオン二次電池の電解液と、重量比にて３００〜１００００ｐｐｍの水と、からなる。 - 特許庁

The method has a cross section exposing process for exposing a cross section of a sample by irradiating the sample Wa, formed by laminating the organic insulating film and another insulating film, with a focused ion beam 20A; and a cross section treating process for treating so that each film on the cross section can be discriminated by irradiating with the focused ion beam, while supplying water or steam to the cross section.例文帳に追加

有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 - 特許庁

When the ion beams 24 are extracted first after the plasma forming vessel 12 is assembled or cleaned, prior to a process for extracting the objective amount of ion beams while the organic metal vapor 8 is supplied in a constant flow rate to the plasma forming vessel 12, a process for supplying the organic metal vapor 8 in a larger flow rate than the constant flow rate to the plasma forming vessel 12 is installed.例文帳に追加

プラズマ生成容器１２の組立後または清掃後に最初にイオンビーム２４を引き出す際に、有機金属蒸気８を一定流量でプラズマ生成容器１２内に供給しながら目的量のイオンビームを引き出す工程の前に、有機金属蒸気８を前記一定流量よりも大きい流量でプラズマ生成容器１２内に供給する工程を設ける。 - 特許庁

The production method of the catalyst includes a process of adding a reducing agent for iridium ion to a reversed micelle solution (A) containing iridium ions in its own micelle, mixing a reversed micelle solution (B) containing platinum ion to the resultant solution, and adding a reducing agent for platinum ion to the solution, and dispersing a conductive carrier in the solution to make the conductive carrier carry composite metal particles.例文帳に追加

本発明は、ミセル内部にイリジウムイオンを含む逆ミセル溶液（Ａ）に、イリジウムイオンの還元剤を添加し、次いで前記溶液に白金イオンを含む逆ミセル溶液（Ｂ）を混合し、白金イオンの還元剤を添加し、前記溶液に導電性担体を分散して複合金属粒子を前記導電性担体に担持させる工程を含む、触媒の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

The problem is solved by an electrodeposited copper foil manufacturing process including the following stages: a stage for preparaing a copper deposition bath containing water, copper ion, sulfate ion and < about 20 ppm chlorine ion and a stage for applying a current to the bath at about 200 to 3,000 A/ft2 current density to electrodeposit copper from the bath.例文帳に追加

次の工程を包含する電着銅箔の製造方法により上記課題が達成される：水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、約２０ｐｐｍ未満の塩素イオンを含有する銅析出浴を調製すること；および上記浴に、１平方フィートあたり約２００から３０００アンペアの割合の電流密度で電流を付与して上記浴から銅を電着させること。 - 特許庁

About a process by a particle seed such as ion having a strong anisotropic for an entering, an ion angle energy distribution function (IAEDF) which is respectively the function of an angle θ and an energy E, and an etching yield energy component which is the coefficient of an action with respect to the surface, are numerically integrated to generate the weighted etching yield ion angle distribution function (EYIADF) in advance.例文帳に追加

入射に関する異方性の強いイオンなどの粒子種によるプロセスに関して、それぞれ角度θおよびエネルギーＥの関数であるイオン角度エネルギー分布関数（ＩＡＥＤＦ）と、表面との作用の係数としてのエッチング・イールドのエネルギー成分とを数値積分して、エッチング・イールドの重み付けのついたイオン角度分布関数（ＥＹＩＡＤＦ）をあらかじめ作成する。 - 特許庁

A method for producing an alpha-alumina-formed member on a surface of a base material comprises (1) a process for forming an alumina layer of an alpha-type crystal structure on at least a partial surface of the base material; and (2) a process for performing an ion bombardment treatment to the surface of the resulting alumina layer.例文帳に追加

基材表面にαアルミナ層が形成された部材を製造する方法であって、（１）基材の少なくとも一部の面に、α型結晶構造のアルミナ層を形成する工程、（２）得られたアルミナ層の表面にイオンボンバード処理を施す工程、を含む。 - 特許庁

To provide a composite material of a mixed conductor compact membrane and a porous material which can be manufactured easily and has good oxygen permeability in an industrial selective filtration and separation process of oxygen by an oxide ion mixed conductor and a hydrocarbon partial oxidation process.例文帳に追加

酸化物イオン混合伝導体による、酸素の工業的選択透過・分離プロセスおよび炭化水素の部分酸化プロセスにおいて、酸素透過特性が優れていて製造も容易な、混合伝導体緻密質膜と多孔質体との複合材料を提供する。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

The ballast water sterilization/storage method, the metal ion adsorption method, and the ballast water discharge method use a specific metal type zeolite structure and Na type zeolite structure as a filter in the ballast water intake process and the ballast water discharge process respectively.例文帳に追加

バラスト水の取水工程及び排水工程において、フィルターとして、特定の金属型ゼオライト構造体及びＮａ型ゼオライト構造体をそれぞれ用いた、バラスト水の殺菌／保存方法、金属イオンの吸着方法、及び、バラスト水の排出方法。 - 特許庁

A micro-device manufacturing method includes a molding substrate preparation process S10 for preparing the molding substrate, a rough processing process S20 for roughly processing the surface of the molding substrate by using a laser processing device, and a finishing process S30 for finish treating the surface of the molding substrate by using a convergent ion beam processing device in turn.例文帳に追加

成形基材を準備する成形基材準備工程Ｓ１０と、レーザ加工装置を用いて成型基材の表面を粗加工する粗加工工程Ｓ２０と、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材の表面を仕上げ加工する仕上げ加工工程Ｓ３０とをこの順序で含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 特許庁

The invention relates to the method for producing the dialkylphenol dimer comprising a first process producing a first product by reacting a dialkylphenol having a 1-4C alkyl group, manganese peroxidase, an oxidizing agent and a divalent manganese ion in an aqueous medium, and a second process consecutive to the first process, adding a reducing agent to the first product.例文帳に追加

水性媒質中で、炭素数１〜４のアルキル基を有するジアルキルフェノールと、マンガンペルオキシダーゼと、酸化剤と、二価のマンガンイオンとを反応させて第一生成物を得る第一工程と、前記第一工程に引き続いて該第一生成物に還元剤を添加する第二工程とを有することを特徴とするジアルキルフェノール２量体の製造方法。 - 特許庁

The method for production of a polyglycerol fatty acid ester comprises a process of producing purified polyglycerol by processing crude polyglycerol, which is obtained by addition polymerization of glycidol, with an ion exchange resin, and a process of reacting a fatty acid to the purified polyglycerol, wherein the method is characterized by including the process at least with a strongly basic anion exchange resin.例文帳に追加

グリシドールを付加重合させて得られた粗ポリグリセリンをイオン交換樹脂で処理して精製ポリグリセリンとし、該精製ポリグリセリンに脂肪酸を反応させるポリグリセリン脂肪酸エステルの製造方法であって、該処理が少なくとも強塩基性陰イオン交換樹脂によることを特徴とするポリグリセリン脂肪酸エステルの製造方法。 - 特許庁

The method for production of pravastatin sodium comprises following processes, (a) a process preparing a mixture of a crude pravastatin and/or its salt with ethyl acetate, (b) a process preparing a solution by dissolving the mixture in a mixed liquid of ethanol and water, (c) a process precipitating the pravastatin sodium under the presence of sodium ion after adjusting the pH of the solution ≥9.例文帳に追加

プラバスタチンナトリウムの製造方法は、（ａ）粗製プラバスタチンおよび／またはその塩と、酢酸エチルとの混合物を調製する工程、（ｂ）エタノールおよび水の混合液に前記混合物を溶解させて、溶液を調製する工程、および（ｃ）前記溶液のｐＨを９以上に調整した後、ナトリウムイオンの存在下でプラバスタチンナトリウムを析出させる工程を含む。 - 特許庁

In an S/D extension region forming process which is carried out after a gate electrode 4 is formed, a PMOS region is covered with a resist 5, As or P ion implanted into an NMOS region at a low acceleration speed.例文帳に追加

ゲート電極４が形成された後のＳ／Ｄエクステンション領域形成工程において、ｐＭＯＳ領域をレジスト５で覆い、ｎＭＯＳ領域にＡｓまたはＰの低加速注入を行う。 - 特許庁

In manufacturing the ion generating element 21, a coating layer 6 for covering the surface of a discharge electrode 1, except for a surface that is in contact with a dielectric 4, is formed by performing a coating process more than one time.例文帳に追加

イオン発生素子２１を製造する際、放電電極１の誘電体４と接する表面以外の表面を被覆するコート層６を、複数回のコーティング処理によって形成する。 - 特許庁

To provide a Ti-Al-based alloy target with which droplets composed of target components are hard to be formed on a thin film formed by arc ion plating or the like, and to provide its production method by a powder metallurgical process.例文帳に追加

アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくいＴｉ−Ａｌ系合金ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。 - 特許庁

The analysis method is provided for analyzing semiconductor devices by obtaining a two-dimensional ion image from ions obtained from a foreign matter or a contaminated part by a laser abrasion method, and a manufacturing method including an analyzing process is provided for manufacturing the semiconductor devices.例文帳に追加

異物、汚染部からレーザアブレーション法により得られるイオンからイオン２次元イメージ像を得ることによる半導体デバイスの分析方法とその分析工程を含む半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus with the use of an arc-type ion plating process, which can form an adequate film, especially the film into which oxygen and (or) hydrogen originating in remaining moisture in a film-forming chamber is inhibited from entering.例文帳に追加

良質の膜、特に、成膜室内残留水分に起因する酸素及び（又は）水素の取り込みの抑制された膜を形成できるアーク式イオンプレーティングによる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of forming a thick active material layer with a high aspect ratio by simpler process and device configuration as compared with prior art, and capable of manufacturing a lithium ion secondary battery having an excellent charge/discharge capacity.例文帳に追加

従来に比べて簡易な工程及び装置構成で、高アスペクト比で厚膜の活物質層を形成でき、充放電容量に優れるリチウムイオン二次電池を製造できる技術を提供する。 - 特許庁

This method includes a process of removing a pad polysilicon layer (a first polysilicon layer) which is not carried out prior to the formation of a resistance layer, and the resistance layer 10 is formed through ion implantation while leaving this polysilicon layer as is.例文帳に追加

抵抗層形成前のパッド・ポリシリコン層（第１のポリシリコン層）（３）の除去工程を行わず、このパッド・ポリシリコン層（３）を残したまま、抵抗層（１０）をイオン注入にて形成する。 - 特許庁