「step region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

An electrode pattern is formed on a large-sized substrate 80 including a plurality of circuit substrate region, and then a correcting film 17 having a thickness substantially equal to that of the step is formed in a region connected with an n-side bump 23.例文帳に追加

複数の回路基板領域を含む大判基板８０に電極パターンを形成してから、ｎ側バンプ２３が接続する領域に段差と略等しい厚さを有する補正膜１７を形成する。 - 特許庁

The functional material 12 of the organic or the biomolecule is placed or generated, at the third step, at the cutting region 22 (gap between the electrode pair) of the carbon nanotube 10 and the cutting region 22 is bonded thereto.例文帳に追加

そして、第３ステップとしてカーボンナノチューブ１０の切断部位２２（電極対間の間隙）に、有機物又は生体分子の機能性材料１２を配置又は生成し、切断部位２２を接合する。 - 特許庁

The step includes providing a dielectric layer on the first region and the second region of the substrate, and providing a gate electrode above the dielectric layer of both the first and second regions.例文帳に追加

これは、基板の第１領域及び第２領域上に誘電性層を設けること、及び第１及び第２領域の両方の誘電性層の上部にゲート電極を設けることによってなされる。 - 特許庁

For the purpose of manufacturing the substrate for the electrooptical device, the resin is left on a strip adjacent region 127 adjacent to a picture display region 101 in a half exposure step toward the photosensitive resin 132.例文帳に追加

電気光学装置用基板を製造するために、感光性樹脂１３２に対するハーフ露光工程では、画像表示領域１０１に隣接する帯状隣接領域１２７に樹脂を残す。 - 特許庁

At least information regarding a key K2 used for decrypting an encrypted file is recorded at a specified region that is not referred to from a specified file system in the recording region of the optical disk (a step 651).例文帳に追加

光ディスクの記録領域における所定のファイルシステムから参照されない特定領域に、少なくとも暗号ファイルの復号に用いられる鍵Ｋ２に関する情報が記録される（ステップ６５１）。 - 特許庁

The thickness of the second region 3e2 is relatively smaller than that of the first region 3e1, and a boundary part of both regions forms a step 3e3 on the outer surface of the body part 3e.例文帳に追加

第２領域３ｅ２の肉厚は第１領域３ｅ１の肉厚よりも相対的に小さく、そのために、両領域の境界部はボディー部３ｅの外面において段差部３ｅ３を形成している。 - 特許庁

In a step S104, a PL spectrum of a wavelength region including a yellow band wavelength band and a wavelength region including a band edge wavelength corresponding to a band edge of the gallium nitride semiconductor layer, is measured at room temperature.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、イエローバンド波長帯を含む波長領域および窒化ガリウム系半導体層のバンド端に対応するバンド端波長を含む波長領域のＰＬスペクトルを室温で測定する。 - 特許庁

The method for storing and managing additional information in the file system includes: a first step for retrieving a region where the information of the file stored in the directory entry is not used; a second step for storing additional information into the retrieved region unused; and a third step for locating the position of the additional information by using the signature and checksum of the stored additional information.例文帳に追加

また、ディレクトリエントリーに保存されたファイルの情報が未使用状態である領域を検索する第１ステップと、前記検索された未使用状態である領域に追加情報を保存する第２ステップと、前記保存された追加情報のシグネチャと検査和とを用いて追加情報の位置を探す第３ステップと、を含む方法。 - 特許庁

The method has a step of receiving ultrasonic information from a volumetric region (16) of an object, a step of volume scan converting the ultrasonic information from the volumetric region to process a rendering box (30), and a step of volume rendering the rendering box (30) to project on a 2-D slice, using a volume rendering method.例文帳に追加

本方法は、物体の一部の体積領域（１６）から超音波情報を受け取るステップと、レンダリング・ボックス（３０）を処理するために前記体積領域からの超音波情報をボリューム走査変換するステップと、ボリューム・レンダリング手法を用いて２Ｄスライス上にレンダリング・ボックス（３０）を投影するためにレンダリング・ボックスをボリューム・レンダリングするステップとを有する。 - 特許庁

Fabrication process of the silicon carbide semiconductor device 1 comprises a step for forming a trench 11 in the major surface 2b of the epitaxial growth layer 2, a step for forming the silicon carbide semiconductor region 3 selectively in the trench 11 by epitaxial growth, and a step performing heat treatment for activating impurities in the silicon carbide semiconductor region 3.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置１の製造方法は、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂに溝１１を形成する工程と、溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域３中の不純物を活性化させるための熱処理を施す工程とを備えている。 - 特許庁

A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.例文帳に追加

半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a first well region by implanting first ions into a semiconductor substrate and then forming a second well region by implanting second ions in a larger mass than that of the first ions, and a step of annealing the products to form the well region.例文帳に追加

半導体基板に第１イオンでイオン注入工程を行って第１ウェル領域を形成した後、前記第１イオンよりマスの大きい第２イオンでイオン注入工程を行い、前記形成された第１ウェル領域に第２ウェル領域を形成する段階と、前記結果物にアニール工程を行ってウェル領域を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The method further comprises: a step of forming a resist pattern in the second region by the photolithography process; and a step of processing the insulating layer and the film to be processed using the side wall film in the first region and the resist pattern in the second region as masks and then forming a wiring trench in the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記第２領域においてフォトリソグラフィ工程によりレジストパターンを形成する工程と、前記第１領域における前記側壁膜と前記第２領域における前記レジストパターンとをマスクとして前記絶縁膜および前記被加工膜を加工し、前記被加工膜に配線溝を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor thin film is provided with a step for forming a single crystal region 2 which becomes a crystalline nucleus by locally melting and solidifying an amorphous silicon thin film 3, and a step for expanding the single crystal region 2 by growing a crystal so as to become reverse directions to each other about the center of the single crystal region 2.例文帳に追加

半導体薄膜を製造する方法は、アモルファスシリコン薄膜３を部分的に溶融固化させることにより、結晶核となる単結晶領域２を形成させるステップと、単結晶領域２を中心に互いに逆方向になるように結晶成長させて単結晶領域２を拡大させるステップと、を備える。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of curving a substrate 4 having a mounting region 3 on which a semiconductor chip 1 is mounted so that the mounting region 3 is convex; and a step of holding the semiconductor chip 1 with a collet 9 and bonding/mounting the semiconductor chip 1 with/on the mounting region 3 via a mount member 2.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体チップ１が搭載される搭載領域３を有する基板４を、搭載領域３が凸となるように湾曲させる工程と、半導体チップ１をコレット９により保持し、半導体チップ１をマウント材２を介して搭載領域３に接着及び搭載する工程を有する。 - 特許庁

The image processing method includes the steps of: searching a region to embed additional information on the basis of predetermined conditions when embedding the information into image data; determining whether a region which fulfills the predetermined conditions has been searched in the searching step; and embedding the additional information into the region which has been determined in the determining step.例文帳に追加

画像データに付加情報を埋め込むに際して、所定条件に基づいて埋め込む領域を検索する検索ステップと、該検索ステップによって、所定条件を満たす領域が検索されたかどうかを判断する判断ステップと、該判断ステップによって判断された領域に付加情報を埋め込む埋め込みステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This way, the step part 3123 is arranged in a region which does not constitute a thrust bearing part, whereby the hub thrust region 3122 can be made at low cost by cutting without performing the final finishing by end mill, etc. to a section in the vicinity of the border between the inner region 3124 and the step part 3123, by the cutting of the rotor hub 31.例文帳に追加

このように、段差部３１２３をスラスト軸受部を構成しない領域に配置することにより、ロータハブ３１の切削において、内側領域３１２４と段差部３１２３との境界近傍の部位に対してエンドミル等による最終仕上げを行うことなく、ハブスラスト領域３１２２を切削にて低コストで形成することができる。 - 特許庁

The method of calculating the audience rating of advertisement can include a step of sensing an effective display region of a user terminal device that display a predetermined web page and a step of calculating the audience rating associated with an exposure in the effective display region with regard to an advertisement displayed on the web page.例文帳に追加

広告視聴率集計方法は、所定のウェブページを表示するユーザ端末機の有効表示領域を感知するステップと、ウェブページに掲載された広告に対して有効表示領域における露出と関連した視聴率を集計するステップとを含むことができる。 - 特許庁

The system for providing an advertisement includes a step of adjusting a quality index based on a maximum quality index and a minimum quality index among quality indexes of advertisements included in an advertisement region and a step of providing an advertisement according to the advertisement region based on the adjusted quality index.例文帳に追加

広告提供方法は、広告領域に含まれた広告の品質指数のうち、最大品質指数および最小品質指数に基づいて品質指数を補正するステップと、補正された品質指数に基づいて広告領域による広告を提供するステップとを含む。 - 特許庁

Rather than the method for manufacturing the device to include a step of forming a device region having a regular structure, it includes a step of employing a substantially regular structural part as advice activation region, after positively masking an irregular structural part in a formed porous layer.例文帳に追加

本発明におけるデバイス製造方法は、規則的な構造を有する多孔質層のデバイス領域を形成するのではなく、形成された多孔質層から積極的に不規則な構造部分をマスキングし、実質的に規則的な構造部分のみをデバイス活性領域として用いる。 - 特許庁

In a method for diagnosing in-pile equipment irradiated with neutrons in a nuclear reactor, a small sample whose materials are much the same as those for a region of the in-pile equipment to be evaluated is placed near the region to be evaluated (Step S1) and the reactor is operated during a prescribed period (Step S2).例文帳に追加

原子炉の炉内で中性子照射を受けた炉内機器の診断方法において、炉内機器の評価対象部位とほぼ同一の材質の小型試料を、その評価対象部位の近傍に設置して（工程Ｓ１）、所定の期間、原子炉を運転する（工程Ｓ２）。 - 特許庁

A human region detection apparatus derives the edge strength of each pixel of a target image (Step S21) and sets each group of adjacent pixels whose edge strength belongs to the same level in the target image as a contour region belonging to the level (Step S23).例文帳に追加

人物領域検出装置では、対象画像の各画素におけるエッジ強度が導出され（ステップＳ２１）、対象画像においてエッジ強度が同一のレベルに属し互いに隣接する画素群がそれぞれ、当該レベルに属する等高領域として設定される（ステップＳ２３）。 - 特許庁

A filling recess 25 for sealing agent s is formed at the bottom face 23 of an engaging recess 22, and a marginal step face 30 is formed around that, and an annular region is formed between the outer peripheries of the filling recess 25 and the marginal step face 30, while forming a visual region 32 of wide width at a part.例文帳に追加

嵌合凹部２２の底面２３にはシール剤ｓの充填凹部２５が形成されるとともに、その回りに限界段差面３０が形成され、充填凹部２５と限界段差面３０との外周縁の間に環形領域ができるが、一部に幅広の目視領域３２が形成される。 - 特許庁

The optical unit 34 has an 8-step form in the center region in the diffraction grating pattern 41a and has a 4-step form in the peripheral region in the diffraction grating pattern 42a by superimposing effect of the diffraction grating patterns 41a, 42a.例文帳に追加

この光学ユニット３４は回折格子パターン４１ａ、４２ａの両者の重畳作用により、回折格子パターン４１ａにおける中央領域では８段の階段形状、回折格子パターン４２ａにおける周辺領域では４段の階段形状から構成することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device formed in a plurality of device regions on a substrate, comprising semiconductor layers, comprises a groove forming step for forming a groove on the substrate at the circumference of the device region, and a semiconductor growing step for growing a semiconductor layer in the device region.例文帳に追加

基板上の複数の半導体層からなるデバイス領域に形成される半導体装置の製造方法であって、デバイス領域の周囲の基板上に溝を形成する溝形成ステップと、デバイス領域に半導体層を成長させる半導体成長ステップとを有する。 - 特許庁

The detection method includes: (A) a step of preparing a template DNA from a sample; and (B) a step of carrying out amplification within an amplifiable base sequence region by using a combination of amplification primers for amplification in a region including a fusion point with respect to the template DNA.例文帳に追加

検出方法は、（Ａ）試料から鋳型ＤＮＡを調製する工程、（Ｂ）前記鋳型ＤＮＡに対し、融合点を含む領域を増幅する増幅用プライマーの組合せを使用することによって増幅可能な塩基配列領域内を増幅する工程を含む。 - 特許庁

A method of manufacturing a photomask comprises: a step S12 of preparing a half-tone-type phase shift mask on which a mask pattern is formed; and a step S15 of forming a light-shielding frame by selectively applying a light-shielding material onto a region around the region in which the mask pattern is formed.例文帳に追加

実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程Ｓ１２と、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程Ｓ１５とを備える。 - 特許庁

At the time of making a cleaning gas to flow in a cleaning step performed for removing deposited films deposited in a treating step, the temperature of a cleaning gas supplying-side region A is set to a low value and, conversely, the temperatures of the successive regions B, C, and D are set to high values toward the exhausting-side relatively to the temperature of the region A.例文帳に追加

処理工程で堆積した堆積膜を除去するためのクリーニング工程で、クリーニングガスを流す際、クリーニングガス供給側の領域Ａの温度を低く設定し、逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって、相対的に温度を高く設定する。 - 特許庁

The method for manufacturing a SiC semiconductor device comprises: a step for forming a trench 6 before formation of an n^+ type source region 4; a step for executing rounding processing of the trench 6; an ion implanting and an activation annealing steps for forming the n^+ type source region 4 in a state that a resist 21 covers in the trench 6.例文帳に追加

ｎ^+型ソース領域４を形成する前にトレンチ６を形成すると共に、トレンチ６の丸め処理を行ったのち、トレンチ６内をレジスト２１で覆った状態でｎ^+型ソース領域４を形成するためのイオン注入工程および活性化アニール工程を行う。 - 特許庁

In the step of bonding/mounting the semiconductor chip 1, the mounting of the semiconductor chip 1 on the mounting region 3 is started in the state that the mounting region 3 is curved, and the bonding area of the semiconductor chip 1 to the mounting region 3 is extended as gradually relieving the curve of the mounting region 3.例文帳に追加

半導体チップ１を接着及び搭載する工程では、搭載領域３が湾曲された状態で搭載領域３上への半導体チップ１の搭載を開始し、搭載領域３の湾曲を徐々に解消しながら搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積を徐々に拡大させる。 - 特許庁

A press belt 2 is formed such that a step is formed between the outer circumference surface of the region corresponding to both edges and the outer circumference surface of the central region so that the thickness of the region B corresponding to both edges positioned in accordance with both edges of the width direction of a press roll 1 or a pressurizing shoe 3 is smaller than that of the central region A.例文帳に追加

プレスベルト２は、プレスロール１または加圧シュー３の幅方向における両端部に対応して位置する両端部対応領域Ｂの厚みが中央領域Ａの厚みよりも小さくなるように、両端部対応領域の外周面と中央領域の外周面との間に段差が形成される。 - 特許庁

A step S1 is formed between the display region and the peripheral region on the surface of at least one substrate 1 so that the thickness of the liquid crystal 3 disposed in the display region is controlled to ≤2 μm and that the thickness of the adhesive 4 provided in the peripheral region is controlled to over 2 μm.例文帳に追加

少なくとも片方の基板１の表面は、表示領域と周縁領域との間に段差Ｓ１が形成されており、表示領域に配された液晶３の厚みが２μｍ以下に制御され、周縁領域に配された接着剤４の厚みが２μｍを超えるように制御されている。 - 特許庁

A method for determining the arrangement of the power interconnection comprises a step of delimiting a semiconductor integrated circuit in grid form, calculating a numeric value as an index of the power consumption for every region of each grid form, dividing the semiconductor integrated circuit into a block region including not less than one grid region, and surrounding each block region.例文帳に追加

半導体集積回路を格子状に区切り、各格子状の領域ごとに消費電力の指標となる数値を算出し、半導体集積回路を１つ以上の上記格子領域を含むブロック領域に分割し、各ブロック領域を囲むように電源配線の配置を決定する。 - 特許庁

Further, the imaging device sets a weighting coefficient of each face region according to the distance information of the AF area corresponding to each face region (step SP15) and corrects brightness of a taken image based on the luminance in each face region and the weighting coefficient of each face region (steps SP19 and SP20).例文帳に追加

また、当該撮像装置は、各顔領域に対応するＡＦエリアの距離情報に応じて各顔領域に対する重み付け係数を設定し（ステップＳＰ１５）、各顔領域の輝度と各顔領域の重み付け係数とに基づいて撮影画像の明るさを補正する（ステップＳＰ１９，ＳＰ２０）。 - 特許庁

In the first step, a degenerated region 5 is formed in a region 3, where an inner peripheral surface of a through-hole 2 is to be formed, of the glass substrate 1 by irradiating the region 3 with a laser beam 4 and scanning the focal point of the laser beam 4 in the region 3.例文帳に追加

第１工程では、ガラス基板１の貫通孔２の内周面の形成が予定される内周面予定領域３にレーザ光４を照射してそのレーザ光４の焦点を内周面予定領域３内において走査することにより、内周面予定領域３に変質領域５を形成する。 - 特許庁

A worker selects an attribute becoming a key from a coordinates region, a density region, a hue region and a space frequency region and selects a dot group wherein a plurality of dot kinds consisting of a binary dot and a multivalue dot larger than it fitted to a plurality of respective regions divided with respect to the key are combined (step S1).例文帳に追加

作業者が座標域、濃度域、色相域、空間周波数域のうちからキーとなる属性を選択し、キーについて分割された複数の領域のそれぞれに適した２値網点およびそれより大きい多値網点からなる複数の網点種を組み合わせた網点グループを選択する（ステップＳ１）。 - 特許庁

Further, the substrate has, in the substrate, a first conductivity type source region 121 formed below the first upper surface, a second conductivity type drain region 121 formed below the second upper surface, and a second conductivity type lateral diffusion region 123 formed between the step lateral face S3 and the source region 121.例文帳に追加

さらに、基板内において、第１上面の下方に形成された第１導電型のソース領域１２１と、第２上面の下方に形成された第２導電型のドレイン領域１２２と、段差側面Ｓ３とソース領域１２２との間に形成された第２導電型の側方拡散領域１２３とを備える。 - 特許庁

Then for a mask 220 for full exposure for forming the outermost circumferential part of the substrate for the electrooptical device into a second resin removing region 126 in a full exposure step, a solid light shielding part 221 is formed on a region corresponding to the strip adjacent region 127 and a light transmitting region 223 is formed on the outer circumference side thereof.例文帳に追加

そして、完全露光工程で電気光学装置用基板の最外周部を第２樹脂除去領域１２６とするための完全露光用のマスク２２０には、帯状隣接領域１２７に対応する領域にベタの遮光部２２１を形成し、その外周側に透光部２２３を形成する。 - 特許庁

When the sum total size exceeds a preset reference data size (step S4; YES), the spool date data contained in printing control data is read (step S5) and the printing data spooled first of all among printing data is eliminated from the spool region (step S6).例文帳に追加

合計サイズが予め設定された基準データサイズを超えている場合（ステップＳ４；ＹＥＳ）、印刷管理情報に含まれるスプール日時情報を読み出して（ステップＳ５）、印刷データのうち最先にスプールされた印刷データをスプール領域から削除する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The method of patterning the organic metal film includes a step of forming the organic metal film 3 on a first base 21, a step of pressing a pressed region 310 set at part of the organic metal film 3 with an indenter 4 along the film thickness, and a step of etching the organic metal film 3.例文帳に追加

第１の基材２１上に有機金属膜３を形成する工程と、有機金属膜３の一部に設定した加圧領域３１０を圧子４により膜厚方向に加圧する工程と、有機金属膜３にエッチング処理を施す工程とを有する。 - 特許庁

Further, the antenna 3 is manufactured by a step of punching a plate shaped work to form an antenna shape, a step of integrating a prescribed region of the antenna shape with resin mold; and a step of separating the resin-molded antenna shape from the work and finishing the shape.例文帳に追加

また、このアンテナ３は、板状のワークを打ち抜きアンテナ形状を形成する工程と、前記アンテナ形状の所定領域を樹脂モールドにより一体化する工程と、樹脂モールドされたアンテナ形状を前記ワークから切り離し仕上げる工程により製造される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a first heat treatment protective film (silicon nitride film 6) after the ion implantation for introducing an impurity, a step of forming a second heat treatment protective film (silicon nitride film 7), and a step of conducting heat treatment to form a well in the impurity diffusing region.例文帳に追加

不純物を導入するイオン注入後に第１の熱処理用保護膜（窒化シリコン膜６）を形成し、次に第２の熱処理用保護膜（窒化シリコン膜７）を形成してから、不純物拡散領域であるウェルを形成するための熱処理を行う。 - 特許庁

The step absorption layers are positively formed on each internal electrode, and the separation regions are provided at places opposite to the step absorption layers from the first, thus achieving absorption in the separation region even if the step absorption layer deviates to some extent at formation.例文帳に追加

各内部電極上に積極的に段差吸収層を形成し、その段差吸収層に対向する箇所に離間領域を当初から設けているため、段差吸収層が多少ずれて形成されたとしても、離間領域で吸収することができる。 - 特許庁

The pattern forming device 100 measures the elongation and contraction of a base material length (step 902) and measures the position of the previous process pattern (step 904) relating to the region where the elongation and contraction ratio ((L+ΔL)/L) of the base material length is not within a prescribed range (No of step 903).例文帳に追加

パターン形成装置１００は、基材長の伸縮を測定し（ステップ９０２）、基材長の伸縮割合（（Ｌ＋ΔＬ）／Ｌ）が所定の範囲内にない領域に関しては（ステップ９０３のＮｏ）、前工程パターンの位置測定を行う（ステップ９０４）。 - 特許庁

Otherwise, on the whole winding region of the vertical deflection coil 23, the large portion of the whole winding quantity may be wound as the first step, and the remaining small portion may be wound in piles as the second step on the first step portion where the electric charge is concentrated by a voltage influence of the horizontal deflection coil.例文帳に追加

また、垂直偏向コイルの全巻線領域に、全巻線量の大半を１段目として巻線し、残り少量部分を２段目として、水平偏向コイルの電圧影響で電荷が集中する１段目の部分に重ねて巻線してもよい。 - 特許庁