「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a preparation process of a porous film which has a uniform thickness, a large strength, a high specific surface area and a large pore volume and also a high ion permeability and an excellent high-speed charge-discharge property.例文帳に追加

厚みが均一で、高強度、高比表面積及び高細孔容積を有し、かつイオン透過性及び高速充放電特性にも優れる多孔質フィルムの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can maintain self-maintenance discharge for a long time in such a manner that the state of plasma is made stable in the case a self ion sputtering process of Cu is applied.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

The job procedure master 52 of a job process definition part 5 defines the flow of information ion a unit job, composed of a series of work processes and job flow master 53 defines the flow of the information among the unit jobs.例文帳に追加

業務プロセス定義部５の業務手順マスタ52は、一連の作業工程からなる単位業務における情報の流れを定義し、業務フローマスタ53は、単位業務間の情報の流れを定義する。 - 特許庁

To provide a glucose isomerization catalyst of a molybdic acid- carrying ion-exchange resin that can be applied to the practical process in industry without rapid reduction in its catalyst activity.例文帳に追加

イオン交換樹脂にモリブテン酸を担持させた触媒を用いてグルコースを異性化する場合でも触媒活性が急速に低下することがなく、工業的実施に適している、異性化方法を提供する。 - 特許庁

Since the first photoresist pattern 28 can be hardened by performing an ion- implanting process added to the first photoresist pattern 28, the thickness of the photoresist can be thinned.例文帳に追加

第１フォトレジストパターン２８にイオン注入工程を追加して第１フォトレジストパターン２８を硬化させることができるので、フォトレジストの塗布の厚さを従来の塗布の厚さより薄くすることができる。 - 特許庁

In a gelation process, a silica solution is continuously produced from a water glass through an ion exchange membrane of an electrodialysis apparatus, and is then gelatinized by adding a gelation catalyst to obtain a water-based gel continuously.例文帳に追加

ゲル化工程において、水ガラスからイオン交換膜による電気透析装置を通してケイ酸水溶液を連続的に生産し、ゲル化触媒を加えてゲル化し、水性ゲルを連続的に得る。 - 特許庁

To provide a production process of a separator for a lithium ion secondary battery in which internal short circuit caused by shrinkage of a separator during storage at a high temperature is prevented by using a separator subjected to an electron ray irradiation treatment.例文帳に追加

電子線照射処理を行ったセパレータを使用することにより、高温保存時にセパレータの収縮による内部短絡を防止するリチウムイオン二次電池用セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To shorten a manufacturing time and further enable to simplify a process and to realize a higher capacity by a multi-layered structuring of battery elements compared with a manufacturing method of a traditional lithium ion polymer battery.例文帳に追加

従来のリチウムイオンポリマー電池の製造方法に比べ製造時間を極めて短縮するものであり、さらに工程の簡略化および電池要素の多層構造化による高容量化を可能にする。 - 特許庁

To provide a high-capacity anode material for a lithium secondary battery as an anode material for a lithium-ion secondary battery and a manufacturing method of an anode material for a secondary battery capable of manufacturing it in a simple process.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池用負極材料として高容量のリチウム二次電池用負極材料及びこれを簡単な工程で製造できる二次電池用負極材料製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for safely manufacturing theanine of high purity in a high yield with a shortened process by carrying out a reaction under mild conditions while omitting a troublesome purification step such as ion exchange.例文帳に追加

イオン交換法などの、煩雑になる精製工程を除き、穏やかな条件下で反応を行うことで、安全かつ、工程短縮、高収率、及び、高純度のテアニンを製造することを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing optical thin film in which an ion beam 116 is applied to a target 115 and an optical thin film made of multilayer film is formed on a body 119 to be treated by sputtering has the following process.例文帳に追加

イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。 - 特許庁

After pocket regions 20 and 22 are formed by ion implantation process with the insulating film 12 and the electrode 16 as masks, the electrodes 16 and 18 are covered to form an insulating layer 26 by a CVD method, etc.例文帳に追加

絶縁膜１２及び電極１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極１６，１８を覆って絶縁層２６をCVD法等により形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the SIMOX substrate, the oxide ion is implanted to the silicon mono-crystal substrate, and the quick heating treatment and high temperature heat treatment of the substrate is carried out in a main process.例文帳に追加

また、シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入した後、該基板を急速加熱処理し、その後高温熱処理を施すことを主工程とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which productivity is enhanced while reducing the cost by attaining a pn junction conveniently without performing a doping step, e.g. ion implantation, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

イオン注入などのドーピング工程を行うことなく、簡便にｐｎ接合が得られて、生産性の向上及び低コスト化を図れるゲルマニウムを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for manufacturing ultrapure water, the distilled water is successively treated by a UV light oxidation treatment apparatus 203, an ion-exchange resin apparatus 204 and a filter apparatus 205 and then is supplied to a use point 206.例文帳に追加

上記超純水製造工程において、留出水は、紫外線酸化処理装置２０３、イオン交換樹脂装置２０４、フィルター装置２０５で順次処理され、ユースポイント２０６に供給される。 - 特許庁

To provide a new method capable of separating an active material from an electrode substrate and further collecting the electrode substrate without breaking the electrode substrate in a process of collecting a discarded lithium-ion battery or a discarded electrode material.例文帳に追加

廃リチウムイオン電池又は廃電極材の回収処理において、電極基板と活物質を分離でき、しかも電極基板を壊さずに回収することができる、新たな方法を提供する。 - 特許庁

Using this apparatus, by a sputtering process, rare gas and nitrogen gas are fed to produce the solid electrolyte thin film, and the thin film solid lithium ion secondary battery having the obtained solid electrolyte thin film is produced.例文帳に追加

この装置を用いて、スパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、固体電解質薄膜を製造し、得られた固体電解質薄膜を有する薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 - 特許庁

Thereafter, a reactive ion etching process is used to form the pins in the silica wafer by etching away a predetermined amount of the top surface from the silica wafer that is not covered by the photoresist material.例文帳に追加

その後、シリカウエハからフォトレジスト材で覆われていない上面のあらかじめ定められた量をエッチング除去することによりシリカウエハにピンを形成するために、反応性イオンエッチングプロセスが用いられる。 - 特許庁

In the process of a CMOS device, the total number of the pn junction and the non-doped region in the gate polysilicon film is reduced by ion implanting by using this NMIS gate implantation layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのプロセスにおいて、このＮＭＩＳゲート注入レイヤを用いてイオン注入を行なうことにより、ゲートポリシリコン膜中におけるＰＮ接合部及びノンドープ領域の総数が低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a leak electrode between a back electrode formed in a via hole and the electrode of an adjacent semiconductor element is reduced by ion implantation, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

バイアホール内に形成した裏面電極と隣接半導体素子の電極との間のリーク電極をイオン注入法により低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable etching process which assures good pattern shape by using, in the adequate flow ratio, a mixed gas of chlorine gas and rare gas as the etching gas in order to restrain adverse effect of the remaining chlorine ion.例文帳に追加

エッチングガスに塩素ガスと希ガスとの混合ガスを適切なる流量比で用いることで、残留塩素イオンによる悪影響を抑えてパターン形状が良好となるエッチング加工を可能とする。 - 特許庁

Consequently, heavy metal contamination (c) can be eliminated not only in the oxygen ion injection and its heat treatment for forming a buried silicon oxide film, but also in the heat treatment in the device process.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜を形成するための酸素イオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、重金属汚染ｃをなくすことができる。 - 特許庁

The calculated marginal dose DL is compared with the amount of implantation of dose in the ion implantation, whereby the residue of resist generated upon resist-removing process or the resist-removing capability is evaluated.例文帳に追加

算出された限界ドーズ量ＤＬとイオン注入における注入ドーズ量とを比較することにより、レジスト除去工程で生じるレジスト残り、つまりレジスト除去能力を評価する。 - 特許庁

The precursor manufactured by this process has an ion conductive functional group precursor as a fluorine-containing polymeride electrolytic film precursor, whose dynamic modulus of elasticity at 90°C is 4×1.05 thru 30×105 Pa.例文帳に追加

上記製造方法によって得られる９０℃における動的弾性率が４ｘ１．０^５〜３０ｘ１０^５Ｐａであるイオン伝導性官能基前駆体を有する含フッ素重合体電解質膜前駆体。 - 特許庁

To provide a paper uniformly readily entangled with pulp fiber in a papermaking process, having effect stably generating a negative ion in the air without applying outer force such as difference of temperature and friction, etc.例文帳に追加

抄紙過程でパルプの繊維に均一に絡みやすく、温度差や摩擦等の外力を加えなくても、安定して空気中にマイナスイオンを発生させる効果を有する紙の提供を目的とする。 - 特許庁

To achieve higher positioning accuracy of a protrusion tab than that in and the like, conventional method, for example, by applying the method to the production process of lithium ion cylinder type cell concerning production method of electronic components.例文帳に追加

本発明は、電子部品の製造方法に関し、例えばリチウムイオン筒型セルの製造工程に適用して、従来に比してタブ等の突起の位置決め精度を向上することができるようにする。 - 特許庁

To provide a composite body of carbohydrate high polymers and metal particulates synthesizable by a simple synthesizing process, and inexpensive and reducing an environmental load in spite of its high hydrogen ion conductivity at room temperature.例文帳に追加

簡便な合成プロセスにより合成でき、室温下で高い水素イオン伝導性をもちながら、低コストかつ低環境負荷な、炭水化物系高分子と金属微粒子の複合体の提供。 - 特許庁

The electrolyte is thereby precluded from being deteriorated even when the hydrogen sensor is exposed to vacuum atmosphere in a hydrogen occlusion process, and an excellent ion conductivity exhibits a stable sensing function.例文帳に追加

これにより、水素の吸蔵の過程で水素センサが真空雰囲気に曝されても、電解質体が劣化することがなく、良好なイオン伝導性を維持して、安定したセンシング機能を発揮することができる。 - 特許庁

A water-soluble modified polyvinyl alcohol (PVA) such as acetal PVA is subjected to an ion exchange process to remove metal ions and acids, and then subjected to a heat treatment at 80°C or higher to reduce the amount of high molecular weight component having a weight average molecular weight of 25×10^4 or more in the modified PVA.例文帳に追加

アセタール化ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの水溶性変性ＰＶＡをイオン交換処理により、脱金属イオン、脱酸を行った後、８０℃以上の加熱処理を行う。 - 特許庁

The total carbonate amount of the water glass for a welding material can be reduced, for example, by a process for adding Ca(OH)2 to a water glass solution to provide a raw material and a process for removing carbonate ion fixed by Ca(OH)2 from the water glass solution to provide the raw material.例文帳に追加

この溶接材料用水ガラス中の全炭酸量は、例えば、原料となる水ガラス溶液にＣａ（ＯＨ）_2を添加する工程と、Ｃａ（ＯＨ）_2により固定された炭酸イオンを前記原料となる水ガラス溶液中から除去する工程により低減することができる。 - 特許庁

This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

For the charging method of the lithium-ion secondary battery, it is used by having a complex metal oxide containing at least Li, Mn, and Ni as metal components as positive electrode active materials, and a constant electric current charging process of (2C≤electric current≤60C) and a constant voltage charging process after that are included.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の充電方法は、金属成分としてＬｉ、Ｍｎ及びＮｉを少なくとも含む複合金属酸化物を正極活物質としてリチウムイオン二次電池を使用し、（２Ｃ≦電流≦６０Ｃ）の定電流充電工程とその後の定電圧充電工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bonded wafer having a surface roughness that maintains a sufficient film evenness and can sufficiently apply to a device manufacture after a bonded wafer is exfoliated and flattening process is performed thereon in a method for manufacturing a bonded wafer prepared using ion implantation exfoliation process.例文帳に追加

イオン注入剥離法を用いて作製する貼り合わせウエーハの製造方法において、剥離後の平坦化処理を経た後に、十分な膜厚均一性を維持し、デバイス製造に十分に適用できる表面粗さを有する貼り合わせウエーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The dry weight (EW) per one equivalent weight of ion exchange group is 250-940, while decrease in weight after boiling process for eight hours under water is 5 wt.% or less according to a dry weight reference before boiling process.例文帳に追加

イオン交換基１当量当たりの乾燥重量（ＥＷ）が２５０以上９４０以下であり、かつ水中８時間沸騰処理による重量減少が沸騰処理前の乾燥重量基準で５ｗｔ％以下である事を特徴とする、フッ素系イオン交換樹脂膜。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

The negative electrode active material for the lithium ion battery composed of a carbon material and silicon carbide is manufactured after passing through a process of coating or mixing polysilane to the carbon material, and a process of heat treating the carbon material in which polysilane is coated or mixed to form silicon carbide on the carbon material.例文帳に追加

炭素材料にポリシランを塗布又は混合する工程と、前記ポリシランが塗布又は混合された炭素材料を熱処理して、炭素材料上に炭化ケイ素を生成させる工程とを経て、炭素材料と炭化ケイ素とからなるリチウムイオン電池用負極活物質を製造する。 - 特許庁

The method comprises a process wherein the second film is removed from a specimen to be evaluated which includes a first film containing an oxide, and a second film arranged on the first film by spattering employing oxygen ion, and another process wherein the first film is evaluated.例文帳に追加

本発明の膜の評価方法は、酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、前記第１の膜を評価する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a magnetic head which prevents electrostatic destruction between a magneto resistance effect film 5 and a lower-part shield film 3 caused in a process, in which a wafer takes an electrical charge, such as an ion milling and so on in the manufacturing process of a magneto resis tance effective type magnetic head, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造プロセスにおいて、イオンミリング等のウエハ表面に帯電が生じる工程で発生する磁気抵抗効果膜５と下部シールド膜３間の静電破壊を防止する磁気ヘッドの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

This wood coloring processing method includes a first process of injecting, soaking or applying an aqueous solution or an organic solvent solution including a copper compound and a zinc compound into, in or to the wood, and a second process of injecting, soaking or applying an aqueous solution including a copper ion, pyrocatechol and a stabilizing agent into, in or to the wood.例文帳に追加

銅化合物または亜鉛化合物を含む水溶液または有機溶媒溶液を木材に注入、浸漬、または塗布する第一工程と、銅イオンとピロカテコールと安定化剤を含む水溶液を木材に注入、浸漬、または塗布する第二工程とを含む。 - 特許庁

To improve failure such as degradation in yield of electrostatic discharge resistance of a gate oxide film and degradation in reliability of it, with no emission of an ion implantation process for adjusting a threshold voltage or a pure water rinsing process for removing foreign substance sticking on a semiconductor wafer surface.例文帳に追加

しきい値電圧調整のためのイオン注入工程や半導体ウェハ表面に付着した異物を除去するための純水リンス処理を省略することなく、ゲート酸化膜の絶縁破壊耐圧の歩溜りの低下やゲート酸化膜の信頼性の低下といった不具合を改善する。 - 特許庁

This method for producing a mold for molding an optical element comprises a process for injecting at least oxygen ion into the surface of a chromium-containing mold substrate or into a thin film which is formed on the mold substrate and consists mainly of chromium, and a subsequent process for thermally treating the mold substrate in an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

クロムを含む型基材の表面または型基材上に形成したクロムを主成分とする薄膜に少なくとも酸素をイオン注入する工程と、イオン注入の後、型基材を酸素を含む雰囲気中で加熱処理する工程とによって製造する。 - 特許庁

The process is a dry process for introducing crosslinkages to a polysaccharide having a functional group capable of adsorbing a metal ion and comprises a step of contacting the above polysaccharide in the state of a solid with a crosslinker to thereby introduce crosslinkages to the polysaccharide.例文帳に追加

本発明は、金属イオンを吸着し得る官能基を有する多糖類に架橋を導入するための乾式架橋導入方法であって、固体状の前記多糖類に架橋剤を接触せしめて前記多糖類に架橋を導入する工程を備えた方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrode catalyst is manufactured by a manufacturing method including a process of making a conductive carrier carry a complex metal particles by mixing a reversed micelle solution containing a solution containing rhodium chloride, and a reversed micelle solution containing a solution containing platinum ion in a micelle, adding an oxidant of rhodium ion and platinum ion therein, and by dispersing the conductive carrier in the above solution.例文帳に追加

ミセル内部に塩化ロジウムを含む溶液を含有する逆ミセル溶液と、ミセル内部に白金イオンを含む溶液を含有する逆ミセル溶液とを混合し、ロジウムイオンの還元剤および白金イオンの還元剤を添加し、前記溶液に導電性担体を分散して複合金属粒子を前記導電性担体に担持させる工程を含む、電極触媒の製造方法により上記課題を解決することができる。 - 特許庁