「v region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor base substance 1 has a first group III-V compound semiconductor region 7 for constituting the main portion of the semiconductor device on one main surface of a silicon substrate 6, and further has a second group III-V compound semiconductor region 8 for improving the warp and the withstand voltage on the other main surface thereof.例文帳に追加

半導体基体１は、半導体素子の主要部を構成するための第１の３−５族化合物半導体領域７をシリコン基板６の一方の主面上に有する他に、他方の主面上に反り及び耐圧改善用の第２の３−５族化合物半導体領域８を有する。 - 特許庁

To a video data signal outputted from a history information multiplexer of a video decoding system, an encoding parameter, above a picture layer, with a high degree of necessity for a number of applications is inserted into a V Blanking region and an encoding parameter, below a slice layer, is inserted into an H Blanking region after being converted into an ancillary packet.例文帳に追加

ビデオデコーディングシステムのヒストリ情報多重化装置から出力されたビデオデータ信号にたいして、多くのアプリケーションで必要度の高い、ピクチャ層以上の符号化パラメータがV Blanking領域に、全てのアプリケーションでは必要とされない、スライス層以下の符号化パラメータがH Blanking領域に、アンシラリパケットに変換されて挿入される。 - 特許庁

An active region 120 and a passive region 110 of a semiconductor member 125 are formed by a II-V compound semiconductor, and the passive region 110 is formed with a thickness of 5 μm or more, and a reflecting mirror 130 and a partially transmitting mirror 100 are formed by a dichroic mirror, to thereby simplify a complicated process at the time of forming a mirror.例文帳に追加

半導体部材125の活性領域120及び受動領域110をII−VI族半導体化合物で形成し、受動領域110を５μｍ以上の厚さに形成し、反射ミラー130及び部分透過ミラー100をダイクロイックミラーで形成することにより、ミラー形成時の複雑な工程を単純化しうる。 - 特許庁

The active region 17 is provided between the first conductive semiconductor layer 13 and the second conductive semiconductor layer 15 while having a group III-V compound semiconductor layer 21 containing nitrogen (N) and arsenic (As) as V group.例文帳に追加

活性領域１７は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられており、またＶ族として窒素（Ｎ）およびヒ素（Ａｓ）を含むIII−Ｖ化合物半導体層２１を有する。 - 特許庁

To provide a friction object member having improved μ-V characteristic by improving a friction coefficient in a high speed region and additionally reducing a friction coefficient in a low speed region without receiving the influences of lubricating oil.例文帳に追加

高速領域の摩擦係数の向上に加えて、潤滑油の影響を受けずに低速領域の摩擦係数を低減させることにより、μ−Ｖ特性を向上させることが可能な摩擦相手材を提供すること。 - 特許庁

In a liquid crystal display using a TFD element, a plurality of the dummy pixel electrodes 80 are provided so as to make a vertical row on both sides of the effective display region V, respectively.例文帳に追加

ＴＦＤ素子を用いた液晶装置において、有効表示領域Ｖの両側に、それぞれ縦列をなすように複数のダミー画素電極80を設ける。 - 特許庁

When the wiper blade exists in a limit compensation region Q set in the vicinity of the lower inversion position Y, an output of the motor is regulated to below a limit value V set in advance.例文帳に追加

ワイパブレードが下反転位置Ｙ近傍に設定されたリミット補正領域Ｑに存在するときは、モータの出力を予め設定したリミット値Ｖ以下に規制する。 - 特許庁

The system has a timer mechanism 7 which uses a clocking function of the platform OS 3 of a computer system to write an initial value V into a monitoring region 9 at constant time intervals Ta.例文帳に追加

コンピュータシステムのプラットフォームＯＳ３の計時機能を利用して一定の時間間隔Ｔａで監視用領域９に初期値Ｖを書き込む時計機構７を有する。 - 特許庁

It can be easily judged on the basis of the evaluation of I-V characteristics of the pin diode whether the channel region formed of the intrinsic semiconductor layer is of p-type or n-type.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードのＩ−Ｖ特性の評価から真性半導体層にて形成されるチャネル領域がｐ型またはｎ型のいずれか容易に判別できる。 - 特許庁

Emission color on the structural axis of the LED is the color within a region having a center (0.21, 0.47) and a radius of 0.1 on the CIE1976UCS chromaticity coordinates (u', v').例文帳に追加

該ＬＥＤの構造軸上での発光色が、ＣＩＥ１９７６ＵＣＳ色度座標（ｕ’，ｖ’）で（０．２１，０．４７）を中心とする半径０．１以内領域の色。 - 特許庁

A liquid crystal display device includes a substrate 16b of supporting liquid crystal and a display region V in a planar shape formed on the substrate 16b by a plurality of pixels.例文帳に追加

液晶を支持する基板１６ｂと、複数の画素によって基板１６ｂ上に面状に形成される表示領域Ｖとを有する液晶表示装置である。 - 特許庁

Concentration of nitrogen in a silicon crystal and the growth condition V/G (V:growth rate and G: axial temperature gradient of the crystal) are controlled so as to have an OSF region.例文帳に追加

ＯＳＦ領域になるように、シリコン結晶中の窒素の濃度と成長条件Ｖ／Ｇ（Ｖ：成長速度、Ｇ：結晶の軸方向温度勾配）が制御される。 - 特許庁

To reduce a current collapse phenomenon of a semiconductor transistor having a group III-V nitride semiconductor as a channel region.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物半導体をチャネル領域とする半導体トランジスタの電流コラプス現象の低減を図ることができ半導体トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Whether the number of revolutions of a motor is within a region of the number of normal rotation or not is monitored by an encoder 22, an f/V converter 23, a specified rotation number voltage generation part 26, and a comparator 27.例文帳に追加

モータの回転数が正常回転数領域内にあるか否かをエンコーダ２２、ｆ／Ｖ変換器２３、規定回転数電圧発生部２６、比較器２７で監視する。 - 特許庁

Each concave grooves 15A and 15B is formed in a nearly V-shape in a cross sectional view and its depth D is formed so as to be equal to or deeper than the film thickness of a central region 14c of the receptive layer.例文帳に追加

凹溝１５Ａ、１５Ｂは断面視略Ｖ字状に形成し、その深さＤは受理層の中央領域１４ｃの膜厚と同等以上に形成する。 - 特許庁

A high-resistance III-V compound semiconductor layer is provided under a pedestal electrode, and it is preferable that a low-resistance III-V compound semiconductor layer be provided under the ohmic electrodes, by which an operating current is effectively distributed through an open light- emitting region.例文帳に追加

台座電極の直下に高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設け、さらに好ましくはオーミック電極の直下に低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設けることにより、動作電流を開放発光領域に有効的に配分する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect region can be efficiently manufactured in a short period of time by controlling the ratio V/G without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずにＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, in the case of a measurement condition where the temperature distribution in the coupler varies, a measured V (z) curve is utilized, the change in the wavenumber of the longitudinal wave in water at the propagation region of the ultrasonic waves is monitored, and the changes in the coupler temperature and longitudinal speed are obtained accurately.例文帳に追加

更に、カプラ内の温度分布が変動するような測定条件の場合は、測定したV(z)曲線を利用して、超音波の伝搬領域における水中の縦波の波数の変化をモニターし、カプラ温度及び縦波速度の変化を高精度に求める。 - 特許庁

Accordingly, even when the increasing rate of the I/V value of the TFD by the annealing process at the center area of the initial circuit board 200 is small, the I/V characteristic does not fluctuate since a thick insulating film is formed to the first metal layer 222 formed in such a region.例文帳に追加

従って、元基板２００の中心領域でのアニール処理によるＴＦＤのＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層が形成されるので、Ｉ／Ｖ特性がばらつかない。 - 特許庁

By cloning a VH region and VL region genes constituting the antibody molecule from the antibody producing cells and based on the gene information of the V regions, various antibodies such as a humanized antibody, bispecific antibody, etc., are prepared.例文帳に追加

当該抗体産生細胞より抗体分子を構成するＶＨ領域及びＶＬ領域遺伝子をクローニングし、このＶ領域の遺伝情報を元にしてヒト化抗体及び二重特異性抗体などの各種抗体を作製することを特徴とする。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

Since, moreover, the U/V passes outside a safety region on the safety region figure by the Mathieu equation at changing-over of the masses in a step shape, unwanted ions hardly pass the quadrupole mass filter to enable to alleviate damage on the detector.例文帳に追加

また、質量をステップ状に切り替える際にマチウ方程式による安定領域図上でＵ／Ｖが安定領域の外側を通るため、不所望のイオンが四重極質量フィルタを通過しにくくなり検出器のダメージを軽減できる。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal wafer consisting of an N-region where neither V-rich region nor I-rich region is present and the defect density is extremely low in the entire surface of the crystal produced by the CZ method, under the condition that can be controlled easily in a wide range, while maintaining high yield and high productivity.例文帳に追加

制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるＮ−領域からなるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを、高歩留り、高生産性を維持しながら製造する方法を提供する。 - 特許庁

Respective boundary parts 83A of the plurality of the beltlike light emission regions 8a to 8f each have a V-shaped plane shape in which a first boundary constitution part 831 extending obliquely from one beltlike region to the other beltlike region and a second boundary constitution part extending obliquely from the other beltlike region to the one beltlike region are present successively in this order.例文帳に追加

複数の帯状発光領域８ａ〜８ｆの各境界部分８３Ａは、一方側の帯状領域から他方側の帯状領域に向かって斜めに延びた第１の境界構成部分８３１と、他方側の帯状領域から一方側の帯状領域に向かって斜めに延びた第２の境界構成部分８３２とがこの順に続くＶ字形の平面形状を有している。 - 特許庁

To make a cell gap uniform and to obtain a high-quality display image by optimizing the distance from the end of an effective display region V to the end of an insulating film in an opposing side.例文帳に追加

有効表示領域Ｖの端部から対向する側の絶縁膜の端部までの距離を最適化することによりセルギャップを均一化して、高品位な表示画像を得る。 - 特許庁

A region V where a photosensitive material P pulled up from a developing liquid passes is filled with a foamed process liquid prepared by foaming the process liquid with a non-oxidative gas.例文帳に追加

現像処理液から引き上げられた感光材料Ｐの通過領域Ｖに、処理液を非酸化性の気体によって泡状化した発泡処理液が充填された構成とした。 - 特許庁

In this way, a pixel control signal vSEL in a V direction is controlled to reset storage electronic charges of only pixels in an arbitrary region by the signal SSOUT.例文帳に追加

これにより、Ｖ方向の画素選択信号ｖＳＥＬを制御し、任意の領域の画素だけの蓄積電荷が電子シャッタスキャナ出力信号ＳＳＯＵＴによってリセットされるようにする。 - 特許庁

After field shield transistors are formed in a selective transistor region having a narrow element separating width, element separation is performed on local bit lines by impressing 0 V upon the gates 223 of the field shield transistors.例文帳に追加

素子分離幅の小さい選択トランジスタ領域にフィールドシールドトランジスタを形成し、フィールドシールドトランジスタのゲート２２３に０Ｖを印加することにより、ローカルビット線の素子分離を行う。 - 特許庁

According to lore, its name is derived from the fact that at one time, its ridge had a deep sag which was called "Hazama" when it was viewed from the opposite ridge in the basin region. 例文帳に追加

名前の由来は盆地であるこの地域の、峠と反対側の尾根から山際を眺めた際、この峠の尾根がV字に凹んでおり、これを狭間と呼んだとの伝承が残っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A control circuit performs the assignment of one vacant block (BLK-V) and the assignment of a logical address to the residual block region by a super block (SB) unit as the group of the block regions.例文帳に追加

制御回路は、ブロック領域の集合であるスーパーブロック（ＳＢ）単位で、一つの空きブロック（ＢＬＫ−Ｖ）の割り当てと残りのブロック領域に対する論理アドレスの割り当てを行なう。 - 特許庁

That is, even in the case where light with a wavelength of 350 nm is irradiated at 1×10^13 photons/cm^2sec, a channel region of a transistor is formed using an oxide semiconductor in which an amount of variation in the threshold voltage is less than or equal to 0.65 V, preferably less than or equal to 0.55 V.例文帳に追加

すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 - 特許庁

The semiconductor mesa 15 is provided on the first area 13a of the first distributed Bragg reflector 13 and, in the semiconductor mesa 15, an active region 29 exists between a first conductivity type III-V compound semiconductor layer 25 and a second conductivity type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

半導体メサ１５は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３の第１のエリア１３ａ上に設けられており、半導体メサ１５では、活性領域２９は第１導電型III−Ｖ化合物半導体層２５と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層２７との間にある。 - 特許庁

The space 1 having a large dimension of a vertical direction and formed in a frame F immediately below the movable region of the carrier base V is utilized as a wiring space 33 to lay the signal line C of the seat sensor 22 etc. arranged on the carrier base V, so that the signal line C becomes a drooping state on the wiring space 33.例文帳に追加

キャリアベースＶの可動領域の直下のフレームＦ内に形成される上下方向の寸法の大きな空間部１を配線空間３３として利用して、キャリアベースＶ上に配置された着座センサ２２等の信号線Ｃを前記配線空間３３に垂下状態で配線する。 - 特許庁

An erase voltage Vers (-8 V) is applied to a dummy main bit line DMBL0 of a dummy cell array region 20 via an erase voltage supply transistor 2, and a negative voltage (-8 V) is applied to the drains of dummy cells DCELL0, DCELL0,... and sources of dummy cells DCELL1, DCELL1,... in the BLOCKn through the dummy sub-bit line DSBL.例文帳に追加

ダミーセルアレイ領域２０のダミーメインビット線ＤＭＢＬ０に消去電圧供給トランジスタ２を介して消去電圧Ｖｅｒｓ（−８Ｖ）を印加して、ダミーサブビット線ＤＳＢＬを通じてＢＬＯＣＫｎ内のダミーセルＤＣＥＬＬ０，ＤＣＥＬＬ０・・・のドレイン及びダミーセルＤＣＥＬＬ１，ＤＣＥＬＬ１・・・のソースに負電圧（−８Ｖ）を印加する。 - 特許庁

A matrix generation section 26 generates a similarity degree matrix MA in which a similar line GA corresponding to a region where a similarity degree SM of a feature amount F between a sound signal V and a time difference attached sound signal V is high, is arranged in a plane including a time axis T and a time difference axis D.例文帳に追加

マトリクス生成部２６は、音響信号Ｖと時間差を付与した音響信号Ｖとで特徴量Ｆの類似度ＳMが高い領域に対応した類似線分ＧAを、時間軸Ｔと時間差軸Ｄとを含む平面に配置した類似度マトリクスＭAを生成する。 - 特許庁

This map is set to a tendency to prevent demand driving force from being greatly changed even if opening of the accelerator is more or less changed in a high speed region when the vehicle speed Vtmp is high and a tendency to make the demand torque Tr* substantially a fixed value in a high speed region of vehicle speed V.例文帳に追加

また、車速Ｖｔｍｐが高いときには、高速領域でアクセル開度が多少変化しても要求駆動力が大きく変化しない傾向に、且つ車速Ｖの高速領域での要求トルクＴｒ＊が略一定値になる傾向に設定されている。 - 特許庁

Because the n-type isolation region is constituted of the n-type lower part isolation and the n-type cyclic isolation region, the depth position of the n-type lower part isolation can be controlled freely, and therefore the electrical characteristics of a V-PNP can be optimized independently.例文帳に追加

ｎ型分離領域が、ｎ型下部分離領域とｎ型環状分離領域とから構成されているので、ｎ型下部分離領域の深さ位置を自在に制御することができ、従って、Ｖ−ＰＮＰの電気特性を独立して最適化できる。 - 特許庁

The magnetron sputtering source is adjusted such that, when the plasma channel 8 moves over the surface region of the target 4, the entire duration of exposure of the surface region to the plasma is reduced by an increase in the relative velocity v between the magnet arrangement 7 and the target 4.例文帳に追加

プラズマチャネル８をターゲット４の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列７とターゲット４と間の相対速度ｖを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。 - 特許庁

Storage transistors Q are formed in a well region W and selective transistors P and reset transistors R are formed in an n-type well region V, and the storage transistors Q and ferromagnetic capacitors C constitute MFMIS-type transistors.例文帳に追加

蓄積トランジスタＱはｐ型のウエル領域Ｗに形成されていると共に、選択トランジスタＰ及びリセットトランジスタＲはｎ型のウエル領域Ｖに形成されており、蓄積トランジスタＱと強誘電体コンデンサＣとによってＭＦＭＩＳ型トランジスタが構成されている。 - 特許庁

The capacitor 22 is charged with a low voltage about 100-200 V so as to start the current supply for the spark plug 2 after the spark discharge of the spark plug 2 is in the transition region between the glow discharge and the arc discharge or in the region of the arc discharge.例文帳に追加

このコンデンサ２２には、点火プラグ２の火花放電がグロー放電とアーク放電との間の遷移領域、若しくは、アーク放電領域に入ってから点火プラグ２への電流供給を開始するように、１００〜２００Ｖ程度の低電圧で充電しておく。 - 特許庁

In growing a silicon single crystal 15, in order to control the V/G value with high accuracy so as to yield a desired defect-free region, it is important to conduct the pulling at a constant pulling rate.例文帳に追加

シリコン単結晶１５の育成にあたって、所望の無欠陥領域が得られるようにＶ／Ｇを高精度に制御するためには、一定の引上速度で引上げを行うことが重要である。 - 特許庁

In this method, after manufacturing a quantum well structure 25, annealing 27 and the growth of a second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed using an organometallic vapor growth furnace 11.例文帳に追加

この方法では、量子井戸構造２５を作製後、有機金属気相成長炉１１を用いて熱処理２７と第２導電型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体領域２９の成長とを行う。 - 特許庁

When the light guide plate 4 is divided into N regions in the length L direction, a reflection area S of the V-grooves 45 per unit width in a region of an arbitrary position X generally satisfies formula (1).例文帳に追加

導光板４を長さＬ方向にＮ個の領域に分割したとき、任意の位置Ｘの領域における単位幅当りのＶ溝４５の反射面積Ｓは、概ね次式を満たしている。 - 特許庁

Moreover, when the surface shape of the measured solution pool is nearly the same as the reference surface shape, a solution with an organic material dissolved is also applied onto a partitioning area of a display region V.例文帳に追加

そして、計測した溶液溜りの表面形状が基準表面形状と略同一の場合には、表示領域Ｖの区画領域にも、有機材料を溶解した溶液を塗布する。 - 特許庁

A lamination pattern including a lower layer made of a nitride based group III-V compound semiconductor and an upper layer made of another material is formed in a partial region on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面の一部の領域上に、ナイトライド系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる下層及び他の材料からなる上層を含む積層パターンが形成されている。 - 特許庁