region sの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 739件
The display region of each of the partial images Z1 to Z6, corresponds to a region enclosed by an enclosure line 22 in the standard image S.例文帳に追加
この各部分像Z1〜Z6の表示領域は、基準画像Sの中の囲み線22で囲まれた領域に対応している。 - 特許庁
A part of the regions 111-157 corresponds to a different color light in the main region m and the accessory region s.例文帳に追加
光電変換領域111〜157の内の一部は、主領域mと副領域sとでそれぞれ異なる色の光に対応する。 - 特許庁
Separately from the horizontal door cover 20, a secondary cover 21 partitioning the work region S and the loader running region R is provided to freely open/close.例文帳に追加
水平扉カバー20とは別に、前記加工領域Sとローダ走行領域Rとを仕切る2次カバー21を開閉自在に設ける。 - 特許庁
These holes are formed porously at least in a region corresponding to the piezoelectric active region S in the inner electrode layer 4.例文帳に追加
これらの孔部は、内部電極層4における少なくとも圧電活性領域Sに対応する領域に多孔状に形成されている。 - 特許庁
A conductor pattern 2 is formed so as to extend from the inner side of the mounting region S to the outer side.例文帳に追加
実装領域Sの内側から外側に延びるように導体パターン2が形成される。 - 特許庁
A sheet type object S to be punched is supported on a punching part 20 region via a holder.例文帳に追加
シート状の穿孔対象物Sが穿孔部20領域でホルダ14を介して保持される。 - 特許庁
A rectangular mounting region S is arranged in an almost center of one face of an insulating layer 1.例文帳に追加
絶縁層1の一面の略中央部に長方形状の実装領域Sが設けられる。 - 特許庁
A conductor pattern 2 is formed so that it extends from an inner side to an external side of the mounting region S.例文帳に追加
実装領域Sの内側から外側に延びるように導体パターン2が形成される。 - 特許庁
The electronic component 5 is mounted on the insulating layer 1 so that it is overlapped with the mounting region S.例文帳に追加
実装領域Sに重なるように、絶縁層1上に電子部品5が実装される。 - 特許庁
APEC should also complement the G20’s efforts in pursuing balanced growth in the region. 例文帳に追加
APECは、地域における均衡ある成長の実現に向けた、G20の取組を補完すべきである。 - 経済産業省
A pointing device 1 repeatedly takes the image of a screen S, and recognizes a region equivalent to a projection image on a screen S from the taken image.例文帳に追加
ポインティング装置1は、スクリーンSを繰り返し撮像し、撮像画像からスクリーンS上の投影画像に相当する領域を認識する。 - 特許庁
Lastly, reverse conversion to the time region is carried out by using the phase of the m(t) and the S(ω, t) to obtain a desired sound signal s(t) after the removal.例文帳に追加
最後に、m(t)の位相と、S(ω,t)とを用いて時間領域に逆変換し、所望の除去後の音響信号s(t)を得る。 - 特許庁
The NMOS switch element 2's N-type source diffusion region 9s and P-type substrate contact diffusion region 7 are arranged such that they are adjacent, and the NMOS protection element 3's N-type source diffusion region 15s and P-type substrate contact diffusion region 20 are arranged such that they are spaced.例文帳に追加
NMOSスイッチ素子2のN型ソース拡散領域9sとP型基板コンタクト拡散領域7は隣接して配置されており、NMOS保護素子3のN型ソース拡散領域15sとP型基板コンタクト拡散領域20は間隔をもって配置されている。 - 特許庁
Assuming that a foreign matter S, that reads magnetic stripe information on the card in unauthorized manner, is loaded, the shutter 122 interferes with the foreign matter S, when the shutter 122 enters this region X in the front region of the front panel.例文帳に追加
カードの磁気ストライプ情報を不正に読み込む異物Sが仮に装着されたと仮定すると、この前方領域Xにシャッタ122が入り込む際に、シャッタ122は異物Sと干渉する。 - 特許庁
In the semiconductor device 1, in order to secure the withstand voltage characteristics, a low concentration region 10 where an impurity concentration is low is formed in a region other than the drain region 2 (transistor forming region) surrounded by the withstand voltage holding region 9, which is the region on the side of the main surface S in the drain region 2.例文帳に追加
半導体装置1において、耐圧特性を確保するため、不純物濃度の低い低濃度領域10が、ドレイン領域2における主面S側の領域であって耐圧保持領域9によって囲まれたドレイン領域2(トランジスタ形成領域)以外の領域に、形成されている。 - 特許庁
The suscepter S can obtain a flat intra-surface temperature distribution by providing the region which is thicker than the internal region at the outer most circumferential region in order to make larger the eddy current loss of the external circumferential part than that of the internal region.例文帳に追加
最外周部に内部領域よりも肉厚の厚い部分Hを設けることにより、外周部の渦電流損失を内部よりも大きくし、平坦な面内温度分布が得られるようにしたサセプタSとする。 - 特許庁
The film-formed region of the layers a to c laminated on the light-emitting region s is film-formed so that it has intentional overlapping slippages e_1 to e_3.例文帳に追加
発光領域s上に積層される層a〜cの成膜領域が、意図的な重なりずれe_1〜e_3を有するように成膜される。 - 特許庁
To apply a sufficient stress to a channel region to materialize an embedded S/D (source-drain) region by an epitaxial growth having no shape abnormality.例文帳に追加
チャネル領域に十分な応力を与え、形状異常のないエピタキシャル成長による埋め込みS/D(ソース・ドレイン)領域を実現する。 - 特許庁
The display area is equipped with switching elements having the position of the source region S and the drain region D different from one another.例文帳に追加
この表示エリアにおいて、ソース領域Sとドレイン領域Dとの配置位置が互いに異なるスイッチング素子を備えたことを特徴とする。 - 特許庁
As a result, the horizontal diffusion length of impurities in the source region S and the drain region D can be controlled to 0.25 μm or smaller.例文帳に追加
これにより、ソース領域S及びドレイン領域Dにおける不純物の水平拡散長を0.25μm以下に抑制することができる。 - 特許庁
The surface temperature of the rectangular region of the first page after the preheating is detected by the thermopile (S 15), The detected value is corrected based on the average density (S 16).例文帳に追加
予熱後の第1ページの当該矩形領域の表面温度をサーモパイルで検出し(S15)、その検出値を平均濃度に基づいて補正する(S16)。 - 特許庁
A channel region CH and a first low-concentration impurity region LDD1 that is continuous therewith are formed in the first region, and a conductive region served as a source S or a drain D is formed in the second region, while a second low-concentration impurity region LDD2 for connecting the first low-concentration impurity region LDD1 with the conductive region is formed in the intermediate region.例文帳に追加
第1領域には、チャネル領域CHとこれに連続する第1の低濃度不純物領域LDD1とが形成され、第2領域には、ソースS又はドレインDとなる導電性領域が形成され、中間領域には第1の低濃度不純物領域LDD1と導電性領域とを接続する第2の低濃度不純物領域LDD2が形成されている。 - 特許庁
Further, second division grooves 12 are formed in such a way that they extend on borders among individual component forming regions U11 to Umn in the component forming region U, cross with the first division grooves 11 in the dummy region S, and stop in the dummy region S.例文帳に追加
更に、第2の分割溝12を、部品形成領域Uで個別部品形成領域U11〜Umn間の境界上を延び、ダミー領域Sで第1の分割溝11に交わり、かつ、ダミー領域S内で止まる態様で形成する。 - 特許庁
In an axial direction region L, the hardened layer S is formed in a region having predetermined depth h0 from an outer peripheral surface 1g, and a region from the hardened layer S to an inner peripheral surface 1i is an unhardened layer S0 which is not hardened by heat treatment.例文帳に追加
軸方向域Lにおいて、硬化層Sは、外周表面1gから所定深さh0の領域に形成され、硬化層Sから内周表面1iに至る領域は熱処理により硬化していない未硬化層S0になっている。 - 特許庁
The transflective liquid crystal display is provided with a reflection electrode 9 formed in a reflection region S of a pixel region in the same layer as a source wiring line 2 apart from the source wiring line 2 by a prescribed region.例文帳に追加
ソース配線2と同一層内の画素領域の反射領域Sにおいて、ソース配線2と所定の領域だけ隔てられ形成される反射電極9を備えている。 - 特許庁
The spacing between the substrate and S 1 may be selected to make the capacitance between S 1 and the substrate approximately equal to the capacitance between S 2 and the substrate to substantially reduce interference pickup in the high frequency region.例文帳に追加
基板とS1との間のスペースdをS1と基板の間の電気容量とS2と基板の間の電気容量をほぼ等しくして、高周波数領域内での干渉ピックアップをかなり低減することができる。 - 特許庁
The EU is Japan‟s largest trading partner outside the Asia-Pacific region. The total trade value between Japan and the EU is about 13 trillion yen (2010). The EU is Japan‟s third largest trading partner in the world, while Japan is the EU‟s sixth largest trading partner.例文帳に追加
EUはアジア太平洋地域以外の最大の貿易相手であり、日EU 間の貿易総額は、約13 兆円(2010 年)で、日本にとり世界第3 位、EU にとり世界第6 位の貿易相手である。 - 経済産業省
To provide a method for producing a film realizing selective sputtering onto a substrate having an oxide region(s).例文帳に追加
酸化物領域を有する基板上への選択スパッタを実現する膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
Around the mounting region S, a cover insulating layer 4 is formed so as to cover the conductor pattern 2.例文帳に追加
実装領域Sの周囲において、導体パターン2を覆うようにカバー絶縁層4が形成される。 - 特許庁
The whole region where sensor elements 18 of a sensor body 12 are arranged is partitioned into a plurality of partition regions S.例文帳に追加
センサ本体12のセンサ素子18が配列された全領域を複数の分割領域Sに分割する。 - 特許庁
The sealing member 30 has a defining section 31 for defining a sealing region S of the liquid crystal LC.例文帳に追加
封止部材30は、液晶LCの封止領域Sを規定する規定部31を有している。 - 特許庁
A plurality of conductor patterns 2 are formed so that they extend from an inner side to an external side of the mounting region S.例文帳に追加
実装領域Sの内側から外側に延びるように複数の導体パターン2が形成される。 - 特許庁
The leakage prevention section 50 comprises a center region C and a pair of end regions S located further toward the outside than the center region C in the longitudinal direction L.例文帳に追加
防漏部50は、中央領域Cと、中央領域Cよりも長手方向Lの外側に位置する一対の端部領域Sとを有する。 - 特許庁
The hood 12 includes an open atmospheric line 31 for connecting the space S with an open atmospheric region (external region) distant from the hood.例文帳に追加
フード12には、監視空間Sを当該フードから離れた大気開放領域(外部領域)に連通させるための大気開放ライン31が併設されている。 - 特許庁
A separator S having a sulfonation region V subjected to sulfonation, and a non-sulfonation region X not subjected to sulfonation is used.例文帳に追加
その際に,セパレータとして,スルホン化処理を施されたスルホン化領域Vと,スルホン化処理を施されていない未スルホン化領域Xとを有するセパレータSを用いる。 - 特許庁
The '1' region is a region where there are the main droplets (m) or the sub-droplets (s) and which is parallel to the Y-axis (an axis which is perpendicular in the direction of an arrow A).例文帳に追加
この領域「1」は、主滴m又は副滴sが存在する、Y軸(矢印A方向に直交する軸)に平行な領域である。 - 特許庁
The groove 22 is formed at side part Cb of the center region, and a width of the groove of the groove 22 is gradually enlarged from the center part Ca toward the shoulder region S.例文帳に追加
この側部Cbに溝22が形成され、かつ、この溝22の溝巾が中央部Caからショルダー領域Sに向かって徐々に大きくされている。 - 特許庁
The first MOS transistor 100 and the diffusion region 5 of the semiconductor element S lie alongside in a y direction and electrically isolated from each other by the diffusion region 2b.例文帳に追加
第1のMOSトランジスタ100と半導体素子Sの拡散領域5とは、y方向に並んで、拡散領域2bで電気的に分離されている。 - 特許庁
That is, in the retro-reflector 8, the whole surface region is constituted with the recursive units S and, therefore, the whole surface is a recursive region.例文帳に追加
すなわち、再帰性反射板8では、全ての表面領域を再帰ユニットSによって構成しているため、その全面が再帰領域となっている。 - 特許庁
While a component P is located above the mounting region of a circuit board S, it is possible to photograph the component and the mounting region, so that the accuracy of mounting is improved.例文帳に追加
部品Pが基板Sの装着部位の上方に位置する状態で、部品および装着部位を撮像できるため、装着精度が向上する。 - 特許庁
At this time, sipe area a in the tread surface side region of the auxiliary sipes 42 and sipe area b in the tire internal side region (=s-a) have a relationship of a more than b.例文帳に追加
このとき、補助サイプ42の踏面側領域のサイプ面積aとタイヤ内部側領域のサイプ面積b(=s−a)とがa>bの関係を有する。 - 特許庁
After the multiple board 5 is baked, first division grooves 11 are formed in such a way that they do not pass through a component forming region U and are extended on a dummy region S.例文帳に追加
集合基板5を焼成した後、第1の分割溝11を、部品形成領域Uを通らずにダミー領域S上を延びる態様で形成する。 - 特許庁
An impurity is injected in the semiconductor thin-film 8 through a resist 9 corresponding to the gate electrode 5, so that a source region S and a drain region D are formed.例文帳に追加
ゲート電極5に対応するレジスト9を介して半導体薄膜8に不純物を注入してソース領域S及びドレイン領域Dを形成する。 - 特許庁
A source S and a drain D comprising an N type impurity region are provided in the semiconductor region 11 in the vicinity of both sides of the gate electrode 13.例文帳に追加
ゲート電極13両側近傍の半導体領域11にN型の不純物領域で構成されるソースS、ドレインD設けられている。 - 特許庁
The storage capacitor is formed as a contact hole capacitor KK in at least one contact hole for a source region S or a drain region D.例文帳に追加
ストレージキャパシタは、ソース領域Sまたはドレイン領域Dのための少なくとも1つのコンタクトホールにおいて、コンタクトホールキャパシタKKとして形成されている。 - 特許庁
By continuing to an upper end of this front door cover 19, a horizontal door cover 20 partitioning the work region S and the loader running region R is integrally provided.例文帳に追加
この前面扉カバー19の上端に続けて、前記加工領域Sとローダ走行領域Rとを仕切る水平扉カバー20を一体に設ける。 - 特許庁
When the outer peripheral region S 2 is pressed between the electrode 50 and the presser body 52, the inner peripheral region S 1 comes into tight contact with a top surface 3a of the main substrate 3 on the inner side of the electrode 50.例文帳に追加
前記外周領域S2が前記電極50および前記押さえ体52との間で押圧されたときに、前記内周領域S1が前記電極50の内側で前記主基板3の上面3aに密着する。 - 特許庁
To achieve a laser radar apparatus for utilizing predictive information on a receive spectrum and a wind speed obtained from a measurement result in a high receive S/N ratio region, and accurately detecting the wind speed in a low receive S/N ratio region.例文帳に追加
高受信S/N比領域の計測結果から求めた受信スペクトルや風速関連の先見情報を利用し低受信S/N比領域での風速検出をより正確に行うレーザレーダ装置を得る。 - 特許庁
The top surface of the FRP spring 1 is subjected to the pulsating bending load; the upper region with respect to the neutral axis S of the layered structures 20 and 30, is the compression stress region where the compression stress is generated; and the lower region with respect to the neutral axis S, is the tensile stress region where the tensile stress is generated.例文帳に追加
FRPばね1の上面が片振りの曲げ荷重が加えられる表面であり、積層構造20,30の中立軸Sに対する上側領域が、圧縮応力が発生する圧縮応力領域であり、中立軸Sに対する下側領域が、引張応力が発生する引張応力領域である。 - 特許庁
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|