「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a discharging and treating method by which the discharge quantity of a harmful solid portion containing copper ion is reduced in the treatment of a silane waste liquid containing copper ion and chlorosilane such as the waste liquid discharged in the production process of silanes.例文帳に追加

シラン類の製造工程において排出されるような、銅イオンとクロロシラン類を含むシラン廃液の処理において、銅イオンを含む有害固形分の排出量を低減することができる排出処理方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises providing a substrate (110), providing an ion plasma deposition target (108), and depositing a protective coating onto the substrate (110) using the target (108) in an ion plasma deposition process.例文帳に追加

方法は、基板（１１０）を提供することと、イオンプラズマ蒸着ターゲット（１０８）を提供することと、イオンプラズマ蒸着ターゲット（１０８）を使用して、イオンプラズマ蒸着プロセスにより、基板（１１０）上に保護被覆膜を蒸着することとを含む。 - 特許庁

To eliminate a process for reducing ferric ion to ferrous ion, to provide a decomposition velocity higher than that by oxalic acid, and to provide decontamination performance equivalent to that of oxalic acid.例文帳に追加

３価の鉄イオンを２価の鉄イオンに還元する工程および装置が不要で、シュウ酸によるよりも分解速度が速く、しかもシュウ酸と同等の除染性能を有する放射化部品の化学除染方法および装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that, in a two chamber process ion exchange membrane type electrolytic cell using a gas diffusion electrode, the liquid pressure of an anode chamber is different according to liquid depth, and the liquid pressure is applied to an anode and an ion exchange membrane, and easily causes the damage and deformation of these members.例文帳に追加

ガス拡散電極を使用する２室法イオン交換膜型電解槽では陽極室の液圧が液深によって異なり、この液圧が陽極やイオン交換膜に加わり、これらの部材の損傷や変形を招き易い。 - 特許庁

A recess filling method is carried out in a manner such that a film forming process which forms a metal film 15 on a surface where a recess 12 is formed on a surface of a substrate 11 and an etching process which injects an ion of an etching gas into the metal film are repeated alternately.例文帳に追加

本発明は基板１１の表面の凹部１２が形成された面に、金属膜１５を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

In the irradiation process, the second surface 10b upward directed by the rotation process of the sample 20 is irradiated with the converged ion beam, and a membrane region 20a is formed at the sample 20 in the extending direction of the contact.例文帳に追加

照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 - 特許庁

The method comprises at least a process for selectively irradiating the surface of a single crystalline substrate 1 with a first charged particle as FIB by a focused ion beam (FIB) device 3, and a process for injecting a second charged particle.例文帳に追加

集積イオンビーム（ＦＩＢ）装置３で単結晶基板１の表面に第１の荷電粒子をＦＩＢとして選択的に照射する工程と、第２の荷電粒子を注入する工程とから少なくともなる。 - 特許庁

A seed comprising nickel/iron alloy is formed on the surface of substrate and a seed surface is activated (activation pretreatment process) and, thereafter, the seed surface is covered with an oxide film including bivalent iron ion (surface oxidizing treatment process).例文帳に追加

基板表面にニッケル／鉄合金からなるシードを形成し、シードの表面を活性化（活性化前処理工程）した後、シード表面を２価の鉄イオンを含む酸化膜で被覆する（表面酸化処理工程）。 - 特許庁

The manufacturing method of the ion conductor comprises a process of dissolving the above derivative and the polymer of the substance having basic group into a solvent and makes a uniform solution, and a process of removing the solvent.例文帳に追加

前記誘導体と；前記塩基性の基を有する前記物質のポリマーと；を溶媒に溶解させて均一溶液にする工程と、前記溶媒を除去する工程とを有する、イオン伝導体の製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method of a lithium ion secondary battery comprising a process for forming a laminate by laminating an electrolyte green sheet and a cathode green sheet and a process for calcining the laminate, at least one of the electrolyte green sheet and the cathode green sheet contains amorphous oxide glass powder in which crystal having lithium ion conductivity is precipitated in the calcining process.例文帳に追加

電解質グリーンシート及び正極グリーンシートを重ねて積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を含むリチウムイオン二次電池の製造方法において、前記電解質グリーンシート及び前記正極グリーンシートの少なくとも一方は、前記焼成工程においてリチウムイオン伝導性の結晶が析出する非晶質の酸化物ガラス粉末を含む。 - 特許庁

The method of fabricating the acicular sample for field ion microscopy includes a process for machining the desired part of the sample to be observed with a field ion microscope into an acicular shape by irradiating the sample with a focused charged-particle beam, a process for cutting the acicular sample away from a sample base, and a process for fixing the cut acicular sample to an electrode bar.例文帳に追加

電界イオン顕微鏡観察用針状試料の作製方法は、集束した荷電粒子ビームを照射することにより電界イオン顕微鏡で観察する所望の箇所を針状に加工する工程と、針状試料を試料基板から切り離し摘出する工程と、摘出した針状試料を電極棒に固定する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic disk manufacturing method performs a film forming process (A) for forming a magnetic film 62 on a glass substrate 61 so that its Curie temperature may be 600 K or lower, and an ion implantation process (C) for locally implanting ion into the area of the magnetic film 62 other than a protection area.例文帳に追加

磁気ディスク製造方法において、ガラス基板６１上に、キュリー温度が６００Ｋ以下となるように磁性膜６２を形成する製膜工程（Ａ）と、その磁性膜６２に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的にイオンを注入するイオン注入工程（Ｃ）とを実行する。 - 特許庁

The manufacturing method of the ITO multilayer film comprises a process of forming a first ITO film on an upper part of a plastic body at a base plate temperature of 20 to 120°C with the use of an ion plating method, and a process of forming a second ITO film on the first ITO film at a base plate temperature of 150 to 250°C with the use of the ion plating method.例文帳に追加

プラスチック体上方に、イオンプレーティング法を用い、基板温度２０℃〜１２０℃で、第１のＩＴＯ膜を成膜する工程と、前記第１のＩＴＯ膜上に、イオンプレーティング法を用い、基板温度１５０℃〜２５０℃で、第２のＩＴＯ膜を成膜する工程とを有するＩＴＯ多層膜の製造方法が提供される。 - 特許庁

To favorably obtain an extinction characteristic, in metal fine particle-dispersed type polarizing glass, and to stably enhance mass-productivity, by manufacturing an aggregate of metal elementary pieces arranged with an island shape by a process using a nano-ion-print lithography and a reactive ion etching method, not through a process of drawing, reduction and the like of glass.例文帳に追加

金属微粒子分散型偏光ガラスにおいて、その消光特性を良好に得ると共に、ガラスの延伸、還元等の工程を経ずに、島状に配設された金属素片の集合体をナノインプリントリソグラフィと反応性イオンエッチング法を用いた工程で作製することにより安定な量産性の向上を図る。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a process that forms one arbitrary lump of dopant regions off the surface of a semiconductor inside a semiconductor substrate, and a process that performs ion implantation a plurality of times with the disposition of a mask pattern end for the ion implantation changed.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、本発明は、半導体表面から離れた任意の一固まりの不純物領域を半導体基板内部に形成する工程であって、イオン注入用のマスクパターン端の配置の変更を伴った、複数回のイオン注入を行う工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The high refractive index part 10 used for performing the propagation of light after being connected to the optical fiber is formed by performing a first ion exchange process (b), and then performing infiltration and diffusion of ions in a second ion exchange process (c) comprising dipping the glass plate 1 into a molten salt 60 free from ions capable of increasing the refractive index and, heating.例文帳に追加

光ファイバを接続して光の伝播を行う高屈折率部１０は、第１のイオン交換工程（ｂ）を行った後に、屈折率の上昇に寄与するイオンを含有しない溶融塩６０の中にガラス基板１を浸して加熱する第２のイオン交換工程（ｃ）により侵攻，拡散させて形成する。 - 特許庁

In a method to nitride the silicon oxide film by introducing nitride into the silicon oxide film formed in the surface of a substrate, a process to irradiate nitride ion with an angle of 50° or more to the normal line of a processed film, and a process to irradiate nitrogen atom more than the amount of the ion irradiation are simultaneously or alternately performed.例文帳に追加

基板表面に形成されたシリコン酸化膜中に窒素を導入して該シリコン酸化膜を窒化する方法において、被処理膜の法線に対して５０°以上の角度を持って窒素イオンを照射する工程と、イオン照射量以上の窒素原子を照射する工程とを、同時または交互に行う。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained.例文帳に追加

得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁

To provide an ion source worth producing and a method capable of using new source materials (especially, a new decaborane for an ion implantation process and heat-sensitive materials such as hydrides and dimer-containing compounds), and to achieve performance in a new range in a commercial ion implantation of a semiconductor wafer.例文帳に追加

新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。 - 特許庁

To improve a barrier property for ion implantation, to avoid the ion implanting to an unwanted part and to prevent the peeling of a film, even when a heating process is present thereafter in the case of performing the ion injection, after forming high melting point metal silicide.例文帳に追加

高融点金属シリサイドの形成後に、イオン注入した場合に、そのイオン注入に対するバリア性が優れており、不要な部分へのイオン注入を回避できると共に、その後に加熱工程が存在しても膜の剥離を防止できる高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a revolutional ion channel analytical method by a cis-trans liquid current method and an ion channel analyzer used for the same enabling to continue an intended ion channel analysis efficiently even when a membrane to be analyzed is damaged during an analyzing process by quickly repairing the membrane.例文帳に追加

解析対象膜が解析処理の最中に破損した場合でも、当該対象膜を速やかに修復して所期のイオンチャネル解析を能率的に継続することを可能にした画期的な“シス−トランス液流方式によるイオンチャネル解析方法と、その方法に使用するイオンチャネル解析装置”を提供する。 - 特許庁

In an ion implantation process, ion implantation is performed from an orientation where ions passing the upper end of the resist pattern enter the side of the resist pattern from the active region while the tilt angle from the normal direction of the substrate is larger than θ_0, and no ion implantation is performed from an orientation where the ions enter the active region.例文帳に追加

イオン注入工程において、基板法線方向からのチルト角がθ_０よりも大きく、かつレジストパターンの上端を通過したイオンが、活性領域よりもレジストパターン側に入射する方位からイオン注入を行い、かつ活性領域内に入射する方位からはイオン注入を行わない。 - 特許庁

In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less.例文帳に追加

第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。 - 特許庁

This remote management method for treated water purification includes a purifying process for decomposing foul components in treated water with available chlorine, a chlorine gas volatilizing process for volatilizing the available chlorine that remains after purification, as chlorine gas, and a chlorine gas recovery process for recovering the volatilized chlorine gas, wherein pH (hydrogen ion concentration) in the chlorine gas volatilizing process and chlorine gas recovery process is remotely monitored through an Internet line.例文帳に追加

被処理水中の汚れ成分を有効塩素により分解する浄化工程と、浄化後に残留した有効塩素を塩素ガスとして揮発させる塩素ガス揮発工程と、揮発した塩素ガスを回収する塩素ガス回収工程とを有し、前記塩素ガス揮発工程と塩素ガス回収工程のｐＨ（水素イオン濃度）をインターネット回線を介して遠隔監視するようにした。 - 特許庁

In the nuclear fuel reprocessing system including a shearing-dissolving process 1, a separation process 5, a refining process 13 and a denitrification process 14, the sludge removal device 4 storing a material chemically bonding to the ion component included in a dissolved liquid flowing out from a dissolution tank 2, and removing the sludge is installed on the downstream side of the dissolution tank 2 in the shearing-dissolving process 1.例文帳に追加

せん断・溶解工程１、分離工程５、精製工程１３、脱硝工程１４からなる原子燃料再処理システムにおいて、せん断・溶解工程１における溶解槽２の下流側にこの溶解槽２から流出する溶解液に含まれるイオン成分と化学結合する材質を収容しスラッジを除去するスラッジ除去装置４を設置したことを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the albumin for the dog from the body fluid of the dog comprises a process of removing dissolved proteins in the body fluid by using a polyethylene glycol, a process of then removing admixed components by an ion-exchanging resin and a process of finally raising albumin concentration by concentrating the solution.例文帳に追加

本発明のイヌの体液からのイヌ用アルブミン製剤の製造方法は、該体液中に溶解しているタンパク質をポリエチレングリコールにより除去する工程と、その後に共雑成分をイオン交換樹脂により除去する工程と、最後に濃縮によりアルブミン濃度を上げる工程からなる。 - 特許庁

To obtain a water supply method and a system for the same which purify and supply necessary water in a solid oxide fuel cell module, without the need for applying a depurant such as an ion-exchange membrane process, an absorption process by activated carbon or a filtering process.例文帳に追加

従来のようにイオン交換膜法、活性炭等による吸着法、あるいはフィルター法などの水の浄化法を適用する必要なしに、固体酸化物形燃料電池モジュールにおいて必要な水を浄化して供給することができる水供給方法及びそのためのシステムを得る。 - 特許庁

In forming aluminum electrode foil for an electrolytic capacitor, a process which roughens the aluminum foil in an etching liquid containing at least a chlorine ion to make it etched foil, a chemical cleaning process which removes a deposit from the etched foil, and an anodic oxidation process for the etched foil are carried out.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するにあたって、少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中でアルミニウム箔を粗面化してエッチド箔とするエッチング工程と、エッチド箔から付着物を除去するケミカル洗浄工程と、エッチド箔に対する陽極酸化工程とを行う。 - 特許庁

At simulation, based on a manufacturing process for an MOS transistor, a virtual ion-implantation process is added to a process simulation, so that an inversion short-channel effect and enhanced short-channel effect with an actual MOS transistor is reflected on a simulation result.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳトランジスタの製造工程に基づきシミュレーションを行うにあたり、仮想のイオン注入工程をプロセスシミュレーションで追加し、実際のＭＯＳトランジスタにおける逆短チャネル効果やエンハンスト短チャネル効果をシミュレーション結果に反映させるシミュレーション方法である。 - 特許庁

This method for producing the hydroxylamine is characterized by comprising a reaction process of obtaining the hydroxylamine by reacting the hydroxylamine salt with the alkali compound, a purification process of purifying the hydroxylamine by an ion-exchange and a concentration process of concentrating the hydroxylamine at the column bottom part by the distillation.例文帳に追加

本発明のヒドロキシルアミンの製造方法は、ヒドロキシルアミンの塩とアルカリ化合物とを反応させてヒドロキシルアミンを得る反応工程、ヒドロキシルアミンをイオン交換により精製する精製工程、ヒドロキシルアミンを蒸留により塔底部で濃縮する濃縮工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the main formation step, the semiconductor film is formed by including a process for alternately performing a plurality of times a process S32 for forming the epitaxial film under the formation conditions set on the basis of the quantity of evaporation obtained in the evaluation step, and a process for ion-implanting the first impurity into the epitaxial film.例文帳に追加

本形成工程では、評価工程で得られた蒸発量に基づいて設定される形成条件でエピタキシャル膜を形成する処理Ｓ３２と、エピタキシャル膜に第１不純物をイオン注入する処理と交互に複数回数行う処理を含んで半導体膜を形成する。 - 特許庁

This method for producing the antibacterial, antifungal and deodorizing inorganic composition comprises subjecting the raw material powder consisting mainly of the calcium silicate hydrate under a carbonation treatment process of curing in a carbon dioxide gas atmosphere, and then subjecting an ion-loading process of bringing the carbonated raw material powder in contact with a metal ion having the antibacterial, antifungal and deodorizing properties to load the metal ion on the raw material powder.例文帳に追加

ケイ酸カルシウム水和物を主成分とする原料粉体を、炭酸ガス雰囲気で養生する炭酸化処理工程に供し、次いでこの炭酸化した原料粉体を防菌防カビ消臭性を有する金属イオンと接触させることにより、前記原料粉体に金属イオンを担持させるイオン担持工程に供することを特徴とする防菌防カビ消臭性無機組成物の製造方法。 - 特許庁

This method for preserving fresh cut vegetables includes (a) a process for providing a preservative solution containing the following ingredients: about 0.1 to about 10% of calcium ion; 0.1 to about 30% of ascorbate ion or erythorbate; and water, and (b) a process for coating the cut vegetables with vegetable preservatives, wherein the preservatives substantially do not contain metal ion-blocking agents.例文帳に追加

新鮮な切った野菜を保存処理する方法であって、以下の工程：ａ．以下を含有する保存剤溶液を提供する工程： 約０．１％〜約１０％のカルシウムイオン；０．１％〜約３０％のアスコルビン酸イオンまたはエリソルビン酸イオン；および水；ならびにｂ．該野菜保存剤を該切った野菜に塗布する工程、を包含し、ここで、該保存剤は、本質的に、金属イオン封鎖剤を含有しない、方法。 - 特許庁

In the process of removing a part of the floating plane protection film 101, when the irradiation angle of the ion beams is ≥60° from the normal line of the floating face of the magnetic head slider and acceleration voltage of the ion beams is ≤300 V, high denseness and covering properties can be obtained.例文帳に追加

前記浮上面保護膜101の一部を除去する工程において、イオンビームの照射角が、磁気ヘッドスライダ浮上面法線から60度以上であり、イオンビームの加速電圧が300Ｖ以下であるとき、高い緻密性及び被覆性を得ることができる。 - 特許庁

To solve a problem wherein an inclined pattern is formed due to absorption of the light by the photoresist resin at the wavelength used for the light source in a lithographic process using KrF or ArF laser, VUV rays, EUV rays, electron beams, ion beams or the like as the light source.例文帳に追加

ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＶＵＶ、ＥＵＶ、電子線（E-beam）及びイオンビーム（ion beam）等の光源を利用したリソグラフィー工程時に、フォトレジスト樹脂が光源に用いられる波長の光を吸収して傾斜したパターンを形成することを解決する。 - 特許庁

To avoid the influence of the thickness ununiformity of an additional function layer on that of a laminated semiconductor thin layer, by forming a peeling ion-implanted layer by twice ion implanting steps before and after a deposition process of the additional function layer.例文帳に追加

剥離用イオン注入層を付加機能層の堆積工程を挟む２回のイオン注入で形成することにより、付加機能層の膜厚不均一が貼り合わせ半導体薄層の膜厚均一性に影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁

If the concentration is 1 ppb or higher, the ultrapure water is filtered with an ion filter 62 comprising an ion exchange group that adsorbs cation, and the filtered ultrapure water is fed to the water rinsing process as an ultrapure water to be used for water rinsing.例文帳に追加

一方、濃度の値が１ｐｐｂ以上の場合には、カチオンを吸着するイオン交換基を有するイオンフィルタ６２で超純水がろ過され、ろ過後の超純水が、水洗リンスに用いる超純水として水洗リンス工程に送られる。 - 特許庁

Furthermore, a pressure information in the arc-chamber 12a during a conduction heating is measured by an ion gage provided in a chamber which is arranged in a subsequent process of the ion source and connected with the arc-chamber 12a, and a conduction heating and degassing status is monitored.例文帳に追加

又、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置される、アークチャンバ１２ａと連通するチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱、デガス状態を監視する。 - 特許庁

The process for removing the fluoride ion feeds an aqueous solution containing the fluoride of the minor concentration in a column filled with a resin formed by adsorbing/carrying a trivalent lanthanum or cerium ion having a pH of 2-7 to/on a strong acidic cation exchange resin having giant network structure.例文帳に追加

３価のランタン又はセリウムイオンをｐＨが２〜７において巨大網目構造の強酸性陽イオン交換樹脂に吸着・担持した樹脂を充填したカラムに問題の微量濃度のフッ化物イオンを含む水溶液を通液させることによる。 - 特許庁

As a result, in the wafer treatment processing 100, the Si+ ions introduced at the ion implantation processing 120 are bonded to a vacant lattice defects, produced in the ion implantation process 110, thereby crystal defect generation caused by the vacant lattice defect is prevented.例文帳に追加

結果として，ウェハ処理工程１００では，イオン注入工程１２０で導入されたＳｉ＋イオンが，イオン注入工程１１０で生じる空格子欠陥と結合し，空格子欠陥に起因する結晶欠陥の発生が抑制される。 - 特許庁

This stencil mask for the ion implantation is used in the ion implantation process in the manufacture of the semiconductor device, and comprises at least a substrate portion and a stencil portion, and the stencil portion has a diamond layer.例文帳に追加

半導体デバイスの作製における、イオン注入工程で使用する、イオン注入用ステンシルマスクであって、少なくとも、基材部、ステンシル部を具備し、前記ステンシル部がダイヤモンド層を有するものであることを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

To provide an electrode mixture paste which is excellent in preservation stability while to providing a lithium ion battery which is excellent in a lithium ion battery electrode board manufacturing method which is skipped or simplified a rolling process, capacity, a rate, and low-temperature characteristics.例文帳に追加

圧延工程を省略もしくは簡略化したリチウムイオン電池電極板製造方法や、容量、レート、低温特性に優れるリチウムイオン電池を提供するとともに、保存安定性に優れる電極合剤ペーストを実現することを目的とする。 - 特許庁