region sの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 739件
The polysilicon semiconductor layer 112 of the TFT 121 has a source region S connected to a signal line X and has a drain region D connected to a pixel electrode 151.例文帳に追加
このTFT121のポリシリコン半導体層112は、信号線Xに接続されたソース領域Sと、画素電極151に接続されたドレイン領域Dとを備えている。 - 特許庁
A compound electrooptic material 30 of the present invention has, on a display surface S, a region that a liquid crystal material 33 occupies and a region that a non-liquid-crystal material (base material) 31 occupies.例文帳に追加
本発明の複合電気光学材料30は、表示面Sに、液晶材料33が占有する領域と、非液晶材料(支持材料)31が占有する領域とを備える。 - 特許庁
Quantity of radiation light 11 and 12 to each of the first radiation region A1 and the second radiation region A2 is compared with quantity of emission light R1 and R2 emitted from the first radiation region A1 and the second radiation region A2 to evaluate the translucency of the skin S.例文帳に追加
第1の照射領域A1及び第2の照射領域A2へのそれぞれの照射光量I1、I2と第1の照射領域A1及び第2の照射領域A2から射出されるそれぞれの射出光量R1、R2とを比較して肌Sの透明性を評価する。 - 特許庁
A plane layer 2 in an adjacent region (B) under a forming region of a wiring pattern (T) 6 for measurement is so patterned that the percentage of residual copper matches that of the plane layer 2 in an adjacent region (A) under a forming region of a signal wiring pattern (S) 1 of a measuring object.例文帳に追加
測定用配線パターン(T)6の形成領域下の近傍領域(B)におけるプレーン層2は、その残銅率が、測定対象の信号配線パターン(S)1の形成領域下の近傍領域(A)におけるプレーン層2の残銅率と合うようにパターニングされている。 - 特許庁
To provide a reactive sputtering apparatus in which the inside of a vacuum chamber 1 where a substrate S to be processed and a target 6 confronted with the substrate S are arranged includes a means feeding a sputtering gas and a reaction gas, the reactive sputtering apparatus forming a homogeneous compound thin film over the whole region of the substrate S even if the substrate to be processed S has a large diameter.例文帳に追加
処理基板Sと処理基板Sに対向するターゲット6とを配置した真空チャンバー1内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Sが大径化しても、処理基板Sの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。 - 特許庁
A recess 4 of a substantially square shape along the outer periphery of a semiconductor element mounting region S and the recess 4 of a lattice shape arranged in a semiconductor element mounting region S are formed on the surface of a semiconductor substrate 1c of the side, at which a semiconductor element 3 is mounted.例文帳に追加
半導体基板1cにおける半導体素子3が実装される側の面に、半導体素子実装領域Sの外周に沿った略ロ字状の凹部4と、半導体素子実装領域S内に配列された格子状の凹部4とを形成する。 - 特許庁
Thereafter, a restoration filter Fn wherein the smaller the saturation S becomes, the smaller the degree α of emphasis becomes is selected from a degree-of-emphasis table FDB for every division region BR based on the saturation S, and restoration processing is performed for every division region BR (step ST3).例文帳に追加
その後、強調度テーブルFDBから彩度Sに基づいて、彩度Sが小さくなればなるほど強調度αが小さくなる復元フィルタFnが分割領域BR毎に選択され、分割領域BR毎に復元処理が施される(ステップST3)。 - 特許庁
A tread surface S is provided with a carbon compounded rubber region S1 composed of the rubber G1, and a silica compounded rubber region S1 composed of the rubber G2, and forming 3-11 belt-like surfaces 10S extending in a peripheral direction on the surface S.例文帳に追加
トレッド面Sは、前記カーボン配合ゴムG1からなるカーボン配合ゴム領域S1、および前記シリカ配合ゴムG2からなりかつ前記トレッド面Sで周方向にのびる3〜11本の帯状面10Sをなすシリカ配合ゴム領域S1を具える。 - 特許庁
Hot water for a heat source from a heat source machine 4 is introduced to a liquid/liquid-heat exchanger 7 by opening a water proportional valve 142, and the mist water in the specified passage region S is heated, and by the expansion accompanying the temperature rise, the internal pressure of the specified passage region S is raised.例文帳に追加
水比例弁142を開にして熱源機4からの熱源用温水を液・液熱交換器7に導入して特定通路領域S内のミスト用水を加熱し、昇温に伴う膨張により特定通路領域Sの内圧を上昇させる。 - 特許庁
The apparatus EX adjusts the position relation between the images of the first and second patterns PA1, PA2 and a predetermined region S on a substrate P on the basis of a result of detection, and performs multiple exposure for the predetermined region S on the substrate P using the images of the first and second patterns PA1, PA2.例文帳に追加
検出結果に基づいて、第1及び第2パターンPA1,PA2の像と基板P上の所定領域Sとの位置関係を調整し、第1及び第2パターンPA1,PA2の像で基板P上の所定領域Sを多重露光する。 - 特許庁
The device is provided with: a streamer discharge forming means to form the streamer discharge S by generating a non-uniform electric field intensity distribution in the opposed region 2; and a streamer discharge dispersion means to disperse the streamer discharge S in the opposed region 2.例文帳に追加
不均一な電界強度分布を対向領域2に発生させることにより上記ストリーマ放電Sを形成するためのストリーマ放電形成手段と、このストリーマ放電Sを対向領域2で分散させるためのストリーマ放電分散手段とを備える。 - 特許庁
Further, when an absolute sum Sh/S of orthogonal coefficients and the absolute sum Sd/S in a region RV 801 are a threshold value or over, the coefficient analysis circuit 911 discriminates that a motion vector hvec in the horizontal direction is ineffective.例文帳に追加
また、領域RH801の直交係数の絶対値和Sh/Sが閾値以上の場合、Sd/Sが閾値以上の場合、水平方向の動きベクトルhvecが無効と判別する。 - 特許庁
The bio-information detector is constituted by arranging a sensor S having an output damping time constant having a long damping period on a location where the sensor S comes into contact with the rear face of the femoral region of the person, for example, on the bearing surface of the chair of a massaging device.例文帳に追加
減衰期間の長い出力減衰時定数の特性を持つセンサSを、人体の大腿部の後面と接触する場所であって例えばマッサージ装置のイスの座面上に配置した。 - 特許庁
The water wheel 11 is arranged so that its axis X is orthogonal to the canal 6, and moves within a depth region A of the canal 6 with its lowest position set to the height at which the blades 12 are not in contact with the water surface S.例文帳に追加
該水車(11)はその軸線(X)が水路(6)と直交する方向に配置され、用水時の水面(S)に該羽根(12)が接しない高さを最低位置として該水路(6)の深さ領域(A)内で移動する。 - 特許庁
Further, a short-circuit point S is set to a region in the radiation conductor 3 opposite to the feeding conductor 4, and the short-circuit point S is electrically connected to the ground conductor via a short-circuit conductor 6.例文帳に追加
また、放射導体3内で給電導体4側とは逆側の領域に短絡地点Sが設定され、この短絡地点Sが短絡導体6を介して接地導体と電気的に接続されている。 - 特許庁
An anvil 25 is attached to a driver cam follower 24, which is integrally raised and lowered along with the driver, in a freely forwardly and rearwardly slidable manner and allowed to support the intermediate region of a staple S at the time of formation of a linear staple due to a forming plate 30.例文帳に追加
ドライバと一体に昇降するドライバカムフォロワ24にアンビル25を前後揺動自在に取付け、フォーミングプレート30による直線ステープルのフォーミング時にステープルSの中間部位を支持させる。 - 特許庁
Subsequently, the mold release agent S is supplied from a process liquid supply section 120 to the clearance 116, and the mold release agent S is diffused only onto the pattern region D_1 by capillary phenomenon (Figs. 12(b)-(d)).例文帳に追加
その後、処理液供給部120から隙間116に離型剤Sを供給し、当該離型剤Sを毛細管現象によってパターン領域D_1上にのみ拡散させる(図12(b)〜(d))。 - 特許庁
A projected area S of the electrode fingers included in a region within a cross width b of the electrode fingers onto a crystal substrate in the surface acoustic wave element chip is selected to be 0.014 mm^2≤S≤0.019 mm^2.例文帳に追加
弾性表面波素子片は、電極指の交差幅b内の領域に含まれる電極指の水晶基板への投影面積Sが0.014mm^2≦S≦0.019mm^2となっている。 - 特許庁
During one rotation of the finely cutting rotary blade 25, the recessed place 26 reaches the region under the finely cut pieces S at least once.例文帳に追加
細切断用回転刃25が1回転する間に、少なくとも1回は、凹所26が小細断片Sの下方に至ることになる。 - 特許庁
Each tapping screw 7 is arranged in only one region P1 partitioned by an O ring and a line S crossing with the center thereof.例文帳に追加
各タッピングスクリュー7は、Oリング6及びその中心に交差する線Sによって区画される一方の領域P1のみに配置される。 - 特許庁
Further, the main body portion 21 is tilted and rotated by the sample stand, allowing almost a total region of the sample S to be observed.例文帳に追加
また、本体部21が試料台によって傾斜及び回転させられるため、試料Sの略全域を観察することができる。 - 特許庁
To provide a new UV filter having a combination of properties including both high UV absorptivity and UV stability in the UV-A and/or UV-B region(s).例文帳に追加
UV-Aおよび/またはUV-B領域における高い吸収性と光安定性等の特性を組合せた新規なUVフィルターの提供。 - 特許庁
At that time, a light-shielding layer S suppresses the direct visual recognition of the illumination light emitted from the light-emitting region E by an observer.例文帳に追加
その際、遮光層Sは、発光領域Eから発せられた照明光が直接観察者に視認されることを抑止する。 - 特許庁
The invention is based on the insight that the noise level of a read out signal increases somewhat in the region(s) where the access information is hidden.例文帳に追加
本発明は、アクセス情報が隠蔽された領域において、読み出し信号のノイズレベルが幾分増大するという洞察に基づく。 - 特許庁
Thereby, the unit achieves a low input and low noise by the regions S appearing in both sides and the region C interposed therebetween.例文帳に追加
両側に出現する領域Sと、その間に出現する領域Cとにより、低入力・低騒音のユニットを実現できる。 - 特許庁
Respective signal wirings in a wiring group A are arranged in a wiring region 51, with intervals at least two times the previously set minimum value (S).例文帳に追加
配線群A内の各信号配線を、予め設定される最小値(S)の2倍以上の間隔で、配線領域51に配置する。 - 特許庁
Terminal parts 21 of the conductor patterns 2 are disposed on the mounting region S, and bumps of the electronic component 5 are bonded to the terminal parts 21.例文帳に追加
実装領域S上には、導体パターン2の端子部21が配置され、その端子部21に電子部品5のバンプがボンディングされる。 - 特許庁
Source/drain diffusion layers S, D are formed within the supporting board so as to sandwich a channel region under the first part of the gate electrode.例文帳に追加
ソース/ドレイン拡散層S、Dは、ゲート電極の第1部分の下方のチャネル領域を挟むように支持基板内に形成される。 - 特許庁
A region T, in a shape of a ring which includes the protrusion 24c between the mounting portion S and the electrodes 25a and 25b, is not plated.例文帳に追加
実装部Sと電極25a,25bとの間であって突起部24cを含むリング状の領域Tは、メッキが施されていない。 - 特許庁
Also, the image processor segments the image region selected by a user from the data section, expands the image region, expands the image of the item section corresponding to the image region and generates the image to be displayed on the screen S by coupling the two images.例文帳に追加
また、画像処理装置は、データ部から、ユーザによって選択された画像領域を切り出して拡大し、この画像領域と対応する項目部の画像を拡大して2つの画像を結合し、スクリーンSに表示する画像を生成する。 - 特許庁
In the region other than the light receiving portion S among the n-type semiconductor layer 12 (the outer edge region of the n-type semiconductor layer 12), a plurality of p-type semiconductor region 16 is formed regularly in the in-plane direction of the n-type semiconductor layer 12.例文帳に追加
n型半導体層12のうち受光領域S以外の領域(n型半導体層12の外縁領域)には、複数のp型半導体領域16がn型半導体層12の面内方向に規則的に形成されている。 - 特許庁
The connecting part 4 has a curved or bent portion outward from a region S between the supporting part 2 and the screw retaining part 3, and deforms so as to protrude outward from the region S while the screw retaining part 3 approaches the supporting part 2 by fastening of the screw 7.例文帳に追加
連結部4は、支持部2とネジ保持部3との間の領域Sの外側へ向けて湾曲または屈曲する部分を有し、ネジ7の締め付けによってネジ保持部3が支持部2に接近するのに伴って、領域Sの外側へ向けて突出するように変形する - 特許庁
The depth of a p-base region, between R-S which corresponds to the circular-arc section of the gate electrode 38, is shallower than the depth of a p-base region between Q-R which corresponds to the linear section of the gate electrode 38 in cross-section configurations in cutting-plane lines Q-R-S passing the gate electrode 38.例文帳に追加
ゲート電極38を通る切断線Q−R−Sにおける断面構成において、ゲート電極38の弧状部分に対応するR−S間のpベース領域の深さは、ゲート電極38の直線状部分に対応するQ−R間のpベース領域の深さよりも浅い。 - 特許庁
When an absolute sum Sv/S of orthogonal coefficients in a region RV 802 is a threshold value or over, and an absolute sum Sd/S of orthogonal coefficients in a region RV 803 is a threshold value or over, the coefficient analysis circuit 911 discriminates that a motion vector vvec in the vertical direction is ineffective.例文帳に追加
係数解析回路911は領域RV802の直交係数の絶対値和Sv/Sが閾値以上の場合、領域RD803の直交係数の絶対値和Sd/Sが閾値以上の場合、垂直方向の動きベクトルvvecが無効と判別する。 - 特許庁
Solder supplied to a soldering region S above a solder tank 11 from a secondary injecting pump 14 is guided by the slope 16a of a former 16 for secondary flow of injection, to make the solder flow down into a recess 18 in a downstream along the slope 16a from the soldering region S.例文帳に追加
2次噴流用ポンプ14からハンダ槽11の上方のハンダ付け領域Sに供給されたハンダを、2次噴流用フォーマ16の傾斜面16aにより案内して、ハンダ付け領域Sから傾斜面16aに沿って下流の凹部18に流れ落ちるようにする。 - 特許庁
The separation device comprises a feed channel including a shear region, permeate passage(s) 22 extending perpendicular to the direction of the feed flow and the porous medium positioned between the shear region of the feed channel and the permeate passage(s).例文帳に追加
分離装置は、せん断領域を含んだ給水チャネルと、供給流体の方向に直交して伸長した透過水通路22(複数の通路)と、前記給水チャネルの前記せん断領域と、前記透過水通路(複数の通路)との間に位置決めされた多孔質媒体とを備える。 - 特許庁
This current detection device is equipped with at least one sensor element 3 provided on a carrier portion 4 for detecting the magnetic field; and a prescribed region which is a prescribed region S of the conductor 1, at which the at least one sensor element 3 is arranged in contact with the conductor.例文帳に追加
本発明に係る電流検出装置は、磁界を検出するために支持体部(4)上に設けられた少なくとも一つのセンサ素子(3)と、導体(1)の所定の領域(S)であって、当該導体に接して少なくとも一つのセンサ素子(3)が設けられている所定の領域とを備えている。 - 特許庁
Furthermore, the overall image of the substrate S is formed by extracting the image of the processing region from each of the rotated and corrected images and connecting them to each other in accordance with arrangement of the processing region.例文帳に追加
さらに、各回転補正画像から処理領域の画像を抽出し、これらを処理領域の配置に基づいてつなぎ合わせることにより、前記基板Sの全体画像を生成する。 - 特許庁
To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus.例文帳に追加
ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、S/Nを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁
A display panel 10 includes a folded part R1 in the peripheral region SB of an effective display region SA in a display screen S, wherein the folded part is provided by folding a part of a panel substrate 10a toward the rear face side.例文帳に追加
表示パネル10は、表示画面Sにおける有効表示領域SAの周辺領域SBに、パネル基板10aの一部が背面側に折り曲げられてなる折り返し部R1を有する。 - 特許庁
A reference region forming part forms a reference region Ref by arranging reference regions S two by two to adjoin each other in a main scanning direction and in a conveying direction.例文帳に追加
参照領域形成部が、基準領域Sを主走査方向及び搬送方向に関してそれぞれ2つずつ互いに隣接するように配列することによって参照領域Refを形成する。 - 特許庁
Then, when coloring the coloring region C and the shadow region S, they are colored from the central section to a peripheral section so that it is possible to achieve coloring much closer to watercolor painting.例文帳に追加
そして、着色領域C及び陰影領域Sに着色する場合、中心部から周縁部に向かって淡い色合いに着色することで、より水彩画に近い着色を行うことができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, for manufacturing an LDD region, a pocket layer and a high concentration source/ drain(S/D) region with minimum number of manufacturing processes.例文帳に追加
LDD領域、ポケット層及び高濃度ソース/ドレイン(S/D)領域を、最小限の製造工程数で製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which resistance of a source region and a drain region of a thin film transistor is reduced and a short channel effect is suppressed and an S value is reduced, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域の低抵抗化、および短チャネル効果を抑制しS値を低減した半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
An overlapping region S of the electrode layers 4A and 4B forms a piezoelectric active region causing the displacement of the piezoelectric layer 3 when a voltage is applied between the electrode layers 4A and 4B.例文帳に追加
電極層4A,4B同士が重なり合う領域Sは、電極層4A,4B間に電圧を印加した時に圧電体層3に変位を生じさせる圧電活性領域を形成している。 - 特許庁
The pressing means 15 is configured to suck and hold the sticking-start end region A through an opening portion 40 having an opening shape corresponding to the sticking-start end region A of the adhesive sheet S.例文帳に追加
押圧手段15は、接着シートSの貼付開始端領域Aに対応した開口形状を有する開口部40を介して貼付開始端領域Aを吸着保持するようになっている。 - 特許庁
The device is provided with a streamer discharge forming means to form the streamer discharge S by generating a non-uniform electric field intensity distribution in the opposed region, a streamer discharge dispersion means to disperse the streamer discharge S in the opposed region 2, and a transfer means to transfer the treating object H in the opposite region 2.例文帳に追加
不均一な電界強度分布を対向領域2に発生させることにより上記ストリーマ放電Sを形成するためのストリーマ放電形成手段と、このストリーマ放電Sを対向領域2で分散させるためのストリーマ放電分散手段と、被処理物Hを上記対向領域2で搬送するための搬送手段とを備える。 - 特許庁
Slits S are arranged on a main scale 13 at regular intervals, and only slits S15 are made a beam non-transmissive region for detecting an original point.例文帳に追加
メインスケール13上に等間隔にスリットSが配列され、スリットS15のみは原点検出のための光線不透過領域とされている。 - 特許庁
Laser welded parts 91, 92, 93 are formed in a region S where the flexible part 42 is extended in an axial line X direction of the hinge member 22.例文帳に追加
レーザ溶接部91,92,93は、可撓部42をヒンジ部材22の軸線X方向に延長した領域Sに形成されている。 - 特許庁
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