「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

The method includes a step of surface-treating the surface of an ion conductive polymer film so as to obtain surface uniformity by using the plasma processing process, a step of adsorbing metal electrodes to both sides of the ion conductive polymer film, a step of reducing polymer metal composites to both sides of the ion conductive polymer film, and a step of forming a coating layer.例文帳に追加

プラズマ処理工程を利用してイオン伝導性高分子膜の表面が均一になるように表面処理する段階と、前記イオン伝導性高分子膜の両面に金属電極を吸着する段階と、前記イオン伝導性高分子膜の両面に高分子金属複合体を還元する段階と、コーティング層を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The high polymer molecule electrolyte fuel cell has a catalyst layer ion exchange membrane conjunct body as a main component in which after forming the catalyst layer containing a noble-metals catalyst on the surface of the macromolecule film having a functional group which is changed to an ion exchange group after passing through a hydrolysis process, the above macromolecule film is changed to the ion exchange membrane according to the hydrolysis.例文帳に追加

加水分解工程を経たのちイオン交換基に変わる官能基を有する高分子膜の表面に、貴金属触媒を含有する触媒層を形成させた後、加水分解により前記高分子膜をイオン交換膜とする触媒層イオン交換膜接合体を構成要素とする高分子電解質型燃料電池。 - 特許庁

The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14.例文帳に追加

イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。 - 特許庁

To provide a separator for a lithium ion secondary battery, capable of realizing a battery manufactured by the conventional manufacturing process for the lithium ion secondary battery and having no possibility of electrolyte leakage, and keeping the safety of the battery by intercepting the flow of lithium ion when the temperature of the interior of the battery is raised due to shutdown characteristic.例文帳に追加

従来のリチウムイオン二次電池の製造工程を使用して製造される電池であって、電解液の漏液の心配がない電池を実現でき、且つシャットダウン特性を有するために電池内部の温度が上昇した場合にリチウムイオンの流れが遮断され、電池の安全性を維持できるリチウムイオン二次電池用セパレータを提供する。 - 特許庁

To provide a particle-agglomerated type monolithic organic porous article suitable for use in an absorbent which is chemically stable, exhibits a reduced pressure loss for liquid permeation and has a large absorption capacity and an ion exchanger which is chemically stable, exhibits a reduced pressure loss for liquid permeation and a large ion exchange capacity, its manufacturing process, a monolithic organic porous ion exchanger and a chemical filter.例文帳に追加

化学的に安定で、流体透過時の圧力損失が低く、吸着容量の大きな吸着剤、化学的に安定で、流体透過時の圧力損失が低く、イオン交換容量の大きなイオン交換体として好適なモノリス状有機多孔質体、その製造方法、モノリス状有機多孔質イオン交換体及びケミカルフィルターを提供すること。 - 特許庁

To execute ion beam machining by allowing a reference object to be always recognized in process of the machining to carry out accurate drift correction even when a minute hole or a minute pattern is used as the reference object in correcting the drift of an irradiation position of an ion beam using the reference object.例文帳に追加

参照対象を用いてイオンビームの照射位置のドリフトを補正する際に、参照対象として微細穴や微細パターンを用いた場合でも、加工途中で参照対象を常に認識できるようにし、高精度のドリフト補正をし、イオンビーム加工を行なう。 - 特許庁

The patterns 8 for process monitor are formed by ion milling processing with the same stage as the stage for previously forming the film having an ion milling rate higher than that of the MR elements 6 to a film thickness thicker than the film thickness of the MR elements 6 and patterning the MR elements 6.例文帳に追加

加工モニタ用パターン８は、磁気抵抗効果素子６よりもイオンミリングレートが大きな膜を磁気抵抗効果素子６の膜厚よりも厚く形成しておき、磁気抵抗効果素子６をパターン化する工程と同じ工程でイオンミリング処理によってパターン形成する。 - 特許庁

In an extraction process of coffee, a space part to set an reduced ion substance is secured in an indispensable passage range for extract liquid and a repeatedly usable filter material for coffee to easily and simply obtain reduced minus ion extract solution good for health.例文帳に追加

コーヒー抽出過程において、抽出液の必須通過域に、イオン還元化物質を設置する為の空間部を確保し、コーヒーフィルターも繰り返し使用可能なフィルター材を設置することにより手軽で健康に良いマイナスイオン還元化抽出液が得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing barium fluorohalide-based crystal in which materials such as a halide ion in production process are effectively used and the residue of these is suppressed and further variation of amount of each ion in a mother liquor is small during production.例文帳に追加

製造工程におけるハロゲン化物イオン等の各原料が有効に活用され、かつ残留が抑制され、また、製造時、反応母液中に存在する各イオンの量の変動が少ない弗化ハロゲン化バリウム系結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The processing liquid is a processing liquid for a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process containing at least proteolytic enzyme and metal ion chelating agent, in which the proteolytic enzyme and the metal ion chelating agent are separated.例文帳に追加

タンパク質分解酵素と金属イオンキレート剤を少なくとも含有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理液において、前記タンパク質分解酵素と前記金属イオンキレート剤とが分離されていることを特徴とする処理液。 - 特許庁

After a discharge hole forming process of making a plurality of the ink discharge holes 100a penetrate a substrate 100 is carried out, a vapor deposition process of vapor depositing an upper layer 101 to the substrate 100 by an ion beam assisting vapor deposition method is carried out.例文帳に追加

基板１００に複数のインク吐出孔１００ａを貫通せしめる吐出孔形成工程を実施した後、イオンビームアシスト蒸着法によって基板１００に上層１０１を蒸着せしめる蒸着工程を実施するようにした。 - 特許庁

A method for manufacturing the silicon wafer includes a process S11a for preparing a silicon substrate 11 and an ion implantation process S13a for implanting ions to the silicon substrate 11 by dose of 1×10^13 to 3×10^14 atoms/cm^2.例文帳に追加

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１ａと、シリコン基板１１に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入工程Ｓ１３ａとを備える。 - 特許庁

To provide a technique for feeding back damage distribution computation owing to ion radiation in a real pattern and process such as 100 nm scale to the process development of a device within realistic computation time such as several hours or several days.例文帳に追加

本発明は、１００ｎｍスケールという実パターンおよび実プロセスにおけるイオン照射によるダメージ分布計算を数時間、数日間といった現実的な計算時間内でデバイスのプロセス開発にフィードバックする手法を提供することを可能にする。 - 特許庁

Introduction of the ion exchange group through the hydrolytic process of a post-drawing laminated body 3a with the impregnated electrolyte resin material 2 followed by the drying process can obtain the reinforced electrolyte film with the characteristics identical to that manufactured by the conventional method.例文帳に追加

電解質樹脂２が含浸した延伸後の積層体３ａを加水分解処理してイオン交換基を導入した後、乾燥することにより、従来法により製造したのと同等な特性を持つ補強型電解質膜が得られる。 - 特許庁

Using a ceramic green sheet that can endure mechanical stresses in a detachment process for a carrier film, a lamination process for the green sheet or the like by adjusting a percentage of water of the ceramic green sheet after a drying process and/or an environment under which the ceramic green sheet is disposed, an ion-conducting solid electrolyte is manufactured.例文帳に追加

乾燥工程後のセラミックグリーンシートの水の含水率及び／又は該セラミックグリーンシートが置かれる環境を調整することにより、キャリアフィルムの剥離工程やグリーンシートの積層工程等における機械的ストレスに耐え得るセラミックグリーンシートを利用して、イオン伝導性固体電解質を製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing a strenghtened glass product includes a process for strenghtening one part or all surface of a glass product by a surface air cooling method or an ion exchanging method, a process for printing the surface of glass product with an organic coating at 300°C or less, and a process for baking for forming the printing part.例文帳に追加

ガラス製品表面の一部又は全面に表面空冷法又はイオン交換法によって強化処理をなす工程と、前記強化処理をなす工程後に３００℃以下の温度で硬化する有機系塗料によってガラス製品表面に印刷をなし焼き付けて印刷部を形成する工程を含む。 - 特許庁

The whole amount replacing method of the ion exchange resin composed of a cation exchange resin and an anion exchange resin includes the process of charging a new cation exchange resin, the process of immersing the cation exchange resin in water for at least 24 hr or above and the process of charging the anion exchange resin thereafter.例文帳に追加

カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂からなるイオン交換樹脂の全量取替え方法であって、新品のカチオン交換樹脂を充填する工程と、水を張込み、該カチオン交換樹脂を少なくとも２４時間以上水に浸漬させる工程と、その後アニオン交換樹脂を充填する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

It further comprises a process of forming a second oxide film 19 having the thickness above that of the embedded oxide film, by making the first oxide film 17 thinner or forming the second oxide film instead of the first oxide film 17 at the same portion as that of the first oxide film 17 between the process of implanting the oxygen ion 22 and the process of annealing.例文帳に追加

酸素イオン２２を注入する工程とアニール処理する工程の間に、第１酸化膜１７を薄層化して厚さが埋込み酸化膜以上の第２酸化膜１９を形成するか又は第１酸化膜１７と同一の部分に第１酸化膜１７に代えて第２酸化膜を形成する工程を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by an acid solution.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminate having an inorganic oxide layer on one surface or both surfaces of a polymer film includes a film deposition process for depositing the inorganic oxide layer and a treating process for performing a plasma treatment by RIE (Reactive Ion Etching) and is characterized by simultaneously performing the film deposition process and the treating process.例文帳に追加

本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。 - 特許庁

The process for producing 2,5-dichlorotoluene by separating 2,5-dichlorotoluene by adsorption from a dichlorotoluene isomer mixture comprises using an X-type zeolite adsorbent containing a calcium ion and xylene as a desorbent.例文帳に追加

ジクロロトルエン異性体混合物からカリウムイオンを含むＸ型ゼオライト吸着剤、キシレン脱着剤を用いて、２，５−ジクロロトルエンを吸着分離する２，５−ジクロロトルエンの製造方法。 - 特許庁

In the ion implantation process of the step s2, ions 2 not forming a conductivity type region are implanted into a silicon substrate 1 to form a structure transition layer 3 of which crystal structure has changed.例文帳に追加

ステップｓ２のイオン注入工程では、シリコン基板１中に、導電型領域を形成することがないイオン２を注入し、結晶構造が変化した構造変化層３を形成する。 - 特許庁

Specifically, in the pocket implantation process, the energy of the impurity ion 31 to be implanted is controlled based on an angle θ between the side of the gate electrode 13 and the substrate 11.例文帳に追加

具体的には、ポケット注入工程において、注入される不純物イオン３１のエネルギーは、ゲート電極１３の側面と基板１１のなす角度θに基づき制御される。 - 特許庁

To provide a supply device of a can for a lithium-ion secondary battery capable of supplying outer cans to a post-process in a simple control mechanism without need of any multi-axis drive equipment.例文帳に追加

多軸駆動機器を必要とせず、制御機構も簡単な構成で後工程にアウタ缶を供給可能な、リチウムイオン二次電池用缶供給装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process by which a fluoride ion present with minor concentration in water having a pH around the neutral is efficiently removed; and its concentration is reduced to the environmental regulation value or less.例文帳に追加

中性付近のｐＨの水中に微量濃度で存在するフッ化物イオンを効率的に除去し、その濃度を環境規制値以下に低減可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion adsorbing body which can adsorb and remove fine particles, colloidal substances and metallic ions until the concentration of them becomes extremely low and which can be used in an ultrapure water producing process of a semiconductor field.例文帳に追加

半導体分野における超純水製造プロセスにおいて、微粒子、コロイド状物質、金属イオンを極低濃度まで吸着除去出来るイオン吸着体の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of the anode active material for lithium-ion battery is such that by adding and calcinating a carbon material during a manufacturing process of a compound, having the composition formula (1): Li_aV_bM_cO_2+d....例文帳に追加

下記組成式（１）を有する化合物の製造工程において、炭素材料を添加し焼成することを特徴とするリチウムイオン電池用負極活物質の製造方法である。 - 特許庁

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

To provide a simple method for analyzing an aggregation process of dispersed particles in slurry in a method for drying such electrode mixture slurry for a lithium ion battery or the like.例文帳に追加

リチウムイオン電池などの電極合材スラリーの乾燥方法において、そのスラリー中の分散粒子の凝集過程を解析する簡便な方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This concrete production process using high-belite cement, involves replacing a 5-25 wt.% part of the high-belite cement by fly ash, to produce concrete having improved chloride ion permeation resistance.例文帳に追加

高ビーライトセメントを用いたコンクリートにおいて、高ビーライトセメントの５−２５重量％をフライアッシュと置換してコンクリートを得ることによってコンクリートの塩化物イオン浸透抵抗性を改善する。 - 特許庁

In this process for removing carbon disulfide in hydrocarbon, the carbon disulfide-including hydrocarbon is brought into contact with a weak basic anionic ion-exchange resin bearing amine as a functional group.例文帳に追加

二硫化炭素を含有する炭化水素を、ポリアミンを官能基として有する弱塩基性陰イオン交換樹脂と接触させる炭化水素中の二硫化炭素の除去方法である。 - 特許庁

In the final stage of a cooling process before ion emission, a frequency of square wave voltage applied to a ring electrode in order to form a capture electric field is raised for a period of several cycles.例文帳に追加

イオン出射前のクーリング行程の最終段階で、捕捉電場を形成するためにリング電極に印加する矩形波電圧の周波数を数周期の期間だけ上昇させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ion beam etching which can improve the productivity by simplifying the manufacturing process and which is suitable for being used in manufacturing an optical device.例文帳に追加

製造プロセスを簡素化して生産性の向上を図ることができ、また、光学デバイスの製造に用いて好適なイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

A contact hole is formed by an etching process for reducing ion energy and an O_2 flow rate with the progress of etching depth, and the damage layer to be formed on the base is suppressed.例文帳に追加

本発明は、イオンエネルギーおよびＯ_２流量を、エッチング深さの進行と伴に低減するエッチング工程によりコンタクトホール形成し、下地に形成されるダメージ層を抑制する。 - 特許庁

The convex spherical pattern of each resist layer is transferred to the surface of the substrate 10 by a reactive ion etching process using CF_4, as an etching gas, for forming a lens.例文帳に追加

このような状態でＣＦ_４をエッチングガスとする反応性イオンエッチング処理により各レジスト層の凸球面状パターンを基板１０の表面に転写してレンズを形成する。 - 特許庁

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an ion-conducting solid electrolyte using a green sheet having mechanical characteristics such that the sheet can sufficiently endure a variety of mechanical stresses during a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程中の種々の機械的なストレスに十分耐え得る機械的特性を備えるグリーンシートを利用したイオン伝導性固体電解質を製造する方法を提供する。 - 特許庁

After ion implantation by forming a resist mask 14, the resist mask 14 is removed and the surface of a semiconductor wafer 2 is subjected to a cleaning process including at least pure water rinsing.例文帳に追加

レジストマスク１４を形成してイオン注入を行なった後、レジストマスク１４を除去して半導体ウェハ２表面に対して少なくとも純水リンスを含む洗浄処理を行なう。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer, which can manufacture the epitaxial wafer having an ion implantation layer with required minimum process and can attain both reduction in contamination and cost.例文帳に追加

必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、汚染の低減と共に、コスト低減を両立させたエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A thick insulator region, which is formed by an oxygen-ion injection process, is formed on a surface of a semiconductor substrate under a winding-shaped strip of conductive film configuring an inductance element.例文帳に追加

インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。 - 特許庁