「step region」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The step drive profile is set by an aligning region layout, a step direction and a scan drive profile, etc., and is decided from the parameters of the acceleration and speed of the reticle and wafer stages, time after the step drive to the start of synchronous scan drive and the time from the start to alignment start, etc.例文帳に追加

ステップ駆動プロファイルは、露光領域レイアウト、ステップ方向、スキャン駆動プロファイル等によって設定でき、またレチクル、ウエハステージの加速度、速度、ステップ駆動後から同期スキャン駆動開始までの時間、同開始時から露光開始までの時間等のパラメータから決定する。 - 特許庁

Then, the image for instructing the region within the image data to be printed is clicked (step S6; YES), the kind of the object at the clicked position is obtained (step S7), so that the color change setting display is displayed with respect to the kind of the object at the clicked position (step S8).例文帳に追加

そして、印刷対象画像の画像データ内の領域を指定するために画像がクリックされると（ステップＳ６；ＹＥＳ）、クリックされた位置のオブジェクトの種類が取得され（ステップＳ７）、クリックされた位置のオブジェクトの種類に対する色変換設定画面が表示される（ステップＳ８）。 - 特許庁

Nondestructively testing includes a step (108) of generating an eddy current in the coated article; a step (110) of measuring the eddy current in the coated article; and a step (112) of evaluating a near-bond section region of the coated article located adjacent to the bond section using the measured eddy current.例文帳に追加

非破壊検査する段階は、被覆物品内に渦電流を発生させる段階（１０８）と、被覆物品内の渦電流を測定する段階（１１０）と、測定渦電流を使用してボンド部に隣接して位置する被覆物品のボンド部近傍領域を評価する段階（１１２）とを含む。 - 特許庁

This invention relates to a device for chemical and mechanical polishing of the boundary of a semiconductor device, including a protruding residual topography in a peripheral region of a substrate resulting from a layer transfer process based on an ion implantation step, a bonding step and a detachment step, such as a Smart-Cut (R) method.例文帳に追加

本発明は、スマート・カット（登録商標）法のようなイオン注入ステップ、ボンディング・ステップ及び剥離ステップに基づく層転写プロセスによって生じる基板の周辺領域に隆起残余トポグラフィーを備える半導体装置の境界の化学的機械的研磨装置に関する。 - 特許庁

The method for forming a wiring pattern 79 in a predetermined region on a substrate P by liquid drop ejection method comprises a step for forming a bank B on the substrate P, a step for imparting lyophilic properties to the substrate P, and a step for imparting liquid repellency to the bank B.例文帳に追加

基板Ｐ上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターン７９を形成する方法であって、基板Ｐ上にバンクＢを突設するバンク形成工程と、基板Ｐに親液性を付与する工程と、バンクＢに撥液性を付与する工程とを有している。 - 特許庁

When a pen device is set to a "reference information registration mode" and the region for adding reference information is designated on the medium, the pen device detects notes to the medium (step 601), the medium is irradiated with infrared light (step 602), and an invisible image on the medium is inputted (step 603).例文帳に追加

ペンデバイスを「参照情報登録モード」に設定し、媒体上で参照情報を付与する領域を指定すると、ペンデバイスは、媒体への筆記を検出し(ステップ６０１)、赤外光を媒体に照射し(ステップ６０２)、媒体上の不可視画像を入力する(ステップ６０３)。 - 特許庁

In the conductive member applying step, the conductive layer and a terminal for grounding are electrically connected to each other by applying the conductive member to a region from an edge of the extending region side of the protective film to the terminal for grounding of the first substrate.例文帳に追加

導電部塗布工程は、保護膜の張り出し領域側の端部から第１の基板の接地用端子にかけて導電部材を塗布することで、導電層と接地用端子とを電気的に接続する。 - 特許庁

A back face 3 of the turning scroll 3 is formed with two flat faces, which are a first back face region 331 with high profile irregularity and a second back face region 332 with normal profile irregularity, partitioned with a step difference 333.例文帳に追加

旋回スクロール３の背面３に高い面精度を有する第１背面領域３３１と通常の面精度を有する第２背面領域３３１との２つの平坦面を段差３３３を設けて区画形成する。 - 特許庁

In the first filling via conductor forming step, an isolated-region filling via conductor 210c is formed and, at the same time, a surrounding conductor layer 260 which surrounds an isolated region land section 210c through a gap is formed.例文帳に追加

このうち、１回目の充填ビア導体形成工程では、疎領域充填ビア導体２１０ｃを形成すると共に、この疎領域ランド部２１０ｃを間隙を介して囲む包囲導体層２６０を形成する。 - 特許庁

This method for automatic detection of obstruction in vasculature in an anatomical region includes a step for dividing the anatomical region into small areas at least partially based on the anatomical knowledge.例文帳に追加

解剖学的領域内の血管系の中の障害を自動的に検出するための方法は、少なくとも部分的に解剖学的知識に基づいて解剖学的領域を複数の小領域に区分けする段階を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of balancing prevention of generation of a leak current, with a reduction in the resistance in a diffusion region, in manufacturing a semiconductor device that include the diffusion region having a step.例文帳に追加

段差を有する拡散領域を含む半導体装置の製造に際し、リーク電流の発生回避と拡散領域内の低抵抗化との両立可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Through this thermal treatment step, an oxygen donor is generated at the specific region, and based on the quantity of the oxygen donor generated, a minute conductive property region is created inside the semiconductor substrate.例文帳に追加

この加熱処理する工程によって局所領域に酸素ドナーを発生させ、この酸素ドナーの発生量に基づいて半導体基板内に微小な導電特性領域を作成することを特徴としている。 - 特許庁

All the thumbnail images are displayed in the display target region, and displayed at the locations indicated by the image-location data within a peripheral displaying region 311 arranged at the periphery of a display screen 31 (step S120).例文帳に追加

これにより全てのサムネイル画像が表示対象領域内に収まるようにして、表示画面３１の周部に設けられた周部表示領域３１１内の画像位置データが示す位置に表示させる（ステップＳ１２０）。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based compound semiconductor substrate which includes a p-type region formed in a limited range in plan view, the substrate having no step between the p-type region and its periphery.例文帳に追加

平面視したときに限定された範囲にｐ型領域が形成されているIII族窒化物系化合物半導体基板であり、ｐ型領域とその周囲の領域との間に段差がない基板を提供する。 - 特許庁

Trenches are formed in the dummy region of the product edge and in a cutting region between products to improve a plating deviation, thereby improving a deviation between plating layers formed on the insulating layer in a plating step.例文帳に追加

製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にメッキ偏差の改善のためのトレンチが形成されることにより、メッキ工程の際、絶縁層上に形成されるメッキ層の偏差を改善することができる。 - 特許庁

The 1st surface 11 is sectioned in a center region 11a including an optical axis Ax and a circumferential region 11b positioned around it, and one step S is provided at the border along the optical axis.l例文帳に追加

第１面１１は、光軸Ａｘを含む中央領域１１ａと、その周囲に位置する周辺領域１１ｂとに区分され、これらの領域の境界に光軸方向の段差Ｓが一段設けられている。 - 特許庁

In the step of forming the wiring groove pattern, the wiring groove pattern is not formed in a region present above a peripheral part of the substrate 1, which is a region in which the plating film 9 is not formed in the insulating film 2.例文帳に追加

配線溝パターンを形成する工程は、絶縁膜２におけるメッキ膜９が形成されない領域である基板１の周縁部の上方に存在している領域には、配線溝パターンを形成しない。 - 特許庁

However, since the etching of the trench separation region 8 is stopped at the position of the step 4A, the depth of a slit being formed by the etching of the trench separation region 8 will not be deeper than that of the first trench 4.例文帳に追加

しかしながら、トレンチ分離領域８のエッチングは段差４Ａの位置で止まるため、トレンチ分離領域８のエッチングにより形成されるスリットの深さは第１のトレンチ４の深さよりも深くなることはない。 - 特許庁

Thus, a person to be measured (the patient ID) among the plurality of persons to be measured is predetermined and also a recommended region which expresses a region out of the right and left regions and is to be mounted to a cuff is predetermined (step S2).例文帳に追加

これにより、複数の被測定者のうち対象の被測定者（患者ＩＤ）を特定し、かつ、左部位および右部位のうちカフに装着すべき部位を表わす推奨部位を特定する（ステップＳ２）。 - 特許庁

A step having a prescribed depth is arranged in the alignment mark by making the surface of the semiconductor substrate 21 in a region sandwiched by the grooves lower than the surface of the semiconductor substrate 21 in the other region.例文帳に追加

これらの溝によって挟まれた領域の半導体基板２１の表面を他の領域の半導体基板２１の表面よりも低くすることによって、アライメントマーク部に所定の深さを有する段差を設ける。 - 特許庁

When a package is designed, a step 1A is provided on the boundary of a region for mounting a soldered part 5 and a region to be bonded with a seal ring 2 and the upper end of the soldered part 5 requiring no sealing is set lower than a sealed part 11.例文帳に追加

パッケージ設計時に、はんだ付け部品５実装領域とシールリング２接合領域を境に段差１Ａを設け、封止不要はんだ付け部品５上端高さが封止部１１高さより低くなるようにする。 - 特許庁

The method and device for laser microscopic cutting of a region of interest (23) of a sample (4) are formed with a cutting line (25), not closed, to enclose a sample region (23) of interest by a laser beam (7) in a first step.例文帳に追加

試料（４）の関心領域（２３）のレーザ顕微切断のための方法と装置において、第一ステップで、関心がある試料領域（２３）を取り囲む閉でない切断線（２５）がレーザ光線（７）によって生成される。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a resist layer on a semiconductor substrate; a step of exposing the resist layer with a grating mask; a step of developing the exposed resist layer to form a resist mask having a gradient; and a step of forming an impurity region by implanting ions in the semiconductor substrate via the resist mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、グレーティングマスクを用いてレジスト層を露光する工程と、 露光されたレジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを介して、半導体基板にイオンを注入することで不純物領域を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

When the face detection mode setting table indicates the detection accuracy Lv.1 in the detection accuracy Lv.1-Lv.3, a feature dictionary (step S102), an allowable rotation angle (step S103) and a detection region (step S104) that correspond to the detection accuracy Lv.1 are respectively read and the detection processing of a face image is executed (step S105).例文帳に追加

顔検出モード設定テーブルが検出精度Ｌｖ.１〜Ｌｖ.３において、検出精度Ｌｖ.１となっている場合には、検出精度Ｌｖ.１に対応する特徴辞書（ステップＳ１０２）、許容回転角度（ステップＳ１０３）、検出領域（ステップＳ１０４）を各々読み出し、顔画像の検出処理を実行する（ステップＳ１０５）。 - 特許庁

The method for manufacturing a BiCMOS integrated circuit has a step for forming a base region 211 of a bipolar transistor and a P-type well 212 of an N-channel MOS transistor in one injecting step, and a step for forming a collector contact body well 213 of the bipolar transistor and an N-type well 208 of a P-channel MOS transistor in one injecting step.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ集積回路を製造する方法は、バイポーラ・トランジスタのベース領域２１１とＮチヤンネルＭＯＳトランジスタのＰ形ウエル２１２とを１つの注入段階で作成する段階と、バイポーラ・トランジスタのコレクタ接触体ウエル２１３とＰチヤンネルＭＯＳトランジスタのＮ形ウエル２０８とを１つの注入段階で作成する段階とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first thin film composed of GeCOH or GeCH on a substrate to be processed, a step for removing a part of the first thin film, a processing step for performing a certain process on the substrate through the region formed by removing the first thin film, and a step for removing the first thin film.例文帳に追加

被処理基体上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成すると、この第１の薄膜の一部を除去する工程と、第１の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

An electric load is applied to a circuit pattern by a step of irradiating an electron beam for a predetermined time period to a wafer including the circuit pattern in a semiconductor manufacturing process to charge the circuit pattern to a predetermined charge voltage (Step 99), and a step of controlling a region surrounding the circuit pattern to a predetermined temperature by laser irradiation or the like (Step 106).例文帳に追加

半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。 - 特許庁

A region just under a charge holding part, of the bottom surface of both sides of the projection of a semiconductor substrate having a projection step in the cross-section in the direction perpendicular to the gate electrode is formed as a part of the diffusion layer region completely working as the source/drain on the active region.例文帳に追加

ゲート電極に垂直な方向の断面において、凸部の段差を有する半導体基板の凸部両側底面であって電荷保持部の直下である領域が、活性領域上では、全てソース／ドレインである拡散層領域の一部である構造にした。 - 特許庁

When the difference calculated in the image comparison circuit 12 is smaller than a prescribed value (a step S1 ; No), a transmission region data processing circuit 13 generates image data of a region to be transmitted in the image data and data showing a region from the difference between the image data and transmits them.例文帳に追加

画像比較回路１２において算出された差分が所定値より小のとき（ステップＳ１；Ｎｏ）、伝送領域データ処理回路１３は、画像データの差分から画像データのうち伝送する領域の画像データ及び該領域を表すデータを生成して送信する。 - 特許庁

When a torque command Tt overlapping a dead-band region is detected ("Yes" in determination at step S6) out of torque commands Tti distributed at a predetermined rate, the torque command Tt overlapping a dead-band region is corrected such that the absolute value has the minimum value outside the dead-band region.例文帳に追加

所定の割合で配分した各トルク指令Ｔｔｉのうち、不感帯の領域と重なるトルク指令Ｔｔを検出したら（ステップＳ６の判定が“Yes”）、不感帯の領域と重なっているトルク指令Ｔｔを、その絶対値が不感帯の領域外の最小値となるように補正する。 - 特許庁

At a step of video recording, recording is performed based on the setting, but when available capacity does not exist in the automatic overwriting region, overwriting erasing is performed in order from a recoded program of the region of which the recording date is older, when available capacity does not exist in the automatic overwriting prohibiting region, recording is not performed.例文帳に追加

録画段階では、前記設定に基づいて記録するが、自動上書き可能領域に空き容量が無い時には同領域の記録日時が古い既記録番組から順に上書き消去し、自動上書き禁止領域に空き容量が無い時には記録を行わない。 - 特許庁

Molecules of the liquid crystal of each sub-pixel region are aligned toward center of the sub-pixel region from the circumference of each of the sub-pixel region by a horizontal electric field applied between the pixel electrode 105 and the auxiliary electrode 107, and by the shape of the end of the transparent step film 116.例文帳に追加

各サブ画素領域の液晶は、画素電極１０５と補助電極１０７との間に印加される横電界と透明段差膜１１６の端部の形状とにより、それぞれのサブ画素領域の周辺からこれらのサブ画素領域の中心に向かって配向する。 - 特許庁

With a floating gate 8 which is substantially embedded in a channel region 4, the floating gate 8 is positioned in the velocity vector direction of the channel hot electrons for improved writing efficiency, so that the step between a drain region 13 and a source region 14 is eliminated for and glanarization is made.例文帳に追加

溝領域４にフローティングゲート８を実質的に埋め込んだことにより、チャネルホットエレクトロンの速度ベクトル方向にフローティングゲート８が位置するために書き込み効率を向上でき、ドレイン領域１３とソース領域１４との段差が解消され、平坦化がなされる。 - 特許庁

An ion implantation regulation step portion 14 with a predetermined thickness is formed at a film thickness variation portion 13 formed in a border region of the element separation oxide film 5 to an element formation region 6, thereby, whole region of the film thickness variation portion 13 is configured with the predetermined thickness regulating ion implantation.例文帳に追加

素子分離酸化膜５の、素子形成領域６との境界領域に形成される膜厚変化部位１３に所定の厚さのイオン注入規制段部１４を形成することにより、膜厚変化部位１３が全域に亘りイオン注入を規制する所定の厚みで構成されるようにする。 - 特許庁

The upper limit arrival region and the discrete region are defined as the object region of the high X-ray absorption coefficient (step 204), the projection data I_1 are corrected thereby and the corrected projection data I_1' are computed (steps 206-209), and the artifact is reduced before computing the reconstruction image P_1.例文帳に追加

上限値到達領域と不連続領域を高Ｘ線吸収係数の物体領域とし（ステップ２０４）、これを用いて投影データＩ_１を修正して修正投影データＩ_１’を演算し（ステップ２０６〜２０９）、アーチファクト低減処理を再構成画像Ｐ_１の演算前に行う。 - 特許庁

A unit region is irradiated by microwave projecting/ detecting mechanism 4 projects microwaves, where an irradiation step is performed or to region which covers the unit region, while a reflected microwave of the projected microwave is detected, and the intensity of the reflected microwave and the intensity change on time base are measured.例文帳に追加

マイクロ波照射兼検出機構４は、上記照射ステップが実施された単位領域又は該単位領域をカバーする領域にマイクロ波を照射すると共に、該照射されたマイクロ波の反射マイクロ波を検出し、かつ、該反射マイクロ波の強度及び該強度の時間的変化を測定する。 - 特許庁

When a proper step, for example, payment of compensation to the content from the user or the like, is taken, the content of the 'writable region' is developed and written in a 'readable region' in the HDD which is a region where only readout is possible based on a user application program.例文帳に追加

そして、例えばユーザからそのコンテンツに対する代償が支払われる等の正当な手続きが取られた際に、ＨＤＤの、ユーザアプリケーションプログラムに基づいて読み出しのみが可能な領域となっている「読み込み可能領域」に、「書き込み可能領域」のコンテンツを展開して書き込む。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an n-type well 13 on a surface region of an Si substrate 12, forming p-type first semiconductor regions 17a, 18a on the surface region of the well 13, and separating the first semiconductor regions 17a, 18a by an element isolation region 11.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２の表面領域にｎ型のウェル１３を形成し、このウェル１３の表面領域にｐ型の第１の半導体領域１７ａ，１８ａを形成し、この第１の半導体領域１７ａ，１８ａを素子分離領域１１で分離している。 - 特許庁

A step coding parameter calculating means 112 calculates a quantization value to a region that is selected by a region selection means 111, so that image quality is improved in steps from the outside of the selected region toward the center, and an image is coded based on the parameter value.例文帳に追加

領域選択手段111で選択された領域に対して、段階的符号化パラメータ算出手段112が選択領域の外側から中心部へ向かって段階的に画質が向上するように量子化値を算出し、このようなパラメータの値に基づいて画像を符号化する。 - 特許庁

The region where the dummy can be physically generated is determined by searching means or the like inside the dummy generating region 1 in one cycle step for dummy generation, and then dummies 13 in the shape of a small size rectangular (or square) are generated by the number as space permits in the region.例文帳に追加

１サイクルのダミー生成工程で、ダミー生成領域１の内部に、物理的にダミーの生成が可能な領域を検索手段等により確定し、該領域内に小さいサイズの矩形（または正方形）を形状とするダミー１３を、スペースが許す限りの個数だけ生成する。 - 特許庁

The toner is set to ≤100 dyn/cm^2 in the variation for the prescribed time of 200 seconds of storage modulus (G'(NL)) in a nonlinear region at 180°C in a step strain measurement from a linear region to nonlinear region of the viscoelastic characteristics.例文帳に追加

本発明のトナーは、粘弾性特性の線形領域から非線形領域へのステップストレイン測定において１８０℃での非線形領域における貯蔵弾性率（Ｇ′（ＮＬ））の所定時間２００秒間の変化量が１００ｄｙｎ／ｃｍ^２以下に設定されている。 - 特許庁

The method for forming the germanide structure within the germanium region on the semiconductor substrate through the self-alignment method includes a step of depositing a metal layer on the substrate and the germanium region, a step of heating the structure to form a metal and a germanium compound, and a step of selectively removing unreacted metals from germanide and the substrate.例文帳に追加

本発明は、半導体基板上のゲルマニウム領域内で、自己整列方法でゲルマニド構造を形成する方法に関するものであり、基板およびゲルマニウム領域にわたって金属層を付着させるステップ、さらに金属およびゲルマニウムの化合物を形成するために構造を加熱するステップ、およびゲルマニドおよび基板から未反応金属を選択的に除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

The detection method includes a step of flowing a sample into a flow channel having a periodic nano structure region, a step of irradiating the nano structure region with light having single wavelength to generate diffraction light, and a step of detecting the variation of the diffraction angle of primary diffraction light out of the generated diffraction light, and a detection system is used for the detection method.例文帳に追加

周期的ナノ構造体領域を備えた流路に試料を流すステップと、単一波長の光を前記ナノ構造体領域に照射し、回折光を生成させるステップと、生成した前記回折光の内、一次回折光の回折角度変化を検知するステップと、を含む検出方法及び当該検出方法に用いられる検出システムが開示される。 - 特許庁

This preparation method includes a first step S1 for dividing the semiconductor substrate into a plurality of regions, a second step S2 for generating a second impedance net model for a specified, arbitrary region, and a third step S3 for connecting the second impedance net model obtained for the entire region by a specific second connection impedance element, and for generating an optimum impedance net model.例文帳に追加

半導体基板を複数の領域に分割する第１ステップＳ１と、指定された任意の前記領域について、第２インピーダンス網モデルを生成する第２ステップＳ２と、全ての領域について求めたこの第２インピーダンス網モデルを、所定の第２接続インピーダンス要素で接続して最適化インピーダンス網モデルを生成する第３ステップＳ３とを含み、構成する。 - 特許庁

This particulate-adsorbed pattern-formed material is formed by the method comprising a step to imagewisely form the region having polymerization initiating ability on the surface of the substrate , a step to produce a graft polymer having a nonionic polar group in the region by atom transfer radical polymerization and a step to make particulate adsorbed on the produced graft polymer.例文帳に追加

基板表面に重合開始能を有する領域を画像様に形成する工程と、該領域に原子移動ラジカル重合を用いて非イオン性極性基を有するグラフトポリマーを生成させる工程と、該グラフトポリマーに微粒子を吸着させる工程と、を含むことを特徴とする微粒子吸着パターン形成方法、及びそれを用いて作製された微粒子吸着パターン材料。 - 特許庁