「substrate reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The system has a deposition process that forms a film containing hafnium or a film containing zirconium on a substrate supported by a susceptor in the reaction chamber and a cleaning process that removes the film attached in the reaction chamber in the deposition process by activating gas containing chlorine atoms outside the reaction chamber by plasma and supplying the gas to the reaction chamber.例文帳に追加

反応室内でサセプタに保持した基板の上にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する成膜工程と、反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマで活性化して反応室内に供給することにより前記成膜工程において反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と、を有する。 - 特許庁

The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

This method for film production has a process for hydrolyzing an organometallic compound and carrying out condensation through dehydration to give a reaction product, a process for dispersing the inorganic laminar compound into the reaction product and a process for applying the reaction product containing the inorganic laminar compound to the surface of a substrate and vitrifying the reaction product at ≤200°C.例文帳に追加

有機金属化合物を加水分解及び脱水縮合して反応生成物を得る工程、該反応生成物に前記無機層状化合物を添加し分散させる工程、該無機層状化合物含有反応生成物を基板表面に塗布し、２００℃以下の温度でガラス化させる工程を有するフィルムの製造方法である。 - 特許庁

The CVD apparatus for forming a deposition film on the surface of a substrate arranged in a reaction chamber by supplying a reactant gas into the reaction chamber, has a route for refluxing exhaust gas flowing to the reaction chamber from the downstream of a pump, arranged in an exhaust route for discharging the exhaust gas from the inside of the reaction chamber through the pump.例文帳に追加

反応チャンバー内に、反応ガスを供給して、反応チャンバー内に配置した基材表面上に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、反応チャンバー内からポンプを介して排気ガスを排気する排気経路に、ポンプの下流側から反応チャンバーに至る排気ガスを還流する排気ガス還流経路が配設されている。 - 特許庁

The microreactor array 10 is inclined from a rotation axis toward the microreactor array 10 at an angle of 45°, disposed and rotated so as to view the outward transparent substrate 101 from the rotation axis, and fills the reaction liquid introducing flow path 105 and the reaction vessels 104 with the reaction liquid within the reaction liquid accommodating section 107 by a centrifugal force.例文帳に追加

まず、マイクロリアクターアレイ１０を回転軸からマイクロリアクターアレイ１０に向かう方向に対して４５°傾斜させると共に、回転軸から見て透明基板１０１が外側になるように配置して回転し、遠心力により反応液収容部１０７内の反応液を反応液導入用流路１０５と反応容器１０４に充填する。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

In addition, the second reaction gas 26 supplied to the head part 31 of the liner 2 from the second gas supply passage 14 is made to flow down to be mixed with the first reaction gas 25 on a surface of the semiconductor substrate 6 and to be made to form the SiC film on the semiconductor substrate 6 surface.例文帳に追加

そして、第２のガス供給路１４からライナ２の頭部３１に供給された第２の反応ガス２６を流下させ、第１の反応ガス２５と半導体基板６の表面で混合し、半導体基板６表面にＳｉＣ膜形成を行うようにする。 - 特許庁

A gas containing a material gas is introduced from a gas inlet substantially parallel to a substrate, and a gas not containing the material gas is introduced from a fine-porous permeable member positioned on a wall of the reaction pipe parallelly opposed to the substrate, to thereby prevent contamination in the reaction pipe wall.例文帳に追加

基板に実質的に平行なガス導入部から原料ガスを含むガスを導入し、基板と平行に対向する反応管壁に配置された通気性を有する微多孔質部材から原料を含まないガスを導入することにより、反応管壁の汚染を防止する。 - 特許庁

The light-emitting device 1 comprises the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 6 including gallium and indium formed on the silicon substrate 5, a reaction source supplying layer 7 including gallium and indium formed on the aluminum nitride layer 6, and a light-emitting function layer 8 formed on the reaction source-supplying layer 7.例文帳に追加

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層７と、反応源供給層７上に形成された発光機能層８とを備えている。 - 特許庁

This substrate 1 for carbon nanotube growth includes a reaction preventing layer 3 formed on the substrate 1, a catalyst material layer 4 formed on the reaction preventing layer 3, a dispersion layer 5 formed on the catalyst material layer 4 and a dispersion promoting layer 6 formed on the dispersion layer 5.例文帳に追加

カーボンナノチューブ成長用基板１は、基材１上に形成された反応防止層３と、反応防止層３上に形成された触媒材料層４と、触媒材料層４上に形成された分散層５と、分散層５上に形成された分散促進層６とを備える。 - 特許庁

A solution containing an N-hydroxy cyclic imide of higher concentration than its feed concentration is retained in a reaction system, when the organic substrate is continuously oxidized by feeding the organic substrate along with the N-hydroxy cyclic imide, a transition metal compound and an oxygen containing gas into the reaction system.例文帳に追加

有機基質を、Ｎ−ヒドロキシ環状イミド、遷移金属化合物および酸素含有ガスと共に反応系内に供給しながら、連続式反応により酸化するに際し、反応系内にＮ−ヒドロキシ環状イミドをその供給濃度より高い濃度で含む液を存在させる。 - 特許庁

At least one sort of precursor gas selected from the group consisting of trisilylamine gas and silylhydrazine gas and hydrazine gas are supplied to a reaction chamber (11) for storing at least one substrate (112) and the gas phase reaction of both the gas components is performed to form a silicon nitride film on the substrate (112).例文帳に追加

少なくとも１つの基板（１１２）を収容する反応チャンバ（１１）内にトリシリルアミンガスおよびシリルヒドラジンガスからなる群の中から選ばれる少なくとも１種の前駆体ガスとヒドラジンガスを供給することにより両ガスを気相反応させ、基板上にシリコン窒化物膜を形成する。 - 特許庁

The method for producing hydrogen comprises feeding an organic substrate into the reaction liquid containing microorganisms having formic acid dehydrogenase gene and hydrogenase gene, wherein the organic substrate concentration of the reaction liquid is controlled to be 250 mM or lower.例文帳に追加

蟻酸脱水素酵素遺伝子およびヒドロゲナーゼ遺伝子を有する微生物を含む反応液に、有機性基質を供給することからなる水素製造方法において、反応液中の有機性基質濃度を２５０ｍＭ以下となるように制御することを特徴とする水素製造方法。 - 特許庁

The catalyst body comprises a substrate, a hygroscopic coating layer having a hygroscopic property and formed on the substrate, and a catalytic substance such as Pt, Au, Rh, Ag, Pd, Ir, or the like held in the hygroscopic coating layer and catalyzing the reaction of aimed molecules for reaction in the air with other substances.例文帳に追加

基体と、基体上に形成された吸湿性を有する吸湿性コート層と、吸湿性コート層に保持され、気体中に含まれる反応目的分子と他の物質との反応を触媒するＰｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｉｒ等の触媒物質と、を有する触媒体。 - 特許庁

In this vapor growing method, a gas which contains raw gas is introduced to a substrate 2 from an actually parallel gas inlet part 5, the gas, which does not contain raw gas, is introduced from the ventilating microscopic porous member 7 arranged on the wall of the reaction tube 1 counterposing in parallel to the substrate 2, and the contamination on the wall of the reaction tube is prevented.例文帳に追加

基板２に実質的に平行なガス導入部５から原料ガスを含むガスを導入し、基板と平行に対向する反応管１壁に配置された通気性を有する微多孔質部材から原料を含まないガスを導入することにより、反応管壁の汚染を防止する。 - 特許庁

The method for producing a thin film is the one by a laser CVD method in which laser beam 13 is introduced into a space above a substrate 11 at the inside of a reaction vessel 2 from the outside of the reaction vessel 2 in a laser CVD device 1 to form a thin film on the substrate 11.例文帳に追加

薄膜の製造方法は、レーザーＣＶＤ装置１の反応容器２外部より反応容器２内部の基板１１上の空間にレーザー光１３を導入して基板１１上に薄膜を形成するレーザーＣＶＤ法による薄膜の製造方法である。 - 特許庁

The method for producing ethanol comprises adding at least one compound selected from a substrate involving an oxidative reaction of NADH (nicotinamide adenine dinucleotide reduction type) and its precursor from the outside to a reaction medium under ethanol-producing intracellularly enzymatic reaction conditions and carrying out reaction of an ethanol-producing bacterium in the presence of the compound to produce ethanol in the reaction medium and collecting the produced ethanol.例文帳に追加

エタノール生成菌体内酵素反応条件下でＮＡＤＨ（ニコチンアミド・アデニン・ジヌクレオチド還元型）の酸化反応に係わる基質およびその前駆体から選ばれる少なくとも一つの化合物を外部より反応培地に添加し、前記化合物の存在下にエタノール生成菌を反応させて、反応培地中にエタノールを生成させ、生成したエタノールを採取することを特徴とするエタノールの製造方法。 - 特許庁

While the sub-valve SSV is opened to evacuation through the sub-bypass pipe 65, a wafer boat 14 is loaded or unloaded from a reaction pipe 11, and sticking of sublimation gas which is a reaction by-product and particles to a semiconductor substrate 15 are prevented.例文帳に追加

このサブバルブＳＳＶを開いて、サブバイパス管６５で排気しながら、ウエハボート１４を反応管１１にロード又はアンロードし、反応副生成物の昇華ガスやパーティクルの半導体基板１５への吸着を防止する。 - 特許庁

The pressure in the reaction chamber 5, the temperature of the substrate 9 and the partial pressure of oxygen in the reaction chamber 5 are set to be in a range of 1 to 10 Torr, 450 to 550°C and 0.05 to 0.5 Torr, respectively.例文帳に追加

反応室５内の圧力を１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲、基板９の温度を４５０℃〜５５０℃の範囲、反応室５内の酸素分圧を０．０５Ｔｏｒｒ〜０．５Ｔｏｒｒの範囲にそれぞれ設定する。 - 特許庁

A susceptor 14 is provided on the side surface of a reaction tube 20, so as to have its circular plane 32 for retaining a substrate 12 placed on the inner side of the reaction tube 20 and have the circular plane 32 placed in the vertical direction.例文帳に追加

反応管２０の側面には、基板１２を保持するための円形面３２が反応管２０の内部に位置するように、また、円形面３２が鉛直方向を向くようにサセプター１４が配置されている。 - 特許庁

To provide a reactor and a method that provides a uniform distribution of a reaction gas over the entire processing surface of a substrate carrier and can avoid turbulent flow caused by the speeds of the reaction gas being different.例文帳に追加

基板キャリアの処理面の全体にわたって、反応ガスの均一な分布をもたらし、反応ガスの速度が異なることによって引き起こされる乱流を回避することができる反応器及び方法を提供する。 - 特許庁

In the detection chip having a well-like reaction part 3 on a substrate, the well-like reaction part 3 comprises a bottom 9 having a plane shape and a side part 10 tapered from the bottom 9 toward an opening part 6.例文帳に追加

基板に、ウェル状反応部３を有する検出チップにおいて、ウェル状反応部３は、平面形状を成す底部９と、この底部９から開口部６に向かってテーパ状を成す側部１０とで構成されている。 - 特許庁

After disposing a substrate 7 in a reaction vessel 5, a raw material melt 8 is obtained by melting a raw material metal by heating the reaction vessel 5 to a temperature not lower than the melting point of the raw material metal by using a heater 4.例文帳に追加

反応容器５内に基板７を設置した後、加熱装置４を用いて、反応容器５の温度が原料金属の融点以上になるように加熱し、原料金属が融解させ原料液８を得る。 - 特許庁

The flow of the material gas inside the reaction tube 3 is set in a direction, parallel to the growth surface of a substrate 14, and the velocity of flow of the material gas inside the reaction tube 3 is set at 2 m/s or less.例文帳に追加

反応管３の内部における原料ガスの流れは基板１４の成長面に対して平行な方向となっており、反応管３の内部における原料ガスの流速は２ｍ／ｓ以下となっている。 - 特許庁

In this way, reaction gas can be diffused in the plasma generating vacuum vessel 4, by which the imadiation of radicals and ions in the plasma driven by the flow-down of the reaction gas on the substrate 1 to be treated can be relaxed.例文帳に追加

これにより、反応ガスをプラズマ発生真空容器４内で拡散させることができるので、この反応ガスの流下によって運ばれるプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板１への照射を緩和できる。 - 特許庁

The microreactor array 10 is reversed so as to view an outward transparent substrate 103 from the rotation axis, and delivers the reaction liquid within the reaction liquid introducing flow path 105 to the waste liquid accommodating section 106 by the centrifugal force.例文帳に追加

次に、マイクロリアクターアレイ１０を回転軸から見て透明基板１０３が外側になるように反転し、遠心力により反応液導入用流路１０５内の反応液を廃液収容部１０６に送出する。 - 特許庁

PH_3 as a raw material of phosphorus is supplied to a reaction furnace 3 from a raw material gas cylinder 2 and in the reaction furnace 3, a raw material gas is thermally decomposed and a crystal containing phosphorus is epitaxially grown on a substrate being not figured.例文帳に追加

燐の原料としてのＰＨ_3が原料ガスボンベ２から反応炉３に供給され、反応炉３において、原料ガスが熱分解され、図示しない基板上に燐を含む結晶のエピタキシャル成長が行われる。 - 特許庁

When performing the gas cleaning inside a reaction chamber 14, a dummy substrate 24 is placed on a susceptor 18 to clog a hole 18a, thus it is made impossible to pass a cleaning gas 26 introduced into the reaction chamber 14 through the hole 18a.例文帳に追加

反応室１４内のガスクリーニングの際に、サセプタ１８にダミー基板２４を載置することにより穴１８ａを塞ぎ、反応室１４内に導入されるクリーニングガス２６の穴１８ａの通過を不可能とする。 - 特許庁

In the case that the silicon carbide thin film is grown on the silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from oxygen in the quartz reaction tube 1, deterioration of the silicon carbide thin film is inhibited, because no oxidation reaction occurs.例文帳に追加

また、石英反応管１内で酸素を含まない雰囲気中で炭化珪素単結晶基板５上に炭化珪素薄膜を成長させる場合には酸化反応がないので、炭化珪素薄膜の劣化が防止される。 - 特許庁

To provide an electrode substrate on the whole surface of which a reaction gas spreads, which effectively supplies the reaction gas to a catalyst layer and is capable of preventing a flooding phenomenon in the vicinity of a gas flow path outlet.例文帳に追加

電極基材全面に反応ガスが広がり、触媒層に反応ガスを効率よく供給でき、かつガス流路出口付近のフラッディング現象を防止できる電極基材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An activation apparatus is provided within an ammonium gas supply path in the case where a silicon nitride film is formed on the surface of substrate through reaction, for example, of dichlorsilane gas and ammonium gas by supplying these gases to the reaction vessel.例文帳に追加

反応容器内に例えばジクロルシランガス及びアンモニアガスを供給してこれらガスの反応により基板表面に窒化シリコン膜を成膜する場合、アンモニアガスの供給路中に活性化装置を設ける。 - 特許庁

Meanwhile, the upper part of the substrate holder 107 is electrically connected to the upper cover of the reaction vessel via the connector 201, and the sliding part 206 is separated from the internal space of the reaction vessel by the connection part 202.例文帳に追加

一方、基体ホルダ１０７の上部は接続体２０１を介して反応容器の上蓋に電気的に接続され、摺動部２０６は接続部２０２によって反応容器の内部空間から隔てられる。 - 特許庁

This equipment has a reaction furnace 2, a stage 3 provided inside the reaction furnace 2, film-forming gas supply systems 13, 14, plasma generation apparatus (9, 10, 12), and a substrate-heating heater 4A provided inside the stage 3.例文帳に追加

反応炉２と、この反応炉２内に配設されたステージ３と、成膜用ガス供給系１３，１４と、プラズマ発生装置（９，１０，１２）と、ステージ３の内部に配設された基板加熱ヒータ４Ａとを有したプラズマCVD装置１である。 - 特許庁

A distance from a site, where the organometallic compound gas containing a group III element and a compound gas containing a group V element are converged in the reaction tube 11, to a substrate fitted in the reaction tube is set in 20 cm or less.例文帳に追加

また、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物ガスとＶ族元素を含む化合物ガスとが反応管１１内で合流する部位から反応管内に設置される基板までの距離を２０ｃｍ以下にする。 - 特許庁

This film-forming method comprises estimating a relationship between the flow rate of the reaction gas supplied from several pipes and a growth rate of the film on a substrate, and controlling the flow rate of the reaction gas supplied from the several pipes, to form the film.例文帳に追加

複数の配管から供給する反応ガスの流量と基板上での膜の成長速度との関係を推定し、複数の配管から供給する反応ガスの流量を制御して成膜を行う。 - 特許庁

A substrate carrying catalyst particles is arranged in a reaction vessel of a CVD device, and the substrate is maintained at a carbon nanotube forming temperature in this state, and raw material gas containing a carbon source is introduced into the reaction vessel of the CVD device to thereby form a carbon nanotube aggregate on the surface of the substrate having the catalyst particles.例文帳に追加

触媒粒子を担持させた基体をＣＶＤ装置の反応容器内に配置した状態で、カーボンナノチューブ形成温度に基体を維持させると共に、炭素源を含む原料ガスをＣＶＤ装置の反応容器に導入させることにより、触媒粒子を有する基体の表面にカーボンナノチューブ集合体を基体の表面に形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a plasma substrate processing apparatus which suppresses the deposition of a film on a hole and near the hole, the hole connecting a buffer chamber with a reaction chamber, prevents the formation of particles by the deposited film, and can process a substrate without degrading quality of the substrate.例文帳に追加

バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In this thin film forming apparatus, a rotary electrode RE is disposed facing a substrate, plasma is generated between the substrate and the rotary electrode while rotating the rotary electrode RE, and a thin film is formed on a substrate by generating the chemical reaction by the plasma.例文帳に追加

基板に対向するように回転電極ＲＥを配置し、この回転電極ＲＥを回転させながら基板との間にプラズマを発生させて、このプラズマで化学反応を起こさせることにより基板上に薄膜を形成する装置。 - 特許庁

The method for forming the organic molecular film on a substrate is characterized by immersing the substrate into a solution containing an organic compound having a functional group capable of organic chemically causing a reaction with a functional group exposed to the surface of the substrate and irradiating microwave thereto.例文帳に追加

基板表面上に露出している官能基と、有機化学的に反応可能な官能基を有する有機化合物を含む溶液に前記基板を浸漬し、マイクロ波を照射することにより、前記基板上に有機分子膜を形成する。 - 特許庁

In this substrate treatment device having a substrate holding part 16 and a heating means 19 disposed so as to face the substrate holding part inside a reaction chamber 10, the heating means is provided with a plurality filaments disposed like grids in a flat plate-shaped filament case.例文帳に追加

反応室１０内に基板保持部１６と該基板保持部に対向して設けられた加熱手段１９を具備する基板処理装置に於いて、前記加熱手段は平板状のフィラメントケース内に複数のフィラメントが格子状に配設されている。 - 特許庁

Alternatively, the reaction at the surface of the silicon substrate with active oxygen and nitrogen species is caused by simultaneously emitting the active oxygen and nitrogen species upon the surface of the silicon substrate, after only the active oxygen or nitrogen species is emitted upon the surface of the substrate.例文帳に追加

あるいは、シリコン基板表面に酸素の活性種または窒素の活性種のみを照射した後、酸素の活性種と窒素の活性種とを同時に照射し、シリコン基板表面と酸素および窒素の活性種とを反応させる。 - 特許庁

To obtain a D-enzyme that has ability to catalyze the reaction of a chiral substrate, and to provide a method for producing a chirally pure chemical substance.例文帳に追加

キラール基質の反応の触媒作用をする能力を有するＤ−酵素の開発、利用およびキラル純粋な化学物質の製造。 - 特許庁

The thin film production system is constituted in such a manner that a silicon-containing film is deposited on a substrate using silicon-containing process gas from a first gas feed part in a reaction chamber.例文帳に追加

反応室において、第１ガス供給部からのシリコン含有プロセスガスを用いて基板上にシリコン含有膜が形成される。 - 特許庁

To provide a high temperature heating device capable of carrying out heat treatment in a high temperature of an heat treatment target object such as a wafer substrate placed in a reaction chamber.例文帳に追加

反応室に配置されるウェーハ基板のような被加熱処理物を高温にて加熱処理するための高温加熱装置に関する。 - 特許庁