「step region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In an OPC (optical proximity correction) step, a pattern prepared by arranging the approximate pattern in a peripheral region of each cell is subjected to an OPC process.例文帳に追加

ＯＰＣステップは、前記各セルの周辺領域に前記近似パターンを配置したパターンに対して、ＯＰＣ処理を行う。 - 特許庁

In the encoding processing here, encoding processing is executed for each segmented region segmented by the processing in the step S407.例文帳に追加

ここでの符号化処理では、ステップＳ４０７の処理で分割された分割領域毎にそれぞれ符号化処理を実行する。 - 特許庁

Character recognition processing is done for each character in a character region using a characteristic quantity vector in the assumed direction (step S13).例文帳に追加

仮定した方向で特徴量ベクトルを用いて文字領域内の各文字に対して文字認識処理を行う（ステップＳ１３）。 - 特許庁

Then, the information on a photographing region and the information on a photographing direction attached to the medical image are acquired (a step S2).例文帳に追加

次に、医用画像から、医用画像に付帯されている撮影部位情報及び撮影方向情報を取得する（ステップＳ２）。 - 特許庁

A stepped-down part 52 stepped down inward by one step from an adjacent region 29 is formed at the end of the fourth side plate 18.例文帳に追加

第４の側板１８の端部には、隣接領域２９よりも一段内側へ落ちた段落ち部５２が形成されている。 - 特許庁

The method includes a step of establishing the region (70) at a process temperature between a martensitic start temperature and a stable austenitic temperature.例文帳に追加

この方法は、マルテンサイト開始温度と安定オーステナイト温度との間の処理温度で領域(70)を確立するステップを有する。 - 特許庁

A mark candidate in the observing region is extracted from the distribution of the first feature quantity obtained as above (step 146).例文帳に追加

こうして求められた第１の特徴量の分布から観察領域内におけるマーク候補を抽出する（ステップ１４６）。 - 特許庁

The value of the determined carryover game number is set in the prescribed region of the RAM 25 by a CPU 26 (step 203).例文帳に追加

次に、決定されたフラグ持ち越し遊技数の値が、ＣＰＵ２６によってＲＡＭ２５の所定領域にセットされる（ステップ２０３）。 - 特許庁

In step S130, process to obtain a drying rate profile of functional fluid in a pixel image region with regard to each pixel, is executed.例文帳に追加

ステップＳ１３０にて、各画素について、画素領域範囲における機能液の乾燥速度プロファイルを取得する処理を行う。 - 特許庁

The termination region is formed by single-step ion injection in which the kind of impurity and injection energy are fixed.例文帳に追加

終端領域は、不純物の種類および注入エネルギーを固定した１段階のイオン注入によって形成される。 - 特許庁

Then, the cover PR formed on a scribe line region 16 in the semiconductor wafer 10 is exposed (primary exposure step).例文帳に追加

その後、半導体ウエハ１０におけるスクライブライン領域１６上に形成されたカバーＰＲを露光する（第１露光工程）。 - 特許庁

A protruding portion 41 of the hook plunger 40 is provided with two sides step-shaped which can thrust by abutting against a different region of a handset.例文帳に追加

また、フックプランジャ４０の突起部４１は、ハンドセットの異なる部位が当接して押圧できる段差形状の二面を備える。 - 特許庁

The entropy encoding step transforms the rearranged image data of spatial frequency region into image compression data by entropy encoding.例文帳に追加

エントロピー符号化ステップは、組み換えた空間周波数領域の画像データをエントロピー符号化して画像圧縮データに変換する。 - 特許庁

(A) A first heating step 3a that rises temperature until each of the surface temperature and the center temperature becomes a molding temperature region.例文帳に追加

（Ａ）その表面温度および中心温度のそれぞれが成形温度域となるまで昇温する第一の加熱工程３ａ。 - 特許庁

The process of dividing the first substrate 10 includes a step of cutting the first substrate 10 in the region inside the recess 14.例文帳に追加

第１の基板１０を分割する工程は、第１の基板１０を凹部１４の内側の領域で切断することを含む。 - 特許庁

Parameters such as the size of a cloth region, the width of a basic yarn, the width of a fine yarn consisting of the basic yarn or the like are inputted at the step S11.例文帳に追加

布領域のサイズ、基本糸幅、基本糸を構成する微細糸の幅等のパラメータを入力する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

A method for measuring impurity distribution of a semiconductor device provided with a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region includes an observation step of acquiring an SEM image of an observation face including the p-type semiconductor region and the n-type semiconduction region while applying a reverse bias voltage to the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region.例文帳に追加

この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。 - 特許庁

At a prescribed timing after the reproduction for a reproduction region in a region contained in a data region of the information recording medium is requested, whether data are recorded in the entire demanded reproduction region or whether a non-recorded region where data are not recorded exists in at least a part of the demanded reproduction region is determined (step 441).例文帳に追加

情報記録媒体のデータ領域に含まれる領域を再生領域とする再生要求があった時点以降の所定のタイミングで、要求された再生領域の全部にデータが記録されているか、あるいは要求された再生領域の少なくとも一部にデータが記録されていない未記録領域が存在するかのいずれかが決定される（ステップ４４１）。 - 特許庁

A step for forming a first insulating film on the semiconductor substrate in the nonvolatile memory transistor region, a step for forming a second insulating film on the first insulating film, a step for forming a third insulating film on the second insulating film, and a step for forming a fourth insulating film on the substrate in the MOS field effect transistor region, are processed simultaneously.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタ領域の半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程とＭＯＳ電界効果トランジスタ領域の半導体基板上に第４の絶縁膜を形成する工程とを同時に行う。 - 特許庁

In an etching method of selectively etching a polysilicon film 12 on a lower layer film 11 having a step 11a to form a specified pattern on the film 12, only a step region 12a of the polysilicon film 12 are selectively etched and the polysilicon film 12 with the etched step region 12a is selectively etched to form a specified pattern on non-step regions.例文帳に追加

段差部１１ａを有する下層膜１１上に形成されたポリシリコン膜１２をエッチングしてポリシリコン膜１２に所定のパターンを形成するエッチング方法であって、ポリシリコン膜１２の段差部領域１２ａのみを選択的にエッチングし、段差部領域１２ａがエッチングされたポリシリコン膜１２を選択的にエッチングして非段差部領域に所定のパターンを形成する。 - 特許庁

A method for forming a MOSFET array includes a step for preparing a substrate, a step for forming ac conductor layer on the substrate, a step for injecting dopant species into conductor layer, a step for counter- doping the non-mask part of the doped conductor layer and masking a part of the doped conductor layer and step for forming a depletion conductor region on the substrate.例文帳に追加

本発明のＭＯＳＦＥＴアレイを形成する方法は、基板を準備するステップと、基板上に導体層を形成するステップと、導体層中にドーパント種を注入するステップと、ドープした導体層の一部分をマスクするステップと、ドープした導体層の非マスク部分をカウンタ・ドープして基板上に空乏導体領域を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The method includes an image acquisition step of acquiring an image in a solution through a polarization filter, a binarization step of binarizing the acquired image, and a measurement step of measuring the area of a region of one of the binarized images.例文帳に追加

溶液中の画像を偏光フィルタを通じて取得する画像取得工程と、取得した画像を二値化する二値化工程と、二値化された画像中の一方の領域の面積を計測する計測工程と、を含む溶液の評価方法である。 - 特許庁

In a step S2, a netlist 2, where dummy cells for wiring are inserted into the netlist 1, is generated, and in a step S3, referring to a netlist 2, a dummy cell for wiring and a logic cell which constitute the netlist 2, are automatically arranged in the arrangement region set in the step S1.例文帳に追加

ステップＳ２で、ネットリスト１に配線用ダミーセルを挿入したネットリスト２を生成し、ステップＳ３でネットリスト２を参照しネットリスト２を構成する論理セルと配線用ダミーセルを、ステップＳ１で設定した配置領域に自動配置する。 - 特許庁

The method for forming a thin film pattern comprises a step for forming a bank B on a substrate P, a step for arranging functional liquid L in a region sectioned by the bank B, and a step for forming a film pattern F by drying the functional liquid L arranged on the substrate P.例文帳に追加

基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。 - 特許庁

The step 3 for curing the address electrode pattern repeats a step for irradiating the address electrode pattern with UV-rays while conveying the rear glass substrate, and a step for subsequently cooling the region of the rear glass substrate irradiated with UV-rays at least twice.例文帳に追加

アドレス電極パターンをキュアするステップ３は、背面ガラス基板を搬送しつつアドレス電極パターンに紫外線を照射するステップと、その後、背面ガラス基板の紫外線が照射された領域を冷却するステップとを少なくとも２回繰り返す。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a method comprising: (a) a step of preparing a substrate on which a silicon layer 1c is formed via an insulating layer 1b; and (b) a step of forming an element isolation insulating film 3 in the silicon layer in the first isolation region and the second isolation region of the substrate.例文帳に追加

（ａ）絶縁層１ｂを介してシリコン層１ｃが形成された基板を準備する工程と、（ｂ）基板の第１の分離領域および第２の分離領域のシリコン層中に素子分離絶縁膜３を形成する工程と、を有するよう製造する。 - 特許庁

Therefore, even when the second region 65 is exposed by the leaked light in the first exposure step a11, the second region 65 is further exposed to spot light in the second exposure step a12 to eliminate the influence of the exposure by the leaked light.例文帳に追加

したがって第１露光段階ａ１１で第２領域６５が漏れ光によって露光されても、第２露光段階ａ１２でさらに第２領域６５をスポット光によって露光することによって、漏れ光による露光の影響をなくすることができる。 - 特許庁

A foot placing member 20 is arranged at a retreating position out of the wheel interference preventing region A when the step body 10 is in the fender state and arranged at a using position in the wheel interference preventing region A when it is in the step state, and its upper surface forms a pedaling surface 20A.例文帳に追加

足載せ部材20は、ステップ本体10がフェンダー状態である時に車輪干渉防止領域Ａ外の退避位置に配置され、ステップ状態である時に車輪干渉防止領域Ａ内の使用位置に配置され、その上面が踏面20Ａとされる。 - 特許庁

The laser annealing method includes a step of executing laser beam irradiation on irradiation conditions that a non-crystal region (region A) is subjected to phase change into a granular crystal region (region P) consisting of granular crystals of 0.05-0.2 um average grain size and a formed granular crystal region is not subjected to phase change.例文帳に追加

シリコン結晶化膜を作製するレーザアニール方法において、非結晶領域（領域Ａ）が平均粒径０．０５〜０．２ｕｍの粒状結晶で構成される粒状結晶領域（領域Ｐ）に相変化され、かつ既に形成されている粒状結晶領域が相変化されないような照射条件で、レーザ光を照射する。 - 特許庁

The hot pressure welding step comprises removing heat in a second region, the remaining region of a first region 22 adjacent to the electrical connection pad H1105 of the front surface of the support plate 10, while heating the first region 22 or while preventing heat radiation from a flying lead H1304 and the electric connection pad H1105 to a first region 22.例文帳に追加

熱間圧接ステップは、支持台１０の表面のうち電気接続パッドＨ１１０５に近接する第１の領域２２への、フライングリ−ドＨ１３０４および電気接続パッドＨ１１０５からの放熱を防止しながら、または第１の領域２２を加熱しながら、残りの領域である第２の領域を除熱することを含んでいる。 - 特許庁

The N type impurity for forming a lightly doped source region and drain region 22 of an N type MOS transistor and the N type impurity for forming a base region 26 of a vertical PNP transistor are doped by the same step.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタの低濃度ソース領域及びドレイン領域２２を形成するためのＮ型不純物の導入と、バーチカルＰＮＰトランジスタのベース領域２６を形成するためのＮ型不純物の導入を同一の工程で行う。 - 特許庁

To provide a ball mounting mask that has neither a step nor strain due to a difference in plate thickness at a boundary between an opening region and a non-opening region by protruding many ribs (protrusions) having a specified height downward on the bottom surface of the non-opening region.例文帳に追加

非開口部領域の底面に所定の高さを有する多数のリブ（突条）を下向きに突設することにより、開口部領域と非開口部領域との境目に板厚の差に基づく段差や歪みが発生しないボール搭載マスクを得る。 - 特許庁

An optical device includes a laser chip 110, a package member 120 for holding the laser chip 110 on the bottom surface of a space region whose periphery is surrounded by a wall, and a cover glass 140 which is connected to a step portion of the wall of the space region and which seals the space region.例文帳に追加

レーザチップ１１０と、周囲が壁で囲まれている空間領域の底面上にレーザチップ１１０を保持するパッケージ部材１２０と、空間領域の壁の段部に接合され、空間領域を密閉するカバーガラス１４０とを有している。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises an exposure step of using, as a photomask, a reticle 51 with light transmission quantities different from each other in a region inside a first line L1, a region from the first line L1 to a second line L2 and a region outside the second line L2.例文帳に追加

露光工程において、フォトマスクとして、第１のラインＬ１より内側の領域と、第１のラインＬ１から第２のラインＬ２までの領域と、第２のラインＬ２より外側の領域の光透過量がそれぞれ異なるレチクル５１を用いる。 - 特許庁

Next, after depositing another oxide film 21 in the film thickness of about 1500 Å on the whole surface, the element isolating oxide film is selectively removed from the region of a tunnel oxide film 11 and the region intersecting with a prospective source forming region by the SAS etching step.例文帳に追加

その後、全面に酸化膜２１を約１５００Åの膜厚で堆積した後、ＳＡＳエッチングにより、トンネル酸化膜１１及びソース形成予定領域と交叉する領域における素子分離酸化膜を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a picture encoding device and method for judging a character region and non-character region in a picture to be encoded by using the process of encoding processing, and executing quantization by using a quantization step corresponding to each judged region.例文帳に追加

符号化処理の過程を用いて符号化対象の画像における文字領域、非文字領域を判定し、判定した各領域に応じた量子化ステップを用いて量子化を行う画像符号化装置、及び画像符号化方法を提供すること。 - 特許庁

Preferably, the elements in the terminal region are formed in the same process step as that used to form active elements of the device.例文帳に追加

好ましくは、終端領域の素子は、デバイスの活性素子を形成するのに使用されるのと同じプロセスステップ中に形成される。 - 特許庁

When the fundus oculi image is determined to be inputted, the whole image region of the fundus oculi image is divided into a plurality of areas in a step S2.例文帳に追加

眼底画像の入力が有と判断された場合は、ステップＳ２で、眼底画像の全画像領域を複数のエリアに分割する。 - 特許庁

To provide a polarization converting element being simply formed without going through a complicated step and exhibiting high performance in a broad band region.例文帳に追加

煩雑な工程を経ることなく簡易に形成することができ、広帯域において高性能な偏光変換素子を提供する。 - 特許庁

In a "minimum preference mode", any smaller one of the regions of the "actual size" and the region of the "designated size" is read (step S25).例文帳に追加

「最小優先モード」では、「実サイズ」に係る領域と「指定サイズ」に係る領域とのうちの小さい方が読み取られる（ステップＳ２５）。 - 特許庁

A method for operating an upper node in the wireless communication system employing relay includes a step for setting transmission/reception mode switching region information of a relay station, a step for transmitting a signal to a terminal located in a service region in a first section of a downlink subframe by using resource allocation information, and a step for transmitting mode switching region information and a signal in a second section of the downlink subframe.例文帳に追加

中継方式を用いる無線通信システムの上位ノードの動作方法であって、中継局の送受信モード切換領域情報を設定するステップと、資源割り当て情報によってダウンリンク・サブフレームの第１区間でサービス領域に位置する端末に信号を送信するステップと、ダウンリンク・サブフレームの第２区間でモード切換領域情報及び信号を送信するステップと、を含む。 - 特許庁

In the bonding material formation step S1, the bonding material is formed to have a predetermined shape pattern in a mounting region of a component.例文帳に追加

接合用材料形成工程Ｓ１では、部品の実装領域に、接合用材料を、所定の形状パターンでもって形成する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a first region having a first pattern density on the semiconductor substrate 1, and a second region having a second pattern density that is smaller than the first pattern density; a step of forming a light transmission film that is composed of a silicon oxide film and silicon nitride film on the first region; and a step of irradiating the semiconductor substrate 1 with light through the light transmission film.例文帳に追加

本発明では、半導体基板１上に、第１のパターン密度を有する第１の領域と、第１のパターン密度より密度が小さい第２のパターン密度を有する第２の領域を形成する工程と、前記第１の領域上にシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜からなる光透過膜を形成する工程と、前記光透過膜を通して前記半導体基板１に光を照射する工程と、を備える。 - 特許庁

The method includes: a step of preparing a liquid jet recording head with an electric wiring member with a connection opening that communicates a region surrounded by the recording element substrate, a support part and a plurality of electrode leads with air; a step of applying the sealing material to a surface of the plurality of electrode leads; and a step of suctioning air in the region from the communication opening and introducing the sealing material to the region.例文帳に追加

記録素子基板と支持部と複数の電極リードとに囲まれる領域と大気とを連通する連通口を備える電気配線部材を備える液体噴射記録ヘッドを用意する工程と、複数の前記電極リードの表面に封止材を塗布する工程と、前記連通口から前記領域の空気を吸引し、前記領域に前記封止材導入する吸引工程と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier.例文帳に追加

表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。 - 特許庁