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「v region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索
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v regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 270



例文

By such a device, when well voltage of the pocket P-type well region is increased by applying voltage to a unselected bit line, program/pass voltage is applied to a word line at the point of time at which well voltage being made higher by such a way is lower than detected voltage (e.g. 0.1 V) of the well voltage detecting circuit.例文帳に追加

このような装置によると、前記ポケットPウェル領域のウェル電圧が非選択ビットラインへの電圧印加により増加する場合において、そのように増加したウェル電圧がウェル電圧検出回路の検出電圧(例えば、0.1V)より低くなる時点に、プログラム/パス電圧をワードラインに印加する。 - 特許庁

The V-shaped or trapezoidal groove having a first inclined surface and a second inclined surface opposed to the first inclined surface is formed on the surface of the silicon substrate by means of anisotropic etching, the adhesive is disposed at least on the second inclined surface in the region excluding the first inclined surface in the groove and the lens is arranged and fixed in the groove.例文帳に追加

シリコン基板の表面に異方性エッチングにより第一の斜面とそれに対向する第二の斜面を有するV形状または台形状の溝を形成し、溝内の第一の斜面を除いた領域のうち、少なくとも第二の斜面に接着剤を備え、溝内にレンズを配置して固定する。 - 特許庁

Light which leaks from the side face of the light guide plate is interrupted by a light reflection pattern 220 formed on the light reflective surface of the light guide plate 200 for modification of brightness distribution and the prevention of a moire phenomenon so that an effective display region is not divided into a bright area IV, a boundary area and a dark area V.例文帳に追加

輝度分布の変更及びモアレ現象の防止のために導光板200の光反射面に形成された光反射パターン220により有効ディスプレー領域が明るい領域IV、境界領域、暗い領域Vに分割されないように、導光板の側面から漏洩する光を遮断する。 - 特許庁

The polypeptide comprises at least a part of a motif represented by the following amino acid sequence V(D/I)DGXX(N/E/D)(T/D)D (wherein, X denotes an optional amino acid residue) in a hyaluronic acid synthase, the motif represented by QXXRW and a region sandwiched therebetween and has the activity for synthesizing the hyaluronic acid oligomer.例文帳に追加

ヒアルロン酸合成酵素におけるアミノ酸配列V(D/I)DGXX(N/E/D)(T/D)D(Xは任意のアミノ酸残基を示す)で示されるモチーフの少なくとも一部と、QXXRWで表されるモチーフと、それらに挟まれた領域を含み、ヒアルロン酸オリゴマー合成活性を有するポリペプチド。 - 特許庁

例文

The sipes 2 are so arranged that circumferentially adjacent ones are roughly parallel in the circumferential end region of the block 1 and that paired ones in the substantially V-shape form an angle α of 10° to 45° to each other while forming acute angles θ1 and θ2 of 45° to 85° to the tire circumference.例文帳に追加

サイプ2がブロック1の周方向端部ブロック区域においては周方向隣接間同士で互いに略平行であり、前記人文字または入文字の形状を形成するサイプ同士の挟角αが10〜45°で、かつ該サイプのタイヤ周方向に対する鋭角側角度θ_1、θ_2が45°〜85°である。 - 特許庁


例文

Furthermore, as a second component, the positive electrode contains the positive electrode active material having the initial amount of charged electricity of not less than 50 mAh/g in a charging region of less than 4.5 V (vs Li/Li^+), and the positive electrode active material of the second component is 1 to 9 wt% to the total weight of the positive electrode active material.例文帳に追加

正極は、さらに、第2成分として、4.5V(vsLi/Li^+)未満の充電領域において50mAh/g以上の初期充電電気量を有する正極活物質を含有し、第2成分の正極活物質が、正極活物質合計重量に対して1〜9重量%であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a silicon substrate achieving electrical isolation of a wide voltage region of 500 V or larger, in a manufacturing process allowing coexistence with STI and having an isolation structure for blocking the physical movement of metal to the depth of a through-electrode, while ensuring surface planarity and metal contamination gettering performance.例文帳に追加

表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、STIと共存できる製造工程で500V以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。 - 特許庁

(i) Where a person intends to export goods which have been landed temporarily and forwarded with a bill of landing (including airway bills and other instruments similar to bills of landing) designating a region other than Japan as the destination (such goods shall be referred to as "Temporarily Landed Goods to Foreign Countries" in item (iii) to item (v)) (except for cases falling under any of the following if that person intends to export goods to a region other than the regions listed in appended table 3): 例文帳に追加

一 仮に陸揚げした貨物のうち、本邦以外の地域を仕向地とする船荷証券(航空貨物運送証その他船荷証券に準ずるものを含む。)により運送されたもの(第三号から第五号までにおいて「外国向け仮陸揚げ貨物」という。)を輸出しようとするとき(別表第三に掲げる地域以外の地域を仕向地として輸出しようとする場合にあつては、次に掲げるいずれの場合にも該当しないときに限る。)。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The cushioning material 1 formed to be a cylinder comprising a plurality of flexible strings 2 which are adjacent to one another, joined on their faces at a plurality of different regions 3 in a longitudinal direction at predetermined intervals is folded at a predetermined region where a V-shaped or U-shaped cut 4 is formed, thereby forming a double structure comprising an inner layer and an outer layer.例文帳に追加

互いに隣接する複数の可撓性条片2の面を、長手方向の異なる複数の部位3で所定の間隔で接合し、筒状に形成されている緩衝材1を、V字状又はU字状の切込部4が形成された所定部位で折り返し、内層と外層とで構成された二重構造を形成する。 - 特許庁

例文

Either one of the planes parallel to a liquid crystal display panel of a light guide for guiding the light from a light source to the liquid crystal display panel is formed as a slope where the light guide becomes thinner, as it is separated from the light source, wherein many V-shaped grooves are provided over the predetermined region in the slope direction of the slope.例文帳に追加

光源からの光を前記液晶ディスプレイパネルに導く導光体の前記液晶ディスプレイパネルと平行な面のいずれか一方の面を、前記光源から離れるにしたがって前記導光体が薄くなるような斜面として形成し、前記斜面の傾斜方向に所定の領域に渡って複数のV字状の溝を設けた。 - 特許庁

例文

A mask material made of an insulation film is formed to cover a control electrode forming region on a first nitride semiconductor layer, and on the first nitride semiconductor layer exposed, a second nitride semiconductor layer made of a group III-V nitride semiconductor layer and made of a fine crystal structure not containing aluminum is selectively formed at a low film forming temperature.例文帳に追加

第1の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第1の窒化物半導体層上に、低い成膜温度で、III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device which comprises a process of forming an Al alloy interconnection film to be electrically connected to each region of a transistor, on a silicon substrate formed with the transistor, the Al alloy interconnection film is formed by sputtering, and a bias voltage applied to the silicon substrate side when sputtering is set to 0 V or ground potential.例文帳に追加

トランジスタが形成されたシリコン基板上に、トランジスタの各領域と電気的に接続されるAl合金配線膜を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、Al合金配線膜の形成工程をスパッタリングによって行い、スパッタリング時に、シリコン基板側に印加するバイアス電圧を0Vもしくは接地電位とする。 - 特許庁

This section describes the challenges for Japanese corporate activities in the East Asian region andstrategic approaches that have proved successful for expanding business in this region, focusing on thefollowing points with regard to the approaches necessary to improve the earnings performance ofJapanese companies in the East Asian region in the future: from a macro-economic perspective on (i) thecomparative advantage structure between Japan and each region in East Asia in terms of trade; and froma micro-economic perspective on (ii) the characteristics of motivation for entry into the East Asianregion and development of business, (iii) recouping of headquarters costs and collection of profits, (iv)making the most of merits in business costs, (v) local management structure, (vi) local R&D activities,and (vii) efforts by Japanese companies with the opening of the Chinese market.例文帳に追加

本節においては、今後、日本企業が東アジア地域において収益性を向上させる上で必要となる取組みについて、マクロの観点から(1)日本と東アジア各地域貿易における比較優位構造を中心に、また、ミクロの観点からは、(2)東アジア地域への進出動機や事業展開の状況から見た特徴、(3)本社コストの対価及び利益の回収状況、(4)事業コスト面でのメリットの活用状況、(5)現地経営体制の状況、(6)現地R&D活動の状況、(7)中国市場開放に伴う日本企業の取組みに着目して、東アジア地域における日本企業の事業活動の課題と、東アジア地域において事業の拡大に成功している戦略的な取組みを取り上げる。 - 経済産業省

The lock up clutch 26 is speedily released (S150-170, 190, 200) when throttle opening θ and car velocity V change from an engaged region to a disengaged region (S20-90), but the lock up clutch 26 is gently released in comparison with the normal time at the time when the lock up clutch 26 has torque transmission capacity at this stage (S100).例文帳に追加

スロットル開度θ及び車速Vが係合領域より非係合領域へ変化したときには(S20〜90)、ロックアップクラッチ26が迅速に解放される(S150〜170、190,200)が、スロットル開度θ及び車速Vが非係合領域にある状況(S20)にて、車輌の運転状態が特定の運転状態以外の状態になり(S50〜90)、その段階に於いてロックアップクラッチ26にトルク伝達容量があるときには(S100)、ロックアップクラッチ26を通常時に比して穏やかに解放する(S150〜190)。 - 特許庁

The all-metal electron emissive structure consisting of one or more metal is operable to emit electrons in response to thermal excitation, wherein an active region of the electron emissive structure under steady state operating conditions has a temperature greater than about 1500°K, and wherein the cathode fall voltage in the discharge medium under steady state operating conditions is less than about 100 V.例文帳に追加

1つ以上の金属からなる全金属電子放出構造体は、熱励起に応答して電子を放出するように動作可能であり、安定状態動作条件下で電子放出構造体の活性領域は、約1500度Kより高い温度を有し、安定状態動作条件下で放電媒体内のカソード降下電圧が、約100ボルト未満である。 - 特許庁

There is fundamentally provided the alcohol fermentation method comprising adding the ground product of Japanese pepper to an alcohol fermentation raw material and fermenting the alcohol fermentation raw material in a temperature region of 33 to 40°C, characterized by using the pericarp of the Japanese pepper as the Japanese pepper and adding the ground product in an amount of 0.0004 to 0.4% (w/v) dry weight to the alcohol fermentation raw material.例文帳に追加

アルコール発酵原料に、サンショウの粉砕物を添加して33℃〜40℃の温度領域で発酵させるアルコール発酵方法であって、サンショウとして、サンショウの果皮を使用するとともに、その粉砕物のアルコール発酵原料に対する添加量を乾物重量として、0.0004%(w/v)〜0.4%(w/v)添加するアルコール発酵方法を基本として提供する。 - 特許庁

While this V-shaped recovery has clearly demonstrated the potential of the Asian economies, in order to consolidate this remarkable accomplishment and to achieve sustainable economic development, it is essential for the region to reinforce its foundations. Of particular importance is the realization of private-sector-led economic growth supported by productivity increases stemming from private investment.例文帳に追加

このV字型回復によってアジア経済の潜在力は明確に示されたわけですが、これまでの成長を確かなものとし持続的な経済発展を達成するためには、アジア経済は、以前にもまして、強固な基盤を備えたものであることが不可欠であり、とりわけ、民間投資による生産性の向上に支えられた民間部門主導による成長を実現していくことが求められます。 - 財務省

A fixture comprises a partition 2 for dividing a partial space region in a building structure as a smoking space, a ventilator 3 for exhausting air in the smoking space while setting the smoking space divided by the partition 2 to negative pressure, and a deformable duct 4 that guides air exhausted by the ventilator 3 to an opening V that is provided at the building structure in advance.例文帳に追加

建築構造物内の一部空間領域を喫煙スペースとして区画するパーティション2と、前記パーティション2により区画された喫煙スペースを負圧としつつ該喫煙スペース内の空気を排気する換気装置3と、前記換気装置3により排気される空気を前記建築構造物に予め設けられている開口Vへと導く変形可能なダクト4とを具備してなる什器を構成した。 - 特許庁

v) Where a person intends to export goods listed in the middle column of row 8 of appended table 1 or goods listed in the middle column of row 9 of the same table (limited to the part concerning goods listed in (7), (8) or (10)), which are specified by the Minister of Economy, Trade and Industry in public notice in that there is no need to take into consideration the content of the export transactions in light of the specifications of said goods and the manner of sale of the goods in the market (such goods shall exclude Temporarily Landed Goods to Foreign Countries) (except for cases (a) and (b) of item (iii) if that person intends to export goods to a region other than the regions listed in appended table 4-2 例文帳に追加

五 別表第一の八の項の中欄に掲げる貨物又は同表の九の項の中欄に掲げる貨物((七)、(八)又は(十)に掲げる貨物に係る部分に限る。)のうち、当該貨物の仕様及び市場における販売の態様からみて特にその輸出取引の内容を考慮する必要がないものとして経済産業大臣が告示で定めるもの(外国向け仮陸揚げ貨物を除く。)を輸出しようとするとき(別表第三に掲げる地域以外の地域を仕向地として輸出しようとする場合にあつては、第三号のイ及びロのいずれの場合にも該当しないときに限る。)。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

The major goals set by the Strategic Goals for International Standardization are (i) doubling the number of proposals submitted for international standardization and (ii) increasing the number of technical committee secretariats on which Japan assumes positions to same level as those of Europe and the U.S. countries by 2015. As concrete measures for achieving such goals, the strategies further direct the advancement of commitments focusing on the following five points: (i) changing the awareness of companiesexecutives, (ii) enhancing prioritized assistance for submitting proposals for international standardization, (iii) fostering world-class international standardization specialists, (iv) strengthening cooperation ties in the Asia-Pacific region, and (v) responses to the establishment of unique domestic standards and technical regulations by foreign countries.例文帳に追加

国際標準化戦略目標は、2015年までに欧米諸国に比肩しうるよう、①国際標準の提案件数を倍増する、②欧米並みの幹事国引受数を実現することを大きな目標としており、そのための具体的な取組として、①企業経営者の意識改革、②国際標準の提案に向けた重点的な支援強化、③世界で通用する標準専門家の育成、④アジア太平洋地域における連携強化、⑤諸外国の独自標準と技術規制の制定への対応の5点を柱とした取組を推進することを定めている。 - 経済産業省




  
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