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silylationを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 73



例文

SILYLATION例文帳に追加

シリル化方法 - 特許庁

SILYLATION OF RESIST PATTERN例文帳に追加

レジストパターンのシリル化 - 特許庁

SILYLATION PROCESSING METHOD, SILYLATION PROCESSING APPARATUS, AND ETCHING PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム - 特許庁

SILYLATION OF COMPOUND HAVING HYDROXYL GROUP例文帳に追加

水酸基を有する化合物のシリル化法 - 特許庁

例文

METHOD AND DEVICE FOR SILYLATION PROCESSING例文帳に追加

シリル化処理装置およびシリル化処理方法 - 特許庁


例文

To provide a photoresist composition for TIPS(top-surface imaging process by silylation) and a TIPS step utilizing the composition.例文帳に追加

TIPS(Top−Surface Imaging Process by Silylation)用フォトレジスト組成物及びこの組成物を利用したTIPS工程を提供する。 - 特許庁

SILYLATION METHOD OF POROUS LOW-PERMITTIVITY SILICON INSULATING FILM例文帳に追加

多孔質低誘電率シリコン系絶縁膜をシリル化処理する方法 - 特許庁

To detect a fault in wafer treatment including silylation treatment at an early stage.例文帳に追加

シリル化処理を含むウェハ処理の不具合を早期に検出する。 - 特許庁

The surface treatment agent, which is used for the surface treatment on the substrate, contains a silylation agent and a silylation heterocyclic compound.例文帳に追加

基板の表面処理に使用される表面処理剤であって、シリル化剤とシリル化複素環化合物と、を含有する表面処理剤を使用する。 - 特許庁

例文

METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SILICON COMPOUND BY SILYLATION REACTION OF CONJUGATED DIENE例文帳に追加

共役ジエン類のシリル化反応による有機ケイ素化合物の製造方法 - 特許庁

例文

To obtain a pattern forming method for realizing a negative silylation process.例文帳に追加

本発明は、ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン形成方法を得る。 - 特許庁

To form an upper layer silylation pattern of a fixed thickness without depending on the thickness of an upper layer resist film or a fine width of an upper layer silylation pattern.例文帳に追加

上層レジスト膜の膜厚、又は上層シリル化パターンの線幅に依存することなく、上層シリル化パターンを一定の膜厚で形成する。 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SILYLATION DEVICE例文帳に追加

レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびシリル化装置 - 特許庁

The components contained in the exhaust gas discharged from a silylation system, when the system performs silylation treatment is made to be analyzed by collecting the exhaust gas, by attaching a branch pipe connected to an analyzer to the exhaust pipe of the system.例文帳に追加

シリル化処理装置の排気管に分析装置に通じる分岐管を取付け,シリル化処理時の排気を収集し,その成分を分析できるようにする。 - 特許庁

A protection film 5 is formed in an upper surface of the upper layer resist pattern 3A, and an upper layer silylation pattern 6 is formed by silylation of a side wall of the upper layer resist pattern 3A.例文帳に追加

そして、上層レジストパターン3Aの上面に保護膜5を形成し、上層レジストパターン3Aの側壁をシリル化して上層シリル化パターン6を形成する。 - 特許庁

To provide a silylation processing method which allows use of a compact silylation processing apparatus capable of reducing the processing cost and silylating a damaged portion of an inter-layer insulating film.例文帳に追加

コンパクトで処理コストの低減を可能ならしめるシリル化処理装置を用いることが可能な、層間絶縁膜のダメージ部をシリル化するシリル化処理方法を提供すること。 - 特許庁

A substrate W is silylated when a silylation reagent is supplied thereto.例文帳に追加

シリル化剤が基板Wに供給されることにより、基板Wがシリル化される。 - 特許庁

To precisely form fine patterns when a silylation is used in forming semiconductor patterns.例文帳に追加

半導体パターンの形成にシリル化処理を用いる場合に微細パターンを正確に形成する。 - 特許庁

ORGANOSILICON COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING ORGANOSILICON COMPOUND BY DOUBLE SILYLATION REACTION例文帳に追加

有機ケイ素化合物およびダブルシリル化反応による有機ケイ素化合物の製造方法 - 特許庁

Next, a mask for processing of a connection hole and a wiring groove is formed by a silylation method.例文帳に追加

次に、接続孔及び配線溝の加工用マスクをシリル化法により形成する。 - 特許庁

On a lower surface of the shield plate 3, a silylation agent nozzle 11 for discharging a silylation agent (HMDS gas) and a nitrogen gas discharge port 15 for discharging a nitrogen gas are formed.例文帳に追加

遮断板3の下面には、シリル化剤(HMDSガス)を吐出するためのシリル化剤ノズル11と、窒素ガスを吐出するための窒素ガス吐出口15とが形成されている。 - 特許庁

In the middle of silylation treatment, the exhaust gas is taken in the analyzer and the content of a silicon-based compound which is contained in the exhaust gas only slightly, when the silylation treatment is performed normally is measured.例文帳に追加

シリル化処理が行われている最中に,分析装置に排気を取り込み,シリル化反応が正常に行われていれば少量しか含まれないシリコン系化合物の含有率を測定する。 - 特許庁

Further, in a state wherein the shield plate 3 is disposed opposite the surface of the wafer held with the spin chuck 2, the silylation agent is supplied to between the wafer W and shield plate 3 from the silylation agent nozzle 11.例文帳に追加

また、遮断板3がスピンチャック2に保持されたウエハWの表面に対向配置された状態で、シリル化剤ノズル11からウエハWと遮断板3との間にシリル化剤が供給される。 - 特許庁

To obtain a new halogenosilane containing an organic substituent group composed of a phenolic hydroxy group protected by silylation.例文帳に追加

フェノール性水酸基がシリル化保護された有機置換基を有する新規なハロゲノシランを提供する。 - 特許庁

A two-layer resist having an organic resin 13 as the lower layer resist and a silylation resist 14 as the upper layer resist is formed by coating.例文帳に追加

有機樹脂13を下層レジスト、シリル化レジスト14を上層レジストとした2層レジストを塗布形成する。 - 特許庁

Furthermore, the lower layer resist film 2 is subjected to patterning by dry etching by using the upper layer silylation pattern 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、この上層シリル化パターン6をマスクとしたドライエッチング処理により、下層レジスト膜2をパターニングする。 - 特許庁

To provide a new halogenosilane having an organic substituent, which has two or three phenolic hydroxy groups that are protected by silylation.例文帳に追加

2つまたは3つのフェノール性水酸基がシリル化保護された有機置換基を有する新規なハロゲノシランを提供する。 - 特許庁

The hydrophobizing treatment of the substrate is executed by using the surface treatment liquid containing a silylation agent and a hydrocarbon-based nonpolar solvent.例文帳に追加

シリル化剤と、炭化水素系非極性溶剤とを含有する表面処理液を用いて、基板の疎水化処理を行う。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which is capable of making the best of a merit of a silylation process although width of a line can be precisely and uniformly controlled through a plane independently of size and density of a pattern, a method of manufacturing a semiconductor device, and a silylation device.例文帳に追加

パターンの粗密やサイズに関係なく、高精度且つ面内均一に線幅制御が可能でありながら、シリル化プロセスの利点を生かすことができるレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびシリル化装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a reaction method by which a high catalytic activity and stability is manifested, and the regioselectivity of the hydro-silylation reaction product is improved in a hydro-silylation reaction of an organic compound having an unsaturated group and an H-Si functional silicon compound by using a platinum catalyst.例文帳に追加

白金触媒を用いる、不飽和基を有する有機化合物とH−Si官能性ケイ素化合物とのヒドロシリル化反応において、高い触媒活性及び安定性を発現し、且つヒドロシリル化反応生成物の位置選択性を高める反応方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a stencil mask 8 provided with an pattern opening 10 where a silylation reagent passes through is arranged apart from the surface of the resist film 6 by a prescribed gap t4, and the silylation reagent is supplied onto the surface of the resist film 6 through the pattern opening 10 to turn a prescribed pattern 6a of the resist film 6 to silyl.例文帳に追加

その後、シリル化剤を通過させるパターン開口部10が形成されたステンシルマスク8を、レジスト膜6の表面に対して所定隙間t4で配置し、パターン開口部10を通してシリル化剤をレジスト膜6の表面に供給し、所定パターン6aのレジスト膜6をシリル化する。 - 特許庁

Azacalix[5]arene in which five anisole rings are cross-linked with nitrogen atoms has been succeedingly synthesized by performing an arylamination reaction at 80°C after N-silylation.例文帳に追加

N−シリル化後のアリールアミノ化反応を80℃で行なうことにより、5つのアニソール環を窒素原子で架橋したアザカリックス[5]アレーンの合成に成功した。 - 特許庁

To obtain a solvent-soluble stepladder siliconcontaining polymer by subjecting a diyne compound and a specific tetrakis (silyl) benzene compound to dehydro-double silylation condensation reaction.例文帳に追加

ジイン化合物と、特定のテトラキス(シリル)ベンゼン化合物とを脱水素ダブルシリル化縮合反応させることにより、溶媒可溶なステップラダー型含ケイ素ポリマーを提供する。 - 特許庁

The part of the silylation resist 20 corresponding to the position above the crosslinked part 15 is crosslinked in a groove pattern (in a parallelepiped form), and then the whole surface of the wafer is silylated.例文帳に追加

シリル化レジスト20の一部で架橋部15の上に位置する部分を溝状に(直方体状に)架橋させた後、ウエハ全面をシリル化する。 - 特許庁

Consequently, the nonconformity is eliminated, because, when the fault is caused by water adhering to a wafer, and the water is removed from the wafer, before the silylation treatment is started.例文帳に追加

こうすることにより不具合の原因がウェハへの水分の付着である場合には,シリル化処理前に水分が除去されるので,不具合が解消する。 - 特許庁

From the standpoint of enhancing the catalytic performance, it is preferred that the titanium-containing silicon oxide catalyst is provided with silylation treatment to be made into a silylated titanium-containing silicon oxide catalyst.例文帳に追加

触媒の性能を高める観点から、チタン含有珪素酸化物触媒にシリル化処理を施し、シリル化されたチタン含有珪素酸化物触媒とすることが好ましい。 - 特許庁

This curable composition is provided by containing a hydrolyzable silyl group-containing polymer having 40 to 80% silylation rate and micro-balloons, and having a ≤1.10 specific gravity of the whole composition.例文帳に追加

シリル化率が40〜80%である加水分解性シリル基含有ポリマーおよびマイクロバルーンを含んでなり、組成物全体の比重が1.10以下である硬化性組成物。 - 特許庁

A reinforcement treating fluid is prepared by mixing a reinforcement agent essentially including a silylation agent with SCCO2 and supplied to a treatment chamber.例文帳に追加

シリル化剤を必須的に含む強化剤がSCCO2と混合されて強化用処理流体が調製され、この強化用処理流体が処理チャンバーに供給される。 - 特許庁

And the side of the via 78a is made to be recovered from a damage caused by the etching treatment by processing the side of the via 78a formed in the interlayer insulating film 74 by this etching treatment with a silylation treatment.例文帳に追加

このエッチング処理によって層間絶縁膜74に形成されたビア78aの側面部をシリル化処理し、ビア78aの側面部をエッチング処理によるダメージから回復させる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for dry development with which it is possible to form a high resolution pattern with low line edge roughness in a silylation process, and a method for forming the resist pattern.例文帳に追加

シリル化プロセスにおいて、低ラインエッジラフネスで、高解像度なパターンの形成が可能となるドライ現像用の感光性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

After the upper layer resist is subjected to the treatment to improve the heat resistance, a two-layer resist having an organic resin 19 as the lower layer resist and a silylation resist 20 as the upper layer resist is further formed thereon by coating.例文帳に追加

その上層レジストに耐熱性向上処理を施した後、有機樹脂19を下層レジスト、シリル化レジスト20を上層レジストとした2層レジストを、さらに塗布形成する。 - 特許庁

A projection aligner 10 is provided with an atomic force microscope(AFM) for measuring a latent image formed on a wafer W with a surface-reaction type resist subjected to silylation as a photosensitive layer.例文帳に追加

露光装置10に、表面反応型のシリル化レジストを感光層としたウエハWに形成される潜像を計測するため、原子間力顕微鏡AFMを備える構成とした。 - 特許庁

A part of the silylation resist 14 is exposed in a hole pattern (a cylindrical form) and crosslinked, then the whole surface of the wafer is silylated to add Si in the part except for the crosslinked part 15 of the upper layer resist.例文帳に追加

シリル化レジスト14の一部を穴状に(円柱状に)露光して架橋させ、その後ウエハ全面をシリル化処理して、上層レジストの架橋部15以外の部分にSi元素を付与する。 - 特許庁

The ammonium oligosilicate having a polyhedral skeleton is obtained by a simple method in which an alkyl silicate is reacted with a hydroxylated quaternary ammonium in a solvent, and the polysiloxane compound is obtained by the silylation reaction.例文帳に追加

アルキルシリケートと水酸化4級アンモニウムを溶媒中で反応させる簡便な方法により多面体骨格を有するアンモニウムオリゴシリケートが得られ、このシリル化反応により、ポリシロキサン化合物が得られる。 - 特許庁

This composition for processing the fiber product is characterized by comprising an aqueous solution containing (A) a hydrolyzed protein silylation product, (B) a protein and (C) chitosan as essential components and further containing (D) a plant-originated active ingredient.例文帳に追加

加水分解蛋白質シリル化物(A) 、蛋白質(B) およびキトサン(C)を必須成分とし、さらに植物由来の有効成分(D) を含有する水溶液からなる繊維製品加工用組成物である。 - 特許庁

The etch stop substance is a silicon containing substance, and then converted into the low dielectric constant substance (k=3, 5-5), which becomes silicon oxide rich in silicon after ultraviolet irradiation, silylation and oxygen plasma.例文帳に追加

このエッチストップ物質はシリコン含有物質であり、そして低誘電率物質(k=3.5〜5)に変換され、この物質は紫外線照射及びシリル化、酸素プラズマの後にシリコンに富む酸化シリコンになる。 - 特許庁

Because etching resistance to the separation agent of the porous Low-k film is enhanced by the silylation, the resist can be separated and removed without damaging the porous Low-k film.例文帳に追加

シリル化によりポーラスLow−k膜の剥離剤に対するエッチング耐性が高められていることから、ポーラスLow−k膜へのダメージ発生を防止しながらレジストを剥離除去することができる。 - 特許庁

Photomask patterns are formed by using a resist containing Si in a base resin or a resist having with metals, such as Si, introduced by a silylation process as the light shielding body, thereby improving the resistance to active oxygen.例文帳に追加

Siをベース樹脂に含有したレジストあるいは、シリル化プロセスによりSi等の金属を含有させたレジストを遮光体としてフォトマスクパターンを形成し、活性酸素に対する耐性を向上する。 - 特許庁

A surface treatment agent is used that is employed in hydrophobization treatment of a substrate surface and includes a silylation agent containing at least one compound having a disilazane structure and a solvent containing a five- or six-membered ring lactone compound.例文帳に追加

基板表面の疎水化処理に使用され、ジシラザン構造を有する少なくとも1種の化合物を含むシリル化剤と、5又は6員環のラクトン化合物を含む溶剤とを含有する表面処理剤を使用する。 - 特許庁

例文

With use of the mask and an RIE(reactive ion etching) method, removal of resist using an oxygen gas, etching of the film 3 and removal of a silylation layer 8 formed on a resist are repeated.例文帳に追加

次に、このマスクを用いて、RIE法により、酸素ガスを用いたレジストの除去、CHF_3とCF_4とArとの混合ガスにより、層間絶縁膜3のエッチング及びレジスト表面のシリル化層8除去を繰り返す。 - 特許庁




  
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