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「substrate reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索
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substrate reactionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1714



例文

Micelle electrolytic reaction is induced by electrolysis or irradiation with light and p-type and n-type organic semiconductor layers of thin films are formed sequentially on a conductor substrate.例文帳に追加

電解又は光照射によりミセル電解反応を誘起させて、導電体基板上に、p型、n型の有機半導体層を順次、薄膜化・積層する。 - 特許庁

To provide a photocatalyst film which enables a realization of a high photocatalyst activity since the reaction surface area of titanium dioxide per unit area of a substrate is large.例文帳に追加

基板の単位面積当たりの二酸化チタンの反応表面積が大きいために高い光触媒能を発揮できる光触媒皮膜を提供すること。 - 特許庁

A transparent window for irradiating the laser beam onto the preliminary substrate is formed at an upper part of the reaction chamber for growing the nitride single crystal.例文帳に追加

窒化物単結晶成長用反応チャンバー上部には、基板上面に向かってレーザーを照射するためのレーザー照射用透明窓を設ける。 - 特許庁

A method for manufacturing an epitaxial layer includes a step for loading a substrate, having a semiconductor surface exposed into a reaction chamber.例文帳に追加

一実施例によるエピタキシャル層の製造方法は反応チャンバ内に露出した半導体表面を有する基板をローディングさせるステップを具備する。 - 特許庁

例文

A substrate 1 composed of an alloy (Cu-Ni alloy) of Ni which is a CNT forming catalyst and Cu which is a non-forming catalyst is set in a reaction tube 2.例文帳に追加

反応管2内にCNT生成触媒であるNiと非生成触媒であるCuとの合金(Cu−Ni合金)からなる基板1を設置する。 - 特許庁


例文

When a metal oxide film is formed on a substrate by the liquid phase precipitation method, a polyion compound is added to the reaction solution of the liquid phase precipitation method.例文帳に追加

液相析出法により基板上に金属酸化物膜を形成する際に、液相析出法の反応溶液にポリイオン化合物を含有させる。 - 特許庁

In order to evaporate a silicon carbide layer on a substrate, a source gas of silicon, carbon, and nitrogen and gas including an inert gas are introduced into a reaction region.例文帳に追加

基板上にシリコンカーバイド層を蒸着するために、シリコン、炭素及び窒素のソースガス並びに不活性ガスを含むガスが反応領域内に導入される。 - 特許庁

The reaction of the crystalline protein inclusion body with a chemical substance is detected with a light-emitting element and an image-detecting element disposed on the upper and lower sides of a substrate, respectively.例文帳に追加

結晶性タンパク質封入体と化学物質の反応を、基板の上下に発光素子と画像検出素子を配置することにより検出する。 - 特許庁

The component A is an enzyme activity detection reagent which can act as a substrate for an enzyme and can produce a poorly water-soluble pigment compound or a poorly water-soluble fluorescent pigment compound through an enzymatic reaction.例文帳に追加

成分A:酵素反応によって水に難溶の色素化合物又は蛍光色素化合物を生じる酵素基質型の酵素活性検出試薬 - 特許庁

例文

To provide a coating process and system for an article comprising a substrate formed of a metal alloy that is prone to the formation of an SRZ (secondary reaction zone).例文帳に追加

二次反応帯(SRZ)を形成する傾向がある金属合金から形成された基材を有する物品の皮膜形成法及び皮膜系。 - 特許庁

例文

Specifically, the device has a reaction cell formed on a substrate, for introducing thereinto a specimen collected from a biomaterial, a reagent storage part for storing a reagent to be supplied to reaction cells, and a reagent nozzle part connecting the reaction cells to the reagent storage part and constituting a passage where the reagent stored in the reagent storage part flows toward the reaction cells.例文帳に追加

具体的には、基板と、前記基板に形成され、生体から採取される被検体が導入される反応セルと、前記反応セルに供給される試薬が貯蔵される試薬貯蔵部と、前記反応セルと前記試薬貯蔵部とを連絡し、前記試薬貯蔵部に貯蔵される前記試薬が前記反応セルに流れる流路を構成する試薬ノズル部と、を有する。 - 特許庁

A method of producing SRO comprises: a process of allowing a first silicon source gas containing no oxygen to adsorb to a substrate and then of forming a SiO_2 film by oxidation reaction between a reaction gas containing oxygen and the first silicon source gas; and a process of forming a Si film by reduction reaction between a second silicon source gas containing no oxygen and a reaction gas corresponding to it.例文帳に追加

Oが含まれていない第1シリコンソースガスを基板に吸着させた後、Oが含まれた反応ガスと第1シリコンソースガスとの酸化反応によりSiO_2膜を形成する工程と、O成分を含んでいない第2シリコンソースガスとこれに対応する反応ガスとの還元反応によりSi膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするSROの製造方法である。 - 特許庁

A sulfoxide compound is produced by oxidizing a sulfide compound by hydrogen peroxide under a perfectly neutral condition of the reaction system, using tantalum carbide as a reaction catalyst that can be used without a problem even in the presence of a functional group, susceptible to an acid or an alkali, in the structure of a reaction substrate, and can be repeatedly reused by recovering it after the completion of the reaction.例文帳に追加

反応系が完全なる中性条件で、反応基質の構造中に酸あるいはアルカリに影響を受けやすい官能基が存在していても問題なく使用でき、また反応終了後に回収して繰り返し再利用することができる炭化タンタルを反応触媒として用いて、スルフィド化合物を過酸化水素により酸化し、スルホキシド化合物を製造する。 - 特許庁

A cleaning method includes: a step for etching deposits including a thin film adhering to the inner wall of a reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube composed of a heat-resistant nonmetallic member after forming a thin film on a substrate; and a step for etching the surface of the inner wall of the reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube after etching the deposits.例文帳に追加

耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering apparatus in which the inside of a vacuum chamber 1 where a substrate S to be processed and a target 6 confronted with the substrate S are arranged includes a means feeding a sputtering gas and a reaction gas, the reactive sputtering apparatus forming a homogeneous compound thin film over the whole region of the substrate S even if the substrate to be processed S has a large diameter.例文帳に追加

処理基板Sと処理基板Sに対向するターゲット6とを配置した真空チャンバー1内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Sが大径化しても、処理基板Sの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。 - 特許庁

By allowing the linker for bonding the electrochemical emission portion to a substrate to have a stiff structure, bending is not generated, and intramolecular association caused by electrostatic adsorption between the substrate and the electrochemical emission portion is suppressed, to thereby prevent a reaction between the substrate in nucleic acid synthesis from being impeded.例文帳に追加

電気化学発光部位と基質とを結合するリンカーを剛直な構造にすることで、屈曲がなくなり、基質と電気化学発光部位との静電吸着による分子内会合が抑制され、核酸合成における基質間の反応を阻害しなくなる。 - 特許庁

To provide a substrate-treatment device for mounting a circuit board, where at jetting an etching liquid to a substrate upper surface for etching, a etching reaction is propagated evenly over the entire upper surface of substrate for improved circuit formation accuracy.例文帳に追加

エッチング処理の際、基材上面にエッチング液を噴射してエッチング処理を行うにあたり、基材上面の全面に亘ってエッチング反応を均一に進行させて回路形成精度を向上することができる回路板製造用基材処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment device for a substrate where troubles in conveyance of a substrate on its elevating/lowering in a reaction chamber of a CVD (Chemical Vapor Deposition) system are reduced, and the drop in the productivity of an array substrate in an LCD (Liquid Crystal Display) or the like is prevented by the reduction of the troubles.例文帳に追加

本発明は、CVD装置などの反応室内での基板の昇降時における基板の搬送トラブルを低減し、トラブルの低減によってLCDのアレイ基板などの生産性を落とさない基板の処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method for hydrolyzing an oil and fat comprises sending liquid of an oil-phase substrate from a substrate-circulating vessel 2 to an enzyme column 3 packed with an enzyme-immobilizing carrier, bringing the reaction liquid passed through the enzyme column 3 into contact with a water- phase substrate in an oil and water-mixing vessel 4, and subjecting the resultant mixture to oil separation.例文帳に追加

基質循環槽から油相基質を、酵素固定化担体が充填された酵素塔に送液し、該酵素塔を通過した反応液を、油水混合槽内で水相基質と接触させた後、油水分離する油脂の加水分解方法。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a display capable of suppressing the reaction between low melting point glass constituting a dielectric layer formed on the glass substrate and the glass substrate even if the dielectric layer is heat treated at a high temperature above, for example, ≥600°C.例文帳に追加

ガラス基板上に形成される誘電体層を、例えば600℃以上の高温で熱処理しても、誘電体層を構成する低融点ガラスとガラス基板との反応を抑えることが可能なディスプレー用ガラス基板を提供することを技術的課題とする。 - 特許庁

In order to form film on a substrate (22) by plasma enhance chemical vapor growth at a temperature considerably lower than the temperature of a conventional thermal CVD, an activated free radical of a first gas is generated by arranging the substrate in a reaction chamber (12) and exciting the first gas at a preceding stage of the substrate.例文帳に追加

プラズマエンハンス化学気相成長により、従来の熱CVDの温度よりかなり低い温度で基板(22)上に成膜するため、基板を反応室(12)内に配置し、第1のガスを基板の前段で励起して、第1のガスの活性化ラジカルを発生する。 - 特許庁

A nonaqueous redox biosensor 1 has both a working electrode 17 coated with a substrate sensitive membrane in membrane form formed on the electrode substrate of a nonaqueous redox reaction field forming material containing the substrate sensitive membrane material and a reference electrode 15.例文帳に追加

非水系酸化還元バイオセンサー1は、その基質感応膜素材を含む非水系酸化還元反応場形成素材で電極基材上に膜状に形成された基質感応膜により、被覆されている作用電極17と、参照電極15とを有している。 - 特許庁

After preparing a reaction mixture that comprises a deposited barium sulfate in the reaction of a material containing a barium compound with diluted sulfuric acid, the reaction mixture is added in preparing an active substance paste for the negative electrode, mixed to form the active substance paste for the negative electrode and filled on a porous substrate in the conventional way, so as to manufacture the negative electrode plate.例文帳に追加

バリウム系原料と希硫酸とを反応させて析出した硫酸バリウムを含有する反応液を調製した後、該反応液を負極活物質ペーストの調製時に添加し、混練し負極活物質ペーストを調製し、次でこれを常法により多孔基板に充填して負極板を製造する。 - 特許庁

The organic substance decomposition method is carried out using a photocatalytic structure body comprising an inorganic fiber sleeve as a substrate and the organic substance decomposition is carried out by filling a light transmissive reaction tube with the inorganic fiber sleeve bearing a photolysis catalyst and radiating light from the outside to the reaction tube while an object fluid to be treated being passed through the reaction tube.例文帳に追加

無機質繊維スリーブを基材とした光触媒構造体を用いた有機物分解の方法であって、光透過性のある反応管内に光触媒を担持させた無機質繊維スリーブを充填し、該反応管内に被処理流体を通過させつつ外部から光を照射することを特徴とする。 - 特許庁

In addition, they have a process for introducing the reaction gas into the discharge space and a process for activating the reaction gas by supplying the pulse or the rectangular wave modulated high-frequency power into the discharge space and are characterized in that the ashing treatment is performed on the surface of the substrate with the activated reaction gas.例文帳に追加

また放電空間に反応ガスを導入する工程と、前記放電空間にパルスもしくは矩形波変調された高周波電力を供給して前記反応ガスを活性化する工程と、を有し、前記活性化された反応ガスが基体の表面にアッシング処理をすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively producing a dimer or a polymer with which the disposal of a manganese peroxidase and manganese ions from the reaction system and addition of the manganese ions to the reaction system are suppressed when a polymerization reaction of a substrate is conducted by using trivalent manganese obtained from divalent manganese by actions of the manganese peroxidase immobilized on a carrier.例文帳に追加

担体に固定化したマンガンペルオキシダーゼの作用で2価マンガンより得られた3価マンガンを用いて基質の重合反応を行うに際し、反応系からのマンガンペルオキシダーゼ及びマンガンイオンの廃棄、反応系へのマンガンイオンの追加を抑制して、安価に二量体又はポリマーを製造する方法を提供する。 - 特許庁

An evacuation channel for evacuating reaction gas from each reaction gas process area is provided separately, and a separation area is provided between these reaction gas process areas, and a flow rate of the gas evacuated through each evacuation channel and a pressure in the vacuum chamber are controlled so that a gas flow rate to a substrate is kept constant.例文帳に追加

夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 - 特許庁

Bonding regions composed of different materials are arranged to a plurality of the respective reaction regions provided on the substrate and a plurality of molecules parcipitated in different reactions are bonded at every reaction region by utilizing the bonding selectivity to the bonding regions arranged to the reaction regions of the boding domains of them.例文帳に追加

基体に設けた複数の反応領域のそれぞれに異なる材料からなる結合部位を配置し、異なる反応に関与する複数の反応関与分子をその結合ドメインの反応領域に配置した結合部位に対する結合選択性を利用して各反応領域毎に結合させて反応素子を形成する。 - 特許庁

The reaction chip 1 has a well-type reaction detector 3 on a substrate 2, wherein the well-type reaction detector 3 comprises a bottom part of a planar shape and a side part 7 directing to an opening part 4 from the bottom, and has at the bottom center a holding part having higher surface roughness than that of surroundings.例文帳に追加

基板2に、ウェル状反応検出部3を有する反応チップ1において、ウェル状反応検出部3は、平面形状を成す底部と、この底部から開口部4へと向かう側部7とで構成され、底部には、その底面の中央部に表面粗さが周囲よりも高い保持部が設けられている。 - 特許庁

This device for producing a porous preform by accumulating on an accumulation substrate the glass particles produced by a flame hydrolysis reaction or an oxidation reaction using a burner, characterized in that a reaction vessel 1 used for forming the porous preform comprises a metal member 2 on whose surface a glass layer is formed.例文帳に追加

バーナを用いて火炎加水分解反応あるいは酸化反応により生成したガラス微粒子を堆積基材上に堆積させて多孔質母材を形成する装置において、多孔質母材の形成に用いる反応容器1が、表面にガラス層が形成された金属部材2からなっている。 - 特許庁

In this way, the generation of unintended side reaction (cutting reaction and cross-linking reaction) by the light irradiation of the light source 15 on the raw material monomer 21 or the high polymer film on the substrate W can be effectively prevented, and an organic thin film, e.g., with a three-dimensional structure can be deposited at high quality and high precision.例文帳に追加

これにより、原料モノマー21あるいは基板W上の高分子膜に光源15の光照射による意図しない副反応(切断反応や架橋反応)が生じるのを効果的に防止でき、例えば3次元構造の有機薄膜を良質かつ高精度に形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide a technology, capable of suppressing the effects of the emission of metal from a reaction chamber and high-energy particles supplied from plasma to a substrate to be processed and of uniformly heating the substrate to a high temperature.例文帳に追加

反応室等からの金属の放出とプラズマから供給される高エネルギー粒子による被処理基板への影響を抑制し、また、被処理基板を高温かつ均一に加熱可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that prevents a substrate from metal contamination and also end-over-end location of an inner tube, and further prevents deposition of a reaction product, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

基板への金属汚染を抑制するとともに、インナチューブの転倒を抑制し、さらに、反応生成物の固着を防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This imitation leather is made by filling or covering substrate cloth (substrate material sheet) with a composition consisting mainly of a polyhydroxy polyurethane resin derived from the reaction of a 5-membered cyclic carbonate compound with an amine compound.例文帳に追加

5員環環状カーボネート化合物とアミン化合物との反応から誘導されたポリヒドロキシポリウレタン樹脂を主成分とする組成物を、基布(基材シート)に充填または被覆せしめてなることを特徴とする擬革。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus, capable of effectively executing a removal treatment of a reaction product from a substrate, while preventing an external diffusion of a gas containing chemical component of a removal liquid to an external unit.例文帳に追加

除去液の薬液成分を含むガスの外部への拡散を防止しながら、基板に対して反応生成物の除去処理を有効に実行することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

By heating the gas before generating the plasma discharge, chemical reaction by atmospheric pressure plasma is promoted on the surface of the substrate 1 and thereby efficiency of surface treatment for improving wettability of the substrate 1 surface is improved.例文帳に追加

プラズマ放電を発生させる前のガスを加熱することにより、基板1の表面で大気圧プラズマによる化学反応が促進され、基板1の表面のぬれ性を改善する表面処理の処理効率が向上する。 - 特許庁

The FPC 33 is expanded with the elastic force between the housing 20 and the substrate 24, and pressed against the housing 20 and the substrate 24, and easily fixed by its reaction force without providing any separate component.例文帳に追加

FPC33は、ハウジング20と基板24との間において弾性力で拡がろうとし、ハウジング20および基板24に押し付けられるので、別途部品を設けることなくその反力により容易に固定することができる。 - 特許庁

To improve the uniformity of thickness of a oxide film on a semiconductor substrate installed in a portion near a heat insulation member such as a lower region of a reaction chamber in the formation of a pyrogenic oxide film on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のパイロジェニック酸化膜形成において、反応室下部領域など断熱部材に近い部分に設置された半導体基板の酸化膜厚の均一性を向上することを目的としている。 - 特許庁

Moreover, the substrate 2 is heated by the heater 4 by using the vapor phase growing apparatus, and the first material gas and the second material gas are introduced into the reaction chamber 1 to subject the semiconductor film to vapor phase growth on the substrate 2.例文帳に追加

また、前記の気相成長装置を用いて、基板2をヒータ4で加熱し、第一の原料ガス及び第二の原料ガスを反応室1内に導入して、基板2に半導体膜を気相成長させる。 - 特許庁

Structures such as a plurality of plates are provided in the upper region of a treatment region in which a substrate in a reaction tube is held, and thereby, a space on an upper side of a containment region of a substrate holder is filled.例文帳に追加

反応管内における基板が保持される処理領域の上方の領域に、多数の板状体などの構造物を設置することにより基板保持具の収納領域の上方側空間を埋める。 - 特許庁

Since by-product gas, e.g. nitrogen dioxide or SiF_4, being produced through decomposition reaction of the silicon substrate 21 is discharged from the container 11, decomposition rate of the silicon substrate can be enhanced.例文帳に追加

従って、容器11からは、シリコン基板21の分解反応に伴って発生する副生成ガスである二酸化窒素や、SiF_4が排出されることとなり、シリコン基板の分解速度の向上を図ることができる。 - 特許庁

Concerning the sputtering device provided with a reaction chamber, hydrogen cylinder, vacuum pump, substrate holder and semiconductor target, the semiconductor target and the substrate holder are confronted at the interval of distance longer than 90 mm.例文帳に追加

反応室、水素ボンベ、真空ポンプ、基板ホルダーおよび半導体ターゲットを含むスパッタ装置であって、前記半導体ターゲットと前記基板ホルダーが90mm以上の距離をおいて相対することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate for manufacturing a highly accurate multilayer substrate with high manufacturing efficiency by suppressing hydrolysis reaction of a thermosetting resin even if a laminated material is heated quickly.例文帳に追加

積層体を急速加熱しても熱可塑性樹脂の加水分解反応を抑制することができ、高精度な多層基板を高い生産効率で製造することのできる多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the reaction gas can be uniformly supplied to the crystal growing surface of the sapphire substrate 50, high-quality gallium nitride compound semiconductor crystals whose place dependences are small grow on the sapphire substrate 50.例文帳に追加

反応ガスをサファイア基板50の結晶成長面に均一に供給することができるので、サファイア基板50上に場所依存性の少ない良質な窒化ガリウム系化合物半導体結晶が成長する。 - 特許庁

This adhesive material for body surfaces, comprising a substrate and an adhesive layer formed on at least one side of the substrate, is characterized in that the adhesive layer comprises a silicone polymer adhesive comprising 50 to 97 wt.% of an addition reaction type silicone polymer and 3 to 50 wt.% of a condensation reaction type silicone polymer.例文帳に追加

基材とその少なくとも一方の面に形成された粘着剤層とからなる体表面用貼付材であって、粘着剤層が付加反応型シリコーンポリマー50〜97重量%及び縮合反応型シリコーンポリマー3〜50重量%からなるシリコーンポリマー粘着剤を含有してなる体表面用貼付材。 - 特許庁

The substrate has a structure, in which an adhesion layer 3 made of a compound obtained by hydrolysis or condensation reaction of alkoxysilane is formed on the resin substrate 2 and the porous layer 4, made of a compound obtained through hydrolysis or condensation reaction of alkoxysilane and having a density of ≤0.7 g/cm^3 formed on the adhesion layer 3.例文帳に追加

樹脂基板2上に、アルコキシシランの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなる密着層3を備え、密着層3上に、アルコキシシランの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなり、0.7g/cm^3以下の密度を有する多孔質層4を備えたものとする。 - 特許庁

A substrate treatment apparatus for performing the required treatment on a substrate by introducing raw material gas formed by evaporating a liquid raw material into a reaction chamber, comprises a vessel 13 which liquefies the raw gas in the gas exhausted from the reaction chamber and stores the liquefied gas, and a checking means 26 capable of checking the quantity of the liquid stored in the vessel.例文帳に追加

液体原料を気化させた原料ガスを反応室に導入し、基板に所要の処理を行う基板処理装置に於いて、反応室から排気されたガス中の原料ガスを冷却して液化貯溜する容器13と、該容器内に貯溜した液体の量を確認可能な確認手段26とを具備した。 - 特許庁

The micro fluid chip includes: a channel that separates an analysis target substance by electrophoresis and is provided on the surface of a substrate section to add the reaction reagent to the analysis target substance separated by the electrophoresis by a nozzle; and an absorption region that is provided on the surface of the substrate section excluding the channel and absorbs the reaction reagent.例文帳に追加

マイクロ流体チップは、分析対象物質を電気泳動により分離し、電気泳動により分離した分析対象物質に対してノズルを用いて反応試薬を添加するために基板部表面に設けられた流路と、流路を除く基板部表面に設けられ、反応試薬を吸収する吸収領域と、を有する。 - 特許庁

Surface treatment is done to the semiconductor substrate 1 with a process of introducing reaction gas which contains the surfactant to a chamber 3 as shown in (a), and a process of interrupting the introduction of the reaction gas and exposing the semiconductor substrate 1 to the atmosphere which contains the surfactant under the condition that the chamber 3 is enclosed as shown in (b).例文帳に追加

(a)のように界面活性剤を含有する反応ガスをチャンバ3に導入する工程と、(b)のように反応ガスの導入を遮断しチャンバ3内を密閉した状態で半導体基板1を界面活性剤を含む雰囲気下にさらす工程とを行って半導体基板1に表面処理を施す。 - 特許庁

例文

In the system for producing a semiconductor, where an SiO2 film is formed on a substrate by supplying TRIES gas and O2 gas into a reaction chamber 1 loaded with a substrate, a section 5 for making TRIES gas and O2 merge is provided immediately in front of the reaction chamber 1 and the gas merging section is provided with a turbulence generating means 10.例文帳に追加

基板を装填した反応室1内にTRIESガスとO_2ガスとを供給して基板上にSiO_2膜を形成する半導体製造装置において、反応室1の直前にTRIESガスとO_2ガスとを合流させるガス合流部5を設け、そのガス合流部に乱流発生手段10を設けた。 - 特許庁




  
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